JPS6139565A - ピンチ抵抗 - Google Patents
ピンチ抵抗Info
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- JPS6139565A JPS6139565A JP16034284A JP16034284A JPS6139565A JP S6139565 A JPS6139565 A JP S6139565A JP 16034284 A JP16034284 A JP 16034284A JP 16034284 A JP16034284 A JP 16034284A JP S6139565 A JPS6139565 A JP S6139565A
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- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 5
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 3
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- 230000003321 amplification Effects 0.000 abstract description 2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
- H01L27/07—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common
- H01L27/0744—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common without components of the field effect type
- H01L27/075—Bipolar transistors in combination with diodes, or capacitors, or resistors, e.g. lateral bipolar transistor, and vertical bipolar transistor and resistor
- H01L27/0755—Vertical bipolar transistor in combination with diodes, or capacitors, or resistors
- H01L27/0772—Vertical bipolar transistor in combination with resistors only
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はBip )ランジスタを含む集積回路(以後I
Cと略記する)に用いられるピンチ抵抗の改良に関する
。
Cと略記する)に用いられるピンチ抵抗の改良に関する
。
従来の技術
従来、高比抵抗を目的としたピンチ抵抗は、第1図に示
すように、その抵抗領域111がパイ&−2トランジス
タのベース領域108と同時に拡散形成されていた。こ
のためにその抵抗値はバイポーラトランジスタの電流増
幅率hyxに比例してばらつき、例えば、 hyi=1
00の時・rtc sKOであったものが、 hrx=
400では20にΩ程度にもなる。又、その比抵抗はバ
イポーラトランジスタ固有のベース形成法に応じた値、
即ち3にΩ10〜20にΩ乙を持つのみであった。更に
、バイポーラトランジスタのベースは比較的高濃度であ
るために、ピンチ抵抗の耐圧も〜7.5VK制限されて
いた。このため回路中ピツチ抵抗が使用できる部分は侃
めて少なく。
すように、その抵抗領域111がパイ&−2トランジス
タのベース領域108と同時に拡散形成されていた。こ
のためにその抵抗値はバイポーラトランジスタの電流増
幅率hyxに比例してばらつき、例えば、 hyi=1
00の時・rtc sKOであったものが、 hrx=
400では20にΩ程度にもなる。又、その比抵抗はバ
イポーラトランジスタ固有のベース形成法に応じた値、
即ち3にΩ10〜20にΩ乙を持つのみであった。更に
、バイポーラトランジスタのベースは比較的高濃度であ
るために、ピンチ抵抗の耐圧も〜7.5VK制限されて
いた。このため回路中ピツチ抵抗が使用できる部分は侃
めて少なく。
バイポーラトランジスタのエミッタ・ベース間に挿入さ
れるバラス・ト抵抗等に使用されるのみであった。
れるバラス・ト抵抗等に使用されるのみであった。
発明の目的
本発明は従来の上記欠点を解消する為になされたもので
あシ、従って本発明の第1の目的は、バイポーラトラン
ジスタのhp菖のばらつきがピンチ抵抗の比抵抗のばら
つきにおよぼす影響を小さくすることにある。
あシ、従って本発明の第1の目的は、バイポーラトラン
ジスタのhp菖のばらつきがピンチ抵抗の比抵抗のばら
つきにおよぼす影響を小さくすることにある。
本発明の第2の目的は、ピンチ抵抗の表面濃度を制御す
ることにより従来より幅広い比抵抗のピンチ抵抗を得る
ことにある。
