JPS6145230A - 光スイツチ - Google Patents
光スイツチInfo
- Publication number
- JPS6145230A JPS6145230A JP16635684A JP16635684A JPS6145230A JP S6145230 A JPS6145230 A JP S6145230A JP 16635684 A JP16635684 A JP 16635684A JP 16635684 A JP16635684 A JP 16635684A JP S6145230 A JPS6145230 A JP S6145230A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- refractive index
- optical
- optical switch
- carrier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は光導波路が交叉する光分岐部の屈折率をキャリ
ア注入により変化せしめ、その結果生じる反射率の変化
によりスイッチングを行う反射型光スイッチに係わシ、
特に光分岐部を電流狭窄構造にすることにより消光比の
向上を図ることに関する。
ア注入により変化せしめ、その結果生じる反射率の変化
によりスイッチングを行う反射型光スイッチに係わシ、
特に光分岐部を電流狭窄構造にすることにより消光比の
向上を図ることに関する。
従来のキャリア注入を利用した光スイッチは、Ｍｉｋａ
ｍｉ ｅｔ、 ａｌ、 、 ＠Ｗａｖｅｇｕｉｄｅ ｏ
ｐｔｉｃａｌｓｗｉｔｃｈ ｉｎ ＩｎＧａＡｓ／Ｉｎ
Ｐ ｕｓｉｎｇ ｆｒｅｅ −ｃａｒｒｉｅｒ ｐｌ
ａｓｍａ ｄｉｓｐｐｒｓｉｏｎ ’ （Ｅｌｅｃｔｒ
ｏｎｉｃｓＬｅｔｔ、 、 ＶＯｌ、 ２Ｇ、 ４８．
１５ ｔｈ Ｍａｒｃｈ １９８４゜ｐ２２８〜２２９
）Ｋ記載されているが、この構造忙おいては注入された
中ヤリアが広がるため屈折率を変化させる領域が広く、
また屈折率を変化させる領域と変化させない領域の境界
も広がるととｋなる。その結果、スイッチング機能を発
揮させるためには多くの電流を注入する必要があシ、ま
た屈折率が変化した領域への光のしみ出しがあるため消
光比も良くない。またスイッチング機能や消光比を向上
させるためにキャリア注入領域を長くすると吸収損失が
増加したシ、大型になった）して実用上の支障をきたす
。
ｍｉ ｅｔ、 ａｌ、 、 ＠Ｗａｖｅｇｕｉｄｅ ｏ
ｐｔｉｃａｌｓｗｉｔｃｈ ｉｎ ＩｎＧａＡｓ／Ｉｎ
Ｐ ｕｓｉｎｇ ｆｒｅｅ −ｃａｒｒｉｅｒ ｐｌ
ａｓｍａ ｄｉｓｐｐｒｓｉｏｎ ’ （Ｅｌｅｃｔｒ
ｏｎｉｃｓＬｅｔｔ、 、 ＶＯｌ、 ２Ｇ、 ４８．
１５ ｔｈ Ｍａｒｃｈ １９８４゜ｐ２２８〜２２９
）Ｋ記載されているが、この構造忙おいては注入された
中ヤリアが広がるため屈折率を変化させる領域が広く、
また屈折率を変化させる領域と変化させない領域の境界
も広がるととｋなる。その結果、スイッチング機能を発
揮させるためには多くの電流を注入する必要があシ、ま
た屈折率が変化した領域への光のしみ出しがあるため消
光比も良くない。またスイッチング機能や消光比を向上
させるためにキャリア注入領域を長くすると吸収損失が
増加したシ、大型になった）して実用上の支障をきたす
。
本発明の目的は、キャリア注入型光スイッチの構造を、
光分岐部に注入するキャリアが広がらないような狭窄構
造とすることによシ、消費電力。
光分岐部に注入するキャリアが広がらないような狭窄構
造とすることによシ、消費電力。
消光比、挿入損失などのスイッチング特性が秀れた光ス
イ、ツチを提供することにある。
イ、ツチを提供することにある。
本発明者は、キャリア注入型光スイッチにおいてキャリ
ア注入部を狭窄構造とすることができるか否かについて
研究を行なった結果、正電極から光分岐部を経て負電極
に至る電流経路の少なくとも一ケ所に電流狭窄部を設け
るとと忙よシスイツチング特性が向上することを見出し
た。さらに狭窄効果を大きくする電流狭窄構造として、
■キャリア注入によル屈折率が変化する部分をその部分
