JPS6155240B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はキセノン放電管等の閃光放電灯の発光
時間を制御するための電子回路に関する。

閃光放電灯を発光させて被写体を照明する際
に、被写体距離によつて適正照明光量が異なるた
め、被写体からの反射光を測光し、光量が所定量
に達した時に閃光放電灯を消灯することが行なわ
れている。

一方、眼底カメラで眼底の撮影を行う場合、対
物レンズを通して眼底を照明し、眼底で反射した
光束を対物レンズと結像レンズの作用で撮影フイ
ルム上に結像させている。その際、結像レンズ
を、焦点距離を異にした別の結像レンズと交換し
て、広角あるいは拡大撮影をすることが可能であ
るが、眼底照明光束の照射角は一定であるのに対
し撮影画角は変化するため、照明光量を固定する
と画角の変化に伴つて光量不足や光量過剰となる
ことが考えられる。従つて、この場合も画角の変
化に応じて閃光放電灯の発光時間を調節するのが
望ましい。

如上の発光制御のために、主蓄電器に接続され
たキセノン放電管の陰極にサイリスタの如き、制
御電極を有する半導体スイツチ素子を直列に接続
し、この半導体スイツチ素子を導通させて放電管
を発光させ、更に半導体スイツチ素子を不導通に
転じさせて発光を停止させる技術が広く実施され
ている。

本発明の目的は放電管の発光を停止させるスイ
ツチ素子の、新規な作動制御回路の提供にある。

以下、第１図に示す電子回路と第２図の波形−
タイミング・チヤートを使つて実施例を説明す
る。図中、T₁₀は昇圧トランスで、その１次側は
図示されない交流電源に接続される。D₁₀は整流
ダイオード、R₁₀は電流制限抵抗で、昇圧トラン
スT₁₀の２次側に直列接続される。C₁₀は主コンデ
ンサで、昇圧トランスT₁₀により得られた所定の
交流が整流ダイオードD₁₀により直流変換され、
電流制限抵抗R₁₀を経た電気エネルギーを蓄え
る。

一方、XeOはキセノン放電管で、主コンデンサ
C₁₀と閉回路を構成し、その途中にはコイルL₁₀が
挿入される。またコイルL₁₀には逆起電力防止用
ダイオードD₂₀が並列に接続されている。T₂₀は放
電管のトリガー用トランスで、その１次側はトリ
ガ・コンデンサC₂₀を介して不図示のトリガ回路
に接続され、２次側はキセノン放電管XeOのトリ
ガ端子に接続されている。トリガ回路は常用され
ているものを使用し、カメラのレリーズ操作でト
リガ・パルスをコンデンサC₂₀の端子A₀に入力す
る。

次に、コイルL₁₀とキセノン放電管XeOの陽極
との間に設けたSCR₁₀はスイツチングの為のサイ
リスタで、そのゲートB₀にはサイリスタSCR₁₀を
導通させるための信号が入力されるものとし、こ
の信号はカメラのレリーズ操作の前段階で発生
し、つづいて発生するトリガ・パルスの後まで持
続するものとする。

L₂₀はコイル、C₃₀は副コンデンサで両者は直列
された後、サイリスタSCR₁₀に並列に接続され
る。R₂₀はコンデンサC₃₀を充電するための抵抗
で、コイルL₂₀とコンデンサC₃₀の複合回路を接地
側に接続しているが、コイルとコンデンサの接続
順序は逆でもよく、その場合抵抗R₂₀の一端はコ
イルとコンデンサの間に接続しても良い。すなわ
ち抵抗R₂₀はコンデンサC₃₀における主サイリスタ
SCR₁₀の陰極側であるカソード側とキセノン放電
管XeOの接地側を結合する回路中に設けられる抵
抗であつて副サイリスタSCR₂₀がトリガされる以
前において副サイリスタSCR₂₀に対して順方向の
バイアス電圧を与えるべく副サイリスタSCR₂₀を
充電する。

D₃₀とD₄₀はダイオードであるが、ダイオード
D₃₀と主サイリスタSCR₁₀は１つの逆導通サイリ
スタで置換できる。またSCR₂₀は副サイリスタ
で、複合回路と並列に接続され、そのゲートは周
知の限時回路に接続されているものとし、被写体
からの反射光量が一定量に達した時あるいは画角
に応じて設定した時間の経過後、ゲートにパルス
が入力されるものとする。

また第２図で、A₀，B₀，C₀は各々、端子もし
くはゲートに入力されるパルス波形を同時に示す
とともに本図はその時系列関係を描き、ioはキセ
ノン放電管を流れる電流波形、ao，bo，coは各
接点における電圧の変化を示している。