ることにより従来より幅広い比抵抗のピンチ抵抗を得る
ことにある。
本発明の第3の目的は、現状高々7.5v程度である耐
圧をそれ以上に高めたIIr規なピンチ抵抗を得ること
にあシ、回路設計を容易にすることがで11、かつペレ
ット面積の縮少化も可能とすることにある。
圧をそれ以上に高めたIIr規なピンチ抵抗を得ること
にあシ、回路設計を容易にすることがで11、かつペレ
ット面積の縮少化も可能とすることにある。
発明の構成
上記目的を達成する為に1本発明に係るピンチ抵抗は、
バイポーラトランジスタのベース領域より深い接合をも
つことを特徴とする。
バイポーラトランジスタのベース領域より深い接合をも
つことを特徴とする。
発明の実施例
次に本発明をその好ましい一実施例について図面を参照
しながら具体的に説明する。
しながら具体的に説明する。
第3図は本発明の一実施例を示す断面図である。
図において1本発明に係るピンチ抵抗の一実施例は、ピ
ンチ抵抗の抵抗゛領域214.ピンチ抵抗の電極領域2
12(ピンチ抵抗の抵抗領域214の表面濃度が低くオ
ーミックコンタクトがとれにくい場合に必要で、バイポ
ーラトランジスタのベース領域208と同時に形成され
る)、ピンチ部形成領域213(バイポーラトランジス
タのエミッタ209と同時に形成される)からなシ′・
たっている。第1図の従来例と異なシ、ピンチ抵抗の抵
抗領域214の接合がバイポーラトランジスタのベース
208よ)深くなっている様子がうかがえる。
ンチ抵抗の抵抗゛領域214.ピンチ抵抗の電極領域2
12(ピンチ抵抗の抵抗領域214の表面濃度が低くオ
ーミックコンタクトがとれにくい場合に必要で、バイポ
ーラトランジスタのベース領域208と同時に形成され
る)、ピンチ部形成領域213(バイポーラトランジス
タのエミッタ209と同時に形成される)からなシ′・
たっている。第1図の従来例と異なシ、ピンチ抵抗の抵
抗領域214の接合がバイポーラトランジスタのベース
208よ)深くなっている様子がうかがえる。
第4図〜M6図は理解を助けるため本発明のウェファ−
製造途中を工程順に示したものである。
製造途中を工程順に示したものである。
第4図は基板201に埋込み領域202を配し、素子領
域を島状に分離する絶縁分離拡散203を形成した後1
本発明の基本となるピンチ抵抗の抵抗領域214を、例
えばエネルギー50KeV、 ドーズi−1〜4X1
0cm でボロンをイオン注入し、 10000C
のウェット酸素中で30分酸酸化後1500Cで3時間
ドライブした状態を示している。ひきつづき、パイボー
ラトランジ亥夕のベース領域208及びピンチ抵抗の電
極領域212を形成するために、900°C〜9500
Cでボロンを15〜25分拡散し、ひきつづき1000
0Cのウェット酸素中で30分酸酸化後150°Cで3
0分ドライブした状態が第5図である。更に、バイポー
ラトランジスタのコレクタ電極領域207、エミッタ領
域209.ピンチ抵抗のピンチ部形成領域213を同時
に形成し第6図となる。その後、絶縁膜にコンタクト窓
を開き、金属配線をパターンニングして本発明は完成す
る。
域を島状に分離する絶縁分離拡散203を形成した後1
本発明の基本となるピンチ抵抗の抵抗領域214を、例
えばエネルギー50KeV、 ドーズi−1〜4X1
0cm でボロンをイオン注入し、 10000C
のウェット酸素中で30分酸酸化後1500Cで3時間
ドライブした状態を示している。ひきつづき、パイボー
ラトランジ亥夕のベース領域208及びピンチ抵抗の電
極領域212を形成するために、900°C〜9500
Cでボロンを15〜25分拡散し、ひきつづき1000
0Cのウェット酸素中で30分酸酸化後150°Cで3
0分ドライブした状態が第5図である。更に、バイポー
ラトランジスタのコレクタ電極領域207、エミッタ領
域209.ピンチ抵抗のピンチ部形成領域213を同時
に形成し第6図となる。その後、絶縁膜にコンタクト窓
を開き、金属配線をパターンニングして本発明は完成す
る。
以上述べてきたように1本発明によりビンチ抵抗の接合
をバイポーラトランジスタのベース領域より深く形成す
ることによ)、ピンチ抵抗のばらつきを押え絶対精度を
向上させることができる。
をバイポーラトランジスタのベース領域より深く形成す
ることによ)、ピンチ抵抗のばらつきを押え絶対精度を
向上させることができる。
又、表面濃度をコントロールすることによ)幅広い比抵
抗を得ることができベレット面積の縮少化に効果がsb
、高比抵抗をもつにもかかわらず高い信頼性を維持でき
る。
抗を得ることができベレット面積の縮少化に効果がsb
、高比抵抗をもつにもかかわらず高い信頼性を維持でき
る。
尚、今まではピンチ抵抗の抵抗領域をピン1チ抵抗形成
にのみ利用する場合を述べたが、その性質を利用してピ
ンチ抵抗形成用拡散領域を、■ホールストッパ、■ラテ
ラルPNP )ランジスタの深−コレクタ、■I”Lの
ベース、■スーパーβトランジスタのベース、■より高
いブレークダウン電圧を持つ定電圧用ダイオードの予成
用領域としても用いられることは言うまでもない。
にのみ利用する場合を述べたが、その性質を利用してピ
ンチ抵抗形成用拡散領域を、■ホールストッパ、■ラテ
