JPS6155921A - 電子線露光装置におけるマ−ク位置検出方法 - Google Patents
電子線露光装置におけるマ−ク位置検出方法Info
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- JPS6155921A JPS6155921A JP17685384A JP17685384A JPS6155921A JP S6155921 A JPS6155921 A JP S6155921A JP 17685384 A JP17685384 A JP 17685384A JP 17685384 A JP17685384 A JP 17685384A JP S6155921 A JPS6155921 A JP S6155921A
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- Japan
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- mark
- level
- signal
- scanning
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
- H01J37/3045—Object or beam position registration
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、電子線露光装置において、ウェハやマスクに
付したマークの位置を自動的1ζ検出するマーク位置検
出方法に関するものである。
付したマークの位置を自動的1ζ検出するマーク位置検
出方法に関するものである。
電子ビーム露光装置においては、電子ビームと試料(マ
スクあるいはウェハ)との相対位置関係を正確に知る必
要があり、それらの位置関係を検出する技術としてマー
ク位置検出がある。
スクあるいはウェハ)との相対位置関係を正確に知る必
要があり、それらの位置関係を検出する技術としてマー
ク位置検出がある。
このマーク位置検出方法として、位置合わせ用マークを
含む試料領域を予めビーム走査し、マーク領域の走査に
よって得られる検出信号のピーク値を求めると共に、マ
ーク領域以外の試料領域の走査によって得られる検出信
号のピーク値を求め、それらのピーク値の間の値をスラ
イスレベルとして設定する方法が知られている(特開昭
57−204126号公報)。
含む試料領域を予めビーム走査し、マーク領域の走査に
よって得られる検出信号のピーク値を求めると共に、マ
ーク領域以外の試料領域の走査によって得られる検出信
号のピーク値を求め、それらのピーク値の間の値をスラ
イスレベルとして設定する方法が知られている(特開昭
57−204126号公報)。
しかし、上記方法では、マーク位置検出を実行するのに
、予めマーク領域の走査によって検出信号を求める方法
であることから、マーク位置の設定精度が高いことが不
可欠の条件となり、また、予めマーク検出を行なうこと
自体が無駄時間上なっていた。
、予めマーク領域の走査によって検出信号を求める方法
であることから、マーク位置の設定精度が高いことが不
可欠の条件となり、また、予めマーク検出を行なうこと
自体が無駄時間上なっていた。
また、特開昭55−85028号公報には、マーク検出
用信号増幅器の増幅度を、マーク信号の最大値が一定に
なるように制御し、かつ、最小値をオフセットfilと
みなして検出信号から除去することで、マーク信号を最
適化する方法が記載されている。
用信号増幅器の増幅度を、マーク信号の最大値が一定に
なるように制御し、かつ、最小値をオフセットfilと
みなして検出信号から除去することで、マーク信号を最
適化する方法が記載されている。
しかし、上記方法では、マーク信号の直流分、即ちオフ
セット量として、マーク信号の最小値を採用する°方法
であることから、扱いつるマークの種類に制限が生じる
という問題があった。
セット量として、マーク信号の最小値を採用する°方法
であることから、扱いつるマークの種類に制限が生じる
という問題があった。
本発明の目的は、従来技術での上記した問題点を解決し
、マーク位置検出用の電子ビーム走査を実行しながら、
即ちビーム走査の途中で、マーク位置検出のための必要
条件を設定すること、換言ゴれば、実時間でマーク検出
用波形信号を最適化すること、を可能とするマーク位置
検出方法を堤供することにある。
、マーク位置検出用の電子ビーム走査を実行しながら、
即ちビーム走査の途中で、マーク位置検出のための必要
条件を設定すること、換言ゴれば、実時間でマーク検出
用波形信号を最適化すること、を可能とするマーク位置
検出方法を堤供することにある。
上記目的を達成するために、本発明では、電子ビーム走
査開始直後の一定短期間Δtの上記検出信号のレベル、
