JPS6147620A - エレクトレツト構体 - Google Patents
エレクトレツト構体Info
- Publication number
- JPS6147620A JPS6147620A JP17019384A JP17019384A JPS6147620A JP S6147620 A JPS6147620 A JP S6147620A JP 17019384 A JP17019384 A JP 17019384A JP 17019384 A JP17019384 A JP 17019384A JP S6147620 A JPS6147620 A JP S6147620A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electret
- gate
- electrode
- layer
- main surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)
- Filtering Materials (AREA)
- Multicomponent Fibers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野］
本発明は音圧検出などに使用されるエレクトレット構体
に関する。
に関する。
従来、エレクトレット構体を応用した静電型マイクロホ
ンは、例えば第３図の如く構成される。図中１は振動板
、２は振動板１の架張リング、３はスペーサ、４は誘電
体（−エレクトレット）、５は電極、６０′ｉ支持体、
７はインピーダンス変換素子としての電界効果トランジ
スタ（以下Ｆ’ＥＴと云う）、７１はＦＩＴ ７のゲー
ト端子、７．はドレイン端子、７３はソース端子、８は
印刷配線板、９はケースである。第４図は第３図の電気
的等価回路であシ、１１はエレクトレットの本質である
永久電荷素子つ″！シ靜電気源、１２はエレクトレット
による容量部であり、これはエレクトレット４、空間１
０を挾む電極１，５により構成される。
ンは、例えば第３図の如く構成される。図中１は振動板
、２は振動板１の架張リング、３はスペーサ、４は誘電
体（−エレクトレット）、５は電極、６０′ｉ支持体、
７はインピーダンス変換素子としての電界効果トランジ
スタ（以下Ｆ’ＥＴと云う）、７１はＦＩＴ ７のゲー
ト端子、７．はドレイン端子、７３はソース端子、８は
印刷配線板、９はケースである。第４図は第３図の電気
的等価回路であシ、１１はエレクトレットの本質である
永久電荷素子つ″！シ靜電気源、１２はエレクトレット
による容量部であり、これはエレクトレット４、空間１
０を挾む電極１，５により構成される。
このものは、振動板１と対向させたエレクトレット電極
５との両端に、外部より振動板１を変位させることによ
シミ圧が発生する。これはＶ＝Ｑ／ＣＣＶｔｔ−１Ｎ圧
、ＱｕｉｔＷ、Ｃｌｉ容ｔｃ）ｆ）関係式より理解でき
る。しかしながらこの出力電圧は、インピーダンスが高
いため実用にはならない。そこでエレクトレット電極５
をインピーダンス変換素子７を介して低インぎ一ダンス
化して、印刷配線板８の端子７．．７．より抽出するも
のである。
５との両端に、外部より振動板１を変位させることによ
シミ圧が発生する。これはＶ＝Ｑ／ＣＣＶｔｔ−１Ｎ圧
、ＱｕｉｔＷ、Ｃｌｉ容ｔｃ）ｆ）関係式より理解でき
る。しかしながらこの出力電圧は、インピーダンスが高
いため実用にはならない。そこでエレクトレット電極５
をインピーダンス変換素子７を介して低インぎ一ダンス
化して、印刷配線板８の端子７．．７．より抽出するも
のである。
しかしながら第３図のものにあっては、各部品を積層化
しているため、各々の部品精度が著しく要求され、また
インピーダンス変換素子７のゲート端子７１とのコンタ
クトは、圧接やスポット溶接等の手段によシ導通を図っ
ているため、信頼性に欠ける等の問題点ばかりか、小形
化（高さ）に支障があった。更にはＦＥＴ Ｆ付近に付
着する湿気や浮遊容量によりリークが発生し、エレクト
レットが生じた音声信号が充分ＦＥＴ ７にとどかない
等で、変換効率が低くなる問題点もあった。
しているため、各々の部品精度が著しく要求され、また
インピーダンス変換素子７のゲート端子７１とのコンタ
クトは、圧接やスポット溶接等の手段によシ導通を図っ
ているため、信頼性に欠ける等の問題点ばかりか、小形
化（高さ）に支障があった。更にはＦＥＴ Ｆ付近に付
着する湿気や浮遊容量によりリークが発生し、エレクト
レットが生じた音声信号が充分ＦＥＴ ７にとどかない
等で、変換効率が低くなる問題点もあった。
本発明は上記実情に鑑みてなされたもので、ゲート電極
面上にダイレクトに誘電体にエレクトレット）を形成す
ることによシ、信頼性の向上、小形化、信号の変換効率
向上等を可能としたエレクトレット構体を提供しようと
するものである＠ 〔発明の概要〕 本発明は、電界効果トランジスタを構成する半導体基板
の一主面にゲート面を有し、その面上に高分子材料から
なる板状の誘電体の一主面を付着するようにしたもので
ある。
面上にダイレクトに誘電体にエレクトレット）を形成す
ることによシ、信頼性の向上、小形化、信号の変換効率
