JPS6151927A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS6151927A JPS6151927A JP17463584A JP17463584A JPS6151927A JP S6151927 A JPS6151927 A JP S6151927A JP 17463584 A JP17463584 A JP 17463584A JP 17463584 A JP17463584 A JP 17463584A JP S6151927 A JPS6151927 A JP S6151927A
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- etching
- poly
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は半導体装置の製造方法に関する。
ポリシリコンを選択的に異方性エツチングを行うには、
平行平板型の反応性スパッタエツチング装置が多く用い
られている。その時使用するガースには、ＣＣｌ４．
ｃｃｚ、ｐ、 、 ＳＦａ 、 ＣＨＦ５． ＣＦ４
。
平行平板型の反応性スパッタエツチング装置が多く用い
られている。その時使用するガースには、ＣＣｌ４．
ｃｃｚ、ｐ、 、 ＳＦａ 、 ＣＨＦ５． ＣＦ４
。
ＣＢｒＦ、等のガスが用いられる。ポリシリコンの反応
性スパッタエツチングで要求される条件は、ポリシリコ
ンのエツチングレートが高く、フォトレジスト、は化膜
のエツチングレートが低いこと、フォトレジストのパタ
ーン通りにポリシリコンがエツチングされ゛る異方性が
あることなどが上げられる。しかしながら、反応性ガス
のｍ類によフては、リンなどをドープしたポリシリコン
のエッチレートに比ベドープしていないポリシリコンの
エッチレートが極端に低いため、同一ガスを用いて２種
類のポリシリコンをエツチングできないか、エツチング
はできてもエツチング時間が長くなるという問題がある
。
性スパッタエツチングで要求される条件は、ポリシリコ
ンのエツチングレートが高く、フォトレジスト、は化膜
のエツチングレートが低いこと、フォトレジストのパタ
ーン通りにポリシリコンがエツチングされ゛る異方性が
あることなどが上げられる。しかしながら、反応性ガス
のｍ類によフては、リンなどをドープしたポリシリコン
のエッチレートに比ベドープしていないポリシリコンの
エッチレートが極端に低いため、同一ガスを用いて２種
類のポリシリコンをエツチングできないか、エツチング
はできてもエツチング時間が長くなるという問題がある
。
（発明の目的）
本発明はかかるノンドープポリシリコンのエツチングレ
ートを高くすることを目的とする。
ートを高くすることを目的とする。
（問題点を解決するための手段）
そのためには、フォトレジストによるパターニング後に
露出しているポリシリコン中にイオン注入法によりリン
を注入しエツチングレートの高いポリシリコン層を形成
する。
露出しているポリシリコン中にイオン注入法によりリン
を注入しエツチングレートの高いポリシリコン層を形成
する。
（実施例）
本発明の実施例を第１図、第２図を用いて説明する。
サンプルな、シリコン基板４は熱酸化膜３約１０００□
゛にその上に低圧ＣＶＤ法によりポリシリコン５０００
〜６０００Ａ２を成長したものを用いた。サンプル１と
して、上記サンプルに７オトレジスト１によりパターニ
ングをしたもの。サンプル２として上記ポリシリコン中
に拡散法に工りリンを拡散し、リンガラス層を除去した
後に７オトレジストによりパターニングを行・りたもの
。サンプル３として、サンプル１にイオン注入法により
リンを注入したものである。イオン注入時の東件はドー
ズ＊ Ｉ Ｘ １０” ｃｒｒ、−２、エネルギー３０
ｋｅＶでありぼ入深さ１″ｉｉポリフリコンから約４５
０ＱＡ５でちった。上ａ己３牙五類のサンプルのポリシ
リコンのエツチング後・−トとエツチング形状を調べた
。
゛にその上に低圧ＣＶＤ法によりポリシリコン５０００
〜６０００Ａ２を成長したものを用いた。サンプル１と
して、上記サンプルに７オトレジスト１によりパターニ
ングをしたもの。サンプル２として上記ポリシリコン中
に拡散法に工りリンを拡散し、リンガラス層を除去した
後に７オトレジストによりパターニングを行・りたもの
。サンプル３として、サンプル１にイオン注入法により
リンを注入したものである。イオン注入時の東件はドー
ズ＊ Ｉ Ｘ １０” ｃｒｒ、−２、エネルギー３０
ｋｅＶでありぼ入深さ１″ｉｉポリフリコンから約４５
０ＱＡ５でちった。上ａ己３牙五類のサンプルのポリシ
リコンのエツチング後・−トとエツチング形状を調べた
。
