JPS6141948B2 - - Google Patents
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- JPS6141948B2 JPS6141948B2 JP18115882A JP18115882A JPS6141948B2 JP S6141948 B2 JPS6141948 B2 JP S6141948B2 JP 18115882 A JP18115882 A JP 18115882A JP 18115882 A JP18115882 A JP 18115882A JP S6141948 B2 JPS6141948 B2 JP S6141948B2
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- Japan
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- phosphor
- zinc
- electron beam
- luminance
- atoms
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- Expired
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Landscapes
- Luminescent Compositions (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、螢光表示管等に用いられる低速電
子線励起螢光体の輝度を向上させる螢光体処理方
法に関するものである。
子線励起螢光体の輝度を向上させる螢光体処理方
法に関するものである。
螢光表示管に用いられる螢光体は、低電圧にて
明かるい輝度が得られるZnO：Zn螢光体が一般的
であつて、これは青緑色の発光を呈する。近年、
青緑色以外の発光色を呈するものとして、青色の
発光を呈するZnS：Ａｇ，Cl、赤または橙色の発
光を呈する（ZnCd）Ｓ：Ag，Cl、黄色の発光を
呈するZnS：Au，Al等の螢光体が提案されてい
る。しかし、これらの螢光体は青緑色のものに比
べて明かるさに難点があり、明かるい発光輝度が
得られるものが望まれている。また、従来用いら
れている青緑色を呈する螢光体であつても、より
明かるい発光が得られれば陽極電圧を低下させる
ことができるので、小形化または省エネルギー上
も好ましい。
明かるい輝度が得られるZnO：Zn螢光体が一般的
であつて、これは青緑色の発光を呈する。近年、
青緑色以外の発光色を呈するものとして、青色の
発光を呈するZnS：Ａｇ，Cl、赤または橙色の発
光を呈する（ZnCd）Ｓ：Ag，Cl、黄色の発光を
呈するZnS：Au，Al等の螢光体が提案されてい
る。しかし、これらの螢光体は青緑色のものに比
べて明かるさに難点があり、明かるい発光輝度が
得られるものが望まれている。また、従来用いら
れている青緑色を呈する螢光体であつても、より
明かるい発光が得られれば陽極電圧を低下させる
ことができるので、小形化または省エネルギー上
も好ましい。
したがつてこの発明の目的は、発光輝度を向上
させることができる新規な螢光体処理方法を提供
することにある。
させることができる新規な螢光体処理方法を提供
することにある。
このような目的を達成するためにこの発明は、
螢光体にその螢光体粉末の粒子より十分大きな寸
法を有する金属亜鉛を混在させ、これに高速電子
線を照射したものである。以下、実施例を示す図
面を用いてこの発明を詳細に説明する。
螢光体にその螢光体粉末の粒子より十分大きな寸
法を有する金属亜鉛を混在させ、これに高速電子
線を照射したものである。以下、実施例を示す図
面を用いてこの発明を詳細に説明する。
第１図はこの発明に係る螢光体処理方法を適用
して螢光体を処理している状態を示す図である。
同図において、１は石英ガラス板であり、その上
に処理を行うZnO：Znの螢光体２が載せられてお
り、その螢光体２の上に0.2mm厚の金属亜鉛板３
が載せられている。このように配置されたもの
に、上方、即ち亜鉛板３側から電子線加速器で加
速された矢印で示す高速電子線を照射する。実施
例では7MeVで５×1017electrons／cm2の照射を行
なつている。
して螢光体を処理している状態を示す図である。
同図において、１は石英ガラス板であり、その上
に処理を行うZnO：Znの螢光体２が載せられてお
り、その螢光体２の上に0.2mm厚の金属亜鉛板３
が載せられている。このように配置されたもの
に、上方、即ち亜鉛板３側から電子線加速器で加
速された矢印で示す高速電子線を照射する。実施
例では7MeVで５×1017electrons／cm2の照射を行
なつている。
このようにして処理された螢光体２を用いて形
成された螢光面を有する陽極と、処理の行なわれ
ていない螢光体を用いて形成された螢光面を有す
る陽極とをそれぞれ使用し、複数の陽極を有する
螢光面表示管を形成して輝度測定を行なつた。こ
の結果、高速電子線の照射処理を行なつた螢光体
を用いている陽極の輝度は、処理を行なわなかつ
た螢光体を用いている陽極の輝度に対して120〜
130％の値が得られた。
成された螢光面を有する陽極と、処理の行なわれ
ていない螢光体を用いて形成された螢光面を有す
る陽極とをそれぞれ使用し、複数の陽極を有する
螢光面表示管を形成して輝度測定を行なつた。こ
の結果、高速電子線の照射処理を行なつた螢光体
を用いている陽極の輝度は、処理を行なわなかつ
た螢光体を用いている陽極の輝度に対して120〜
130％の値が得られた。
この効果は次の原因によつて生じたものと思わ
れる。この螢光体の発光は電子がZnの格子間原
子からZnの空格子点に遷移するために発生する
と考えられている。したがつて、Znの格子間原
子が多い程その遷移が増加し、発光輝度が強いこ
とになる。
れる。この螢光体の発光は電子がZnの格子間原
子からZnの空格子点に遷移するために発生する
と考えられている。したがつて、Znの格子間原
子が多い程その遷移が増加し、発光輝度が強いこ
とになる。
第１図のように亜鉛板３の上から電子線照射を
行うと、電子線は亜鉛原子を反跳させると同時に
