JPS61571A - 複合基板の製造方法 - Google Patents
複合基板の製造方法Info
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- JPS61571A JPS61571A JP59119151A JP11915184A JPS61571A JP S61571 A JPS61571 A JP S61571A JP 59119151 A JP59119151 A JP 59119151A JP 11915184 A JP11915184 A JP 11915184A JP S61571 A JPS61571 A JP S61571A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C4/00—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
- C23C4/04—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge characterised by the coating material
- C23C4/10—Oxides, borides, carbides, nitrides or silicides; Mixtures thereof
- C23C4/11—Oxides
Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、金属基板をベースとする複合基板の製造方法
に関するものである。
に関するものである。
金属基板をベースとする複合基板は、一般に金属基板の
表面に絶縁性のセラミックを溶射、して製造しているが
、溶射被膜が多孔性であるため、耐電圧性能が悪いとい
う欠点があった。そこで、従来は溶射被膜の表面にエポ
キシ樹脂等の有機絶縁物を塗布して溶射被膜の封孔処理
を行ない、耐電圧性能を向上させるようにしているが、
塗布工程が増えて面倒であると共に、逆に放熱性が低下
し、性能が悪くなるという欠点があった。
表面に絶縁性のセラミックを溶射、して製造しているが
、溶射被膜が多孔性であるため、耐電圧性能が悪いとい
う欠点があった。そこで、従来は溶射被膜の表面にエポ
キシ樹脂等の有機絶縁物を塗布して溶射被膜の封孔処理
を行ない、耐電圧性能を向上させるようにしているが、
塗布工程が増えて面倒であると共に、逆に放熱性が低下
し、性能が悪くなるという欠点があった。
本発明は、上記従来の欠点に鑑みて提案されたもので、
放、熱性を犠牲とすることなく、絶縁層である溶射被膜
の耐電圧性能を向上させることができる複合基板の製造
方法を提供せんとするものである。
放、熱性を犠牲とすることなく、絶縁層である溶射被膜
の耐電圧性能を向上させることができる複合基板の製造
方法を提供せんとするものである。
本発明は上記問題点を解決するために、金属基板の表面
に絶縁性のセラミックを溶射する際に、低ソーダ含有ガ
ラスを混合溶射させ、それを加熱処理して複合基板を製
造するようにしたことを特徴とするものである。
に絶縁性のセラミックを溶射する際に、低ソーダ含有ガ
ラスを混合溶射させ、それを加熱処理して複合基板を製
造するようにしたことを特徴とするものである。
本発明の複合基板の製造方法は、上記のように絶縁性の
セラミックに低ソーダ含有ガラスを混合溶射させ、それ
を加熱処理するだけで良いから、製造工程がきわめて簡
単である。又、混合溶射された低ソーダ含有ガラスは、
加熱処理されて溶融するため、溶射被膜の表面粗さが大
巾に改善され、砥とんど無気孔で平滑な面となり、溶射
被膜の耐電圧性能が大幅に向上する。又、エポキシ樹脂
で封孔処理した従来のものと比較し、熱抵抗も少ない。
セラミックに低ソーダ含有ガラスを混合溶射させ、それ
を加熱処理するだけで良いから、製造工程がきわめて簡
単である。又、混合溶射された低ソーダ含有ガラスは、
加熱処理されて溶融するため、溶射被膜の表面粗さが大
巾に改善され、砥とんど無気孔で平滑な面となり、溶射
被膜の耐電圧性能が大幅に向上する。又、エポキシ樹脂
で封孔処理した従来のものと比較し、熱抵抗も少ない。
等多くの利点を有し、実用上きわめて有効な複合基板の
製造方法を提供し得るものである。
製造方法を提供し得るものである。
以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明する。複
合基板のベースとしては各種の金属基板を用いることが
できるが、一般には安価で軽く、酸化しにくいＡｔ製の
金属基板が多く用いられている。次に、その金属基板の
表面にＡｔ２０． 、 ＭｇＯ。
合基板のベースとしては各種の金属基板を用いることが
できるが、一般には安価で軽く、酸化しにくいＡｔ製の
