JPS6152103B2 - - Google Patents
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- JPS6152103B2 JPS6152103B2 JP57133483A JP13348382A JPS6152103B2 JP S6152103 B2 JPS6152103 B2 JP S6152103B2 JP 57133483 A JP57133483 A JP 57133483A JP 13348382 A JP13348382 A JP 13348382A JP S6152103 B2 JPS6152103 B2 JP S6152103B2
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- Expired
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Description
本発明はTiC、TiN、およびAl2O3を成分に含
み、切削工具、薄膜用ベース基板等に利用する薄
膜基板用磁器の製造方法に関するものである。 従来よりTiC、TiN−Al2O3磁器は、切削工
具、蒸着膜用ベース基板等に利用されてきた。し
かしながら、これらの最大の欠点はTiC、TiN間
の焼結性が悪くまた、TiC、TiNとAl2O3間の濡
れ性も悪いため、機械的強度が低く、ポア分布が
多く、しかもチツピング性が悪いものであつた。 そこで従来より、特に薄膜基板用磁器にはポア
分布が少なく、チツピング性が良好な素体が強く
要望されていた。 本発明は上記欠点を除去し、機械的強度、ポア
分布、チツピング性等、切削工具、薄膜用ベース
基板として必要な条件を全て備えている新しい磁
器素体の製造方法を提供するものである。 上記目的を達成するために、本発明は、TiC、
TiNの１種または両者を合計が10〜90重量％、純
度90重量％以上のAl2O3が５〜80重量％、TiH4が
２〜80重量％の成分範囲より成る組成物を成型
し、N2ガス、N2を10vol％以上含有するN2−H2混
合ガスまたはN2を10vol％以上含有するN2−不活
性ガス混合ガス中にて理論密度比92％TD以上に
なるよう焼結させその後に熱間静水圧プレス
（Hot Isostatic Pressing以下HIPと略記する）を
行うことを特徴とする。 上記のTiH4を添加することにより、N2ガス雰
囲気、高温下においてTiH4が活性状態の高いTi
となり、この活性状態のTiがTiC、TiN間の焼結
性向上及びTiC、TiN−Al2O3間の濡れ性を向上
させ、これらの成分により機械的強度が高く、ポ
ア分布が少なくチツピング性が良好な薄膜基板用
磁器の製造方法を提供するものである。 以下、本発明の一実施例における薄膜基板用磁
器の製造方法について説明する。試料の調整工程
としては工業用原料（純度99％以上）である
TiC、TiN、TiH4およびAl2O3系材料としてAl2O3
−MgO−CaO系よりなるAl2O3純度80、90、99重
量％のAl2O3材を用い、混合は不純物混入防止の
ため、ウレタン内張ポツトを用い湿式混合した。
試料作成の手順としては下記の第１表に示す組成
比になるよう原料を調合し、その後機械プレスを
用い80φ×40t（mm）の試料を成型した。焼成は
N2−H2混合ガス中にて温度1500℃〜1600℃間で
行つた。
み、切削工具、薄膜用ベース基板等に利用する薄
膜基板用磁器の製造方法に関するものである。 従来よりTiC、TiN−Al2O3磁器は、切削工
具、蒸着膜用ベース基板等に利用されてきた。し
かしながら、これらの最大の欠点はTiC、TiN間
の焼結性が悪くまた、TiC、TiNとAl2O3間の濡
れ性も悪いため、機械的強度が低く、ポア分布が
多く、しかもチツピング性が悪いものであつた。 そこで従来より、特に薄膜基板用磁器にはポア
分布が少なく、チツピング性が良好な素体が強く
要望されていた。 本発明は上記欠点を除去し、機械的強度、ポア
分布、チツピング性等、切削工具、薄膜用ベース
基板として必要な条件を全て備えている新しい磁
器素体の製造方法を提供するものである。 上記目的を達成するために、本発明は、TiC、
TiNの１種または両者を合計が10〜90重量％、純
度90重量％以上のAl2O3が５〜80重量％、TiH4が
２〜80重量％の成分範囲より成る組成物を成型
し、N2ガス、N2を10vol％以上含有するN2−H2混
