JPS6150260B2 - - Google Patents
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- JPS6150260B2 JPS6150260B2 JP16573578A JP16573578A JPS6150260B2 JP S6150260 B2 JPS6150260 B2 JP S6150260B2 JP 16573578 A JP16573578 A JP 16573578A JP 16573578 A JP16573578 A JP 16573578A JP S6150260 B2 JPS6150260 B2 JP S6150260B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- signal
- voltage
- differential amplifier
- transistor
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 12
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 9
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000005236 sound signal Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、高周波または中間周波増器の信号の
大きさを検出し、直流電圧としてとり出し、この
電圧を同調指示や、制御信号として用いる無線受
信機に関するもので、特に高周波または中間周波
信号のレベルを検出する回路のレベル出力電圧を
温度に対して安定化することを目的とする。
大きさを検出し、直流電圧としてとり出し、この
電圧を同調指示や、制御信号として用いる無線受
信機に関するもので、特に高周波または中間周波
信号のレベルを検出する回路のレベル出力電圧を
温度に対して安定化することを目的とする。
第１図はレベル検出回路を含む従来の無線受信
機である。同図において高周波信号はアンテナ１
から周波数変換器２で中間周波数に変換され、セ
ラミツクフイルタなどの中間周波フイルタ３を通
り、中間周波増幅器４で増幅され、検波器５で音
声信号として取り出し、音声増幅器６を介して端
子７に音声信号を出力する。このような無線受信
機において入力信号の大きさを識別したり、同調
点を見付け易くするための中間周波増幅器の適当
な段から中間周波信号をとり出し、容量８，９を
介してレベル検出回路に結合される。
機である。同図において高周波信号はアンテナ１
から周波数変換器２で中間周波数に変換され、セ
ラミツクフイルタなどの中間周波フイルタ３を通
り、中間周波増幅器４で増幅され、検波器５で音
声信号として取り出し、音声増幅器６を介して端
子７に音声信号を出力する。このような無線受信
機において入力信号の大きさを識別したり、同調
点を見付け易くするための中間周波増幅器の適当
な段から中間周波信号をとり出し、容量８，９を
介してレベル検出回路に結合される。
レベル検出回路は１０〜２９でしめす半導体を
含む回路で構成され、トランジスタ１６，１７，
２５からなる差動増幅回路とトランジスタ１４，
１５，２４からなる差動増幅回路を設け、それら
２つの差動増幅回路は１つの能動負荷１８，１９
に接続された増幅回路を中心に構成されている。
差動増幅回路の各ベースに接続されているダーリ
ントン回路、トランジスタ１０と１２，１１と１
３，２０と２２，２１と２３はそれぞれツエナダ
イオード２８とダイオード２９で安定化された電
圧からトランジスタ２６のエミツタホロワを経由
してＶ26Eなる電圧でアースされる様になつてい
る。したがつてこの状態ではトランジスタ１０〜
２５からなる回路はバランスしているため負荷抵
抗３１には電流は流れず出力端子３０にはVrな
る電圧が現われる。ところが容量８，９はダーリ
ントン接続されたトランジスタ１２，１３のベー
スにそれぞれ接続されている。
含む回路で構成され、トランジスタ１６，１７，
２５からなる差動増幅回路とトランジスタ１４，
１５，２４からなる差動増幅回路を設け、それら
２つの差動増幅回路は１つの能動負荷１８，１９
に接続された増幅回路を中心に構成されている。
差動増幅回路の各ベースに接続されているダーリ
ントン回路、トランジスタ１０と１２，１１と１
３，２０と２２，２１と２３はそれぞれツエナダ
イオード２８とダイオード２９で安定化された電
圧からトランジスタ２６のエミツタホロワを経由
してＶ26Eなる電圧でアースされる様になつてい
る。したがつてこの状態ではトランジスタ１０〜
２５からなる回路はバランスしているため負荷抵
抗３１には電流は流れず出力端子３０にはVrな