を構成する物質よりバンドギャップが大きく、かつ屈折
率が小さい物質からなる基板およびガイド層で挾む、■
キャリア注入くよシ屈折率が変化する領域ＦＣ＠する電
流経路内の領域の一部の導電型を、上記屈折率が変化す
る領域の導電型と異ならしめる、■上記ガイド層の一部
の導電型を屈折率が変化する領域の導電型と異ならしめ
る、ことが主要な要件として見出された。
ア注入部を狭窄構造とすることができるか否かについて
研究を行なった結果、正電極から光分岐部を経て負電極
に至る電流経路の少なくとも一ケ所に電流狭窄部を設け
るとと忙よシスイツチング特性が向上することを見出し
た。さらに狭窄効果を大きくする電流狭窄構造として、
■キャリア注入によル屈折率が変化する部分をその部分
を構成する物質よりバンドギャップが大きく、かつ屈折
率が小さい物質からなる基板およびガイド層で挾む、■
キャリア注入くよシ屈折率が変化する領域ＦＣ＠する電
流経路内の領域の一部の導電型を、上記屈折率が変化す
る領域の導電型と異ならしめる、■上記ガイド層の一部
の導電型を屈折率が変化する領域の導電型と異ならしめ
る、ことが主要な要件として見出された。
第１図を用いて本発明をさらに説明する。屈折率がキャ
リア注入によって変化する領域を有する光導波層１を、
光導波層１を形成する材料よシバンドギャップが大きく
、屈折率が小さい材料で形成された基板１１およびガイ
ド層２で挾んでいる。
リア注入によって変化する領域を有する光導波層１を、
光導波層１を形成する材料よシバンドギャップが大きく
、屈折率が小さい材料で形成された基板１１およびガイ
ド層２で挾んでいる。
第１図（ａ）は光導波層１１Ｃ接する基板１１の一部８
の導電型を光導波層ｌと異ならしめた場合を示し、第１
図（ｂ）および（Ｃ）はガイド層２の一部である電流狭
窄領域３の導電型を先導波層ｌの導電型と異ならしめた
場合を示す。上記において基板１１の表面く光導波層１
よりバンドギャップが大きく屈折率が小さい薄層を設け
てから光導波層ｌを形成してもよい。また実際の素子に
おいては、第１図（ａ）。
の導電型を光導波層ｌと異ならしめた場合を示し、第１
図（ｂ）および（Ｃ）はガイド層２の一部である電流狭
窄領域３の導電型を先導波層ｌの導電型と異ならしめた
場合を示す。上記において基板１１の表面く光導波層１
よりバンドギャップが大きく屈折率が小さい薄層を設け
てから光導波層ｌを形成してもよい。また実際の素子に
おいては、第１図（ａ）。
（ｂ）および（Ｃ）の構造が組み合わされることもある
。
。
ここでキャリア注入屋反射光スイッチのスイッチング動
作を説明する。第２図はｌＸ２Ｙ凰反射光スイッチの上
面図を拡大し、光の通路を示した図である。キャリア注
入により屈折率が変化する部分２５に入射口３１よシ入
射した光が達するような構造になっている。いまキャリ
アが注入されず、したがって屈折率が変化しない時は入
射光の大部分は経路３６を通って出射口ｉ３２より出射
し、出射口１３３からはもれた光が出射する。光分岐部
にキャリアが注入されると屈折率が変化する部分２５の
屈折率は小さくなシ、したがって入射光はそこで反射し
て経路３５を通シ、その大部分は出射口Ｊ１３３よシ出
射する。すなわち光の経路が出射口■から■にスイッチ
される。ここで出射光の光量ともれた光の比が消光比で
あり、これが本発明によシ大幅に向上される。
作を説明する。第２図はｌＸ２Ｙ凰反射光スイッチの上
面図を拡大し、光の通路を示した図である。キャリア注
入により屈折率が変化する部分２５に入射口３１よシ入
射した光が達するような構造になっている。いまキャリ
アが注入されず、したがって屈折率が変化しない時は入
射光の大部分は経路３６を通って出射口ｉ３２より出射
し、出射口１３３からはもれた光が出射する。光分岐部
にキャリアが注入されると屈折率が変化する部分２５の
屈折率は小さくなシ、したがって入射光はそこで反射し
て経路３５を通シ、その大部分は出射口Ｊ１３３よシ出
射する。すなわち光の経路が出射口■から■にスイッチ
される。ここで出射光の光量ともれた光の比が消光比で
あり、これが本発明によシ大幅に向上される。