金属基板が多く用いられている。次に、その金属基板の
表面にＡｔ２０． 、 ＭｇＯ。
Ｂｏｏ等からなる絶縁性のセラミックを溶射するのであ
るが、本発明においては、それに低ソーダ含有ガラスを
混合溶射させている。なお、低ソーダ含有ガラスとは、
１価のアルカリイオン含有率が１ ０．５ Ｘ
Ｊ’Ｊ、Ｔ（７） ：／ ｌＪ＊ ｉ ５７ Ｔ、 ＊
ＭＡｆ）”Ｍ ＜ ％比較的高温まで強度が低下しない
特性を有している。又、混合溶射される低ソーダ含有ガ
ラスの添加率は、３〜２５％程度が好ましく、２５％よ
りすぎると、十分な効果を期待することはできない。
るが、本発明においては、それに低ソーダ含有ガラスを
混合溶射させている。なお、低ソーダ含有ガラスとは、
１価のアルカリイオン含有率が１ ０．５ Ｘ
Ｊ’Ｊ、Ｔ（７） ：／ ｌＪ＊ ｉ ５７ Ｔ、 ＊
ＭＡｆ）”Ｍ ＜ ％比較的高温まで強度が低下しない
特性を有している。又、混合溶射される低ソーダ含有ガ
ラスの添加率は、３〜２５％程度が好ましく、２５％よ
りすぎると、十分な効果を期待することはできない。
次に、これを加熱処理するわけであるが、ベースがＡｔ
製の金属基板なら、加熱温度としては５００〜６５０℃
程度が望ましい。但し、ベースがＣｕ製の金属基板なら
、加熱温度はもつと高くても良いが、酸化を防止するた
めＮ２ガス中で加熱する必要がある。とうして加熱処理
された複合基板は低ソーダ含有ガラスの溶融によって溶
射被膜の表面粗さが大巾に改善され、はとんど無気孔で
平滑な面となるので、溶射被膜の耐電圧性能は大幅に向
上するととになる。
製の金属基板なら、加熱温度としては５００〜６５０℃
程度が望ましい。但し、ベースがＣｕ製の金属基板なら
、加熱温度はもつと高くても良いが、酸化を防止するた
めＮ２ガス中で加熱する必要がある。とうして加熱処理
された複合基板は低ソーダ含有ガラスの溶融によって溶
射被膜の表面粗さが大巾に改善され、はとんど無気孔で
平滑な面となるので、溶射被膜の耐電圧性能は大幅に向
上するととになる。
本発明の有効性を確認するため、ｐ、を製の、２ｍｔＸ
２．５ ａｍ Ｘ ２．５ ｍｍの金属基板の表面を
プラスト処理し、その粗面に、”６００のＡｔ２０．４
部に低ソーダ含有ガラス１部を混合溶射して、厚さ約１
５０μの溶射被膜をつくシ、それを焼成炉に入れて５５
０℃で約１時間加熱処理して本発明による複合基板を製
造し、その熱抵抗と耐電圧（Ａｃ ）、表面最大粗さく
Ｒｍａｘ）を測定した。次表はその測定値ト、Ａｔ２０
．の溶射基板、エポキシ、ガラス基板。
２．５ ａｍ Ｘ ２．５ ｍｍの金属基板の表面を
プラスト処理し、その粗面に、”６００のＡｔ２０．４
部に低ソーダ含有ガラス１部を混合溶射して、厚さ約１
５０μの溶射被膜をつくシ、それを焼成炉に入れて５５
０℃で約１時間加熱処理して本発明による複合基板を製
造し、その熱抵抗と耐電圧（Ａｃ ）、表面最大粗さく
Ｒｍａｘ）を測定した。次表はその測定値ト、Ａｔ２０
．の溶射基板、エポキシ、ガラス基板。
エポキシ樹脂で封孔処理した場合 の各測定値を対比し
て示した性能比較衣である。
て示した性能比較衣である。
表
□□」
この表からも明らかなように、本発明に係わる複合基板
は熱抵抗が小さく、耐電圧性能が大幅に向上していると
七が解る。又、本発明に係わる複合基板の表面最大粗さ
く Ｒｍａｘ）は、エポキシ樹脂で封孔処理した場合と
同等で、はとんど無気孔で平滑な面となっているので、
この複合基板に各回路素子を装着して電子回路を構成し
ても、ノイズが発生することはなく、又、回路素子をワ
イヤーボンディングする際、ワイヤーの接着が不良とな
るようなこともない。
は熱抵抗が小さく、耐電圧性能が大幅に向上していると
七が解る。又、本発明に係わる複合基板の表面最大粗さ
く Ｒｍａｘ）は、エポキシ樹脂で封孔処理した場合と
同等で、はとんど無気孔で平滑な面となっているので、
この複合基板に各回路素子を装着して電子回路を構成し
ても、ノイズが発生することはなく、又、回路素子をワ
イヤーボンディングする際、ワイヤーの接着が不良とな
るようなこともない。
なお、封孔処理をしていない従来のＡｔ２０．の溶射基
板と、本発明に係わる複合基板の耐湿性を比較するため
、恒温恒湿槽内で両者の耐電圧を測定した。温度は２５
℃に固定し、相対湿度（Ｘ）を変化させた場合の両者の
耐電圧（ＫＶ ）の変化特性を図面に示す。この実験
では５０端角の溶射基板上に４５咽角の正方形のパター
ンを導電ペーストによシ形成し、その基板を恒温恒湿槽
内に入れて耐電圧をテストした。なおμは溶射被膜厚さ
で、Ｃｕｔ −ｏｆｆ電流は５ｍＡであった。図から明
らかなように、本発明に係わる複合基板は相対湿度が高
くなっても耐電圧が劣化しにくく、耐電圧性能が大幅に
向上することが確認され、複合基板の製造方法として実