即ち短期間Δtの間の平均レベルあるいはΔを経過時点
でのレベル、を求めてこれをオフセット調整量として以
降の検出信号出力レベルから除去し、引き続く走査によ
って得られる上記調整された検出信号を増幅すると同時
にその増幅利得を、前記マーク位置部に対応する検出信
号出力レベル最大値が設定レベルEmに等しくなるよう
に制御し、上記設定レベルE。のほぼ1/2を比較用ス
ライスレベルとして上記増幅して得られる検出信号レベ
ルからマーク位置情報を得る方法とする。
査開始直後の一定短期間Δtの上記検出信号のレベル、
即ち短期間Δtの間の平均レベルあるいはΔを経過時点
でのレベル、を求めてこれをオフセット調整量として以
降の検出信号出力レベルから除去し、引き続く走査によ
って得られる上記調整された検出信号を増幅すると同時
にその増幅利得を、前記マーク位置部に対応する検出信
号出力レベル最大値が設定レベルEmに等しくなるよう
に制御し、上記設定レベルE。のほぼ1/2を比較用ス
ライスレベルとして上記増幅して得られる検出信号レベ
ルからマーク位置情報を得る方法とする。
これを、第1図によりさら1ζ具体的に説明する。
第1図ta+は試料に装着されたマークと電子ビーム走
査との関係を示した図である。マーク10を含む領域を
電子ビーム11で、まずH−if)、次にII−+2+
、さらに1l−+3+・・・・・・のように走査する。
査との関係を示した図である。マーク10を含む領域を
電子ビーム11で、まずH−if)、次にII−+2+
、さらに1l−+3+・・・・・・のように走査する。
第1図(blの波形12は、ビーム走査により、マーク
信号検出器から得られるマーク信号を示している。即ち
、マーク信号12は、ビーム走査(照射)によって生じ
るベース信号レベルEBとマーク部位からの信号E、と
から成る。この場合、スライスレベルとしては同図に示
されている破線レベル13が採用されることになるが、
図から判るように、ベースレベルEBが高いほど、即ち
コントラス) ES/EBが小さいほど、検出の安定性
が損なわれる。
信号検出器から得られるマーク信号を示している。即ち
、マーク信号12は、ビーム走査(照射)によって生じ
るベース信号レベルEBとマーク部位からの信号E、と
から成る。この場合、スライスレベルとしては同図に示
されている破線レベル13が採用されることになるが、
図から判るように、ベースレベルEBが高いほど、即ち
コントラス) ES/EBが小さいほど、検出の安定性
が損なわれる。
そこで、本発明では、ビーム走査を開始してからある一
定の比較的短かい時間Δtが経過するまでの間1こベー
スレベルEBを検出する。そして、Δtが経過した時点
以降は、検出されるマーク信号に対して、全て、EBだ
け引き算される。即ち、レベルEBが除去され、マーク
信号は波形14となる。一方、上記時間Δtが経過した
後、マーク信号の最大値が予め設定されたレベルEff
lと等しくなるように、マーク信号増幅器の増幅ゲイン
を制御することにより、結局、マーク信号は波形】4で
示すようにコントラストの高い信号となる。なお、今の
例の場合、ビーム走査が11−+11の時の雑音は、増
幅器が最大ゲインに設定される故に、増幅されて大きく
なっている。
定の比較的短かい時間Δtが経過するまでの間1こベー
スレベルEBを検出する。そして、Δtが経過した時点
以降は、検出されるマーク信号に対して、全て、EBだ
け引き算される。即ち、レベルEBが除去され、マーク
信号は波形14となる。一方、上記時間Δtが経過した
後、マーク信号の最大値が予め設定されたレベルEff
lと等しくなるように、マーク信号増幅器の増幅ゲイン
を制御することにより、結局、マーク信号は波形】4で
示すようにコントラストの高い信号となる。なお、今の
例の場合、ビーム走査が11−+11の時の雑音は、増
幅器が最大ゲインに設定される故に、増幅されて大きく
なっている。
ここで、第1図tblの15はスライスレベルでアル。
このスライスレベルはほぼ(+/2)Efflに設定さ
れる。
れる。
従って、マーク信号14がスライスレベル15ヲよぎっ
た時点の電子ビーム位置を求めることにより、マーク位
置が判ることになる。この様子を示しているのが第1図
(C1である。第1図tc+において、*印は各ビーム
走査ごと審ζ検出されるマーク位置を示している。今の
例の場合では*印が4つ存在するビーム走査線、即ち、
11− +21及び11−+31がマークをよぎってい
る走査線であるということが判る。
た時点の電子ビーム位置を求めることにより、マーク位
置が判ることになる。この様子を示しているのが第1図
(C1である。第1図tc+において、*印は各ビーム
走査ごと審ζ検出されるマーク位置を示している。今の
例の場合では*印が4つ存在するビーム走査線、即ち、
11− +21及び11−+31がマークをよぎってい