なお本発明においてキャリアを注入する電極の極性は用
いた材料や構造により逆になることがあることは当然で
ある。
いた材料や構造により逆になることがあることは当然で
ある。
以上の説明では第１図（ａ）および（ｂ）に示すように
光導波層ｌと電流狭窄領域３は接しているが、実イド層
２の下部まで形成される必要はない。
光導波層ｌと電流狭窄領域３は接しているが、実イド層
２の下部まで形成される必要はない。
本発明によシ注入キャリアの空間分布を急峻にすること
が可能となシ、屈折率が変化する領域も空間的に急峻に
限定される。その結果、光信号の反射層である屈折率の
変化する領域への光のしみ出しが減少して光信号の吸収
損失が減少し、またスイッチングの消光比も向上する。
が可能となシ、屈折率が変化する領域も空間的に急峻に
限定される。その結果、光信号の反射層である屈折率の
変化する領域への光のしみ出しが減少して光信号の吸収
損失が減少し、またスイッチングの消光比も向上する。
さらに電流密度が大きくできるので注入電流が少なくて
も良好なスイッチング特性を示す光スイッチを構成する
ことができる。
も良好なスイッチング特性を示す光スイッチを構成する
ことができる。
以下、本発明の詳細な説明する。
実施例１
第３図は第２図に示したＩＸＺＹ型反射光反射光スイツ
チ岐部の拡大図で、第４図（ｂ）は第４図（ａ）のａ−
ａ’における断面図である。
チ岐部の拡大図で、第４図（ｂ）は第４図（ａ）のａ−
ａ’における断面図である。
まず第５図を用いて製作工程を説明する。基板１１とし
てキャリア密度が２ Ｘ Ｉ Ｏ” ｃｍ−”のｎｆｉ
工ｎＰを用いた。基板１１の表面にＺｎ拡散領域２０を
形成するＣ第５図（ａ）参照）。次に第５図（ｂ）に示
すようにＬＰＥ法により、ＩｎＧＪｉＡＳＰ層１７゜Ｉ
ｎＰ層１８およびＩｎＧａＡｓＰＩＣよるキャップ層１
９を順次成長させる。続いてＩｒｌＰ層１８およ、っ
ぴキャップ層１９の一部にｚｎ拡散を行ない電
流経路部２１を形成した。次に第３図に示す光分岐路の
形状になるようにＩｎＧａＡｓＰ光導波層１７゜ＩｎＰ
ガイド層１８およびキャップ層１９を硫酸系エツチング
液およびり／酸系エツチング液を用いてエッチした。続
いてＡ ｕ −７，ｎを蒸着して電極１３を設けた≠井
＝ｔｅ（ロ）参罷命。最後に基板１１の背面にＡ ｕ
−Ｑ ｅ −Ｎ ｉを蒸着して電極２２を形成して光ス
イッチを完成した。
てキャリア密度が２ Ｘ Ｉ Ｏ” ｃｍ−”のｎｆｉ
工ｎＰを用いた。基板１１の表面にＺｎ拡散領域２０を
形成するＣ第５図（ａ）参照）。次に第５図（ｂ）に示
すようにＬＰＥ法により、ＩｎＧＪｉＡＳＰ層１７゜Ｉ
ｎＰ層１８およびＩｎＧａＡｓＰＩＣよるキャップ層１
９を順次成長させる。続いてＩｒｌＰ層１８およ、っ
ぴキャップ層１９の一部にｚｎ拡散を行ない電
流経路部２１を形成した。次に第３図に示す光分岐路の
形状になるようにＩｎＧａＡｓＰ光導波層１７゜ＩｎＰ
ガイド層１８およびキャップ層１９を硫酸系エツチング
液およびり／酸系エツチング液を用いてエッチした。続
いてＡ ｕ −７，ｎを蒸着して電極１３を設けた≠井
＝ｔｅ（ロ）参罷命。最後に基板１１の背面にＡ ｕ
−Ｑ ｅ −Ｎ ｉを蒸着して電極２２を形成して光ス
イッチを完成した。
このスイッチの入射口３１に波長１．５μｍの多モード
光を入射してスイッチング特性を測定した。
光を入射してスイッチング特性を測定した。
電圧を印加しない場合には出射口■３２からの出力Ｐ鳳
と出射口［３３からの出力Ｐ２の比（消光比）Ｐｔ／Ｐ
ｓは１００／１であった。次に３Ｖを印加（電流２０ｍ
Ａ）ｌ、た場合のＰｔ／Ｐりは１／２８であった。この
結果は実用上充分なものである。
と出射口［３３からの出力Ｐ２の比（消光比）Ｐｔ／Ｐ
ｓは１００／１であった。次に３Ｖを印加（電流２０ｍ
Ａ）ｌ、た場合のＰｔ／Ｐりは１／２８であった。この
結果は実用上充分なものである。
本素子の寸法は１ ｔｍ Ｘ Ｏ，５ｗａで、Ｘ型導波
路の分岐角は１０°、導波路の幅は１５μｍである。
路の分岐角は１０°、導波路の幅は１５μｍである。
本実施例ではｎ−工ｎｐ基板ｌｌ上に７．ｎ拡散を行っ
て電流狭窄を行なったが、この他酸素イオンまたはプロ