る電圧が現われる。ところが容量８，９はダーリ
ントン接続されたトランジスタ１２，１３のベー
スにそれぞれ接続されている。
しかしこの容量を介して交流信号が加わらない
場合は差動増幅器は前記の通り平衡状態を保ち続
け、温度や電源電圧ＶCCの変化に対しても安定で
ある。
場合は差動増幅器は前記の通り平衡状態を保ち続
け、温度や電源電圧ＶCCの変化に対しても安定で
ある。
つぎに中間周波信号が容量を介してダーリント
ン接続のトランジスタ１２，１３に加わつた場合
について述べる。ダーリントン回路のトランジス
タ１０，１２と１１，１３は全く同じ回路である
からここでは簡単にするためトランジスタ１０，
１２についてのみ説明する。容量９から中間周波
信号が加わつた場合はトランジスタ１０のエミツ
タ電圧でクランプされるのでトランジスタ１２の
エミツタ電圧の上に中間周波信号が重畳された状
態になる。このためトランジスタ１４，１５から
なる差動増幅器はバランスがくずれトランジスタ
１４の平均電流は増加し、トランジスタ１５の平
均電流は減少する。この結果、負荷抵抗器３１か
らトランジスタ１４のコレクタに電流が流れ、出
力端子３０の電圧Vrより低くなる。なお、容量
４０は中間周波成分を平滑化して直流レベルにす
るために付加したものである。トランジスタ１
６，１７からなるもう１つの差動増幅回路につい
ても全く同様な動作を行なうため出力端子３０の
電圧は更に低くなる。図に示す様に中間周波増幅
器の途中の段から信号をとり出すことにより入力
信号の広い範囲にわたつて信号のレベルを検出す
ることができるものである。
ン接続のトランジスタ１２，１３に加わつた場合
について述べる。ダーリントン回路のトランジス
タ１０，１２と１１，１３は全く同じ回路である
からここでは簡単にするためトランジスタ１０，
１２についてのみ説明する。容量９から中間周波
信号が加わつた場合はトランジスタ１０のエミツ
タ電圧でクランプされるのでトランジスタ１２の
エミツタ電圧の上に中間周波信号が重畳された状
態になる。このためトランジスタ１４，１５から
なる差動増幅器はバランスがくずれトランジスタ
１４の平均電流は増加し、トランジスタ１５の平
均電流は減少する。この結果、負荷抵抗器３１か
らトランジスタ１４のコレクタに電流が流れ、出
力端子３０の電圧Vrより低くなる。なお、容量
４０は中間周波成分を平滑化して直流レベルにす
るために付加したものである。トランジスタ１
６，１７からなるもう１つの差動増幅回路につい
ても全く同様な動作を行なうため出力端子３０の
電圧は更に低くなる。図に示す様に中間周波増幅
器の途中の段から信号をとり出すことにより入力
信号の広い範囲にわたつて信号のレベルを検出す
ることができるものである。
いままで説明してきたレベル検出回路を設けた
第１図の無線受信機の入力信号レベルと、そのレ
ベル出力の関係を第２図のａカーブにしめす。な
お、ｃカーブは音声出力の特性を合わせて示した
ものである。ところがダーリントン接続トランジ
スタ１０及び１１には前述の通り交流信号を加
え、トランジスタ１０及び１１のエミツタ電位で
クランプするための電流が流れるので反対側のト
ランジスタ２０，２２及び２１，２３からなるダ
ーリントン回路とは全く対象とはならない。この
ことについて説明するとクランプのための電流は
トランジスタ２０又は２１のエミツタから供給す
ることになるがトランジスタはその物性からエミ
ツタ抵抗ｒeがあり、その値は ｒe＝ＫＴ／ｑ×ｉｅ で示され、温度Ｔの係数となる。クランプ電流は
当然このｒeを経由して供給されるのでトランジ
スタ２０又は２１のエミツタ電位は反対側のトラ
ンジスタ２０，２１のエミツタ電位よりｒe×（ク
ランプ電流）だけ低くなり、これが温度に依存す
るため第２図の特性図の様に温度上昇によりａカ
ーブはｂカーブの如く移動する。但し、（Ｋ：ボ
ルツマン定数 Ｔ：絶対温度 ｑ：1.602×
10-19） 第２図から判明するようにａカーブに比してｂ
カーブでは入力レベルがV1のところではレベル
出力はＶBだけ高い価を示し、レベル出力がV1の
ところでは入力レベルＶAだけ異なつた値、すな
わちV2を示すことになる。このことは或る温度
におけるカーブａにおいて入力レベルV1のとき
のレベル出力はV1であると規定しても温度が上
昇してｂカーブの様になつた場合には入力レベル
が同じV1でもレベル出力はＶBだけ高いV2になる
ため温度が変ると正確な入力レベルを知ることが
できなくなる。例えばV1なるレベル出力を基準
にして音声出力にミユーテイングなどをかけよう
とした場合であつてもミユーテイングのかかる点
の入力レベルは異なつてくるなどの大きい欠点が
あつた。
第１図の無線受信機の入力信号レベルと、そのレ
ベル出力の関係を第２図のａカーブにしめす。な
お、ｃカーブは音声出力の特性を合わせて示した
