JPS6152388A - 鍍金装置 - Google Patents
鍍金装置Info
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- JPS6152388A JPS6152388A JP17132284A JP17132284A JPS6152388A JP S6152388 A JPS6152388 A JP S6152388A JP 17132284 A JP17132284 A JP 17132284A JP 17132284 A JP17132284 A JP 17132284A JP S6152388 A JPS6152388 A JP S6152388A
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- plated
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- silver
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、電子部品、高圧電気接触部品、及び食品器
具類などへの銀鍍金に適用されるもので、特にパルス電
流を用いた鍍金装置に係わるものである。
具類などへの銀鍍金に適用されるもので、特にパルス電
流を用いた鍍金装置に係わるものである。
銀鍍金は、無電解鍍金及び電解鍍金により行うことがで
きる。無電解鍍金の場合は、均一な膜厚の鍍金を施すこ
とができるが、鍍金用電解液が光や温度により分解し易
いため管理が難しく、また、鍍金用電解液自体が高価な
ため、ごく限られた分野でしか行われていない、一般的
に、銀鍍金は、電解鍍金により行われている。
きる。無電解鍍金の場合は、均一な膜厚の鍍金を施すこ
とができるが、鍍金用電解液が光や温度により分解し易
いため管理が難しく、また、鍍金用電解液自体が高価な
ため、ごく限られた分野でしか行われていない、一般的
に、銀鍍金は、電解鍍金により行われている。
従来の電解鍍金は、電解槽に鍍金用電解液を満たし、例
えば銀を陽極とし、被鍍金体として例えば鉄や真鍮を陰
極とし、鍍金用電解液中に浸漬し、それらの電極にセレ
ン整流器などにより得られた直流電流を流し、被鍍金体
に銀を電着させることでなされている。
えば銀を陽極とし、被鍍金体として例えば鉄や真鍮を陰
極とし、鍍金用電解液中に浸漬し、それらの電極にセレ
ン整流器などにより得られた直流電流を流し、被鍍金体
に銀を電着させることでなされている。
従来の電解直流鍍金は、品質を向上させるために、鍍金
の際に電解液を攪拌する必要があり、また、被鍍金体に
均一な電着膜を施すために、陽極としての貴金属と陰極
としての被鍍金体との距離や、両者の電極有効面積の設
定を厳密に行う必要があり、更に、被鍍金体用の治具の
構造が複雑なものとなる。
の際に電解液を攪拌する必要があり、また、被鍍金体に
均一な電着膜を施すために、陽極としての貴金属と陰極
としての被鍍金体との距離や、両者の電極有効面積の設
定を厳密に行う必要があり、更に、被鍍金体用の治具の
構造が複雑なものとなる。
このように、従来の電解直流鍍金は、均一な鍍金膜厚を
得ることが難しく、また、鍍金不良としてのピンホール
、密着不良の問題が多く発生する欠点がある。また、鍍
金膜厚の不均一さに起因する電着量の過剰ロスという問
題点がある。
得ることが難しく、また、鍍金不良としてのピンホール
、密着不良の問題が多く発生する欠点がある。また、鍍
金膜厚の不均一さに起因する電着量の過剰ロスという問
題点がある。
従って、この発明の目的は、鍍金用電解液を攪拌するこ
となく、均一電着性を向上させ、且つ省資源化を実現す
ることができ、更に、被鍍金体の治具の構造を簡単にす
ることができる鍍金装置を提供することにある。
となく、均一電着性を向上させ、且つ省資源化を実現す
ることができ、更に、被鍍金体の治具の構造を簡単にす
ることができる鍍金装置を提供することにある。
この発明は、電解鍍金においてパルス電流を用い、均一
電着性を向上させ、それに伴う省資源化に最適なパルス
電流のオン時間、オフ時間及び平均電流密度の条件で鍍
金を行うものである。
電着性を向上させ、それに伴う省資源化に最適なパルス
