JPS6141450B2 - - Google Patents
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- JPS6141450B2 JPS6141450B2 JP53039798A JP3979878A JPS6141450B2 JP S6141450 B2 JPS6141450 B2 JP S6141450B2 JP 53039798 A JP53039798 A JP 53039798A JP 3979878 A JP3979878 A JP 3979878A JP S6141450 B2 JPS6141450 B2 JP S6141450B2
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- Japan
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- idt
- dummy
- surface acoustic
- resistor
- acoustic wave
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- Expired
Links
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 claims description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 238000010967 transthoracic echocardiography Methods 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02842—Means for compensation or elimination of undesirable effects of reflections
- H03H9/0285—Means for compensation or elimination of undesirable effects of reflections of triple transit echo
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/0296—Surface acoustic wave [SAW] devices having both acoustic and non-acoustic properties
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は抵抗体を圧電基板面上に設けた弾性表
面波デバイスに関するものである。
面波デバイスに関するものである。
弾性表面波デバイスは、一般に第１図に示すよ
うに、圧電性基板１の表面に設けられた、電気信
号を弾性表面波に変換するために入力電極２、弾
性表面波を電気信号に変換するために出力電極３
から構成される。
うに、圧電性基板１の表面に設けられた、電気信
号を弾性表面波に変換するために入力電極２、弾
性表面波を電気信号に変換するために出力電極３
から構成される。
弾性表面波デバイスには種々の不要波があり、
その内の１つとして入出力インターデイジタルト
ランスデユーサ（以後、IDTと称す）での反射に
もとづくトリブルトランジツトエコー（以後
TTEと称す）がある。このTTEは、(1)第２図の
ようにDT形成部のデユーテイフアクタ（電極幅
Wi／ピツチPi）を75％にすることにより（ソリ
ツドタイプ）、あるいは(2)第２図のように２本ず
つペア（デユーテイフアクタ50％）にすることに
より（スプリツトタイプ）、また(3)第４図のよう
に、外部に電気信号の出し入れのないIDT７（以
後ダミーIDTと略す）を設け、IDT３からの距離
Ａ，Ｂを適当に変え、主IDT２とダミーIDT７の
距離（｜Ａ―Ｂ｜）をTTEの位相が逆になるよ
うに配置し、両者のTTEの強度が一致するよう
に、ダミーIDTの外部負荷９を定めることによ
り、低減することができる。
その内の１つとして入出力インターデイジタルト
ランスデユーサ（以後、IDTと称す）での反射に
もとづくトリブルトランジツトエコー（以後
TTEと称す）がある。このTTEは、(1)第２図の
ようにDT形成部のデユーテイフアクタ（電極幅
Wi／ピツチPi）を75％にすることにより（ソリ
ツドタイプ）、あるいは(2)第２図のように２本ず
つペア（デユーテイフアクタ50％）にすることに
より（スプリツトタイプ）、また(3)第４図のよう
に、外部に電気信号の出し入れのないIDT７（以
後ダミーIDTと略す）を設け、IDT３からの距離
Ａ，Ｂを適当に変え、主IDT２とダミーIDT７の
距離（｜Ａ―Ｂ｜）をTTEの位相が逆になるよ
うに配置し、両者のTTEの強度が一致するよう
に、ダミーIDTの外部負荷９を定めることによ
り、低減することができる。
上記の第３番目の具体的実験として、第５図の
ように圧電基板１としてLiNbO3のＹカツトＺ伝
搬を使用して実験を行なつた。ＹカツトＺ伝搬基
板は基板の裏面で反射して表面波に影響を与える
波（バルク波）が生じるために入出力IDT間の中
心をずらし、それらの間伝搬路にはとなり合つた
電極と接続されないすだれ状電極８（マルチスト
リツプカツプラ略してMSC）を設け、さらに出
力IDT３と同形状のダミーIDT７とを伝搬方向に
対し横方向にλ／４（λは弾性表面波の波長）ず
らして構成した。出力IDTの外部負荷ＲL（290
Ω）を一定としてダミーIGTの外部負荷ＲDを変
化させた時のTTEを測定すると第６図のように
なり、TTEはＲL＝ＲD付近で十分抑圧させるこ
とができた。
ように圧電基板１としてLiNbO3のＹカツトＺ伝
搬を使用して実験を行なつた。ＹカツトＺ伝搬基
板は基板の裏面で反射して表面波に影響を与える
波（バルク波）が生じるために入出力IDT間の中
心をずらし、それらの間伝搬路にはとなり合つた