る走査線であるということが判る。
故に、11−+21の走査を終えた所で、これ以上の走
査を実行する必要が俸いとして、走査を終了させること
ができる。もちろん、データの信頼性を上げるために、
*印が4つ存在する走査線数が複数(N)本になった所
で走査を止めるようにすることもできる。
査を実行する必要が俸いとして、走査を終了させること
ができる。もちろん、データの信頼性を上げるために、
*印が4つ存在する走査線数が複数(N)本になった所
で走査を止めるようにすることもできる。
以上に述べた本発明方法によるならば、マーク位a検出
をするために必要な条件(即ち、オフセットレベルの除
去、振幅の最適化、スライスレベルの決定)の設定を行
ないながら同時にマーク位置検出が可能となり、従来方
法の場合の俸駄時間がなくなるという利点がある。
をするために必要な条件(即ち、オフセットレベルの除
去、振幅の最適化、スライスレベルの決定)の設定を行
ないながら同時にマーク位置検出が可能となり、従来方
法の場合の俸駄時間がなくなるという利点がある。
以下、本発明の一実施例を第2図により説明する。第2
図において、11は電子ビーム、20は走査信号発生器
、21はマーク10〔第1図(a)〕を含む試料、22
はマーク信号検出器、23はオフセットを除去するため
のD/A変換器、24はオフセットレベル調整用増幅器
、25はA/D変換器、27は増幅器、29はマーク信
号処理回路、30はレジスタ、31は最大値検出・ホー
ルド回路、32は増幅率設定回路、34は制@CPU、
35はビームをオン/l y制御する回路である。
図において、11は電子ビーム、20は走査信号発生器
、21はマーク10〔第1図(a)〕を含む試料、22
はマーク信号検出器、23はオフセットを除去するため
のD/A変換器、24はオフセットレベル調整用増幅器
、25はA/D変換器、27は増幅器、29はマーク信
号処理回路、30はレジスタ、31は最大値検出・ホー
ルド回路、32は増幅率設定回路、34は制@CPU、
35はビームをオン/l y制御する回路である。
このような構成において、走査信号発生器20には、制
@CPU34より、所定のデータが予めセット−されて
いる。*IGIICPU34から走査信号発生器2゜に
起動をかけると、走査信号発生器20は、ビームオンh
フ制仰回路35に対ル、電子ビーム11をオンにするよ
う指令を出す。この結果、電子ビーム11が試料21を
照射すると、マーク信号検出器22はその時の試料21
から発生する電子、即ち、マーク信号ノヘースレヘルヲ
検出し、オフセットレベル調整用増幅器24を経由し、
出力線26に電圧信号として出力する。レジスタ30は
制@CPU34によって予めリセットされている。ビー
ム走査開始から、設定された短時間Δtが経過した時点
で、走査信号発生器20はA/D変換器25に起動をか
ける。A/D変換器25は出力線26のこの時点の出力
電圧信号、即ち第1図(blのEB、をA/D変換し、
これをレジスタ30にセットする。このレジスタ30の
内容に基いてD/A変換器23は、出力線26の電圧レ
ベルがほぼ零になるような感度の出力をオフセット調整
用増幅器24の一方の入力端に入力する。ここまでの回
路動作で、ビーム走査開始直後の設定短期間汎が経過し
た時点の検出信号レベルEBがオフセットレベルとして
検出され、以降の検出信号出力レベルから除去されるこ
とになる。なお、上記実施例では、設定期間Δtが経過
した時点の検出信号レベルをオフセット調整量とすると
したが、これは、設定期間Δtの間の検出信号レベルの
平均を求めてこれをオフセット調整量とすることも、僅
かの回路構成の変更で可能である。
@CPU34より、所定のデータが予めセット−されて
いる。*IGIICPU34から走査信号発生器2゜に
起動をかけると、走査信号発生器20は、ビームオンh
フ制仰回路35に対ル、電子ビーム11をオンにするよ
う指令を出す。この結果、電子ビーム11が試料21を
照射すると、マーク信号検出器22はその時の試料21
から発生する電子、即ち、マーク信号ノヘースレヘルヲ
検出し、オフセットレベル調整用増幅器24を経由し、
出力線26に電圧信号として出力する。レジスタ30は
制@CPU34によって予めリセットされている。ビー
ム走査開始から、設定された短時間Δtが経過した時点
で、走査信号発生器20はA/D変換器25に起動をか
ける。A/D変換器25は出力線26のこの時点の出力
電圧信号、即ち第1図(blのEB、をA/D変換し、
これをレジスタ30にセットする。このレジスタ30の
内容に基いてD/A変換器23は、出力線26の電圧レ
ベルがほぼ零になるような感度の出力をオフセット調整
用増幅器24の一方の入力端に入力する。ここまでの回
路動作で、ビーム走査開始直後の設定短期間汎が経過し
た時点の検出信号レベルEBがオフセットレベルとして