電流のオン時間、オフ時間及び平均電流密度の条件で鍍
金を行うものである。
パルス電流を用い、そのパルス電流のオフ時間をオン時
間と比較して十分長くすることでオフ時間の間に銀イオ
ンが電解液から拡散層へ拡散作用によって供給される。
間と比較して十分長くすることでオフ時間の間に銀イオ
ンが電解液から拡散層へ拡散作用によって供給される。
このため、電解液を攪拌せずとも、陰極近傍のイオン濃
度分布が均一化され、それに伴い均一電着性が向上する
。
度分布が均一化され、それに伴い均一電着性が向上する
。
この発明の一実施例について、以下図面を参照して説明
する。第１図は、この発明の一実施例の構成を示したも
ので、１がパルス発生回路、２が鍍金用電解液、３Ａ、
３Ｂが棒状の貴金属（例えば銀）、４が被鍍金体く例え
ば鉄、真鍮）、５が電解槽である。
する。第１図は、この発明の一実施例の構成を示したも
ので、１がパルス発生回路、２が鍍金用電解液、３Ａ、
３Ｂが棒状の貴金属（例えば銀）、４が被鍍金体く例え
ば鉄、真鍮）、５が電解槽である。
パルス発生回路１の入力側に、商用電源１ｏが接続され
ている。その出力側の正極側は、アンダーシュート除去
用のダイオード９のアノードに接続され、ダイオード９
のカソードは、管理用の電流計７を介して貴金属３Ａ、
３Ｂに接続され、この貴金属が陽極とされている。パル
ス発生回路】の出力側の負極側は、鉄、真鍮などの金属
板からなる被鍍金体４に接続され、この被鍍金体４が陰
極とされている。また、管理用として、電圧計８及びオ
シロスコープ６がダイオード９のカソードとパルス発生
回路１の出力側の負極側との間に夫々接続されている。
ている。その出力側の正極側は、アンダーシュート除去
用のダイオード９のアノードに接続され、ダイオード９
のカソードは、管理用の電流計７を介して貴金属３Ａ、
３Ｂに接続され、この貴金属が陽極とされている。パル
ス発生回路】の出力側の負極側は、鉄、真鍮などの金属
板からなる被鍍金体４に接続され、この被鍍金体４が陰
極とされている。また、管理用として、電圧計８及びオ
シロスコープ６がダイオード９のカソードとパルス発生
回路１の出力側の負極側との間に夫々接続されている。
陰極となる被鍍金体４は、予め表面を粗くするため脱脂
され、薄い塩酸などで酸処理され、水洗いされている。
され、薄い塩酸などで酸処理され、水洗いされている。
電解槽５内に満たされている鍍金用電解液２の組成は、
例えば濃度４０〜５０ｇ／ｌのシアン化銀（ＡｇＣＮ）
、濃度１２０〜１２５ｇ／Ａのシアン化カリウム（Ｆ
、ＫＣＮ ） 、及び光沢剤適量からなり、温度が２０
〜２５℃に保たれている。この鍍金用電解液２中に貴金
属３Ａ、３Ｂが被鍍金体４の両面の夫々に対向するよう
に浸漬されている。
例えば濃度４０〜５０ｇ／ｌのシアン化銀（ＡｇＣＮ）
、濃度１２０〜１２５ｇ／Ａのシアン化カリウム（Ｆ
、ＫＣＮ ） 、及び光沢剤適量からなり、温度が２０
〜２５℃に保たれている。この鍍金用電解液２中に貴金
属３Ａ、３Ｂが被鍍金体４の両面の夫々に対向するよう
に浸漬されている。
被鍍金体４には、パルス発生回路１の出力の正極側から
第２図に示されるパルス電流が供給される。第２図に示
すように正のパルス電流が発生しているオン時間ｔＯＮ
を例えばｌ ｍｓとし、そのパルス電流のピーク値ｉ
ｐｔｔｍｋの華位面積当たりの値、即ちピーク電流密度
をＩ）ｘｐとし、電流が発生しないオフ時間ｔＯＦＦを
Ｔ（ｍｓ）とすると、平均電流（１）Ｖの華位面積当た
りの値、即ち平均電流密度ＤＩは、Ｄ ＫＡ ＝ Ｄ
ｘＦ／ （１＋ Ｔ ）となる。この平均電流密度ＤＫ
Ａが０．８Ａ／ ｄｄ、 １．ＯＡ／ ｄ ｎ（、１゜
２Ａ／・ｄｉの夫々で一定となるようにパルス電流のピ
ーク値ｉ ９ｍｍｋを調節し、ｔ ＯＦＦ時間を変化さ
せた時の均一電着性の変化を測定した結果を第３図に示
す。第３図中一点鎖線１２で示されるものが、平均電流
密度１）ｘＡを０．８Ａ ／ ｄ ｒｄとした場合の特
性であり、実線１３で示されるものが、平均電流密度Ｄ
ＫＡを１．ＯＡ／ｄｎ（とじた場合の特性であり、破線
１４で示されるものが、平均電流密度ＤＫ、を１．２Ａ
／ｄｒ／とした場合の特性である。
第２図に示されるパルス電流が供給される。第２図に示