合ガスまたはN2を10vol％以上含有するN2−不活
性ガス混合ガス中にて理論密度比92％TD以上に
なるよう焼結させその後に熱間静水圧プレス
（Hot Isostatic Pressing以下HIPと略記する）を
行うことを特徴とする。 上記のTiH4を添加することにより、N2ガス雰
囲気、高温下においてTiH4が活性状態の高いTi
となり、この活性状態のTiがTiC、TiN間の焼結
性向上及びTiC、TiN−Al2O3間の濡れ性を向上
させ、これらの成分により機械的強度が高く、ポ
ア分布が少なくチツピング性が良好な薄膜基板用
磁器の製造方法を提供するものである。 以下、本発明の一実施例における薄膜基板用磁
器の製造方法について説明する。試料の調整工程
としては工業用原料（純度99％以上）である
TiC、TiN、TiH4およびAl2O3系材料としてAl2O3
−MgO−CaO系よりなるAl2O3純度80、90、99重
量％のAl2O3材を用い、混合は不純物混入防止の
ため、ウレタン内張ポツトを用い湿式混合した。
試料作成の手順としては下記の第１表に示す組成
比になるよう原料を調合し、その後機械プレスを
用い80φ×40t（mm）の試料を成型した。焼成は
N2−H2混合ガス中にて温度1500℃〜1600℃間で
行つた。
【表】
そして得られた焼結体を1400℃2000atmにて
HIPした。 なお、第１表において試料番号１〜10は、本実
施例の組成物であり、試料11はAl2O3の純度が90
％未満、試料12はN2の含有量が10vol％未満、試
料13は理論密度比が92％未満、試料14はTiCが10
重量％未満でAl2O3が80重量％より大、試料15は
TiCが90重量％より大でTiH4が２重量％未満、試
料16はTiCが10重量％未満でTiH4が80重量％より
大でAl2O3が５重量％未満の組成物である。 そして各工程を経て第１表の各組成物から得ら
れた薄板基板用磁器は、第２表に示すような各諸
特性を示す。なお第２表において試料17は従来の
TiC−Al2O3基板である。
HIPした。 なお、第１表において試料番号１〜10は、本実
施例の組成物であり、試料11はAl2O3の純度が90
％未満、試料12はN2の含有量が10vol％未満、試
料13は理論密度比が92％未満、試料14はTiCが10
重量％未満でAl2O3が80重量％より大、試料15は
TiCが90重量％より大でTiH4が２重量％未満、試
料16はTiCが10重量％未満でTiH4が80重量％より
大でAl2O3が５重量％未満の組成物である。 そして各工程を経て第１表の各組成物から得ら
れた薄板基板用磁器は、第２表に示すような各諸
特性を示す。なお第２表において試料17は従来の
TiC−Al2O3基板である。
【表】
第２表からわかるように上記組成において、
TiC、TiNの１種または両者の合計が試料14のよ
うに10重量％未満では硬度が低下し、試料15のよ
うに90重量％を超えると焼結性が低下する。また
Al2O3純度が試料11のように90重量％未満では、
硬度が低下する。純度90重量％以上のAl2O3が試
料16のように５重量％未満では焼結性が低下し、
試料14のように80重量％を超えると硬度が低下す
る。さらにTiH4が試料15のように２重量％未満
ではチツピング発生率の増大、焼結性の低下、お
よびポアの増大をきたす。TiH4が試料16のよう
に80重量％を超えると異常粒成長が起こる。また
試料12のように焼結中のN2の含有量が10vol％未
満ではTiH4がTiN化せずメタル状Tiが生成し、
機械的強度を低下させる。また試料13のように理
論密度比92％TD未満ではHIP効果がでない。 ところが、本実施例の試料１〜10は機械的強度
が高く、ポアの分布も非常に少なく、チツピング
性も優れていることにより、切削工具、薄膜用ベ
ース基板等に利用することができる。 以上のように本発明は、TiC、TiNと、純度90
重量％以上のAl2O3と、TiH4とが一定の成分範囲
で構成されている。組成物を、N2ガス、N2−H2
混合ガス、あるいはN2−不活性ガス混合ガス中
にて理論密度比が一定以上になるように焼結さ
せ、その後組成物をHIPすることにより、機械的
強度が高く、ポア分布が非常に少なく、しかもチ
ツピング性が優れ、切削工具、薄膜用ベース基板
として有効に利用可能な薄膜基板用磁器を製造す
ることができる。
TiC、TiNの１種または両者の合計が試料14のよ
うに10重量％未満では硬度が低下し、試料15のよ
