JPS6139744B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、フオト感知素子と、このフオト感知
素子の受光動作に関与する周辺回路とを備えてな
るフオトセンサー用IC（集積回路）に関する。

このようなフオトセンサー用ICに使用される
フオトトランジスタやフオトダイオード等のフオ
ト感知素子に光が照射された場合、その周辺回路
にもその光が照射される場合がある。この場合、
その周辺回路に例えばトランジスタが含まれてい
ると、このトランジスタのベース領域にその光が
照射されることになる。ところが、トランジスタ
のベース領域に対して光が照射されると、該トラ
ンジスタが誤動作をすることがあり、フオトセン
サーから所定のセンサー出力を確実に得ることが
困難になる。

これに対しては、たとえば、特開昭50―125692
号公報に記載の発明のように、周辺回路素子であ
るトランジスタの各金属配線の上に表面保護膜を
介して遮光用の金属膜を積層することが既に提案
されている。

しかしながら、このように金属配線の上に新た
に遮光用金属膜を形成すると、そのための工程が
必要となり、フオトセンサー用ICの製造工程が
複雑化する。

また、特公昭52―26876号公報に記載された発
明のように、素子上部を覆う金属遮光膜を回路配
線の一部に供すれば、配線と金属膜とが２層構造
となるため、浮遊容量が生じ、回路の動作特性が
低下する。

本発明は、上記のような従来の問題点に鑑み、
製造工程を複雑化することなく、また浮遊容量が
発生しない状態で周辺回路素子であるトランジス
タに対する遮光を行ない、照射光によるトランジ
スタの誤動作を防止して所望のセンサー出力が確
実に得られるようにすることを目的とする。

本発明は、このような目的を達成するために、
周辺回路素子を、この回路を構成する配線層を利
用して遮光するものである。そして特に、光の影
響を受けやすい能動素子内の制御領域、即ちバイ
ポーラトランジスタにおいてそのベース領域を、
エミツタ領域を囲む外囲半部と、この外囲半部か
ら離れた分離半部とに分割する一方、ベース領域
の外囲半部および分離半部を同一面上において、
それぞれエミツタ用配線層およびベース用配線層
で覆つたものである。

以下、本発明を図面に示す一実施例に基づいて
詳細に説明する。

第１図はこの実施例の平面図であり、第２図は
第１図の切断線―に沿う構造的断面図であ
る。これらの図においては、フオト感知素子の図
示は簡単化のため省略され、また周辺回路の内、
光の影響を受け易い回路素子としてトランジスタ
が代表的に図示される。このトランジスタ１は、
通常の半導体集積回路の製法により作られる。図
において、２はＰ形シリコン基板、３ａはＰ形シ
リコン基板２上にエピタキシヤル成長により形成
されたｎ形のコレクタ領域、３ｂはｎ形拡散によ
り形成されたコレクタコンタクト領域、４，４は
Ｐ形拡散により形成された分離領域、５は同じく
Ｐ形拡散により形成されたベース領域、６はｎ形
拡散により形成されたエミツタ領域、７，７は酸
化膜である。

ベース領域５は、シリコン基板２表面におい
て、エミツタ領域６を外囲する図上、左側の半部
（以下、左半部という）５ａと、左半部５ａとは
離れた位置にある半部（以下、右半部という）５
ｂと、左右両半部５ａ，５ｂを結合する連結部分
５ｃとから構成されている。

８はエミツタ用アルミニウム蒸着配線である。
このアルミニウム蒸着配線８は、ベース領域５の
図上、左半部５ａを覆つて遮光できるパターンを
有している。このベース領域５の図上、右半部５
ｂもベース用アルミニウム蒸着配線８′により覆
われて遮光される。したがつて、ベース領域５の
左・右半部５ａ，５ｂはこのようにしてアルミニ
ウム蒸着配線８，８′により遮光されることにな
る。また、両アルミニウム蒸着配線８，８′の電
気的な短絡を防止するためベース領域の左・右半
部５ａ，５ｂは連結部分５ｃを介して連設されて
いるが、この残余の部分５ｃは、光の影響を極力
なくすためにその面積を狭くされている。８″は
コレクタ用アルミニウム蒸着配線である。なお、
上述の実施例ではnpn形のトランジスタについて
説明したが、pnp形のものについても同様に適用
することができる。

以上のように、本発明によれば、周辺回路の各
回路素子のうち、光の影響を受けやすいトランジ
スタのベース領域を遮光性を有する配線層で覆つ
たので、フオト感知素子に光を照射させても、こ
の光が前記トランジスタに影響を及ぼすことがな
くなる。したがつて、周辺回路を構成するトラン
ジスタが光の照射により誤動作を引き起こすおそ
れがなくなり、所望のセンサー出力を確実に得る
ことができる。

しかも、本発明では、配線層が遮光層を兼ねて
いるから、一回の工程で配線層の形成と遮光とを
同時に行なうことができ、遮光のために別工程を
設ける必要がなく、製造工程が複雑化しない。

さらに、遮光のための金属層が配線層の上に積
層されたり、配線層自体が２層になると、浮遊容
量が生じ、トランジスタの動作特性が低下する
が、本発明では、遮光層を兼ねる配線層が互いに
並列する状態で同一面上に形成されているから、
トランジスタの各電極間に浮遊容量が発生せず、
浮遊容量に伴なう動作特性の低下を招来しない。

【図面の簡単な説明】

図面は本発明の一実施例を示し、第１図は平面
図、第２図は第１図の切断線―に沿う断面図
である。 １…トランジスタ、５…ベース領域、５ａ…ベ
ース領域５の左半部、５ｂ…ベース領域５の右半
部、５ｃ…ベース領域５の連結部分、６…酸化
膜、８，８′…アルミニウム蒸着配線。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ フオト感知素子と、フオト感知素子の受光動
   作に関与する周辺回路素子としてトランジスタと
   を備えてなるフオトセンサー用ICにおいて、 前記トランジスタのベース領域をエミツタ領域
   を囲む外囲半部と、この外囲半部に細幅の連結部
   分を介して連続する分離半部とで構成し、この分
   離半部およびエミツタ領域上にはそれぞれ遮光性
   を有するベース用配線層およびエミツタ用配線層
   をコレクタ用配線層と同一面上で並列する状態で
   形成し、ベース用配線層はベース領域の分離半部
   を、またエミツタ用配線層はベース領域の外囲半
   部をそれぞれ覆う大きさとしたことを特徴とする
   フオトセンサー用IC。