JPS6142482U - 電子回路搭載チツプ測定用基板 - Google Patents

電子回路搭載チツプ測定用基板

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Publication number
JPS6142482U
JPS6142482U JP12771684U JP12771684U JPS6142482U JP S6142482 U JPS6142482 U JP S6142482U JP 12771684 U JP12771684 U JP 12771684U JP 12771684 U JP12771684 U JP 12771684U JP S6142482 U JPS6142482 U JP S6142482U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layers
electronic circuit
main surface
insulating substrate
wiring layers
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP12771684U
Other languages
English (en)
Inventor
卓二 中西
治夫 吉清
Original Assignee
日本電信電話株式会社
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Filing date
Publication date
Application filed by 日本電信電話株式会社 filed Critical 日本電信電話株式会社
Priority to JP12771684U priority Critical patent/JPS6142482U/ja
Publication of JPS6142482U publication Critical patent/JPS6142482U/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は、−本考案による電子回路搭載チップ測定用基
板の実施例を示す略線的断面図である。 第２図は、従来の電子回路搭載チップ測定用基板の一例
を示す略線的断面図である。 第３図は、従来の電子回路搭載チップ測定用基板の他の
例を示す略線的断面図である。 １・・・電子回路搭載用チップ、２・・・電子回路搭載
用チツプ１の主面、３・・・電子回路搭載用チツプ１の
パツド、１１・・・絶縁基板、１２・・・絶縁基板１１
の主面、１３・・・絶縁基板１１の主面１２上に形成さ
れた配線層、１４・・・配線層１３の遊端部、１５・・
・金属導体球、１６・・・半田層、１７・・・絶縁基板
１１の他の主面、１８．１９・・・絶縁基板１１に形成
された凹所、２０，２０’・・・半田層、２１・・・案
内体、２２・・・加圧体、３１・・・絶舷板１１に形成
された凹所、３２・・・凹所３１内の半田層。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 測定用装置に接続される複数の配線層を主面上▲こ形成
    しそいる絶縁基板と、上記複数の配線層にそれぞれ連結
    され亘つ複数のパッドを主面上に形成している電４回路
    搭載チップの複数のパッドがそれぞれ接触される複数の
    金属導体球とを有する電子回路搭載チップ測定用基板に
    おいて、上記絶縁基板に、上記複数の配線層を形成して
    いる主面側における、上記複数と配線層と隣接乃至近接
    している位置においてミ複数の凹所がそれぞれ形成され
    、 上記複数の凹所内に、上記複数の金属導体球が、その一
    部を上記絶縁基板の上記複数の半導体層を形成している
    主面より上方に突出させた状態に、それぞれ複数の半田
    層を介し且つそれど連結して配され、 上記複数の半田層が、上記絶縁基板の上記複数の配線層
    を形成している主面上１こ、上記複数の配線層上に延長
    し且つと連結していることを特徴とする電子回路搭載チ
    ップ測定用基板。
JP12771684U 1984-08-23 1984-08-23 電子回路搭載チツプ測定用基板 Pending JPS6142482U (ja)

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ID=30686350

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000016107A1 (fr) * 1998-09-16 2000-03-23 Hitachi, Ltd. Procede de fabrication d'un substrat d'inspection d'un dispositif a semi-conducteurs

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000016107A1 (fr) * 1998-09-16 2000-03-23 Hitachi, Ltd. Procede de fabrication d'un substrat d'inspection d'un dispositif a semi-conducteurs

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