JPS6143862B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6143862B2 JPS6143862B2 JP13021778A JP13021778A JPS6143862B2 JP S6143862 B2 JPS6143862 B2 JP S6143862B2 JP 13021778 A JP13021778 A JP 13021778A JP 13021778 A JP13021778 A JP 13021778A JP S6143862 B2 JPS6143862 B2 JP S6143862B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thyristor
- conductivity type
- layer
- region
- base region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/74—Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action
- H01L29/7404—Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action structurally associated with at least one other device
- H01L29/7408—Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action structurally associated with at least one other device the device being a capacitor or a resistor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Thyristors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はサイリスタに関するものである。
本来サイリスタはアノード、カソード間に立上
りの急峻な電圧が印加されるとrate効果と呼ばれ
る現象のために望ましくないスイツチングをする
ことはすでに知られている。これはサイリスタの
接合容量に帰因するもので、この変位電流により
サイリスタのゲートに電流が流れた状態になりス
イツチングしてしまう。このような効果を少なく
する目的でサイリスタのゲートとカソードの間に
抵抗を接続し、この変位電流のバイパスする方法
が一般に用いられる。本発明はこのゲートとカソ
ード間の抵抗の改良された構造に関するものであ
る。
りの急峻な電圧が印加されるとrate効果と呼ばれ
る現象のために望ましくないスイツチングをする
ことはすでに知られている。これはサイリスタの
接合容量に帰因するもので、この変位電流により
サイリスタのゲートに電流が流れた状態になりス
イツチングしてしまう。このような効果を少なく
する目的でサイリスタのゲートとカソードの間に
抵抗を接続し、この変位電流のバイパスする方法
が一般に用いられる。本発明はこのゲートとカソ
ード間の抵抗の改良された構造に関するものであ
る。
従来このようなゲートとカソード間の抵抗（以
下ＲGKと称する）は、P1，N2，P3，N4の４層構
造のサイリスタではN4層の下のP3ベース層の拡
がり抵抗を利用して作られていたが、これではＲ
GKの抵抗値がP3層およびN4層の製造条件に左右
され、またＲGKの値を目的値にするために耐圧特
性が悪くなる欠点があつた。また、サイリスタの
ゲート感度（通常はＩGTと呼ばれる）はＲGKの値
に大きく依存しているから、他のサイリスタ特性
にあまり影響を与えずに精度よく所定のＲGKを形
成することが必要となる。
下ＲGKと称する）は、P1，N2，P3，N4の４層構
造のサイリスタではN4層の下のP3ベース層の拡
がり抵抗を利用して作られていたが、これではＲ
GKの抵抗値がP3層およびN4層の製造条件に左右
され、またＲGKの値を目的値にするために耐圧特
性が悪くなる欠点があつた。また、サイリスタの
ゲート感度（通常はＩGTと呼ばれる）はＲGKの値
に大きく依存しているから、他のサイリスタ特性
にあまり影響を与えずに精度よく所定のＲGKを形
成することが必要となる。
この発明はＲGKを形成するのに従来のようにサ
イリスタのベース拡散層を使用せずにＲGKを構成
するための拡散層を別に設けたことを特徴とす
る。
イリスタのベース拡散層を使用せずにＲGKを構成
するための拡散層を別に設けたことを特徴とす
る。
すなわち、本発明はP1，N2，P3，N4の４層構
造において、N2ベース上にP3とは別にＲGK作成
のためのＰ型不純物領域P3を構成高rate効果耐量
のサイリスタ装置となる。
造において、N2ベース上にP3とは別にＲGK作成
のためのＰ型不純物領域P3を構成高rate効果耐量
のサイリスタ装置となる。
このような構造にすることにより達成できる効
果としてはまず第１にＲGKの精度が向上すること
があげられる。通常サイリスタのゲート感度（Ｉ
GT）はＲGKの値によつてほぼ決まるのでサイリス
タの最も重要な特性の一つであるＩGTが精度よく
作れることになる。第２として従来構造ではＲGK
の精度を良くするためにサイリスタのベース拡散
層とエミツタ拡散層の精度が必要であり、そのた
めに耐圧特性が影響される等の欠点があつたが、
これをサイリスタの特性に合わせた拡散の制御が
できる。第３としてＲGKの値の大きなものから小
さなものまで比較的容易にできる等の利点があ
る。
果としてはまず第１にＲGKの精度が向上すること
があげられる。通常サイリスタのゲート感度（Ｉ
GT）はＲGKの値によつてほぼ決まるのでサイリス
タの最も重要な特性の一つであるＩGTが精度よく
作れることになる。第２として従来構造ではＲGK
の精度を良くするためにサイリスタのベース拡散
層とエミツタ拡散層の精度が必要であり、そのた
めに耐圧特性が影響される等の欠点があつたが、
