JP4672539B2 - コンデンサマイクロホン装置 - Google Patents
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Description
Vm : シリコンマイクロホンエレメント開放端出力電圧 (V)
Cm : シリコンマイクロホンエレメント実効容量 (F)
Cp1: シリコンマイクロホンエレメントの浮遊容量
(振動膜電極13−シリコン基板11間) (F)
Cp2: シリコンマイクロホンエレメントの浮遊容量
(固定電極16−シリコン基板11間) (F)
Vin: 高入力インピーダンス増幅器30の入力電圧 (V)
Cin: 実装容量を含んだ高入力インピーダンス増幅器30の入力容量 (F)
V01: 高入力インピーダンス増幅器30の出力電圧 (V)
ただし、実装容量(実装したときの周囲の配線等に起因する浮遊容量)を含んだ高入力インピーダンス増幅器30の入力容量Cinは補償することができない。
P : 音圧(規定音圧は1(N/m2)) (N/m2)
Sd : 振動膜電極13の面積 (m2)
s0 : 振動膜電極13のスチフネス (N/m)
sb : 背気室18のスチフネス (N/m)
d : 振動膜電極13と固定電極16のギャップ(第2絶縁層15の厚さ) (m)
Eb : 永久電荷誘電体膜14の等価バイアス電圧 (V)
とすると、シリコンマイクロホンエレメント10の開放端出力電圧Vmは、
R2/(R1+R2) = 1/G
の関係にある。
R2/(R1+R2) = (1/G){(Cp1+Cin)/Cp1}
の関係にある。
そして、この入力を高入力インピーダンス増幅器で増幅して、所要の出力電圧の信号を回路出力端に得ることができる。また、増幅器を追加する必要がなくなるので、部品点数を削減することができ、回路規模を小型化することができる。
図1は、本発明の実施形態におけるシリコンマイクロホンの平面形状を模式図で示し、図2は、その等価回路をシリコンマイクロホンエレメントの側面図と共に示している。
R = (ρ・L)/(W・H) (Ω)
L21/W21:L22/W22
となる。
Vm : シリコンマイクロホンエレメント開放端出力電圧 (V)
Cm : シリコンマイクロホンエレメント実効容量 (F)
Cp1: シリコンマイクロホンエレメントの浮遊容量
(振動膜電極3−シリコン基板1間) (F)
Cp2: シリコンマイクロホンエレメントの浮遊容量
(固定電極6−シリコン基板1間) (F)
Vin: 高入力インピーダンス増幅器32の入力電圧 (V)
Cin: 実装容量を含んだ高入力インピーダンス増幅器32の入力容量 (F)
V01: 高入力インピーダンス増幅器32の出力電圧 (V)
G: 高入力インピーダンス増幅器32の増幅度 (V/V)
R1: シリコンマイクロホンエレメント上の分圧シート抵抗22の抵抗値 (Ω)
R2: シリコンマイクロホンエレメント上の分圧シート抵抗21の抵抗値 (Ω)
である。
(数5)において、分圧抵抗比を
このように、このシリコンマイクロホンは、シリコンマイクロホンエレメント100の製作時に、シリコンマイクロホンエレメント内に分圧抵抗を形成しているため、製造工程数の増加や形状の増大を殆ど伴わずに製作することができる。
2 第1の絶縁層
3 振動膜電極
4 エレクトレット膜
5 第2の絶縁層
6 固定電極
7 音孔
8 背気室
10 シリコンマイクロホンエレメント
11 シリコン基板
12 第1の絶縁層
13 振動膜電極
14 永久電荷誘電体膜(エレクトレット膜)
15 第2の絶縁層
16 固定電極
17 音孔
18 背気室
21 分圧シート抵抗
22 分圧シート抵抗
23 第1固定電極パッド
24 固定電極接続用パッド
25 シリコン基板接続用パッド
26 AMP出力接続用パッド
27 シリコン基板パッド
28 振動膜電極パッド
29 第2固定電極パッド
30 高入力インピーダンス増幅器(増幅度1)
31 増幅器(増幅度G)
32 高入力インピーダンス増幅器(増幅度G)
41 端子
42 端子
100 シリコンマイクロホンエレメント
Claims (7)
- 音信号を電気信号に変換して出力するコンデンサマイクロホンエレメントと、
前記コンデンサマイクロホンエレメントの出力信号を増幅する高入力インピーダンス増幅器と、
第1の分圧抵抗と、第2の分圧抵抗とを備え、
前記高入力インピーダンス増幅器の出力電圧を前記第1の分圧抵抗と前記第2の分圧抵抗とで分圧し、分圧電圧を前記コンデンサマイクロホンエレメントに発生する浮遊容量の一方の端子に印加するコンデンサマイクロホン装置。 - 前記コンデンサマイクロホンエレメントがシリコン基板上に形成されている請求項1に記載のコンデンサマイクロホン装置。
- 前記コンデンサマイクロホンエレメントと、前記第1の分圧抵抗と、前記第2の分圧抵抗とが同一のシリコン基板上に形成されている請求項1に記載のコンデンサマイクロホン装置。
- 前記第1の分圧抵抗と、前記第2の分圧抵抗とが分圧シートで構成されている請求項3に記載のコンデンサマイクロホン装置。
- 前記分圧電圧が印加される浮遊容量の一方の端子が、前記シリコン基板である請求項1から4のいずれか一項に記載のコンデンサマイクロホン装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2005352342A JP4672539B2 (ja) | 2005-12-06 | 2005-12-06 | コンデンサマイクロホン装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2007158823A JP2007158823A (ja) | 2007-06-21 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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---|---|
JP (1) | JP4672539B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011161738A1 (ja) * | 2010-06-24 | 2011-12-29 | パナソニック株式会社 | センサー |
GB2491111B (en) * | 2011-05-19 | 2015-08-19 | Oxford Instr Nanotechnology Tools Ltd | Charge-sensitive amplifier |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5880917A (ja) * | 1981-10-22 | 1983-05-16 | ア−・カ−・ゲ−・アクステイツシエ・ウント・キノ−ゲレ−テ・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | インピ−ダンス変換器回路 |
JPH05292591A (ja) * | 1992-04-07 | 1993-11-05 | Audio Technica Corp | 変位比例型変換器 |
JP2000065664A (ja) * | 1998-08-26 | 2000-03-03 | Hitachi Ltd | 静電容量式力学量センサ |
-
2005
- 2005-12-06 JP JP2005352342A patent/JP4672539B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS5880917A (ja) * | 1981-10-22 | 1983-05-16 | ア−・カ−・ゲ−・アクステイツシエ・ウント・キノ−ゲレ−テ・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | インピ−ダンス変換器回路 |
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JP2000065664A (ja) * | 1998-08-26 | 2000-03-03 | Hitachi Ltd | 静電容量式力学量センサ |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007158823A (ja) | 2007-06-21 |
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RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20071120 |
|
A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101213 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110119 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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