ものである。ところがダーリントン接続トランジ
スタ１０及び１１には前述の通り交流信号を加
え、トランジスタ１０及び１１のエミツタ電位で
クランプするための電流が流れるので反対側のト
ランジスタ２０，２２及び２１，２３からなるダ
ーリントン回路とは全く対象とはならない。この
ことについて説明するとクランプのための電流は
トランジスタ２０又は２１のエミツタから供給す
ることになるがトランジスタはその物性からエミ
ツタ抵抗ｒeがあり、その値は ｒe＝ＫＴ／ｑ×ｉｅ で示され、温度Ｔの係数となる。クランプ電流は
当然このｒeを経由して供給されるのでトランジ
スタ２０又は２１のエミツタ電位は反対側のトラ
ンジスタ２０，２１のエミツタ電位よりｒe×（ク
ランプ電流）だけ低くなり、これが温度に依存す
るため第２図の特性図の様に温度上昇によりａカ
ーブはｂカーブの如く移動する。但し、（Ｋ：ボ
ルツマン定数 Ｔ：絶対温度 ｑ：1.602×
10-19） 第２図から判明するようにａカーブに比してｂ
カーブでは入力レベルがV1のところではレベル
出力はＶBだけ高い価を示し、レベル出力がV1の
ところでは入力レベルＶAだけ異なつた値、すな
わちV2を示すことになる。このことは或る温度
におけるカーブａにおいて入力レベルV1のとき
のレベル出力はV1であると規定しても温度が上
昇してｂカーブの様になつた場合には入力レベル
が同じV1でもレベル出力はＶBだけ高いV2になる
ため温度が変ると正確な入力レベルを知ることが
できなくなる。例えばV1なるレベル出力を基準
にして音声出力にミユーテイングなどをかけよう
とした場合であつてもミユーテイングのかかる点
の入力レベルは異なつてくるなどの大きい欠点が
あつた。
以下、このような問題点を解決した本発明の具
体例を第３図とともに説明する。
体例を第３図とともに説明する。
第３図において基本回路は第１図と同様である
ため第１図と同じ回路で同じ機能をもつものは同
一番号を用いて示している。異なるのはツエナダ
イオード２８、ダイオード２９からなる安定化電
源に接続されているトランジスタ２６のエミツタ
にダイオード３４、抵抗器３２，３３，３５，３
６，３７からなる回路を付加し、抵抗器３５，３
６の接続点イと抵抗器３２，３３の接続点ロから
前記ダーリントン接続したトランジスタ１０，１
１，２０，２１にバイアス電圧を供給するように
して従来例で述べたクランプトランジスタのｒe
の温度依存性を補正するようにしたものである。
即ちエミツタホロワトランジスタ２６のエミツタ
電圧Ｖ26Eにダイオード３４と抵抗器３５，３
６，３７からなる負荷を挿入し、抵抗器３７によ
り、ダイオード３４に適当な順方向電流を流して
ダイオードの両端にＶDなる電圧を発生させる。
さらにダイオード３４の電圧を分割するように抵
抗器３５，３６を接続し、その抵抗器の結合点イ
の電圧をダーリントン接続したトランジスタ１
０，１１に供給する。ダイオード３４の電圧ＶD
はおよそ−2mv／℃の温度依存性を示すので抵抗
器３５，３６の結合点イの電圧における温度依存
性はＶDの温度変化に対して抵抗器３５，３６の
抵抗値の比で変化する様になる。抵抗器３５と３
６の結合点イの電圧はエミツタホロワ２６のエミ
ツタ電圧Ｖ26Eより抵抗器３５による電圧降下だ
け低くなる。従つてダーリントン接続トランジス
タ１０，１２および１１，１３に容量８，９から
交流信号が入らない状態でトランジスタ１４〜１
５，１６〜１７からなる差動増幅器がバランスす
るために点ロの電圧を点イの電圧と等しくなる様
に抵抗器３２，３３で設定する。このようにして
構成したレベル検出器の出力端３０の出力電圧は
温度に対してはトランジスタ１０，１１に加えら
れる点イの電圧の温度依存性による温度特性を示
す様になる。
ため第１図と同じ回路で同じ機能をもつものは同
一番号を用いて示している。異なるのはツエナダ
イオード２８、ダイオード２９からなる安定化電
源に接続されているトランジスタ２６のエミツタ
にダイオード３４、抵抗器３２，３３，３５，３
６，３７からなる回路を付加し、抵抗器３５，３
６の接続点イと抵抗器３２，３３の接続点ロから
前記ダーリントン接続したトランジスタ１０，１
１，２０，２１にバイアス電圧を供給するように
して従来例で述べたクランプトランジスタのｒe
の温度依存性を補正するようにしたものである。
即ちエミツタホロワトランジスタ２６のエミツタ
電圧Ｖ26Eにダイオード３４と抵抗器３５，３
６，３７からなる負荷を挿入し、抵抗器３７によ
り、ダイオード３４に適当な順方向電流を流して
ダイオードの両端にＶDなる電圧を発生させる。
さらにダイオード３４の電圧を分割するように抵
抗器３５，３６を接続し、その抵抗器の結合点イ
の電圧をダーリントン接続したトランジスタ１
０，１１に供給する。ダイオード３４の電圧ＶD
