JPS608269B2 - 青色発光螢光体 - Google Patents
青色発光螢光体Info
- Publication number
- JPS608269B2 JPS608269B2 JP3854782A JP3854782A JPS608269B2 JP S608269 B2 JPS608269 B2 JP S608269B2 JP 3854782 A JP3854782 A JP 3854782A JP 3854782 A JP3854782 A JP 3854782A JP S608269 B2 JPS608269 B2 JP S608269B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phosphor
- zns
- brightness
- concentration
- electron beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Luminescent Compositions (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は青色の発光を呈する低速電子線励起用蛍光体に
関するものである。
関するものである。
ディスプレイデバイスの分野では、フラットパネルディ
スプレイの時代に備えて、液晶(LCD)、発光ダイオ
ード(LED)、プラズマディスプレイ(PDP)、E
Lパネル、偏平CRT、蛍光表示管などの各種平面画像
表示デバイスの研究開発が進められている。
スプレイの時代に備えて、液晶(LCD)、発光ダイオ
ード(LED)、プラズマディスプレイ(PDP)、E
Lパネル、偏平CRT、蛍光表示管などの各種平面画像
表示デバイスの研究開発が進められている。
特に電子線励起による偏平CRT、蛍光表示管は輝度が
高いという特徴を有しており、これの実用化が期待され
ている。これらのデバイスに用いられる低速電子線励起
用の蛍光体のうちで青色励起蛍光体の輝度は他の色に較
べて輝度が低く、カラー化の問題になってきた。特に自
動車用の蛍光表示管には青色は絶対必要であり、高輝度
の青色発光蛍光体の開発が望まれている。現在、青色発
光蛍光体としてはZnS:Aタ蛍光体が用いられている
。ZnS:Aのま高速電子線励起では高額度の青色蛍光
体として知られ、カラーテレビ等に使用されているが、
蛍光表示管のような数十Vの低速電子線励起では発光し
ない。CRTのような数十KVの高速電子線で励起する
場合は、2次電子によって帯電が緩和されると同時に、
帯電に抗して蛍光体粒子内部まで電子が侵入できるのに
対し、低速電子線励起では電子が蛍光体の表面を叩くだ
けであり、Z脂:A夕のように絶縁物であると、帯電に
よって励起できなくなるのである。この帯電を除去する
ためにlnの3導電粉を混合している。ZnS:A夕と
1山03との混合蛍光体にすると、ZnS:Aタ蛍光体
表面のうち、導電粉と接触して電子に対して電位の下っ
た(帯電により表面電荷が除去された)接触点近傍に電
子が入射し、ZnS:A夕が発光する。このような混合
鞍光体では、直接1山03に入射した電子は発光には寄
与しない。ましてZnSを母格子とする低速電子線励起
用蛍光体は一般に輝度が低いのである。この問題を解決
するには、蛍光体を低抵抗にすればよく、Cdを含む(
Z舵d)Sを母格子とする蛍光体の場合にはA〆をドー
プすることによって解決されている。しかしながらZn
Sの場合にはA〆をドープするとZn空格子ができて電
荷が補償され、キャリア‐濃度が増さず、低抵抗にはな
らない。Zn空格子をつくらずにAそをドープする方法
として、ZnS単結晶の場合、真空中でZn蒸気中で熱
処理する方法がとられているが、実際に使われる粉末蛍
光体の場合に、この方法は非実用的である。以上のよう
な事情から、本発明者等は通常の作成方法でZnS:A
タ山を低抵抗化する方法を検討した結果、A夕,Aその
ドープ量を最も発光効率が高いとされているA夕が0.
