JPS6146622A - デルタ変調回路 - Google Patents

デルタ変調回路

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Publication number
JPS6146622A
JPS6146622A JP16782984A JP16782984A JPS6146622A JP S6146622 A JPS6146622 A JP S6146622A JP 16782984 A JP16782984 A JP 16782984A JP 16782984 A JP16782984 A JP 16782984A JP S6146622 A JPS6146622 A JP S6146622A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
constant current
capacitor
voltage
delta modulation
Prior art date
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Pending
Application number
JP16782984A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshiharu Nagayama
永山 義治
Kazuo Daimon
一夫 大門
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Publication of JPS6146622A publication Critical patent/JPS6146622A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 この発明は、デルタ変調回路に関するもので、例えば、
1チップの半導体集積回路装置に内蔵されるデルタ変調
回路に利用して有効な技術に関するものである。
〔背景技術〕
アナログ信号をディジタル信号に変換する種々の技法の
1つとしてデルタ変調回路が公知である。
このデルタ変調回路は、例えば、第3図に示すように、
同じ電流値にされた定電流源II、I2の一方のからそ
れぞれスイッチ36.37を介して抵抗Rとキャパシタ
Cとにより構成された積分回路に充放電電流を供給する
。この積分回路の出力電圧とアナログ電圧Vinとは電
圧比較回路に供給される。上記スイッチS6.S7は、
上記電圧比較回路の出力信号と所定のタイミング信号に
よって形成された制御信号によって制御される。
この回路の動作は、あるサンプリン周期により!圧比較
回路の出力のハイレベル/ロウレベルが取り込まれる。
この時、上記出力がハイレベルなら、スイッチS6は一
定期間オン状態にされ、定電流源11からの定電流によ
ってキャパシタCの充電動作が行われる。また、上記出
力がロウレベルならスイッチS7はオン状態にされ、定
電流源■2の定電流によってキャパシタCの放電が行わ
れる。このような動作によって、上記電圧比較回路の出
力からは、例えばサンプリング時点tQとtlとにおけ
るアナログ信号VinO差の符号が形成される。そして
、この符号(ビット)の系列を積分することにより近似
のアナログ信号が得られる。
このようなデルタ変調回路にあっては、上記画定電流源
11.I2の定電流が正確に等しくないことによってア
ナログ信号が一定のレベルの時、言い換えるならば、無
信号入力のとき遊休ノイズが発生する。このようなノイ
ズを低減させる技法として、例えば、特公昭51−17
369号公報に記載されているように上記定電流源の電
流値を回路的に補正することが知られている。
しかしながら、この方法では可変定電流源を形成するこ
と、及びその制御回路を必要とするものであるので回路
が複雑になってしまうという問題が生じる。
〔発明の目的〕
この発明の目的は、簡単な回路により低ノイズ化を実現
したデルタ変調回路を提供することにある。
この発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、
この明細書の記述および添付図面から明らかになるであ
ろう。
〔発明の概要〕
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記の通りである。
すなわち、スイッチ手段によりキャパシタへの電流供給
方向を選択的に切り換えて行うことにより、1つの定電
流源により形成した定電流によってその充放電を行わせ
るものである。
〔実施例〕
第1図には、この発明の一実施例の回路図が示されてい
る。同図の各回路は、特に制限されないが、公知の半導
体集積回路の製造技術によって、1個の単結晶シリコン
のような半導体基板上において形成される。
定電流源Iにより形成された定電流は、スイッチS5を
介して抵抗Rの一端に供給される。この抵抗Rの他端は
、電圧比較回路opの反転入力(−)に接続される。こ
の電圧比較回路oPの反転入力(−)は、スイッチSL
、S2を介してそれぞれキャパシタCの両電極に接続さ
れる。このキャパシタCの両電極は、またスイッチS3
.S4を介してそれぞれ回路の接地電位点に接続される
上記電圧比較回路OPの出力信号は、制御回路CNTに
伝えられ、゛上記スイッチ81〜S5の切り換え制御信
号とディジタル信号を形成するために用いられる。
なお、上記電圧比較回路OPは、例えばMOSFET 
(絶縁ゲート型電界効果トランジスタ)により構成され
た差動増幅回路を含むような高入力インピーダンスの演
算増幅回路が用いられる。この理由は、その入力インピ
ーダンスが低いと、そこに流れる入力電流によって上記
キャパシタCのレベルが上記定電流理工から供給される
定電流以外により変動してしまいノイズとして出力され
るからである。
次に、第2図に示した動作波形図を参照して、上記実施
例回路の動作を詳細に説明する。
サンプリングタイミングTOにおいては、制御回路CN
Tからの制御信号によって、スイッチS5、Sl及びS
4は(゛)状態にされ、スイッチS2と83はオン状態
にされる。これにより、キャパシタCの一方の電極(ノ
ードN)における保持レベルは電圧比較回路OPの反転
入力(−)に供給され、非反転入力(+)に供給された
その時のアナログ信号Vin(点線で示す)との電圧比
較が行われる。同図のようにアナログ信号Vinがノー
ドNの電圧より高いと、その比較出力はハイレベル(論
理“1″)と判定される。
次に、上記電圧比較出力を受けて、制御回路CNTは、
一定期間(この実施例では次のサンプリングタイミング
T1までの間)スイッチ35.S2及びS3をオン状態
にし、スイッチS1と84をオフ状態にする。これによ
り、定電流源■により形成された定電流は、抵抗Rを通
してキャパシタCに上記ノードN側からの充電電流とし
て供給される。したがって、キャパシタCにおけるノー
ドNの電位は上昇させられる。
サンプリングタイミングT1においては、上記同様にス
イッチS2と83のみがオン状態にされ、電圧比較回路
OPによりキャパシタCのノードNの電位とその時のア
ナログ信号Vinとの電圧比較動作が行われる。上記の
充電動作によってノードNの電位がアナログ信号Vin
より高くなると、その比較出力はロウレベル(論理60
”)と判定される。
次に、上記電圧比較出力を受けて、制御回路CNTは、
一定期間(この実施例では次のサンプリングタイミング
T2までの間)スイッチ35.Sl及びS4をオン状態
にし、スイッチS2と83をオフ状態にする。これによ
り、定電流源Iにより形成された定電流は、抵抗Rを通
してキャパシタCに上記ノードN側とは逆方向から充電
電流として供給される。このような充電動作は、キャパ
シタCのノードN側から見た場合、放電動作とみなされ
る。したがって、次のサンプリングタイミングT2にお
いて、上記同様にスイッチS2と33のみがオン状態に
されときのノードNの電位は低下させられる(なお、同
図ではその動作が理解しやすいようにキャパシタCのノ
ードNの電圧波形は、キャパシタCの他方の電極が仮想
的に接地された状態として描かれている。)。
そして、サンプリンゲタ1′ミングT2の到来によって
、電圧比較回路OPは、上記のように低下させられたノ
ードNの電位とアナログ信号Vinと電圧比較動作を行
い、その出力をハイレベル(論理“1″〉とする。以下
、この動作波形図に示すようにアナログ信号Vinが変
化しない無信号入力の場合には、上記出力論理“1”と
論理“0”とがビット系列として得られ、その積分出力
はOになり、上記アナログ信号Vinと等価になる。
この実施例では、上記キャパシタCの実質的な充放電電
流が1つの定電流源により形成された定電流であるので
、両者を等しくすることができる。
これにより、上記のような無信号入力時に遊休ノイズ(
アイドル・ノイズ)が発生しないようにすることができ
る。
〔効 果〕
(1)スイッチ回路により積分回路を構成するキャパシ
タへの電流供給方向を切り換えることにより、1つの定
電流源により形成された定電流でその充放電動作を行わ
せることができる。これにより、遊休ノイズの発生を防
止することができるという効果が得られる。
(2)1つの定電流源によりキャパシタの充放電動作を
行わせるものであるので、定電流源により形成された定
電流にバラツキがあっても、上記遊休ノイズには無関係
となる。これにより、素子特性の製造バラツキが比較的
大きな半導体集積回路に内蔵することができる。
(3)1つの定電流源とスイッチにより構成できるから
、簡単な回路により低ノイズのデルタ変調回路を得るこ
とができるという効果が得られる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、この発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。上記スイッチ81〜S
5は、伝送ゲー)MOSFET (絶縁ゲート型電界効
果トランジスタ)等の各種アナログスイッチを利用する
ことができる。また、上記各回路を構成する素子は、M
OSFETの他、バイポーラ型トランジスタを用いるも
の、又は両者を組み合わせたもの等種々の実施形態を採
ることができるものである。
〔利用分野〕
この発明は、デルタ変調回路として広く利用でき、例え
ばアナログ信号をディジタル処理するためのA/D変換
器(音声信号の符号化回路、ファクシミリ装置における
画像信号処理回路等)等に利用できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、この発明の一実施例を示す回路図、第2図は
、その動作の一例を示す波形図、第3図は、従来技術の
一例を示す回路図である。 op・・電圧比較回路、L  If、I2・・定電流源
、81〜S7・・スイッチ、CNT・・制御回路