その時のエツチングには平行平板型の反応健スパッタエ
ツチング装はを用い反応性ガスはフロン系ガスを用いた
。その結果エツチングレートはサンプル１で約３００
Ａ／ｍ ｉｎ、サンプル２で約であり、エツチング形状
には差が見られなかった。
ツチング装はを用い反応性ガスはフロン系ガスを用いた
。その結果エツチングレートはサンプル１で約３００
Ａ／ｍ ｉｎ、サンプル２で約であり、エツチング形状
には差が見られなかった。
（効 果）
以上詳細に述べたように、ノンドープポリシリ二Ｉンを
エツチングする際に、フォトレジストによるバクーユン
グ後にイオン注入法によりリン注入することにより、エ
ツチングすべきポリシリコン領域のエツチングレートを
高くできる。
エツチングする際に、フォトレジストによるバクーユン
グ後にイオン注入法によりリン注入することにより、エ
ツチングすべきポリシリコン領域のエツチングレートを
高くできる。
本実施例１け、フロン系ガスについて適用した例である
が、本発明は、ドープされたポリシリコンに比べてノン
ドープポリシリコンのエッチレートが極端に低くなる性
質を有する反応ガス全’Ｘｔ ＩＣ適用でなる。
が、本発明は、ドープされたポリシリコンに比べてノン
ドープポリシリコンのエッチレートが極端に低くなる性
質を有する反応ガス全’Ｘｔ ＩＣ適用でなる。
ｇ％ Ｉ １１・・・・・・ノンドープポリシリコン上
に７オト１／シストでパターニングした時の断面図。 第２図・・・・・・イオン注入によりエツチングレート
の１漏い層を形成した時の断面図。 第３図・・・・・・エツチング後の断面図。 同図において、 １・・・・・・フォトレジスト、２・・・・・・ノンド
ープのポリシリコン、３・・・・・・熱酸化膜、４・・
・・・・シリコン基板、５・・・・・・イオン注入にエ
リ形成されたエッチレートの高いポリ７リコン屓。
に７オト１／シストでパターニングした時の断面図。 第２図・・・・・・イオン注入によりエツチングレート
の１漏い層を形成した時の断面図。 第３図・・・・・・エツチング後の断面図。 同図において、 １・・・・・・フォトレジスト、２・・・・・・ノンド
ープのポリシリコン、３・・・・・・熱酸化膜、４・・
・・・・シリコン基板、５・・・・・・イオン注入にエ
リ形成されたエッチレートの高いポリ７リコン屓。
Claims (1)
- ドープされていないポリシリコンを選択的にプラズマエ
ッチングする際、フォトレジストによるパターニング後
に選択的にイオン注入を行うことを特徴とする半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17463584A JPS6151927A (ja) | 1984-08-22 | 1984-08-22 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17463584A JPS6151927A (ja) | 1984-08-22 | 1984-08-22 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6151927A true JPS6151927A (ja) | 1986-03-14 |
Family
ID=15982037
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17463584A Pending JPS6151927A (ja) | 1984-08-22 | 1984-08-22 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6151927A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115332069A (zh) * | 2022-10-14 | 2022-11-11 | 广州粤芯半导体技术有限公司 | 多晶硅干法刻蚀的方法及半导体结构的制备方法 |
-
1984
- 1984-08-22 JP JP17463584A patent/JPS6151927A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115332069A (zh) * | 2022-10-14 | 2022-11-11 | 广州粤芯半导体技术有限公司 | 多晶硅干法刻蚀的方法及半导体结构的制备方法 |
| CN115332069B (zh) * | 2022-10-14 | 2023-01-20 | 广州粤芯半导体技术有限公司 | 多晶硅干法刻蚀的方法及半导体结构的制备方法 |
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