015モル%から大幅に、濃度消光がおきる側にずらせ
て多量のA夕を入れると共に、ドープ温度を低くしてZ
n空格子点の発生を抑制することにより、ZnS:Aタ
Aそ混合蛍光体の輝度を改善できることを見し、出した
のである。
高いという特徴を有しており、これの実用化が期待され
ている。これらのデバイスに用いられる低速電子線励起
用の蛍光体のうちで青色励起蛍光体の輝度は他の色に較
べて輝度が低く、カラー化の問題になってきた。特に自
動車用の蛍光表示管には青色は絶対必要であり、高輝度
の青色発光蛍光体の開発が望まれている。現在、青色発
光蛍光体としてはZnS:Aタ蛍光体が用いられている
。ZnS:Aのま高速電子線励起では高額度の青色蛍光
体として知られ、カラーテレビ等に使用されているが、
蛍光表示管のような数十Vの低速電子線励起では発光し
ない。CRTのような数十KVの高速電子線で励起する
場合は、2次電子によって帯電が緩和されると同時に、
帯電に抗して蛍光体粒子内部まで電子が侵入できるのに
対し、低速電子線励起では電子が蛍光体の表面を叩くだ
けであり、Z脂:A夕のように絶縁物であると、帯電に
よって励起できなくなるのである。この帯電を除去する
ためにlnの3導電粉を混合している。ZnS:A夕と
1山03との混合蛍光体にすると、ZnS:Aタ蛍光体
表面のうち、導電粉と接触して電子に対して電位の下っ
た(帯電により表面電荷が除去された)接触点近傍に電
子が入射し、ZnS:A夕が発光する。このような混合
鞍光体では、直接1山03に入射した電子は発光には寄
与しない。ましてZnSを母格子とする低速電子線励起
用蛍光体は一般に輝度が低いのである。この問題を解決
するには、蛍光体を低抵抗にすればよく、Cdを含む(
Z舵d)Sを母格子とする蛍光体の場合にはA〆をドー
プすることによって解決されている。しかしながらZn
Sの場合にはA〆をドープするとZn空格子ができて電
荷が補償され、キャリア‐濃度が増さず、低抵抗にはな
らない。Zn空格子をつくらずにAそをドープする方法
として、ZnS単結晶の場合、真空中でZn蒸気中で熱
処理する方法がとられているが、実際に使われる粉末蛍
光体の場合に、この方法は非実用的である。以上のよう
な事情から、本発明者等は通常の作成方法でZnS:A
タ山を低抵抗化する方法を検討した結果、A夕,Aその
ドープ量を最も発光効率が高いとされているA夕が0.
015モル%から大幅に、濃度消光がおきる側にずらせ
て多量のA夕を入れると共に、ドープ温度を低くしてZ
n空格子点の発生を抑制することにより、ZnS:Aタ
Aそ混合蛍光体の輝度を改善できることを見し、出した
のである。
ZnS:A夕の青色発光はドナー・アクセプター対の再
結合による発光である。
結合による発光である。
Aのまアクセプターであり、ドナーは、添加剤から導入
されるハロゲンイオンが意図的に導入されるA夕,ln
,Ga等である。これらの不純物イオンの量は、濃度消
失のおきる直前のA夕0.015モル%、そしてAそな
らば0.03モル%で最も輝度が高いことが明らかにさ
れている。このことは、いまいま配位座標モデルで説明
されるように励起状態の波動関数の拡がりが大きい上に
、ドナー・アクセプター対の形成が数十Aにもわたるた
めに、ドナー・アクセプター対間の相互作用がおきない
範囲の限界がこれらの値であるとして説明されている。
しかしながら、既に述べたように鶴合蛍光体においては
、ZnS:AタAその最適条件は必ずしもあてはまらな
い。
されるハロゲンイオンが意図的に導入されるA夕,ln
,Ga等である。これらの不純物イオンの量は、濃度消
失のおきる直前のA夕0.015モル%、そしてAそな
らば0.03モル%で最も輝度が高いことが明らかにさ
れている。このことは、いまいま配位座標モデルで説明
されるように励起状態の波動関数の拡がりが大きい上に
、ドナー・アクセプター対の形成が数十Aにもわたるた
めに、ドナー・アクセプター対間の相互作用がおきない
範囲の限界がこれらの値であるとして説明されている。
しかしながら、既に述べたように鶴合蛍光体においては
、ZnS:AタAその最適条件は必ずしもあてはまらな
い。
それは濃度消光があっても電流分配率それ以上に改善さ
れれば、混合蛍光体としての輝度は改善されるのである
。本発明によればAクドープ量とAタドープ量との差を
大きくすることによってキャリア一濃度の増加を促し、
比較的低い温度でドープすることによって電荷補償を抑
制し、濠合蛍光体の輝度を向上することができる。以下
に本発明を実施例に従って説明する。実施例 99.9999%のZnSを所定の濃度で用意したAそ
2(S04)3・18LOとAタN03との水溶液に含
浸させた。
れれば、混合蛍光体としての輝度は改善されるのである
。本発明によればAクドープ量とAタドープ量との差を
大きくすることによってキャリア一濃度の増加を促し、
比較的低い温度でドープすることによって電荷補償を抑
制し、濠合蛍光体の輝度を向上することができる。以下
に本発明を実施例に従って説明する。実施例 99.9999%のZnSを所定の濃度で用意したAそ
2(S04)3・18LOとAタN03との水溶液に含
浸させた。
このときA夕の濃度をZnに対し0.01モル%〜0.