用上きわめて有効であることがわかった。
板と、本発明に係わる複合基板の耐湿性を比較するため
、恒温恒湿槽内で両者の耐電圧を測定した。温度は２５
℃に固定し、相対湿度（Ｘ）を変化させた場合の両者の
耐電圧（ＫＶ ）の変化特性を図面に示す。この実験
では５０端角の溶射基板上に４５咽角の正方形のパター
ンを導電ペーストによシ形成し、その基板を恒温恒湿槽
内に入れて耐電圧をテストした。なおμは溶射被膜厚さ
で、Ｃｕｔ −ｏｆｆ電流は５ｍＡであった。図から明
らかなように、本発明に係わる複合基板は相対湿度が高
くなっても耐電圧が劣化しにくく、耐電圧性能が大幅に
向上することが確認され、複合基板の製造方法として実
用上きわめて有効であることがわかった。
図面は未封孔のＡｔ２０．の溶射基板と、本発明に係わ
る複合基板の相対湿度（％）を変化させた場合の、両者
の耐電圧（、ＫＶ ）の変化特性図である。 湘 灯３Ｌ庚 （ψ）
る複合基板の相対湿度（％）を変化させた場合の、両者
の耐電圧（、ＫＶ ）の変化特性図である。 湘 灯３Ｌ庚 （ψ）
Claims (1)
- 金属基板の表面に絶縁性のセラミックを溶射する際に、
低ソーダ含有ガラスを混合溶射させ、それを加熱処理す
るようにしたことを特徴とする複合基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59119151A JPS61571A (ja) | 1984-06-12 | 1984-06-12 | 複合基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59119151A JPS61571A (ja) | 1984-06-12 | 1984-06-12 | 複合基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61571A true JPS61571A (ja) | 1986-01-06 |
| JPS6367552B2 JPS6367552B2 (ja) | 1988-12-26 |
Family
ID=14754178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59119151A Granted JPS61571A (ja) | 1984-06-12 | 1984-06-12 | 複合基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61571A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1103778C (zh) * | 1997-11-14 | 2003-03-26 | 拜尔公司 | 含有烷氧基硅烷基团和乙内酰脲基团的化合物 |
| AT503706B1 (de) * | 2006-06-07 | 2011-07-15 | Mikroelektronik Ges Mit Beschraenkter Haftung Ab | Schaltungsträger |
| US9249895B2 (en) | 2007-09-10 | 2016-02-02 | Buerkert Werke Gmbh | Solenoid valve |
-
1984
- 1984-06-12 JP JP59119151A patent/JPS61571A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1103778C (zh) * | 1997-11-14 | 2003-03-26 | 拜尔公司 | 含有烷氧基硅烷基团和乙内酰脲基团的化合物 |
| AT503706B1 (de) * | 2006-06-07 | 2011-07-15 | Mikroelektronik Ges Mit Beschraenkter Haftung Ab | Schaltungsträger |
| US8134083B2 (en) | 2006-06-07 | 2012-03-13 | Ab Mikroelektronik Gesselschaft Mit Beschrankter Haftung | Circuit carrier |
| US9249895B2 (en) | 2007-09-10 | 2016-02-02 | Buerkert Werke Gmbh | Solenoid valve |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6367552B2 (ja) | 1988-12-26 |
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