向上等を可能としたエレクトレット構体を提供しようと
するものである＠ 〔発明の概要〕 本発明は、電界効果トランジスタを構成する半導体基板
の一主面にゲート面を有し、その面上に高分子材料から
なる板状の誘電体の一主面を付着するようにしたもので
ある。
以下図面を参照して本発明の一実施例を説明する。第１
図において２１は電界効果トランジスタ２２を形成させ
た半導体基板であシ、この基板２１の一主面側のＮ層上
には１型のソース層２３、Ｎ＋型のドレイン層２４、Ｐ
型のゲート層２５が形成され、絶縁層２６を通してそれ
ぞレソース電極２７、ドレイン電極２８、ゲート電極２
９が設けられている。基板２ノの他の土面側にはＰ型層
３０が設けられ、これは図示しない個所でゲート層２５
と接続されている。基板２１の裏面のゲート３０の電極
面上には、高分子材料からなる誘電体（エレクトレット
で例えばテフロン等）３１を熱圧着している。ただし第
１図では、エレクトレット電極（ゲート）と対向する（
容量を形成する）電極は除いである。例えばマイクロホ
ン等に応用した場合には、第３図の振動板１をエレクト
レット面上にギャップを介して形成するものである。
図において２１は電界効果トランジスタ２２を形成させ
た半導体基板であシ、この基板２１の一主面側のＮ層上
には１型のソース層２３、Ｎ＋型のドレイン層２４、Ｐ
型のゲート層２５が形成され、絶縁層２６を通してそれ
ぞレソース電極２７、ドレイン電極２８、ゲート電極２
９が設けられている。基板２ノの他の土面側にはＰ型層
３０が設けられ、これは図示しない個所でゲート層２５
と接続されている。基板２１の裏面のゲート３０の電極
面上には、高分子材料からなる誘電体（エレクトレット
で例えばテフロン等）３１を熱圧着している。ただし第
１図では、エレクトレット電極（ゲート）と対向する（
容量を形成する）電極は除いである。例えばマイクロホ
ン等に応用した場合には、第３図の振動板１をエレクト
レット面上にギャップを介して形成するものである。
第２図は第１図の電気的等価回路であり、３２はエレク
トレットの静電気源、３３はエレクトレットによる容量
部である。
トレットの静電気源、３３はエレクトレットによる容量
部である。
上述したようなエレクトレット構体にあっては、電界効
果トランジスタ２２を構成する半導体基板２１の一主面
にゲート面を有し、その面上に板状の誘電体の一主面を
付着するようにし、エレクトレット電極がインピーダン
ス変換素子のｒ−）を兼ねるため、部品点数の削減及び
量産性の向上が図れ、また第３図の如きゲート端子７１
を有するＦＥＴ構造ではないので、構体の小形化が図れ
ると共に、従来の如きＦＥＴ付近に付着する湿気や浮遊
容量によるリークが発生し、エレクトレットが生じた音
声信号が充分ＦＥＴにとどかない等で変換効率が低くな
る問題点もなくなるものである。
果トランジスタ２２を構成する半導体基板２１の一主面
にゲート面を有し、その面上に板状の誘電体の一主面を
付着するようにし、エレクトレット電極がインピーダン
ス変換素子のｒ−）を兼ねるため、部品点数の削減及び
量産性の向上が図れ、また第３図の如きゲート端子７１
を有するＦＥＴ構造ではないので、構体の小形化が図れ
ると共に、従来の如きＦＥＴ付近に付着する湿気や浮遊
容量によるリークが発生し、エレクトレットが生じた音
声信号が充分ＦＥＴにとどかない等で変換効率が低くな
る問題点もなくなるものである。
なお本発明は上記実施例のみに限られず、種種の応用が
可能である。例えば本発明の応用範囲としては、実施例
の静電型マイク日ホンのみでなく、無接点検出回路、タ
ッチスイッチ、静電型（エレクトレットタイプ）トラン
スデユーサ等に適用できる。
可能である。例えば本発明の応用範囲としては、実施例
の静電型マイク日ホンのみでなく、無接点検出回路、タ
ッチスイッチ、静電型（エレクトレットタイプ）トラン
スデユーサ等に適用できる。
以上説明した如く本発明によれば、従来の機械的問題点
、電気的問題点の改善されたエレクトレット構体が提供
できるものである。
、電気的問題点の改善されたエレクトレット構体が提供
できるものである。
第１図は本発明の一実施例を示す断面的構成図、第２図
は同構成の電気的等価回路図、第３図は従来のエレクト
レット構体を用いた静電型マイクロホンの断面的構成図
、第４図は同構成の電気的等価回路図である。 ２１・・・半導体基板、２２・・・ＦＥＴ、３ｏ・・・
ゲート層、３ノ・・・エレクトレット（誘電体）。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図 第３図 第４図
は同構成の電気的等価回路図、第３図は従来のエレクト
レット構体を用いた静電型マイクロホンの断面的構成図
、第４図は同構成の電気的等価回路図である。 ２１・・・半導体基板、２２・・・ＦＥＴ、３ｏ・・・
ゲート層、３ノ・・・エレクトレット（誘電体）。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図 第３図 第４図
Claims (1)
- 電界効果トランジスタを構成する半導体基板の一主面に
ゲート面を有し、その面上に高分子材料からなる板状の