15モル%まで変えた。またAその濃度はAのこ対して
1〜3倍まで変えた。含浸させた粉末を100℃で乾燥
させた後日2S雰囲気中で600℃〜800q0で2時
間から2岬時間熱処理した。得られたZnS:AタAそ
蛍光体とln203導電粉を重量比で7:3で溢した。
このln2Q導電粉は、ln203原料粉末をHC夕に
溶解させ、NH40日を加えて水酸化インジウム沈澱を
させた。これを水洗炉適し、乾燥した後空気中で熱分解
することによって得た。混合蛍光体をAuを蒸着した基
板上に水で塗布し、空気中で10分、窒素中で10分間
それぞれ400℃の熱処理を行った後、第1図に示すよ
うなオイルフリーのデマンタブルな低速電子線励起力ソ
ードルミネツセンス評価装置にセットして評価した。
15モル%まで変えた。またAその濃度はAのこ対して
1〜3倍まで変えた。含浸させた粉末を100℃で乾燥
させた後日2S雰囲気中で600℃〜800q0で2時
間から2岬時間熱処理した。得られたZnS:AタAそ
蛍光体とln203導電粉を重量比で7:3で溢した。
このln2Q導電粉は、ln203原料粉末をHC夕に
溶解させ、NH40日を加えて水酸化インジウム沈澱を
させた。これを水洗炉適し、乾燥した後空気中で熱分解
することによって得た。混合蛍光体をAuを蒸着した基
板上に水で塗布し、空気中で10分、窒素中で10分間
それぞれ400℃の熱処理を行った後、第1図に示すよ
うなオイルフリーのデマンタブルな低速電子線励起力ソ
ードルミネツセンス評価装置にセットして評価した。
すなわち、真空槽1中に、蛍光体5を設置した基板7を
収容し、カソード2から発射した電子3を蛍光体5の発
光面に照射することによって、A夕,Aそのドープ量と
、輝度との関係を測定するものである。なお〜図中4は
グリッド、6は陽極である。測定時の真空度は1×10
‐9Torr、陽極電圧は30Vであった。700qo
で10時間熱処理した場合についてA夕,Aその濃度と
輝度との関係を第2図に示す。
収容し、カソード2から発射した電子3を蛍光体5の発
光面に照射することによって、A夕,Aそのドープ量と
、輝度との関係を測定するものである。なお〜図中4は
グリッド、6は陽極である。測定時の真空度は1×10
‐9Torr、陽極電圧は30Vであった。700qo
で10時間熱処理した場合についてA夕,Aその濃度と
輝度との関係を第2図に示す。
A夕とA〆との比は1:2で一定とした。濃度消光が起
きる領域でもA夕をドープすることによって濠合蛍光体
の輝度が改善されることが示された。低速電子線励起で
は表面近傍に存在する発光中心の数が輝度を決める。表
面近傍に多くの発光中心を形成するには、高速電子線励
起蛍光体の場合の最適値より大幅に多くのA夕をドープ
する必要がある。0.05モル%以下では、低速電子線
励起で、ほとんど実用的な輝度は得られない。
きる領域でもA夕をドープすることによって濠合蛍光体
の輝度が改善されることが示された。低速電子線励起で
は表面近傍に存在する発光中心の数が輝度を決める。表
面近傍に多くの発光中心を形成するには、高速電子線励
起蛍光体の場合の最適値より大幅に多くのA夕をドープ
する必要がある。0.05モル%以下では、低速電子線
励起で、ほとんど実用的な輝度は得られない。
一方、やはり、低速電子線励起でも濃度消光が起きる。
0.12モル%以上では濃度消光が激しく実用的な輝度
は得られない。
0.12モル%以上では濃度消光が激しく実用的な輝度
は得られない。
故に、0.05〜0.12モル%が妥当である。またA
〆量をA夕より多くすることは蛍光体の低抵抗化に必要
である。
〆量をA夕より多くすることは蛍光体の低抵抗化に必要
である。
低速電子線励起で低抵抗化の効果を顕著にさせるには、
少なくともA夕より2倍程度多いAそのドープが必要で
ある。又、本発明者の実験の範囲ではA夕より3倍以上
多いA〆をドープすることはできなかった。またlw0
3導電粉が多いと無効電流が多くなって輝度は低下し、
少ないと帯電によって輝度が低下する。
少なくともA夕より2倍程度多いAそのドープが必要で
ある。又、本発明者の実験の範囲ではA夕より3倍以上
多いA〆をドープすることはできなかった。またlw0
3導電粉が多いと無効電流が多くなって輝度は低下し、
少ないと帯電によって輝度が低下する。
従ってZnS:AタAZ蛍光体とln203導電粉の重
量比は8:2〜6:4(多い方が蛍光体)の範囲が適当
である。7:3が最適値である。
量比は8:2〜6:4(多い方が蛍光体)の範囲が適当
である。7:3が最適値である。
以上に述べたように、本発明は、粉末蛍光体としてコス
トアップのために適用が難しいとされているZn蒸気処
理に代えて、低コストで輝度が改善されたZnS:Aタ
Aク蛍光体を提供できる効果を有するものである。
トアップのために適用が難しいとされているZn蒸気処
理に代えて、低コストで輝度が改善されたZnS:Aタ
Aク蛍光体を提供できる効果を有するものである。
第1図はデマンタブルな低速電子線励起カソードルミネ
ッセンス評価装置の横断面側面図、第2図はA夕の濃度
と輝度との関係を示す図である。 矛’図オ2図
ッセンス評価装置の横断面側面図、第2図はA夕の濃度
と輝度との関係を示す図である。 矛’図オ2図
Claims (1)
- 1 ZnS:AgAlとIn_2O_3との混合体から
なり、Znに対するAgの濃度を0.05〜0.12モ
ル%、Agに対するAlの濃度を1:2〜1:3とし、
しかもZnS:AgAlとIn_2O_3の重量比を8
:2〜6:4にしたことを特徴とする低速電子線励起用