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、一方の入力端子にアナログ電圧が供給される電圧比
    較回路と、キャパシタの両電極と上記電圧比較回路の他
    方に入力端子との間にそれぞれ設けられた第1、第2の
    スイッチ手段と、上記キャパシタの両電極と回路の接地
    電位点との間にそれぞれ設けられた第3、第4のスイッ
    チ手段と、上記電圧比較回路の他方の入力端子に抵抗を
    介して定電流を選択的に供給する定電流源と、上記電圧
    比較回路の出力電圧と所定のタイミング信号に従って、
    上記スイッチ手段と選択的な定電流の供給動作を制御し
    てキャパシタの充放電動作と、キャパシタの保持電圧と
    アナログ電圧との比較動作を行わせる制御回路とを含む
    ことを特徴とするデルタ変調回路 2、上記選択的な定電流の供給動作は、定電流源によっ
    て形成された定電流を供給するスイッチ手段により行わ
    れるものであることを特徴とする特許請求の範囲第1項
    記載のデルタ変調回路。 3、上記各回路は、1チップの半導体集積回路装置に形
    成されるものであることを特徴とする特許請求の範囲第
    1又は第2項記載のデルタ変調回路。
JP16782984A 1984-08-13 1984-08-13 デルタ変調回路 Pending JPS6146622A (ja)

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