以上の構成で、昇圧トランスT₁₀により得られ
た所定の交流は整流ダイオードD₁₀により直流変
換され、電流制限抵抗R₁₀を経て主コンデンサC₁₀
に電力が蓄えられる。主サイリスタSCR₁₀はゲー
トに信号Boを入力すると導通し、直後に、放電
管XeOはそのトリガ端子にトリガ・トランス
T₂₀、トリガ・コンデンサC₂₀を介してトリガ信号
Aoを入力されることにより内部抵抗が減少し、
主コンデンサC₁₀は逆起電力防止用ダイオードD₂₀
を有するコイルL₁₀と主サイリスタSCR₁₀を介し
てキセノン放電管XeOに大電流を流し、これを発
光させる。

所定の時間経過後、副サイリスタSCR₂₀はゲー
ト信号Coを入力されると導通し、上記発光動作
前に充電されていた副コンデンサC₃₀をコイルL₂₀
を介して放電させる。このとき、副コンデンサ
C₃₀はダイオードD₃₀とD₄₀を介する発振回路とし
て動作する。従つて、副サイリスタSCR₂₀が導通
したことにより放電した副コンデンサC₃₀はダイ
オードD₃₀，D₄₀により再充電動作を行う。その
際、主サイリスタSCR₁₀は陽極aoが陰極であるカ
ソードboより低電位となつて不導通に転ずる。

また副サイリスタSCR₂₀はゲート信号Coが停止
した時点で、副コンデンサC₃₀とコイルL₂₀の発振
状態も停止し、抵抗R₂₀を介して副コンデンサC₃₀
は充電される。以上がキセノン管の発光、停止、
準備の１サイクルである。

以上の実施例と比較するため第３図に周知の発
光停止回路の一例を示す。ここで、キセノン放電
管Xeの発光動作前に抵抗RaとRbにより放電され
ているコンデンサＣは、副サイリスタSCRbのゲ
ート信号Coが入力されて導通すると、放電管Xo
を流れる電流はコンデンサＣを充電する。このと
き主サイリスタSCRaの陽極は陰極より低電位と
なり、主サイリスタは不導通に転じる。副サイリ
スタSCR₂₀を不導通にさせるためにはサイリスタ
を流す電流を小さくしなければならないから抵抗
Rbは小さくできず、例えば電圧Vc＝300V、主コ
ンデンサーの容量を6000μＦ、Ｃ＝100μＦ、Ra
＝20Ω、Rb＝200KΩ程度が実際の数値となる。

一方、上記例ではVc＝300V、C₁₀＝6000μＦ
で、C₃₀は100μＦ、R₂₀＝1KΩ程度である。時定
数は抵抗値に依存するから、本例では極めて充電
時間が短かいのに対し、従来例では放電時間が長
く、従つて、本例は大容量の電流による発光の、
早い繰返し制御が可能である。

また従来例では放電管の発光停止時にコンデン
サＣの充電電流も放電管に流れて発光に上乗せさ
れる。また制御時間もコンデンサＣへの充電時間
が誤差要因となりやすい。これに対し本発明では
発光停止用の電流が放電管に流れない点で誤差要
因が除かれ、またコンデンサC₃₀の充放電時間も
短かく、時間制御の精度が高いので発光々量の制
御がより正確になる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明実施例の電子回路図。第２図は
電気波形図。第３図は従来例の電子回路図。 図中、XeOはキセノン放電管、SCR₁₀は主サイ
リスタで、制御電極を有する半導体スイツチ素
子、SCR₂₀は副サイリスタ、L₂₀はコイル、C₃₀は
コンデンサ、R₂₀は抵抗、D₃₀とD₄₀はダイオード
である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 制御電極並びに陰極を有する第１の半導体ス
   イツチ素子と閃光放電管を直列に接続して主蓄電
   器と閉回路を構成し、制御電極並びに前記第１の
   半導体スイツチ素子の陰極と接続される陰極を有
   し前記第１の半導体スイツチ素子のトリガ後の所
   定時にトリガされる第２の半導体スイツチ素子を
   前記第１の半導体スイツチ素子と並列に設け、又
   前記第１の半導体スイツチ素子と並列に前記第１
   の半導体スイツチ素子とは逆極性のダイオードを
   設け、更に巻線と第２の蓄電器を直列に接続した
   複合回路を前記第１の半導体スイツチ素子と並列
   に設け、前記第２の蓄電器における前記第１の半
   導体スイツチ素子の陰極側と前記閃光放電管の接
   地側を結合する回路中にあつて前記第２の半導体
   スイツチ素子がトリガされる以前において前記第
   ２の半導体スイツチ素子に対して順方向のバイア
   ス電圧を与えるべく前記第２の蓄電器を充電する
   ための抵抗を備えたことを特徴とする放電管の発
   光停止制御回路。