電極と接続されないすだれ状電極８（マルチスト
リツプカツプラ略してMSC）を設け、さらに出
力IDT３と同形状のダミーIDT７とを伝搬方向に
対し横方向にλ／４（λは弾性表面波の波長）ず
らして構成した。出力IDTの外部負荷ＲL（290
Ω）を一定としてダミーIGTの外部負荷ＲDを変
化させた時のTTEを測定すると第６図のように
なり、TTEはＲL＝ＲD付近で十分抑圧させるこ
とができた。
しかし、上記の第４図の従来装置においては、
ダミーIDTに外負荷が必要なためにデバイスのピ
ン数増加，部品点数の増大，工数の増大等の欠点
があつた。
ダミーIDTに外負荷が必要なためにデバイスのピ
ン数増加，部品点数の増大，工数の増大等の欠点
があつた。
また、第５図の従来装置においては、圧電性基
板上にMSCが設けられているため、弾性表面波
デバイスの小形化ができないという問題があつ
た。
板上にMSCが設けられているため、弾性表面波
デバイスの小形化ができないという問題があつ
た。
本発明の目的は、外付け部品点数，ピン数，工
数を増加させずに、十分なTTE抑圧を行なうこ
とができ、かつデバイスを小形化できるようにし
た弾性表面波デバイスを提供することである。
数を増加させずに、十分なTTE抑圧を行なうこ
とができ、かつデバイスを小形化できるようにし
た弾性表面波デバイスを提供することである。
本発明はダミIDTに接続する負荷抵抗を薄膜パ
ターンとしてIDTと同一基板上に同一プロセスで
作成し、かつMSCを不要にして従来の欠点をな
くそうとするものである。
ターンとしてIDTと同一基板上に同一プロセスで
作成し、かつMSCを不要にして従来の欠点をな
くそうとするものである。
第７図は本発明の一実施例を示す。第７図にお
いて、１は圧電基板であり、バルク波の影響の少
ない127.86゜回転ＹカツトＸ伝搬LiNbO3が好適
である。２は電極の交差幅の異なる入力IDT（以
後、重み付きIDTと称す）、３は電極の交差幅が
等しい出力IDT（以後、正規型IDTと称す）、７
はDT２と同形状でIDT２とは伝搬方向に対し中
心がλ／４ずれたダミーIDTであり、導電体例え
ばAlを蒸着して形成する。１１はIDT３とIDT２
および７間を伝播する直接波（弾性表面波ではな
く電気的に直結する波）を防止するためのアース
電極である。１０は第８図あるいは第９図に示す
ような抵抗体であり、圧電性基板１上に蒸着等に
より設けたものである。また抵抗値は約300Ωが
好適である。
いて、１は圧電基板であり、バルク波の影響の少
ない127.86゜回転ＹカツトＸ伝搬LiNbO3が好適
である。２は電極の交差幅の異なる入力IDT（以
後、重み付きIDTと称す）、３は電極の交差幅が
等しい出力IDT（以後、正規型IDTと称す）、７
はDT２と同形状でIDT２とは伝搬方向に対し中
心がλ／４ずれたダミーIDTであり、導電体例え
ばAlを蒸着して形成する。１１はIDT３とIDT２
および７間を伝播する直接波（弾性表面波ではな
く電気的に直結する波）を防止するためのアース
電極である。１０は第８図あるいは第９図に示す
ような抵抗体であり、圧電性基板１上に蒸着等に
より設けたものである。また抵抗値は約300Ωが
好適である。
第８図に示す抵抗体は弾性波の伝播方向に対し
垂直方向に長く、伝播方向には短く折れ曲がつた
形をしており、電極幅Wiをλ／８，ピツチPiを
λ／４とするのが好適である。また第９図に示す
抵抗体弾性波の伝播方向には長く、垂直方向には
短く折れ曲がつた形状をしている。本発明では抵
抗体１０を圧電性基板１上に設けるので抵抗体１
０により反射波が生じ、デバイスに悪影響を及ぼ
す恐れがあるが、第８図に示した形状の抵抗体に
おいては電極幅およびピツチを例えば上記のよう
な適当な値に選ぶことにより公知のスプリツトタ
イプと同様に弾性波の反射を防止することがで
き、また第９図に示した形状の抵抗体において
は、弾性波の伝搬方向に垂直となる電極本数が少
ないので、反射波は殆んど生じない。第８図，第
９図に示した形状の抵抗体以外に、抵抗体の形状
を円形にしたり、弾性波の伝播方向に角度をもた
せたり、あるいは基板端面に不要波抑圧のために
設けられている不要波吸収材の下に抵抗体を設け
る等することによつても、抵抗体からの弾性波の
反射を防止することができる。
垂直方向に長く、伝播方向には短く折れ曲がつた
形をしており、電極幅Wiをλ／８，ピツチPiを
λ／４とするのが好適である。また第９図に示す
抵抗体弾性波の伝播方向には長く、垂直方向には
短く折れ曲がつた形状をしている。本発明では抵
抗体１０を圧電性基板１上に設けるので抵抗体１
０により反射波が生じ、デバイスに悪影響を及ぼ
す恐れがあるが、第８図に示した形状の抵抗体に
おいては電極幅およびピツチを例えば上記のよう
な適当な値に選ぶことにより公知のスプリツトタ
イプと同様に弾性波の反射を防止することがで
き、また第９図に示した形状の抵抗体において
は、弾性波の伝搬方向に垂直となる電極本数が少
ないので、反射波は殆んど生じない。第８図，第
９図に示した形状の抵抗体以外に、抵抗体の形状
を円形にしたり、弾性波の伝播方向に角度をもた
せたり、あるいは基板端面に不要波抑圧のために
設けられている不要波吸収材の下に抵抗体を設け
る等することによつても、抵抗体からの弾性波の
反射を防止することができる。
以上のような構成の本発明にデバイスを実験し
た結果、第６図と同じ結果を得るとができ、
TTEを十分抑圧することができる。
た結果、第６図と同じ結果を得るとができ、
TTEを十分抑圧することができる。
以上の実施例では、ダミーIDT７は主IDT２と
同一形状とし、さらにダミーIDT７に接続された
抵抗体１０の値は主IDT２の負荷抗と同一の値に
設定し、ダミーIDTと主IDTとの距離はλ／４と
したが、ダミーIDT７の形状と抵抗１０の抵抗値
およびダミーIDTの位置は必ずしもこれに限定さ
れることなく、主IDT２からの反射波とダミー