はおよそ−2mv／℃の温度依存性を示すので抵抗
器３５，３６の結合点イの電圧における温度依存
性はＶDの温度変化に対して抵抗器３５，３６の
抵抗値の比で変化する様になる。抵抗器３５と３
６の結合点イの電圧はエミツタホロワ２６のエミ
ツタ電圧Ｖ26Eより抵抗器３５による電圧降下だ
け低くなる。従つてダーリントン接続トランジス
タ１０，１２および１１，１３に容量８，９から
交流信号が入らない状態でトランジスタ１４〜１
５，１６〜１７からなる差動増幅器がバランスす
るために点ロの電圧を点イの電圧と等しくなる様
に抵抗器３２，３３で設定する。このようにして
構成したレベル検出器の出力端３０の出力電圧は
温度に対してはトランジスタ１０，１１に加えら
れる点イの電圧の温度依存性による温度特性を示
す様になる。
次に全体の動作を具体的に説明する。トランジ
スタ２６のエミツタ電圧Ｖ26Eは温度に対して温
度依存性を示すが点イ，ロは両方共Ｖ26Eの電圧
から得ているため、ほぼ同じ様に変化するため差
動増幅器１６〜１７，１４〜１５のバランスはく
ずれない。しかしダイオード３４の順方向電圧Ｖ
Dは負の温度係数を有するのでトランジスタ１
０，１１のベースバイアスは温度が上昇すると高
くなり、温度が下がると低くなる。従がつてトラ
ンジスタ１４〜１５，１６〜１７からなる差動増
幅器のトランジスタ１４，１６のコレクタ電流は
温度が高くなるに従つて増加して差動増幅器のバ
ランスがくずれ、トランジスタ１５，１７のコレ
クタ電流は減少する。
スタ２６のエミツタ電圧Ｖ26Eは温度に対して温
度依存性を示すが点イ，ロは両方共Ｖ26Eの電圧
から得ているため、ほぼ同じ様に変化するため差
動増幅器１６〜１７，１４〜１５のバランスはく
ずれない。しかしダイオード３４の順方向電圧Ｖ
Dは負の温度係数を有するのでトランジスタ１
０，１１のベースバイアスは温度が上昇すると高
くなり、温度が下がると低くなる。従がつてトラ
ンジスタ１４〜１５，１６〜１７からなる差動増
幅器のトランジスタ１４，１６のコレクタ電流は
温度が高くなるに従つて増加して差動増幅器のバ
ランスがくずれ、トランジスタ１５，１７のコレ
クタ電流は減少する。
この結果、能動負荷トランジスタ１８，１９の
効果により負荷抵抗３１には電源Vrから電流が
流れ込み出力端子３０の電圧は低下する。第１図
に示した装置において第２図でのたべたようにレ
ベル検出回路に高周波信号（交流信号）に入つた
場合、高周波信号の入力レベルとレベル出力の関
係は温度が上昇するとａカーブからｂカーブの様
に移動するが、本実施例によると温度上昇による
ｂカーブの移動分だけ差動増幅器が動作点バラン
スをくずして出力端子３０の動作点電圧を移動す
ることにより第４図に示す様に或る一定入力以上
の入力レベルに対してａ，ｂカーブはほぼ重ね合
わされることができるのでレベル出力V2点は入
力レベルV1において温度に関係なく一定にする
ことができる。
効果により負荷抵抗３１には電源Vrから電流が
流れ込み出力端子３０の電圧は低下する。第１図
に示した装置において第２図でのたべたようにレ
ベル検出回路に高周波信号（交流信号）に入つた
場合、高周波信号の入力レベルとレベル出力の関
係は温度が上昇するとａカーブからｂカーブの様
に移動するが、本実施例によると温度上昇による
ｂカーブの移動分だけ差動増幅器が動作点バラン
スをくずして出力端子３０の動作点電圧を移動す
ることにより第４図に示す様に或る一定入力以上
の入力レベルに対してａ，ｂカーブはほぼ重ね合
わされることができるのでレベル出力V2点は入
力レベルV1において温度に関係なく一定にする
ことができる。
また第３図にしめす様に検波器５の後に電子ス
イツチまたは、電子ボリウム回路３８を設けボリ
ウム３９によりレベル出力V2で動作する様な設
定電圧を加えれば端子７には第４図の音声出力ｃ
は電子スイツチ又は電子ボリウム３８に応じc′又
はc″の特性を示すミユーテング特性をもたせるこ
とができる。またミユーテイング動作を行なわせ
る点の入力レベルV1のレベル出力は温度に無関
係にV2であるから常に一定の入力レベル点から
下の入力レベルでミユーテイングをかけることが
できる。
イツチまたは、電子ボリウム回路３８を設けボリ
ウム３９によりレベル出力V2で動作する様な設
定電圧を加えれば端子７には第４図の音声出力ｃ
は電子スイツチ又は電子ボリウム３８に応じc′又
はc″の特性を示すミユーテング特性をもたせるこ
とができる。またミユーテイング動作を行なわせ
る点の入力レベルV1のレベル出力は温度に無関
係にV2であるから常に一定の入力レベル点から
下の入力レベルでミユーテイングをかけることが
できる。
以上の実施例から解るように本発明によれば温
度に左右されない入力レベルに相関した安定なレ
ベル出力が得られるので、このレベル出力を用い
