JPS6152651A - 電子写真用セレン感光体 - Google Patents
電子写真用セレン感光体Info
- Publication number
- JPS6152651A JPS6152651A JP17544284A JP17544284A JPS6152651A JP S6152651 A JPS6152651 A JP S6152651A JP 17544284 A JP17544284 A JP 17544284A JP 17544284 A JP17544284 A JP 17544284A JP S6152651 A JPS6152651 A JP S6152651A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- selenium
- photosensitive
- charge
- photosensitive body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、高濃度テルル・セレン合金よりなる電荷発生
層を含む感光層を有し、特に半導体レーザに代表される
長波長光光源を用いる電子写真装置に好適なセレン感光
体に関する。
層を含む感光層を有し、特に半導体レーザに代表される
長波長光光源を用いる電子写真装置に好適なセレン感光
体に関する。
従来、セレン感光体を半導体レーザプリンタ装置を例に
みるような電子写真装置に適用する場合、感光体の光怒
度をより長波長光領域まで伸ばすために、表面近傍に設
けられた電荷発生層に２５重Ｈ％以上のテルルを添加し
た層を用いて電荷（フォトキャリヤ）発生効率を増大さ
せることが行われている。また、これをさらに改良した
タイプとして、最表面に保護層を設けたものがある。こ
の保、頂層を設ける長所としては、電荷発生層が表面に
あつたときに電子写真プロセス、すなわちコロナ帯電−
露光−トナー現像−除電−クリーニングのくり返しによ
り発生する電荷発生層の摩耗、粗面化等の問題を解決で
きること、また暗中でのコロナ帯電時の初期表面電荷受
容性にすぐれ、その後の表面電位の暗減衰特性にも優れ
ていること、すなわち暗減衰しにくいことなどが挙げら
れる。 こうして、４電性基体上に純Ｓｅまたは低Ｔｅ濃度Ｓｅ
の電荷輸送層、高Ｔｅ潟度Ｓｅの電荷発生層、そして保
ｌ！層をこの順に積層したタイプのセレン感光体は、あ
る程度実用に供することができた。しかしながら、この
感光体を３５〜４０℃程度の高温環境下で使用する際は
、くり返し使用時に感光体の未露光部の表面電位が徐々
に低下していき、数百サイクルでもはや使用に堪えない
程の電位低下量となり、′＃Ｊｒｎを劣化させてしまう
ことが判明した。
みるような電子写真装置に適用する場合、感光体の光怒
度をより長波長光領域まで伸ばすために、表面近傍に設
けられた電荷発生層に２５重Ｈ％以上のテルルを添加し
た層を用いて電荷（フォトキャリヤ）発生効率を増大さ
せることが行われている。また、これをさらに改良した
タイプとして、最表面に保護層を設けたものがある。こ
の保、頂層を設ける長所としては、電荷発生層が表面に
あつたときに電子写真プロセス、すなわちコロナ帯電−
露光−トナー現像−除電−クリーニングのくり返しによ
り発生する電荷発生層の摩耗、粗面化等の問題を解決で
きること、また暗中でのコロナ帯電時の初期表面電荷受
容性にすぐれ、その後の表面電位の暗減衰特性にも優れ
ていること、すなわち暗減衰しにくいことなどが挙げら
れる。 こうして、４電性基体上に純Ｓｅまたは低Ｔｅ濃度Ｓｅ
の電荷輸送層、高Ｔｅ潟度Ｓｅの電荷発生層、そして保
ｌ！層をこの順に積層したタイプのセレン感光体は、あ
る程度実用に供することができた。しかしながら、この
感光体を３５〜４０℃程度の高温環境下で使用する際は
、くり返し使用時に感光体の未露光部の表面電位が徐々
に低下していき、数百サイクルでもはや使用に堪えない
程の電位低下量となり、′＃Ｊｒｎを劣化させてしまう
ことが判明した。
本発明は、上記の問題を解決して多層椿成のセレン感光