青色発光蛍光体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3854782A JPS608269B2 (ja) | 1982-03-11 | 1982-03-11 | 青色発光螢光体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3854782A JPS608269B2 (ja) | 1982-03-11 | 1982-03-11 | 青色発光螢光体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58154785A JPS58154785A (ja) | 1983-09-14 |
JPS608269B2 true JPS608269B2 (ja) | 1985-03-01 |
Family
ID=12528310
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3854782A Expired JPS608269B2 (ja) | 1982-03-11 | 1982-03-11 | 青色発光螢光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS608269B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0353479U (ja) * | 1989-09-26 | 1991-05-23 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5986225B2 (ja) * | 2012-12-25 | 2016-09-06 | タツモ株式会社 | 分散型el用蛍光体の製造方法 |
-
1982
- 1982-03-11 JP JP3854782A patent/JPS608269B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0353479U (ja) * | 1989-09-26 | 1991-05-23 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS58154785A (ja) | 1983-09-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2947156B2 (ja) | 蛍光体の製造方法 | |
JPS608269B2 (ja) | 青色発光螢光体 | |
US20010013592A1 (en) | Red phosphor having effective emission at low voltages and method for preparing the same using conductive luminescent material | |
KR100474834B1 (ko) | 저전압 황화물 형광체의 제조 방법 | |
JP2001303042A (ja) | ラピッドスタート形蛍光ランプ用蛍光体およびそれを用いたラピッドスタート形蛍光ランプ | |
JP2971496B2 (ja) | 低速電子線励起蛍光体の製造方法 | |
KR100528893B1 (ko) | 적색 발광 형광체 및 이를 이용한 전계 방출 표시소자 | |
CN1183221C (zh) | 发光材料及制备方法和含该发光材料的显示底物及显示器 | |
US3826679A (en) | Method for making electron energy sensitive phosphors for multi-color cathode ray tubes | |
KR100315226B1 (ko) | 고휘도 저전압용 청색 형광체 | |
US4453179A (en) | Variable color cathodoluminescent composition, method, and display device utilizing same | |
JPH0747733B2 (ja) | 青色発光蛍光体 | |
JP3982667B2 (ja) | 低速電子線励起蛍光体及び蛍光表示管 | |
KR100280993B1 (ko) | 저전압형광체및그제조방법 | |
JPH09255953A (ja) | 蛍光体及びその製造方法 | |
KR100277050B1 (ko) | 녹색-방출 인광물질 및 그를 사용하는 음극선관 | |
Yang et al. | Improvement of cathodoluminescence for ZnGa2O4 phosphor by second fired process | |
JP2897716B2 (ja) | 蛍光体 | |
JP2004197044A (ja) | 珪酸塩蛍光体とその製造方法および紫外線励起発光素子 | |
JPS6244035B2 (ja) | ||
KR100223518B1 (ko) | 저전압발광 ZnGa2O4(:Mn) 형광체 및 이를 이용한 형광막 제조방법 | |
JPS5943076B2 (ja) | 赤色発光材料 | |
CN111117597A (zh) | 一种场发射荧光材料及其制备方法 | |
KR100378006B1 (ko) | 저전압용 녹색 형광체의 제조 방법 | |
JP3707131B2 (ja) | 蛍光体 |