トンを打ち込んだ後アニーリングを行なって高抵抗層を
形成しても同様な光スイッチが得られた。
て電流狭窄を行なったが、この他酸素イオンまたはプロ
トンを打ち込んだ後アニーリングを行なって高抵抗層を
形成しても同様な光スイッチが得られた。
実施例２
第６図に示すＸ型２Ｘ２反射光スイッチの実施例を説明
する。
する。
第６図（ａ）は上面図、第６図［有］）は第６図（ａ）
のａ−ａ’における断面図、第６図（Ｃ）は第６図（ａ
）のｂ−ｂ’における断面図である。
のａ−ａ’における断面図、第６図（Ｃ）は第６図（ａ
）のｂ−ｂ’における断面図である。
半絶縁性Ｉｎｋ（バンドギャップ：１．３５ｅＶ。
屈折率： ３．２ （波長１．５μｍにて））を基板３
９に用いた。基板３９上に光導波路３２．正電極３３お
よび負電極３４が構成されている。光導波路３２はｎ型
ＩｎＧａＡＳＦ（キャリア密度＝５×１０１６ｃｍ−”
、バンドギャップ：０．９６Ｖ、屈折率：１４（波長
１．５μｍにて））で形成された光導波層４１（膜厚１
ｔｔｍ ） 、ｎ型Ｉｎｋ（キャリア密度：５ＸｌＯ
”３−”、 バンドギャップ；Ｌ３５ｅｖ、屈折率：
３２（波長１．５μｍＧＣテ））”ｔ’影形成れた光ガ
イド層１（膜厚１μｍ）およびｎ型ＩｎＧａＡｓＰ（キ
ャリア密度； ５ Ｘ １０” ｃｍ−” ＋バンドギ
ャップ１．１ｅＶＩ屈折率：３．３（波長１．５μｍに
て））で形成されたキャップ層４（膜厚０、１μｍ）で
構成されている。
９に用いた。基板３９上に光導波路３２．正電極３３お
よび負電極３４が構成されている。光導波路３２はｎ型
ＩｎＧａＡＳＦ（キャリア密度＝５×１０１６ｃｍ−”
、バンドギャップ：０．９６Ｖ、屈折率：１４（波長
１．５μｍにて））で形成された光導波層４１（膜厚１
ｔｔｍ ） 、ｎ型Ｉｎｋ（キャリア密度：５ＸｌＯ
”３−”、 バンドギャップ；Ｌ３５ｅｖ、屈折率：
３２（波長１．５μｍＧＣテ））”ｔ’影形成れた光ガ
イド層１（膜厚１μｍ）およびｎ型ＩｎＧａＡｓＰ（キ
ャリア密度； ５ Ｘ １０” ｃｍ−” ＋バンドギ
ャップ１．１ｅＶＩ屈折率：３．３（波長１．５μｍに
て））で形成されたキャップ層４（膜厚０、１μｍ）で
構成されている。
製作工程を述べる。まず基板３９の上にＳｉ打込みによ
るｎｕｌｌ領域４３を形成する。次にＬＰＥ法により光
導波層１．ガイド層３およびキャップ層４を形成した。
るｎｕｌｌ領域４３を形成する。次にＬＰＥ法により光
導波層１．ガイド層３およびキャップ層４を形成した。
続いて７．ｎ拡散によってｐ型領域となった電流経路部
２１を形成した。次にドライエツチングによシ光導波路
３０を形成し、蒸着法により正電極１３および負電極３
４を形成すると光スイッチが完成する。
２１を形成した。次にドライエツチングによシ光導波路
３０を形成し、蒸着法により正電極１３および負電極３
４を形成すると光スイッチが完成する。
この光スイッチの素子寸法はｌ ｗｓ Ｘ Ｏ，５ｍで
あシ、先導波路の分岐角は８°、光導波路の幅は１０μ
ｍとした。
あシ、先導波路の分岐角は８°、光導波路の幅は１０μ
ｍとした。
この光スイッチの動作は実施例と同様であったが、本実
施例の場合は、電極が片面にのみあるので集積化への応
用が容易である。
施例の場合は、電極が片面にのみあるので集積化への応
用が容易である。
この光スイッチの入射口Ｉ３７および入射口■３８のそ
れぞれに波長１．５μｍの多モード光を入射して特性を
測定した。
れぞれに波長１．５μｍの多モード光を入射して特性を
測定した。
入射口ｊ３７および入射口［３８に入射した時の出射口
■３２からの出力をＰ１％出射口［３３からの出力をＰ
２とすると、電圧を印加しない場合は、Ｐ ｔ ／ Ｐ
２が２５／１、電圧（Ｚ５Ｖ。
■３２からの出力をＰ１％出射口［３３からの出力をＰ
２とすると、電圧を印加しない場合は、Ｐ ｔ ／ Ｐ
２が２５／１、電圧（Ｚ５Ｖ。
１５ｍＡ）を印加した場合はＰｔ／Ｐｇが１／２８であ
った。
った。
このような良いスイッチング特性は狭窄構造圧したこと
により、キャリア注入に伴う屈折率の変化領域が急峻に
形成されていることによる。
により、キャリア注入に伴う屈折率の変化領域が急峻に