層の組成を変えないことにより長波長光ｗＩ域に光怒度
を有し、しかも高温環境下におけるくり返し使用時の未
露光部の表面電位の低下の防止された電子写真用セレン
感光体を提供することを目的とする。 ｒ発明の要点】 本発明は、高温環境下におけるコロナ帯電時の基体から
のｆＬ重電荷注入および感光層からの正電荷の基体への
逃げを阻止することによりくり返し使用時の帯電低下を
防止すると共に、逆に残留電位の上昇が起きないような
絶縁層を導電性益体と感光層の間に介在させるもので、
そのような絶縁層は有機高分子樹脂、望ましくはアクリ
ル樹脂からなることによって上記の目的を迂成する。
層の組成を変えないことにより長波長光ｗＩ域に光怒度
を有し、しかも高温環境下におけるくり返し使用時の未
露光部の表面電位の低下の防止された電子写真用セレン
感光体を提供することを目的とする。 ｒ発明の要点】 本発明は、高温環境下におけるコロナ帯電時の基体から
のｆＬ重電荷注入および感光層からの正電荷の基体への
逃げを阻止することによりくり返し使用時の帯電低下を
防止すると共に、逆に残留電位の上昇が起きないような
絶縁層を導電性益体と感光層の間に介在させるもので、
そのような絶縁層は有機高分子樹脂、望ましくはアクリ
ル樹脂からなることによって上記の目的を迂成する。
以下図を引用して本発明の実施例について述べる。第１
図は本発明に一実施例の感光体の構造を示し、アルミニ
ウムからなる導電性基体ｌの上にアクリル樹脂からなる
絶縁層２）セレン怒光Ｎ３がＪｎＭ４されている。この
セレン感光層３は、電荷輸送層４，１ｉｌｔ荷発生層５
．保１１の積層からなるものである。 このような感光体は次のようにして製作することができ
る。まず一定の表面精度に加工したアルミニウム円筒基
体１を洗浄し、これにアクリル樹脂１１１２を被覆する
。樹脂層２は、アクリル樹脂の所定量をエタノール、酢
酸エチルなどの溶媒に分散させ、この分散ｉ８液を混合
１児拌して得た１Ｍ脂７容液を噴霧法あるいは浸漬法を
用いて基体ｌの上に被着し、加熱あるいは紫外線照射に
より硬化させることにより形成される。こうして０．１
〜５μｍの厚さの樹脂層２を形成したのち、従来と同様
に真空蒸着装置のが発源ボートにＳｅ原料を入れ、ボー
ト周囲のヒータを加熱して５０μｍの厚さの電荷輸送Ｉ
！５４を声若し、次いでＴｅρ度３５重世％のＳｅ −
Ｔｅ合金原料およびＴ ｅ ｒｉｍ度５ｆｆｌ１％、Ｇ
ｅ２１］！’？ｔ％の５ｓ−Ｔｅ−Ｇｏ合金原料を予め
セットしたフラッシュｙ着装置を用いて１μｍの厚さの
高Ｔｅ？１度５ｅ−Ｔｅ合金のＮｒＦ１発生筋５．２ｓ
ｍの厚さの５ｅ−Ｔｅ−Ｇｅ合金の保ｉＩ！１５Ｇを形
成する。電荷発生Ｎ５は、電荷発生層とのオーミック接
触を持たせるために、Ｔｅ濃度が電荷輸送層に向かって
漸減する勾配を有、することが望ましい。 比較例として、アクリル樹脂を被覆しないで直接アルミ
ニウム円筒１に、上述したとおりの工程で電荷輸送層４
、電荷発生層５、及び保護層６を形成させた感光体を作
成した。第１図に示す構造で挿々の厚さの樹脂層を有す
る感光体と比較例の感光体の暗減衰特性を常温にて測定
したところ、化縁構脂層２を介在させるさせないにかか
わらず、はぼ同等なレベルで十分満足のいく暗減衰特性
を得ることができた。次に感光体を周囲環境４０℃の下
で同様の暗減衰特性を測定してところ、以下の各回と同
様関係曲線に樹脂層の膜厚をそれぞれ記入した第２図か
ら判るように、絶縁樹脂層を介在させた効果によって高
温環境下においても良好な暗減衰特性を示すことが確か
められた。一方、第３図に示すように光減衰特性を４０
℃の環境下で調査したところ、絶縁樹脂Ｗｊ２の厚さが
５μｍ以上で明白な悪魔の減少と残留電位の上昇を観測
した。 このことは絶縁樹脂層の厚さが厚くなると、霧光によっ
て電荷発生［５に生ずる正札の基体への注入が阻止され
ることによると考えられ、アクリル樹脂層の厚さは０．
１〜５．０μｍの範囲にあるめが望ましい。 さらに、複写プロセスにならってコロナ帯電、波長８０