うに90重量％を超えると焼結性が低下する。また
Al2O3純度が試料11のように90重量％未満では、
硬度が低下する。純度90重量％以上のAl2O3が試
料16のように５重量％未満では焼結性が低下し、
試料14のように80重量％を超えると硬度が低下す
る。さらにTiH4が試料15のように２重量％未満
ではチツピング発生率の増大、焼結性の低下、お
よびポアの増大をきたす。TiH4が試料16のよう
に80重量％を超えると異常粒成長が起こる。また
試料12のように焼結中のN2の含有量が10vol％未
満ではTiH4がTiN化せずメタル状Tiが生成し、
機械的強度を低下させる。また試料13のように理
論密度比92％TD未満ではHIP効果がでない。 ところが、本実施例の試料１〜10は機械的強度
が高く、ポアの分布も非常に少なく、チツピング
性も優れていることにより、切削工具、薄膜用ベ
ース基板等に利用することができる。 以上のように本発明は、TiC、TiNと、純度90
重量％以上のAl2O3と、TiH4とが一定の成分範囲
で構成されている。組成物を、N2ガス、N2−H2
混合ガス、あるいはN2−不活性ガス混合ガス中
にて理論密度比が一定以上になるように焼結さ
せ、その後組成物をHIPすることにより、機械的
強度が高く、ポア分布が非常に少なく、しかもチ
ツピング性が優れ、切削工具、薄膜用ベース基板
として有効に利用可能な薄膜基板用磁器を製造す
ることができる。
Claims (1)
- １ TiC、TiNの１種または両者の合計が10〜90
重量％、純度90重量％以上のAl2O3が５〜80重量
％、TiH4が２〜80重量％の成分範囲より成る組
成物を所定の形状に成型し、前記組成物をN2ガ
ス、N2を10vol％以上含有するN2−H2混合ガスま
たはN2を10vol％以上含有するN2−不活性ガス混
合ガス中にて理論密度比92％TD以上になるよう
焼結させ、その後前記組成物を熱間静水圧プレス
することを特徴とする薄膜基板用磁器の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57133483A JPS5926967A (ja) | 1982-07-29 | 1982-07-29 | 薄膜基板用磁器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57133483A JPS5926967A (ja) | 1982-07-29 | 1982-07-29 | 薄膜基板用磁器の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5926967A JPS5926967A (ja) | 1984-02-13 |
| JPS6152103B2 true JPS6152103B2 (ja) | 1986-11-12 |
Family
ID=15105821
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57133483A Granted JPS5926967A (ja) | 1982-07-29 | 1982-07-29 | 薄膜基板用磁器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5926967A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61227964A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-11 | 京セラ株式会社 | セラミツク基板及びその製法 |
| JPS6339115A (ja) * | 1986-08-04 | 1988-02-19 | Tohoku Metal Ind Ltd | 薄膜磁気ヘツド用基板材料 |
| JPS6390016A (ja) * | 1986-10-01 | 1988-04-20 | Tokin Corp | 薄膜磁気ヘツド用基板材料 |
-
1982
- 1982-07-29 JP JP57133483A patent/JPS5926967A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5926967A (ja) | 1984-02-13 |
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