形成されていることによる。
本発明によれば小屋で消光比の大きい実用的な光スイッ
チが提供できるので光伝送・通信システムの構築を容易
にし、市場の拡大を図る効果がある。
チが提供できるので光伝送・通信システムの構築を容易
にし、市場の拡大を図る効果がある。
本実施例で示したＸｆｆ１２Ｘ２光スイツチは方向性結
合器減光スイッチ、すなわちモード変換製光スイッチと
しても動作する。光導波路が単一モード動作をしている
時には光導波路が交叉する分岐部分で偶モードと奇モー
ドの２つのモードが伝播し、電極が分岐部分の中央に設
置されているので屈折率変化によシ偶モード光の位相の
みが変化する。その結果偶モード光と奇モード光の重な
シが出射口Ｉと■で相違することになシ、スイッチング
が行われる。
合器減光スイッチ、すなわちモード変換製光スイッチと
しても動作する。光導波路が単一モード動作をしている
時には光導波路が交叉する分岐部分で偶モードと奇モー
ドの２つのモードが伝播し、電極が分岐部分の中央に設
置されているので屈折率変化によシ偶モード光の位相の
みが変化する。その結果偶モード光と奇モード光の重な
シが出射口Ｉと■で相違することになシ、スイッチング
が行われる。
第１図および第２図は本発明の概要を示す図、第３図は
実施例１に示す光スイッチの上面図および断面図、第４
図は実施例１の光スイッチの上面図、第５図は実施例１
の工程図、および第６図は実施例２の光スイッチの上面
図および断面図である。 ｌ・・・光導波層、２・・・ガイド層、３・・・ガイド
層２の一部で電流狭窄換域、４・・・キャンプ層、５．
１３および３４・・・電極、１１・・・基板、１７・・
・ＩｎＧａＡＳｐ光導波層、１８・・・ｎ −Ｉｎ ｐ
ガイド層、１９・・・ｎ−工ｎＱａＡｓ キャップ層、
２０・・・基板１１上の７、ｎ拡散領域、２１・・・電
流経路部（Ｚｎ拡散部分）、２２・・・電極、２５・・
・キャリア注入によシ屈折率が変化する部分、３０・・
・先導波路、３１・・・入射口、３２・・・出射口１１
３３・・・出射Ｏｎ、３５および３６・・・光の経路、
３７・・・入射口１１３８・・・入射口■、３９・・・
半絶縁性１１ＩＰ基板、４３・・・Ｓｉ打第 １ 図 、ｖｉｚ 図 、ｖｉ３ 口 葛 ４［２］ ￥Ｊ ｓ 図 第 ６１２１
実施例１に示す光スイッチの上面図および断面図、第４
図は実施例１の光スイッチの上面図、第５図は実施例１
の工程図、および第６図は実施例２の光スイッチの上面
図および断面図である。 ｌ・・・光導波層、２・・・ガイド層、３・・・ガイド
層２の一部で電流狭窄換域、４・・・キャンプ層、５．
１３および３４・・・電極、１１・・・基板、１７・・
・ＩｎＧａＡＳｐ光導波層、１８・・・ｎ −Ｉｎ ｐ
ガイド層、１９・・・ｎ−工ｎＱａＡｓ キャップ層、
２０・・・基板１１上の７、ｎ拡散領域、２１・・・電
流経路部（Ｚｎ拡散部分）、２２・・・電極、２５・・
・キャリア注入によシ屈折率が変化する部分、３０・・
・先導波路、３１・・・入射口、３２・・・出射口１１
３３・・・出射Ｏｎ、３５および３６・・・光の経路、
３７・・・入射口１１３８・・・入射口■、３９・・・
半絶縁性１１ＩＰ基板、４３・・・Ｓｉ打第 １ 図 、ｖｉｚ 図 、ｖｉ３ 口 葛 ４［２］ ￥Ｊ ｓ 図 第 ６１２１
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体基板上に形成した光導波路が交叉する光分岐
部分の一部の屈折率をキャリアの注入によつて変化させ
てスイッチングを行う反射型光スイッチにおいて、該キ
ャリアの経路部分を電流狭窄構造とすることを特徴とす
る光スイッチ。 ２、上記半導体を化合物半導体とすることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の光スイッチ。 ３、上記キャリアの注入を電流注入により行うことを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の光スイッチ。 ４、上記電流狭窄構造を、上記キャリアの経路部分の近
傍領域の導電型と上記キャリアの経路部分の導電型とを