０ｎａ＋の単色光による露光および白色光による光除電
のくり返し特性を４０’ｃの環境下で測定したところ、
第４図に示すように、１．０μｍの厚さの樹脂層を有す
る感光体は比較例の感光体に比してコロナ帯電後の表面
電位のくり返しによる６少を抑えられ、絶縁樹脂層を介
在させた効果が認められる。 これらの効果は、アクリル…脂の代わりに他の有ｄ高分
子樹脂を用いても認められた。
図は本発明に一実施例の感光体の構造を示し、アルミニ
ウムからなる導電性基体ｌの上にアクリル樹脂からなる
絶縁層２）セレン怒光Ｎ３がＪｎＭ４されている。この
セレン感光層３は、電荷輸送層４，１ｉｌｔ荷発生層５
．保１１の積層からなるものである。 このような感光体は次のようにして製作することができ
る。まず一定の表面精度に加工したアルミニウム円筒基
体１を洗浄し、これにアクリル樹脂１１１２を被覆する
。樹脂層２は、アクリル樹脂の所定量をエタノール、酢
酸エチルなどの溶媒に分散させ、この分散ｉ８液を混合
１児拌して得た１Ｍ脂７容液を噴霧法あるいは浸漬法を
用いて基体ｌの上に被着し、加熱あるいは紫外線照射に
より硬化させることにより形成される。こうして０．１
〜５μｍの厚さの樹脂層２を形成したのち、従来と同様
に真空蒸着装置のが発源ボートにＳｅ原料を入れ、ボー
ト周囲のヒータを加熱して５０μｍの厚さの電荷輸送Ｉ
！５４を声若し、次いでＴｅρ度３５重世％のＳｅ −
Ｔｅ合金原料およびＴ ｅ ｒｉｍ度５ｆｆｌ１％、Ｇ
ｅ２１］！’？ｔ％の５ｓ−Ｔｅ−Ｇｏ合金原料を予め
セットしたフラッシュｙ着装置を用いて１μｍの厚さの
高Ｔｅ？１度５ｅ−Ｔｅ合金のＮｒＦ１発生筋５．２ｓ
ｍの厚さの５ｅ−Ｔｅ−Ｇｅ合金の保ｉＩ！１５Ｇを形
成する。電荷発生Ｎ５は、電荷発生層とのオーミック接
触を持たせるために、Ｔｅ濃度が電荷輸送層に向かって
漸減する勾配を有、することが望ましい。 比較例として、アクリル樹脂を被覆しないで直接アルミ
ニウム円筒１に、上述したとおりの工程で電荷輸送層４
、電荷発生層５、及び保護層６を形成させた感光体を作
成した。第１図に示す構造で挿々の厚さの樹脂層を有す
る感光体と比較例の感光体の暗減衰特性を常温にて測定
したところ、化縁構脂層２を介在させるさせないにかか
わらず、はぼ同等なレベルで十分満足のいく暗減衰特性
を得ることができた。次に感光体を周囲環境４０℃の下
で同様の暗減衰特性を測定してところ、以下の各回と同
様関係曲線に樹脂層の膜厚をそれぞれ記入した第２図か
ら判るように、絶縁樹脂層を介在させた効果によって高
温環境下においても良好な暗減衰特性を示すことが確か
められた。一方、第３図に示すように光減衰特性を４０
℃の環境下で調査したところ、絶縁樹脂Ｗｊ２の厚さが
５μｍ以上で明白な悪魔の減少と残留電位の上昇を観測
した。 このことは絶縁樹脂層の厚さが厚くなると、霧光によっ
て電荷発生［５に生ずる正札の基体への注入が阻止され
ることによると考えられ、アクリル樹脂層の厚さは０．
１〜５．０μｍの範囲にあるめが望ましい。 さらに、複写プロセスにならってコロナ帯電、波長８０
０ｎａ＋の単色光による露光および白色光による光除電
のくり返し特性を４０’ｃの環境下で測定したところ、
第４図に示すように、１．０μｍの厚さの樹脂層を有す
る感光体は比較例の感光体に比してコロナ帯電後の表面
電位のくり返しによる６少を抑えられ、絶縁樹脂層を介
在させた効果が認められる。 これらの効果は、アクリル…脂の代わりに他の有ｄ高分
子樹脂を用いても認められた。
以上の説明かられかるように、本発明によれば高濃度Ｔ
ｅ−５ｅ合金の電荷発生層を有する感光層と４電性費体
の間に絶縁樹脂層を介在させることにより、半導体レー
ザ等を露光源に使うような高恣度型セレン感光体の高温
環境下での電荷受容性および表面電位のくり返しサイク
ルによる残少を光へ衰特性をｔｉなわない範囲で抑制し
、安定した動作特性をもたせることができ、電子写真装
置の使用環境を太き（広げることが可能となる。
ｅ−５ｅ合金の電荷発生層を有する感光層と４電性費体