すように正のパルス電流が発生しているオン時間ｔＯＮ
を例えばｌ ｍｓとし、そのパルス電流のピーク値ｉ
ｐｔｔｍｋの華位面積当たりの値、即ちピーク電流密度
をＩ）ｘｐとし、電流が発生しないオフ時間ｔＯＦＦを
Ｔ（ｍｓ）とすると、平均電流（１）Ｖの華位面積当た
りの値、即ち平均電流密度ＤＩは、Ｄ ＫＡ ＝ Ｄ
ｘＦ／ （１＋ Ｔ ）となる。この平均電流密度ＤＫ
Ａが０．８Ａ／ ｄｄ、 １．ＯＡ／ ｄ ｎ（、１゜
２Ａ／・ｄｉの夫々で一定となるようにパルス電流のピ
ーク値ｉ ９ｍｍｋを調節し、ｔ ＯＦＦ時間を変化さ
せた時の均一電着性の変化を測定した結果を第３図に示
す。第３図中一点鎖線１２で示されるものが、平均電流
密度１）ｘＡを０．８Ａ ／ ｄ ｒｄとした場合の特
性であり、実線１３で示されるものが、平均電流密度Ｄ
ＫＡを１．ＯＡ／ｄｎ（とじた場合の特性であり、破線
１４で示されるものが、平均電流密度ＤＫ、を１．２Ａ
／ｄｒ／とした場合の特性である。
この場合の均一電着性は、被鍍金体４の一方の面のｎ／
２点及び他方の面のｎ／２点の計ｎ点について銀膜厚を
測定し、その中の最大膜厚値で他の（ｎ−１）点の膜厚
値を夫々除算し、その〈ｎ−１）点の平均値を算出し、
更に、ｍ個の被鍍金体４の夫々について同様に上述の平
均値を求め、そのｍ個の平均値として求められるもので
ある。第３図から明らかなように、均一電着性が最大と
なるのは、オフ時間ｔＯＦＦが２５〜３５ｍｓ、平均電
流密度ＤＫＡが１．ＯＡ／ｄｒｒｌの時である。
２点及び他方の面のｎ／２点の計ｎ点について銀膜厚を
測定し、その中の最大膜厚値で他の（ｎ−１）点の膜厚
値を夫々除算し、その〈ｎ−１）点の平均値を算出し、
更に、ｍ個の被鍍金体４の夫々について同様に上述の平
均値を求め、そのｍ個の平均値として求められるもので
ある。第３図から明らかなように、均一電着性が最大と
なるのは、オフ時間ｔＯＦＦが２５〜３５ｍｓ、平均電
流密度ＤＫＡが１．ＯＡ／ｄｒｒｌの時である。
第４図Ａは、銀鍍金における被鍍金体４の近傍の状態を
モデル化したものである。鍍金用電解液２に浸漬した被
鍍金体４の表面の外側に厚さ１０−６〜１０−８ｃｍの
電気二重層Ｌ１が存在し、また、電気二重層Ｌｌの外側
に厚さ１０−２〜１０−３ｃｍの拡散層Ｌ２が存在し、
更に、拡散層Ｌ２の外側に鍍金用電解液２が存在してい
る。被鍍金体４において陰極、反応が起こると、電気二
重層Ｌ１内の銀イオンの量が減少するため、銀イオン濃
度Ｃは、第４図Ｂに示すように拡散層Ｌ２内で電気二重
層Ｌ１に向かって徐々に低くなる。
モデル化したものである。鍍金用電解液２に浸漬した被
鍍金体４の表面の外側に厚さ１０−６〜１０−８ｃｍの
電気二重層Ｌ１が存在し、また、電気二重層Ｌｌの外側
に厚さ１０−２〜１０−３ｃｍの拡散層Ｌ２が存在し、
更に、拡散層Ｌ２の外側に鍍金用電解液２が存在してい
る。被鍍金体４において陰極、反応が起こると、電気二
重層Ｌ１内の銀イオンの量が減少するため、銀イオン濃
度Ｃは、第４図Ｂに示すように拡散層Ｌ２内で電気二重
層Ｌ１に向かって徐々に低くなる。
今、被鍍金体４に強いパルス電流に伴う電子の供給が開
始されると、電気二重層Ｌ１において銀イオンと被鍍金
体４の表面の電子とが陰極反応を起こし、被鍍金体４の
表面に銀が電着する。すると第４図Ｂに示すように被鍍
金体４に近づく程、銀イオン濃度は低下する。パルス電
流のオフ時間となり電子の供給が停止すると、パルス電
流のオフ時間がオン時間と比較して充分長く設定しであ
るため、銀イオンが鍍金用電解液２から拡散作用により
拡散層Ｌ２に供給される。拡散層Ｉ−２の銀イオン濃度
分布が均一となり、その時点において再びパルス電流が
供給され、被鍍金体４の表面に銀が電着する。このよう
に電流のオン・オフを繰り返すことにより銀鍍金がなさ
れる。
始されると、電気二重層Ｌ１において銀イオンと被鍍金
体４の表面の電子とが陰極反応を起こし、被鍍金体４の
表面に銀が電着する。すると第４図Ｂに示すように被鍍
金体４に近づく程、銀イオン濃度は低下する。パルス電
流のオフ時間となり電子の供給が停止すると、パルス電
流のオフ時間がオン時間と比較して充分長く設定しであ
るため、銀イオンが鍍金用電解液２から拡散作用により
拡散層Ｌ２に供給される。拡散層Ｉ−２の銀イオン濃度