これをサイリスタの特性に合わせた拡散の制御が
できる。第３としてＲGKの値の大きなものから小
さなものまで比較的容易にできる等の利点があ
る。
第１図は従来技術を示すサイリスタの断面図で
あり、P1，N2，P3，N4の縦型構造のサイリスタ
でのＲGKはN4拡散層の下のP2層の拡がり抵抗を
利用した。このため、ＲGKの抵抗値はP3とN4と
の短絡部分の面積によりある程度は制御できる
が、拡散構造すなわちP3層の深さと不純物濃度、
およびN4層の深さによつて大きく変化してしま
う。またＲGKを大きくするためにN4の深く押し
込みすぎるとP3のベース幅が薄くなりサイリスタ
の耐圧特性にも影響を与えてしまう。
あり、P1，N2，P3，N4の縦型構造のサイリスタ
でのＲGKはN4拡散層の下のP2層の拡がり抵抗を
利用した。このため、ＲGKの抵抗値はP3とN4と
の短絡部分の面積によりある程度は制御できる
が、拡散構造すなわちP3層の深さと不純物濃度、
およびN4層の深さによつて大きく変化してしま
う。またＲGKを大きくするためにN4の深く押し
込みすぎるとP3のベース幅が薄くなりサイリスタ
の耐圧特性にも影響を与えてしまう。
本発明の実施例を第２図，第３図に示す。ここ
で第３図は第２図のＸ−X′の断面図である。第
３図で説明するとまず従来例と異なり、N4エミ
ツタ層に短絡抵抗が入つていないでN2ベース層
にＲGKのためのP3拡散が平面形状（第２図）にお
いてP3ベース層より延在してN2層の表面に設け
られる第２図にＲGKの平面形状を示してあるがこ
の図でゲート１とカソード２間にＲGKを入れるた
めにはＲGK（P5層４）の先端の端子５とカソード
２とを電気的に接続する。これはＡ配線等によ
り行なわれる。
で第３図は第２図のＸ−X′の断面図である。第
３図で説明するとまず従来例と異なり、N4エミ
ツタ層に短絡抵抗が入つていないでN2ベース層
にＲGKのためのP3拡散が平面形状（第２図）にお
いてP3ベース層より延在してN2層の表面に設け
られる第２図にＲGKの平面形状を示してあるがこ
の図でゲート１とカソード２間にＲGKを入れるた
めにはＲGK（P5層４）の先端の端子５とカソード
２とを電気的に接続する。これはＡ配線等によ
り行なわれる。
ここでＲGKすなわちP4層４の拡散の幅をｗ長さ
をとすると、ＲGK≒Ａ×／ｗとなる。ここで
Ａは拡散条件、特に不純物濃度よつて決まる定数
である。したがつてＲGKの値は抵抗の幅（Ｗ）と
長さ（）との組み合せにより簡単に精度よく調
整できる。
をとすると、ＲGK≒Ａ×／ｗとなる。ここで
Ａは拡散条件、特に不純物濃度よつて決まる定数
である。したがつてＲGKの値は抵抗の幅（Ｗ）と
長さ（）との組み合せにより簡単に精度よく調
整できる。
第１図は従来技術によるサイリスタの断面図で
ある。第２図は本発明の実施例の平面図であり、
第３図は第２図を切断線Ｘ−X′で切断した矢印
の方向をみた断面図である。 尚、図において、１……ゲート電極、２……カ
ソード電極、３……アノード電極、４……ＲGKと
するＰ型領域、５……Ｐ型領域４に設けられた端
子である。
ある。第２図は本発明の実施例の平面図であり、
第３図は第２図を切断線Ｘ−X′で切断した矢印
の方向をみた断面図である。 尚、図において、１……ゲート電極、２……カ
ソード電極、３……アノード電極、４……ＲGKと
するＰ型領域、５……Ｐ型領域４に設けられた端
子である。
Claims (1)
- １ 半導体基板の一主面に、一導電型ベース領
域、逆導電型ベース領域および該逆導電型ベース
領域に囲まれたカソードもしくはアノードとなる
一導電型領域があらわれるサイリスタにおいて、
前記逆導電型ベース領域より前記一導電型ベース
領域に延在する逆導電型領域を設け、該逆導電型
領域の該逆導電型ベース領域に接続されない部分
が前記一導電型領域に接続されていることを特徴
とするサイリスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13021778A JPS5556658A (en) | 1978-10-23 | 1978-10-23 | Thyristor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13021778A JPS5556658A (en) | 1978-10-23 | 1978-10-23 | Thyristor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5556658A JPS5556658A (en) | 1980-04-25 |
| JPS6143862B2 true JPS6143862B2 (ja) | 1986-09-30 |
Family
ID=15028881
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13021778A Granted JPS5556658A (en) | 1978-10-23 | 1978-10-23 | Thyristor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5556658A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5969970A (ja) * | 1982-10-15 | 1984-04-20 | Nec Home Electronics Ltd | 半導体装置 |
| JPH0658960B2 (ja) * | 1986-01-21 | 1994-08-03 | 日本電気株式会社 | 小電流サイリスタ |
-
1978
- 1978-10-23 JP JP13021778A patent/JPS5556658A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5556658A (en) | 1980-04-25 |
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