高密度の電子―正孔プラズマを形成する。そし
て、この電子―正孔プラズマの再結合が起る時、
再結合エネルギを反跳された亜鉛原子に与える。
このため亜鉛板３中ではZnの格子間原子の移動
が活発になり、このZnの格子間原子が螢光体中
に拡散される。したがつて螢光体中におけるZn
の格子間原子が増加し、上述の発光輝度が増加し
たものと思われる。
行うと、電子線は亜鉛原子を反跳させると同時に
高密度の電子―正孔プラズマを形成する。そし
て、この電子―正孔プラズマの再結合が起る時、
再結合エネルギを反跳された亜鉛原子に与える。
このため亜鉛板３中ではZnの格子間原子の移動
が活発になり、このZnの格子間原子が螢光体中
に拡散される。したがつて螢光体中におけるZn
の格子間原子が増加し、上述の発光輝度が増加し
たものと思われる。
第２図はこの発明の他の実施例を示す断面図で
あり、第１図と同一部分および相当部分は同記号
を用いている。この例では石英ガラスのカプセル
４の中に螢光体２を入れておき、その螢光体２の
内部に亜鉛板３を入れて、上方から矢印で示す高
速電子線の照射を行なつたものである。この場
合、螢光体２は亜鉛板３の上側および下側を問わ
ず発光輝度が増加し、輝度増加量は螢光体２のど
の場所でも均一であつた。
あり、第１図と同一部分および相当部分は同記号
を用いている。この例では石英ガラスのカプセル
４の中に螢光体２を入れておき、その螢光体２の
内部に亜鉛板３を入れて、上方から矢印で示す高
速電子線の照射を行なつたものである。この場
合、螢光体２は亜鉛板３の上側および下側を問わ
ず発光輝度が増加し、輝度増加量は螢光体２のど
の場所でも均一であつた。
なお、以上の実施例では7MeVで５×
1017electrons／cm2の電子線照射を行なつた場合を
示したが、１〜10MeVの電子線照射であれば同
様の結果が得られた。また、螢光体もZnO：Znの
ほかに、ZnS：Ag，Cl、（ZnCd）Ｓ：Ag，Cl，
ZnS：Au，Al等Zn化合物螢光体であれば同程度
の現象が確認された。また、亜鉛板３は板に限定
されることなく螢光体の粒子より十分大きい金属
亜鉛を十分な量だけ螢光体２の中に混在させた混
合体に高速電子線を照射しても同様の結果が得ら
れた。なお、金属亜鉛と螢光体粉末との混在率は
１：１以上が望ましい。すなわち、ストイキオメ
トリーから若干ずれて亜鉛原子が過剰になつてい
る状態が望ましい。
1017electrons／cm2の電子線照射を行なつた場合を
示したが、１〜10MeVの電子線照射であれば同
様の結果が得られた。また、螢光体もZnO：Znの
ほかに、ZnS：Ag，Cl、（ZnCd）Ｓ：Ag，Cl，
ZnS：Au，Al等Zn化合物螢光体であれば同程度
の現象が確認された。また、亜鉛板３は板に限定
されることなく螢光体の粒子より十分大きい金属
亜鉛を十分な量だけ螢光体２の中に混在させた混
合体に高速電子線を照射しても同様の結果が得ら
れた。なお、金属亜鉛と螢光体粉末との混在率は
１：１以上が望ましい。すなわち、ストイキオメ
トリーから若干ずれて亜鉛原子が過剰になつてい
る状態が望ましい。
以上説明したようにこの発明に係る螢光体処理
方法は、螢光体と金属亜鉛を混在させたものに高
速電子線を照射したので、電子線照射前に比べて
螢光体の発光輝度を向上させることができるとい
う優れた効果を有する。
方法は、螢光体と金属亜鉛を混在させたものに高
速電子線を照射したので、電子線照射前に比べて
螢光体の発光輝度を向上させることができるとい
う優れた効果を有する。
第１図はこの発明に係る螢光体処理方法の一実
施例を用いて螢光体を処理している状態を示す
図、第２図は他の実施例を用いて螢光体を処理し
ている状態を示す断面図である。 １，４……石英ガラス、２……螢光体、３……
亜鉛板。
施例を用いて螢光体を処理している状態を示す
図、第２図は他の実施例を用いて螢光体を処理し
ている状態を示す断面図である。 １，４……石英ガラス、２……螢光体、３……
亜鉛板。
Claims (1)
- １ 亜鉛化合物よりなる螢光体に該螢光体粒子よ
りも十分大きな寸法を有する金属亜鉛を接触さ
せ、これに該金属亜鉛の亜鉛原子を反跳させるレ
ベルの高速電子線を照射することを特徴とする螢
光体処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18115882A JPS5971385A (ja) | 1982-10-15 | 1982-10-15 | 螢光体処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18115882A JPS5971385A (ja) | 1982-10-15 | 1982-10-15 | 螢光体処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5971385A JPS5971385A (ja) | 1984-04-23 |
| JPS6141948B2 true JPS6141948B2 (ja) | 1986-09-18 |
Family
ID=16095898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18115882A Granted JPS5971385A (ja) | 1982-10-15 | 1982-10-15 | 螢光体処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5971385A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04178489A (ja) * | 1990-11-09 | 1992-06-25 | Nec Kagoshima Ltd | 蛍光表示管 |
-
1982
- 1982-10-15 JP JP18115882A patent/JPS5971385A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5971385A (ja) | 1984-04-23 |
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