の間に絶縁樹脂層を介在させることにより、半導体レー
ザ等を露光源に使うような高恣度型セレン感光体の高温
環境下での電荷受容性および表面電位のくり返しサイク
ルによる残少を光へ衰特性をｔｉなわない範囲で抑制し
、安定した動作特性をもたせることができ、電子写真装
置の使用環境を太き（広げることが可能となる。
第１図は本発明の一実施例の恣光体措造を示す断面図、
第２図は本発明の実施例および比較例の感光体の４０℃
における暗減衰特性線図、第３図は同じり４０℃におけ
る光城衰特性線図、第４図は同じり４０℃における表面
電位のくり返し特性線図である。 に薄型性基体、２；絶縁樹脂層、３：恣光磨、５：電荷
発生層。 持、パワＪり呈士 山 ｒ７ μ第 １因 第 ２凶 第３図 ６ くり返し＆（サイクル） 第４図
第２図は本発明の実施例および比較例の感光体の４０℃
における暗減衰特性線図、第３図は同じり４０℃におけ
る光城衰特性線図、第４図は同じり４０℃における表面
電位のくり返し特性線図である。 に薄型性基体、２；絶縁樹脂層、３：恣光磨、５：電荷
発生層。 持、パワＪり呈士 山 ｒ７ μ第 １因 第 ２凶 第３図 ６ くり返し＆（サイクル） 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）高濃度テルル・セレン合金よりなる電荷発生層を含
む感光層を導電性基体上に有するものにおいて、導電性
基体と感光層の間に有機高分子樹脂よりなる絶縁層が介
在したことを特徴とする電子写真用セレン感光体。 ２）特許請求の範囲第１項記載の感光体において、有機
高分子樹脂がアクリル樹脂であることを特徴とする電子
写真用セレン感光体。 ３）特許請求の範囲第２項記載の感光体において、絶縁
層の厚さが０．１〜５．０μｍの範囲にあることを特徴
とする電子写真用セレン感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17544284A JPS6152651A (ja) | 1984-08-23 | 1984-08-23 | 電子写真用セレン感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17544284A JPS6152651A (ja) | 1984-08-23 | 1984-08-23 | 電子写真用セレン感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6152651A true JPS6152651A (ja) | 1986-03-15 |
Family
ID=15996153
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17544284A Pending JPS6152651A (ja) | 1984-08-23 | 1984-08-23 | 電子写真用セレン感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6152651A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0431869A (ja) * | 1990-05-29 | 1992-02-04 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 電子写真用セレンテルル感光体 |
-
1984
- 1984-08-23 JP JP17544284A patent/JPS6152651A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0431869A (ja) * | 1990-05-29 | 1992-02-04 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 電子写真用セレンテルル感光体 |
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