検出され、以降の検出信号出力レベルから除去されるこ
とになる。なお、上記実施例では、設定期間Δtが経過
した時点の検出信号レベルをオフセット調整量とすると
したが、これは、設定期間Δtの間の検出信号レベルの
平均を求めてこれをオフセット調整量とすることも、僅
かの回路構成の変更で可能である。
走査信号発生器20は、上記期間Δtが経過するトA/
D ’l Ik器25からレジスタ30へのデータ書込
みを禁止すると共に、電子ビーム11を第1図(a)で
示したよう)こ走査する。走査の結果、出力線26に出
現する、オフセット調整された検出信号は、増幅器27
に送られると同時に、A/D変換器25でディジタル化
されて最大値検出・ホールド回路31(ζ送られる。最
大値検出・ホールド回路31の出力は、出力線26の電
圧レベルをElとし、出力線28の電圧レベルをEoと
してEO=に−Ei=一定となるような係数に1こ、増
幅率設定回路32で、変換され、出力線33を介して増
幅器27の増幅率を制御する。
D ’l Ik器25からレジスタ30へのデータ書込
みを禁止すると共に、電子ビーム11を第1図(a)で
示したよう)こ走査する。走査の結果、出力線26に出
現する、オフセット調整された検出信号は、増幅器27
に送られると同時に、A/D変換器25でディジタル化
されて最大値検出・ホールド回路31(ζ送られる。最
大値検出・ホールド回路31の出力は、出力線26の電
圧レベルをElとし、出力線28の電圧レベルをEoと
してEO=に−Ei=一定となるような係数に1こ、増
幅率設定回路32で、変換され、出力線33を介して増
幅器27の増幅率を制御する。
A/D変換器25の出力が最大値検出・ホールド回路3
11ζホールドされ上記係数Kが増幅器27に入力され
る動作が終了すると、この終了信号でもって、走査信号
発生器20は所定のステップで電子ビーム11を移動さ
せ、移動後再びA/D変換器25に起動をかける。と云
った順序で第1図ta)の11−[1)で示す走査が行
なわれる。A/D変換器25の出力が、それ以前の最大
値よりも大きければ、最大値検出・ホールド回路31の
内容は更新される。今の例の場合、第1図talの走査
線1l−if)の走査期間にはマークが無いので増幅器
27は最大ゲイン化設定され続ける。この結果、出力線
28には、第1図(blの波形14で示しているように
走査線1l−filの期間において大きな雑音だけが生
じることになる。
11ζホールドされ上記係数Kが増幅器27に入力され
る動作が終了すると、この終了信号でもって、走査信号
発生器20は所定のステップで電子ビーム11を移動さ
せ、移動後再びA/D変換器25に起動をかける。と云
った順序で第1図ta)の11−[1)で示す走査が行
なわれる。A/D変換器25の出力が、それ以前の最大
値よりも大きければ、最大値検出・ホールド回路31の
内容は更新される。今の例の場合、第1図talの走査
線1l−if)の走査期間にはマークが無いので増幅器
27は最大ゲイン化設定され続ける。この結果、出力線
28には、第1図(blの波形14で示しているように
走査線1l−filの期間において大きな雑音だけが生
じることになる。
1木目の走査線11−+11の走査が終了すると、走査
信号発生器20は電子ビーム11をY軸方向(ビーム走
査と直交する方向)に所定のピッチだけ移動させ、走査
線11−+21の走査を開始する。走査が進行し、電子
ビームがマーク10を照射すると、出力線26の電圧が
マークに対応して変化する。通常、雑音振幅よりも、第
1図[blのESで示す信号の方が大きいから、マーク
位置検出に伴って、最大値検出・ホールド回路31の内
容は増幅器27のゲインを下げるように更新される。こ
の結果、出力線28に現われる検出信号レベルは第1図
1b+の11−+2)で示すよう1ζ、設定レベルEf
flとレベルか等しくなる。
信号発生器20は電子ビーム11をY軸方向(ビーム走
査と直交する方向)に所定のピッチだけ移動させ、走査
線11−+21の走査を開始する。走査が進行し、電子
ビームがマーク10を照射すると、出力線26の電圧が
マークに対応して変化する。通常、雑音振幅よりも、第
1図[blのESで示す信号の方が大きいから、マーク
位置検出に伴って、最大値検出・ホールド回路31の内
容は増幅器27のゲインを下げるように更新される。こ
の結果、出力線28に現われる検出信号レベルは第1図
1b+の11−+2)で示すよう1ζ、設定レベルEf
flとレベルか等しくなる。
出力線28に現われる検出信号は信号処理回路291ζ
入力される。信号処理回路29は、第1図1b+のレベ
ル】5、即ち上記設定レベルEI、lの%、を比較用の
スライスレベルとして、出力線28から入力される信号
レベルが上記比較用スライスレベルをよぎった時点のビ