て正確な入力信号レベルを知ることができ、また
温度に対して無関係に常に一定入力レベルでミユ
ーテイングがかけられる特徴がある。さらにステ
レオセパレーシヨン調整や自動音質調整（SN比
の悪いところで高音を低下）などの安定で信頼性
の高い制御信号として利用できるなど大きな効果
が得られる。
度に左右されない入力レベルに相関した安定なレ
ベル出力が得られるので、このレベル出力を用い
て正確な入力信号レベルを知ることができ、また
温度に対して無関係に常に一定入力レベルでミユ
ーテイングがかけられる特徴がある。さらにステ
レオセパレーシヨン調整や自動音質調整（SN比
の悪いところで高音を低下）などの安定で信頼性
の高い制御信号として利用できるなど大きな効果
が得られる。
第１図は従来の高周波レベル検出回路の構成
図、第２図はその入力レベル検出特性を示す図、
第３図は本発明の一実施例による高周波レベル検
出回路の構成図、第４図はその入出力特性を示す
図である。 ８，９……コンデンサ、１０〜２４……トラン
ジスタ、３４……ダイオード。
図、第２図はその入力レベル検出特性を示す図、
第３図は本発明の一実施例による高周波レベル検
出回路の構成図、第４図はその入出力特性を示す
図である。 ８，９……コンデンサ、１０〜２４……トラン
ジスタ、３４……ダイオード。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 少なくとも１つの差動増幅器よりなる差動増
幅回路と、前記差動増幅器のベース入力にそれぞ
れバイアス電圧を加えるバイアス回路を、前記差
動増幅器の何れか一方のベース入力に、前記バイ
アス電圧に重畳するように容量を介して交流信号
を供給して前記交流信号のレベルを検出する回路
において、交流信号を接続する側の前記バイアス
回路のバイアス電圧としてダイオードの順方向電
圧の一部を加えるようにした信号レベル検出回
路。 ２ 差動増幅回路として、出力が加算されるよう
に接続され、かつ一方のベース入力にそれぞれ前
記交流信号が加えられるよう構成された２つの差
動増幅器を用いることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の信号レベル検出回路。 ３ バイアス回路が、ダーリントン回路を含み、
このダーリントン回路を介して前記差動増幅器の
ベースにバイアス電圧を加える構成とし、交流信
号を前記差動増幅器の一方のベースに接続された
ダーリントン回路の第１のトランジスタのエミツ
タと第２のトランジスタのベースの接続点に供給
したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の信号レベル検出回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16573578A JPS5587959A (en) | 1978-12-26 | 1978-12-26 | Signal level detection circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16573578A JPS5587959A (en) | 1978-12-26 | 1978-12-26 | Signal level detection circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5587959A JPS5587959A (en) | 1980-07-03 |
| JPS6150260B2 true JPS6150260B2 (ja) | 1986-11-04 |
Family
ID=15818072
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16573578A Granted JPS5587959A (en) | 1978-12-26 | 1978-12-26 | Signal level detection circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5587959A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6273270U (ja) * | 1985-10-25 | 1987-05-11 |
-
1978
- 1978-12-26 JP JP16573578A patent/JPS5587959A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5587959A (en) | 1980-07-03 |
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