分布が均一となり、その時点において再びパルス電流が
供給され、被鍍金体４の表面に銀が電着する。このよう
に電流のオン・オフを繰り返すことにより銀鍍金がなさ
れる。
前述したように平均電流密度ＤＫＡを１．ＯＡ ／ ｄ
ｄ、パルス電流のオン時間をＩＩＩＩｓ、パルス電流の
オフ時間を３０ｍ５とし、濃度４０ｇ／βのシアン化銀
（ＡｇＣＮ） 、濃度１２０ ｇ ／ Ａのシアン化カ
リウム（Ｆ−ＫＣＮ ） 、液温２０°Ｃの鍍金用電解
液２において銀鍍金を行えば、９μｍ／２０ｍ１ｎの速
度で銀型着膜が形成される。所望の膜厚の銀鍍金がなさ
れた時点において商用電源１０が切られ、パルス発生回
路１からのパルス電流の供給が停止し、被鍍金体４にお
ける銀電着が鎮静する。
ｄ、パルス電流のオン時間をＩＩＩＩｓ、パルス電流の
オフ時間を３０ｍ５とし、濃度４０ｇ／βのシアン化銀
（ＡｇＣＮ） 、濃度１２０ ｇ ／ Ａのシアン化カ
リウム（Ｆ−ＫＣＮ ） 、液温２０°Ｃの鍍金用電解
液２において銀鍍金を行えば、９μｍ／２０ｍ１ｎの速
度で銀型着膜が形成される。所望の膜厚の銀鍍金がなさ
れた時点において商用電源１０が切られ、パルス発生回
路１からのパルス電流の供給が停止し、被鍍金体４にお
ける銀電着が鎮静する。
電解槽５から銀鍍金が施された被鍍金体４が取り出され
、水洗いと乾燥を交互に繰り返された後、保護被膜をつ
けるための化成処理がなされ、銀鍍金工程が終了する。
、水洗いと乾燥を交互に繰り返された後、保護被膜をつ
けるための化成処理がなされ、銀鍍金工程が終了する。
尚、上述の一実施例は、この発明を銀鍍金に適用した場
合を説明したが、他の貴金属鍍金、例えば金（Ａｕ）
、パラジウム（Ｐｄ） 、白金（Ｐｔ）や合金鍍金、例
えば金−銅（Ａｕ−Ｃｕ）などに適用することができる
。
合を説明したが、他の貴金属鍍金、例えば金（Ａｕ）
、パラジウム（Ｐｄ） 、白金（Ｐｔ）や合金鍍金、例
えば金−銅（Ａｕ−Ｃｕ）などに適用することができる
。
〔発明の効果〕
この発明に依れば、強いパルス電流により銀鍍金を行う
ため、直流電流による銀鍍金（第５図Ａ）と比較して第
５図Ｂに示すように、均一な銀型着膜１１を被鍍金体４
に施すことができる。このため鍍金不良から発生するピ
ンホール、密着不良、外観不良の発生を減少させること
ができる。
ため、直流電流による銀鍍金（第５図Ａ）と比較して第
５図Ｂに示すように、均一な銀型着膜１１を被鍍金体４
に施すことができる。このため鍍金不良から発生するピ
ンホール、密着不良、外観不良の発生を減少させること
ができる。
また、この発明に依れば、直流鍍金のように電解槽中の
電極の位置や、被鍍金体用の治具、鍍金用型１ｍ液の攪
拌などの点においての特別な技術や方法が不要で、且つ
鍍金浴の工程管理は、従来のままで特別な管理を必要と
せず、むしろ簡単なものとなる。
電極の位置や、被鍍金体用の治具、鍍金用型１ｍ液の攪
拌などの点においての特別な技術や方法が不要で、且つ
鍍金浴の工程管理は、従来のままで特別な管理を必要と
せず、むしろ簡単なものとなる。
更に、この発明に依れば、被鍍金体の表裏の膜厚差が少
なく、均一電着性が向上しているため、銀の省資源化を
図ることができる。また、被鍍金体の形状が例えば円筒
形などのように陰影部を有するものの場合、その内周面
即ち陰影部には、外周面に電着する銀膜厚に対して、約
５０％の膜厚で電着する特徴を存し、この特徴を利用す
ることにより大幅な省資源化を図ることができる。
なく、均一電着性が向上しているため、銀の省資源化を
図ることができる。また、被鍍金体の形状が例えば円筒
形などのように陰影部を有するものの場合、その内周面
即ち陰影部には、外周面に電着する銀膜厚に対して、約
５０％の膜厚で電着する特徴を存し、この特徴を利用す
ることにより大幅な省資源化を図ることができる。
第１図はこの発明の一実施例の構成を示す接続図、第２
図はこの発明の一実施例の説明に用いる波形図、第３図
はこの発明の一実施例の説明に用いる特性図、第４図は
この発明の一実施例の説明に用いる路線図、第５図はこ
の発明の一実施例の効果の説明に用いる一部断面図であ
る。 １：パルス発生回路、２：鍍金用電解液、３Ａ、３Ｂ：
貴金属、４：被鍍金体、５：電解槽。