誘電体の一主面を付着したことを特徴とするエレクトレ
ット構体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17019384A JPS6147620A (ja) | 1984-08-15 | 1984-08-15 | エレクトレツト構体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17019384A JPS6147620A (ja) | 1984-08-15 | 1984-08-15 | エレクトレツト構体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6147620A true JPS6147620A (ja) | 1986-03-08 |
Family
ID=15900396
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17019384A Pending JPS6147620A (ja) | 1984-08-15 | 1984-08-15 | エレクトレツト構体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6147620A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61131859A (ja) * | 1984-11-30 | 1986-06-19 | Kawasaki Heavy Ind Ltd | 立体形状の形成方法及び形成装置 |
| JPH01319867A (ja) * | 1988-06-20 | 1989-12-26 | Y Ii C:Kk | 高速造形法 |
| JPH02292688A (ja) * | 1989-04-03 | 1990-12-04 | General Electric Co <Ge> | コンピュータ化プライパターンを発生する方法 |
| US5072782A (en) * | 1988-07-08 | 1991-12-17 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Method of producing pattern for molding castings |
| US6446697B1 (en) | 1993-11-29 | 2002-09-10 | Ford Global Technologies, Inc. | Rapidly making complex castings |
| US6460594B1 (en) * | 1998-03-16 | 2002-10-08 | Hang Fung Jewellery Co., Ltd. | Method of forming a metal statuette of a three-dimensional object |
-
1984
- 1984-08-15 JP JP17019384A patent/JPS6147620A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61131859A (ja) * | 1984-11-30 | 1986-06-19 | Kawasaki Heavy Ind Ltd | 立体形状の形成方法及び形成装置 |
| JPH01319867A (ja) * | 1988-06-20 | 1989-12-26 | Y Ii C:Kk | 高速造形法 |
| US5072782A (en) * | 1988-07-08 | 1991-12-17 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Method of producing pattern for molding castings |
| JPH02292688A (ja) * | 1989-04-03 | 1990-12-04 | General Electric Co <Ge> | コンピュータ化プライパターンを発生する方法 |
| JP2551677B2 (ja) * | 1989-04-03 | 1996-11-06 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | コンピュータ化プライパターンを発生する方法 |
| US6446697B1 (en) | 1993-11-29 | 2002-09-10 | Ford Global Technologies, Inc. | Rapidly making complex castings |
| US6460594B1 (en) * | 1998-03-16 | 2002-10-08 | Hang Fung Jewellery Co., Ltd. | Method of forming a metal statuette of a three-dimensional object |
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