IDT７からの反射波の強度が同じで逆位相となる
ように定めればよいことはもちろんである。
同一形状とし、さらにダミーIDT７に接続された
抵抗体１０の値は主IDT２の負荷抗と同一の値に
設定し、ダミーIDTと主IDTとの距離はλ／４と
したが、ダミーIDT７の形状と抵抗１０の抵抗値
およびダミーIDTの位置は必ずしもこれに限定さ
れることなく、主IDT２からの反射波とダミー
IDT７からの反射波の強度が同じで逆位相となる
ように定めればよいことはもちろんである。
以上のように本発明によれば、ダミーIDTの外
部負荷を圧電性基板１上にIDTと同一プロセスで
設けることができるので、ピン数の増加や部品点
数の増大および作業工程の増加を行なうことな
く、TTE抑圧を十分に行なうことなく、TTE抑
圧を十分に行なうことができるという効果があ
る。
部負荷を圧電性基板１上にIDTと同一プロセスで
設けることができるので、ピン数の増加や部品点
数の増大および作業工程の増加を行なうことな
く、TTE抑圧を十分に行なうことなく、TTE抑
圧を十分に行なうことができるという効果があ
る。
また、本発明のデバイスによれば、MSCが不
要になるので、小形化が可能になるという効果も
ある。
要になるので、小形化が可能になるという効果も
ある。
第１図は一般的な弾性表面波フイルタの斜視
図、第２図はソリツドタイプのインターデイジタ
ルトランスデユーサ、第３図はスプリツトタイプ
のインターデイジタルトランスデユーサ、第４図
は従来の弾性表面波デバイス、第５，６図は従来
の弾性表面波デバイスの構成図および特性図、第
７図は本発明の一実施例である弾性表面波デバイ
ス第８，９図は第７図の抵抗体の拡大図を示す。 １……圧電性基板、２，３……入出力IDT、７
……ダミーIDT、１０……抵抗体、１１……アー
ス電極。
図、第２図はソリツドタイプのインターデイジタ
ルトランスデユーサ、第３図はスプリツトタイプ
のインターデイジタルトランスデユーサ、第４図
は従来の弾性表面波デバイス、第５，６図は従来
の弾性表面波デバイスの構成図および特性図、第
７図は本発明の一実施例である弾性表面波デバイ
ス第８，９図は第７図の抵抗体の拡大図を示す。 １……圧電性基板、２，３……入出力IDT、７
……ダミーIDT、１０……抵抗体、１１……アー
ス電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 電気信号を弾性表面波に変換する入力インタ
ーデイジタルトランスデユーサ（以下、IDTと称
す）、弾性表面波を電気信号に変換する出力IDT
およびダミーIDTとを圧電性基板面上に設けた弾
性表面波デバイスにおいて、前記入力IDTとダミ
ーIDTは同じ側であつてかつ弾性表面波進行方向
に対してλ／４ずらせて配置され、前記出力IDT
は然記入力IDTおよびダミーIDTの他方に側に、
これらと対向して配置され、該ダミーIDTには同
一基板上に形成された反射波の少ない構造の抵抗
体を接続したことを特徴とする弾性表面波デバイ
ス。 ２ 抵抗体の電気幅をλ／８、ピツチがλ／４と
したことを特徴とする前記特許請求の範囲第１項
記載の弾性表面波デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3979878A JPS54132185A (en) | 1978-04-06 | 1978-04-06 | Elastic surface wave device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3979878A JPS54132185A (en) | 1978-04-06 | 1978-04-06 | Elastic surface wave device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54132185A JPS54132185A (en) | 1979-10-13 |
| JPS6141450B2 true JPS6141450B2 (ja) | 1986-09-16 |
Family
ID=12562966
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3979878A Granted JPS54132185A (en) | 1978-04-06 | 1978-04-06 | Elastic surface wave device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS54132185A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001196898A (ja) * | 2000-01-05 | 2001-07-19 | Fujitsu Ltd | 弾性表面波フィルタ |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS544647B2 (ja) * | 1972-05-15 | 1979-03-08 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5748093Y2 (ja) * | 1977-06-09 | 1982-10-22 |
-
1978
- 1978-04-06 JP JP3979878A patent/JPS54132185A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS544647B2 (ja) * | 1972-05-15 | 1979-03-08 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54132185A (en) | 1979-10-13 |
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