ーム位置、即ちマーク位置、を抽出する回路である。即
ち、第1図tc)で示すように。
入力される。信号処理回路29は、第1図1b+のレベ
ル】5、即ち上記設定レベルEI、lの%、を比較用の
スライスレベルとして、出力線28から入力される信号
レベルが上記比較用スライスレベルをよぎった時点のビ
ーム位置、即ちマーク位置、を抽出する回路である。即
ち、第1図tc)で示すように。
今の場合、*印が4つであることを抽出する。
さらに、3本目の走査線1l−+31に進み、第1図(
C1で示すように、この走査線11−131においても
、*印が4つであることか抽出されると、*印4つの走
査線が2本になったことにより、信号処理回路29は、
走査信号発生器20に終了信号を送出すると共に、制Q
ICPU34に対し、終了割込みをかける。
C1で示すように、この走査線11−131においても
、*印が4つであることか抽出されると、*印4つの走
査線が2本になったことにより、信号処理回路29は、
走査信号発生器20に終了信号を送出すると共に、制Q
ICPU34に対し、終了割込みをかける。
’t制御cPU34は、信号処理回路29内部に格納さ
れている、マーク位置データを読出し、必要に応じて利
用する。
れている、マーク位置データを読出し、必要に応じて利
用する。
以上の説明においては、1本目の走査線+1−illの
期間、増幅器27のゲインが太き(設定されていても、
雑音信号のレベルが比較用スライスレベル15をよぎる
ことはないとして説明したが、しかし全ての雑音信号に
対して上記条件が成立する保証はない。この不都合を回
避する方法として、例えば次のような方法が考えられる
。即ち、前述のように、マーク位置検出と同時(ζ最大
値検出・ホールド回路31の内容は増幅器27のゲイン
を下げるように更新されるので、ゲインの下がる時点を
検出してそれ以前のデータを捨てる方法、あるいは前述
した第1図fc)の走査線11−+21.11−+31
のように、少なくとも2本の走査線に、ある範囲内の対
応位置に同じ偶数個数の*印が検出されたことでマーク
位置検出動作終了と判定する方法、あるいは、本発明者
等1こより別途出願ずみの、増幅率設定回路32の出力
がある値以上である場合、すなわち、1幅器27のゲイ
ンが所定値よりも大きく設定されるような場合にはマー
ク信号処理回路29のマーク検出動作を禁止する方法、
などが考えられる。
期間、増幅器27のゲインが太き(設定されていても、
雑音信号のレベルが比較用スライスレベル15をよぎる
ことはないとして説明したが、しかし全ての雑音信号に
対して上記条件が成立する保証はない。この不都合を回
避する方法として、例えば次のような方法が考えられる
。即ち、前述のように、マーク位置検出と同時(ζ最大
値検出・ホールド回路31の内容は増幅器27のゲイン
を下げるように更新されるので、ゲインの下がる時点を
検出してそれ以前のデータを捨てる方法、あるいは前述
した第1図fc)の走査線11−+21.11−+31
のように、少なくとも2本の走査線に、ある範囲内の対
応位置に同じ偶数個数の*印が検出されたことでマーク
位置検出動作終了と判定する方法、あるいは、本発明者
等1こより別途出願ずみの、増幅率設定回路32の出力
がある値以上である場合、すなわち、1幅器27のゲイ
ンが所定値よりも大きく設定されるような場合にはマー
ク信号処理回路29のマーク検出動作を禁止する方法、
などが考えられる。
なお、上述した実施例においては、電子ビームの走査は
、走査信号発生器20によって行なうとしたが、これは
、制@CPU34によって、各走査点ごとに走査信号を
送出する方法とすることもできる。また、オフセット調
整量の除去操作や、増幅器27の増幅度設定を、出力線
26に現われるアナログ電圧信号をA/D変換器25で
ディジタル変換してディジタル的に行なっているが、こ
れらは、全てをアナログ的に行なわせることも可能であ
り、同じ効果が得られる。さらに、マーク信号処理回路
29におけるマークエツジ抽出を、実施例ではアナログ
的に行なったが、出力線28の途中にA/D変換器を設
け、ディジタル的+C処理する方法とすることもできる
。
、走査信号発生器20によって行なうとしたが、これは
、制@CPU34によって、各走査点ごとに走査信号を
送出する方法とすることもできる。また、オフセット調
整量の除去操作や、増幅器27の増幅度設定を、出力線
26に現われるアナログ電圧信号をA/D変換器25で
ディジタル変換してディジタル的に行なっているが、こ
れらは、全てをアナログ的に行なわせることも可能であ
り、同じ効果が得られる。さらに、マーク信号処理回路
29におけるマークエツジ抽出を、実施例ではアナログ
的に行なったが、出力線28の途中にA/D変換器を設
け、ディジタル的+C処理する方法とすることもできる
。
以上説明したように、本発明によれば、電子ビームによ