異ならしめることによつて構成することを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の光スイッチ。 ５、半導体基板上に形成した少なくとも２つの光導波路
が交叉する光分岐部の一部の屈折率をキャリア注入によ
つて変化せしめてスイッチングを行う反射型光スイッチ
において、該光分岐部を、該光分岐部を形成する材料よ
りバンドギャップが大きく、かつ屈折率が小さい材料で
狭み、該キャリアの経路部分を電流狭窄構造とすること
を特徴とする光スイッチ。 ６、上記半導体を化合物半導体とすることを特徴とする
特許請求の範囲第５項記載の光スイッチ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16635684A JPS6145230A (ja) | 1984-08-10 | 1984-08-10 | 光スイツチ |
| US06/762,328 US4784451A (en) | 1984-08-10 | 1985-08-05 | Waveguide optical switches |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16635684A JPS6145230A (ja) | 1984-08-10 | 1984-08-10 | 光スイツチ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6145230A true JPS6145230A (ja) | 1986-03-05 |
| JPH0548889B2 JPH0548889B2 (ja) | 1993-07-22 |
Family
ID=15829865
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16635684A Granted JPS6145230A (ja) | 1984-08-10 | 1984-08-10 | 光スイツチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6145230A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63217330A (ja) * | 1987-03-06 | 1988-09-09 | Hitachi Ltd | 光スイツチ |
| JPH01259329A (ja) * | 1988-04-11 | 1989-10-17 | Hitachi Ltd | 光スイツチ |
| JP2005025086A (ja) * | 2003-07-01 | 2005-01-27 | Yokogawa Electric Corp | 光スイッチ及びその製造方法 |
-
1984
- 1984-08-10 JP JP16635684A patent/JPS6145230A/ja active Granted
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| ELECTRONICS LETTERS=1984 * |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63217330A (ja) * | 1987-03-06 | 1988-09-09 | Hitachi Ltd | 光スイツチ |
| JPH01259329A (ja) * | 1988-04-11 | 1989-10-17 | Hitachi Ltd | 光スイツチ |
| JP2005025086A (ja) * | 2003-07-01 | 2005-01-27 | Yokogawa Electric Corp | 光スイッチ及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0548889B2 (ja) | 1993-07-22 |
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