図はこの発明の一実施例の説明に用いる波形図、第３図
はこの発明の一実施例の説明に用いる特性図、第４図は
この発明の一実施例の説明に用いる路線図、第５図はこ
の発明の一実施例の効果の説明に用いる一部断面図であ
る。 １：パルス発生回路、２：鍍金用電解液、３Ａ、３Ｂ：
貴金属、４：被鍍金体、５：電解槽。
Claims (2)
- （１）正極性のパルス電流が発生する出力端子の正極側
に貴金属を接続し、上記出力端子の負極側に被鍍金体を
接続し、上記貴金属及び上記被鍍金体を電解液内に浸漬
するようにした鍍金装置。 - （２）上記パルス電流の平均電流密度の値を略々１Ａ／
ｄｍ＾２とし、且つ上記パルス電流のオン時間ｔ＿Ｏ＿
Ｎを１ｍｓ、オフ時間ｔ＿Ｏ＿Ｆ＿Ｆを２５〜３５ｍｓ
とするようにしたことを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の鍍金装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17132284A JPS6152388A (ja) | 1984-08-17 | 1984-08-17 | 鍍金装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17132284A JPS6152388A (ja) | 1984-08-17 | 1984-08-17 | 鍍金装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6152388A true JPS6152388A (ja) | 1986-03-15 |
Family
ID=15921093
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17132284A Pending JPS6152388A (ja) | 1984-08-17 | 1984-08-17 | 鍍金装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6152388A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05345997A (ja) * | 1992-04-13 | 1993-12-27 | Electroplating Eng Of Japan Co | 金めっき品の製造方法 |
| US6127205A (en) * | 1996-07-26 | 2000-10-03 | Nec Corporation | Process for manufacturing a molded electronic component having pre-plated lead terminals |
| JP2006257480A (ja) * | 2005-03-16 | 2006-09-28 | Ngk Insulators Ltd | 水素発生方法 |
-
1984
- 1984-08-17 JP JP17132284A patent/JPS6152388A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05345997A (ja) * | 1992-04-13 | 1993-12-27 | Electroplating Eng Of Japan Co | 金めっき品の製造方法 |
| US6127205A (en) * | 1996-07-26 | 2000-10-03 | Nec Corporation | Process for manufacturing a molded electronic component having pre-plated lead terminals |
| JP2006257480A (ja) * | 2005-03-16 | 2006-09-28 | Ngk Insulators Ltd | 水素発生方法 |
| JP4642513B2 (ja) * | 2005-03-16 | 2011-03-02 | 日本碍子株式会社 | 水素発生方法 |
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