ってマーク位置を検出するのに必要な条”1#−(オフ
セット量の除去、検出信号を増幅するための増幅ゲイン
の最適化)設定をしながら、同時にマーク位置検出が可
能となり、この結果、マーク検出の所要時間を従来の約
Aに短縮できる利点がある。
ってマーク位置を検出するのに必要な条”1#−(オフ
セット量の除去、検出信号を増幅するための増幅ゲイン
の最適化)設定をしながら、同時にマーク位置検出が可
能となり、この結果、マーク検出の所要時間を従来の約
Aに短縮できる利点がある。
第1図1b+はマークと電子ビーム走査線との位置関係
を示す図、tblはマーク1号の一例を示す図、[C)
はマーク位置検出結果を示す図、第2図は本発明の一実
施例回路図である。 く符号の説明〉 10・・・マーク 11−+11.11−+21.1l−+3)・・・電子
ビーム13.15・・・スライスレベル 20・・・走査信号発生器 21・・・マークを含む試料 22・・・信号検出器 24 、27・・・増幅器 29・・・マーク信号処理回路 30・・・レノスタ コト・最大値検出・ホールド回路 32・・・増幅率設定回路 34・・・制8cpu
を示す図、tblはマーク1号の一例を示す図、[C)
はマーク位置検出結果を示す図、第2図は本発明の一実
施例回路図である。 く符号の説明〉 10・・・マーク 11−+11.11−+21.1l−+3)・・・電子
ビーム13.15・・・スライスレベル 20・・・走査信号発生器 21・・・マークを含む試料 22・・・信号検出器 24 、27・・・増幅器 29・・・マーク信号処理回路 30・・・レノスタ コト・最大値検出・ホールド回路 32・・・増幅率設定回路 34・・・制8cpu
Claims (1)
- 試料上に位置合わせ用マークを設定し、このマークを含
む試料領域を電子ビームで走査し、この走査によって放
出される電子に対応する検出信号が比較用のスライスレ
ベルをよぎった時点の電子ビーム位置からマーク位置情
報を得るマーク位置検出方法において、電子ビーム走査
開始直後の一定短期間Δtの上記検出信号のレベルを求
めこれをオフセット調整量として以降の検出信号の出力
レベルから除去し、引き続く走査によって得られる上記
オフセット調整された検出信号を増幅すると共にその増
幅利得を、前記マーク位置部に対応する検出信号出力レ
ベル最大値が設定レベルE_mに等しくなるように制御
し、上記設定レベルE_mのほぼ1/2を比較用スライ
スレベルとして上記増幅して得られる検出信号レベルか
らマーク位置情報を得ることを特徴とする電子線露光装
置におけるマーク位置検出方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17685384A JPS6155921A (ja) | 1984-08-27 | 1984-08-27 | 電子線露光装置におけるマ−ク位置検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17685384A JPS6155921A (ja) | 1984-08-27 | 1984-08-27 | 電子線露光装置におけるマ−ク位置検出方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6155921A true JPS6155921A (ja) | 1986-03-20 |
Family
ID=16020973
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17685384A Pending JPS6155921A (ja) | 1984-08-27 | 1984-08-27 | 電子線露光装置におけるマ−ク位置検出方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6155921A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018113371A (ja) * | 2017-01-12 | 2018-07-19 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法 |
-
1984
- 1984-08-27 JP JP17685384A patent/JPS6155921A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018113371A (ja) * | 2017-01-12 | 2018-07-19 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法 |
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