ラルPNP )ランジスタの深−コレクタ、■I”Lの
ベース、■スーパーβトランジスタのベース、■より高
いブレークダウン電圧を持つ定電圧用ダイオードの予成
用領域としても用いられることは言うまでもない。
発明の作用
第2図の濃度プロファイルに示すように、従来のピンチ
抵抗はバイポーラトランジスタの真性ベース領域と深さ
方向の濃度プ1:Iファイルが同じであった。一方本発
明によるピンチ抵抗は、その接合xjpが従来例xJn
より深くなっているために。
抵抗はバイポーラトランジスタの真性ベース領域と深さ
方向の濃度プ1:Iファイルが同じであった。一方本発
明によるピンチ抵抗は、その接合xjpが従来例xJn
より深くなっているために。
バイポーラトランジスタのエミッタ拡散領域のばらつき
による抵抗の深さ方向の幅の変化率は従来に比べて極め
て小さくなっている。従って、先に述べたようにバイポ
ーラトランジスタのhrxが倍になれば、従来構造にお
いてはピンチ抵抗の抵抗値も2倍になっていたものが本
構造においては高々1.3倍におさえられた。このため
従来−50%〜+100チ程度存在した絶対精度のばら
つきが一3096〜+40チと現状の拡、散抵抗のばら
つきに近づいてきている。
による抵抗の深さ方向の幅の変化率は従来に比べて極め
て小さくなっている。従って、先に述べたようにバイポ
ーラトランジスタのhrxが倍になれば、従来構造にお
いてはピンチ抵抗の抵抗値も2倍になっていたものが本
構造においては高々1.3倍におさえられた。このため
従来−50%〜+100チ程度存在した絶対精度のばら
つきが一3096〜+40チと現状の拡、散抵抗のばら
つきに近づいてきている。
又、第2図に示すように1本発明においては。
バイポーラトランジスタのベース領域とは別にピンチ抵
抗を形成してお)、その表面濃度NPを従来よ)低くす
ることにより、極めて高い比抵抗を得ることができる。
抗を形成してお)、その表面濃度NPを従来よ)低くす
ることにより、極めて高い比抵抗を得ることができる。
従って1通常のバイポーラトランジスタの動作範囲で5
0にΩろ砒の高比抵抗ピンチ抵抗を容易に実現できる。
0にΩろ砒の高比抵抗ピンチ抵抗を容易に実現できる。
更に1本発明によるピンチ抵抗は、抵抗部にエミッタ拡
散領域を捲じているために、単なる高比抵抗イオン注入
抵抗と異な91表面電荷等の表面状態の影響を受けるこ
とがなく高信頼度を保つことができる。又。
散領域を捲じているために、単なる高比抵抗イオン注入
抵抗と異な91表面電荷等の表面状態の影響を受けるこ
とがなく高信頼度を保つことができる。又。
表面濃度NPを低くすることによりピンチ抵抗自体の耐
圧をも高くできる。更に1表面濃度NPを適度に制御す
ることにより、ピンチ抵抗部の不純物電荷量をバイポー
ラトランジスタの真性ベース領域の電荷量に比べて多く
することも可能であシ。
圧をも高くできる。更に1表面濃度NPを適度に制御す
ることにより、ピンチ抵抗部の不純物電荷量をバイポー
ラトランジスタの真性ベース領域の電荷量に比べて多く
することも可能であシ。
拡散抵抗と従来のピンチ抵抗との中間の比抵抗を得るこ
ともできる。
ともできる。
発明の効果
以上述べてきたように1本発明によるピンチ抵抗は、よ
り小さい絶対精度のばらつき及び高耐圧化によって回路
設計を容易にすることができる。
り小さい絶対精度のばらつき及び高耐圧化によって回路
設計を容易にすることができる。
また1幅広い比抵抗の利用によりベレットの縮小化が実
現でき高信頼度化も実現できる。
現でき高信頼度化も実現できる。
第1図はピンチ抵抗の従来例を示す断面図、第2図は本
発明の効果の理解を助けるための拡散の濃度プロファイ
ルを示す図、第3図は本発明の一実施例を示す断面図、
第4図〜第6図は本発明の一実施例の工程を示す断面図
である。 101 、201・・・基板、 102.202・・
・埋込領域、103゜203・・・絶縁分離拡散領域、
104.204・・・絶縁膜、105゜205・・
・金属配線、 106.206・・・エピタキシャル
層、107 、207・・・コレクタ電極領域、 1
08,208・・・バイポーラトランジスタベース領域
、 109,209・・・バイポーラトランジスタエ
ミッタ領域、110・・・従来例のピンチ抵抗のピンチ
部形成領域、111・・・従来例のピンチ抵抗の抵抗領
域、212・・・本発明のピンチ抵抗の電極領域、21
3・・・本発明のピンチ抵抗のピンチ部形成領域、21
4・・・本発明のピンチ抵抗の抵抗領域 特許出願人 日本電気株式会社 代 理 人 弁理士 熊谷雄太部 第1図 第3図 第2図
発明の効果の理解を助けるための拡散の濃度プロファイ
ルを示す図、第3図は本発明の一実施例を示す断面図、
第4図〜第6図は本発明の一実施例の工程を示す断面図
である。 101 、201・・・基板、 102.202・・
・埋込領域、103゜203・・・絶縁分離拡散領域、
104.204・・・絶縁膜、105゜205・・
・金属配線、 106.206・・・エピタキシャル
層、107 、207・・・コレクタ電極領域、 1
08,208・・・バイポーラトランジスタベース領域
、 109,209・・・バイポーラトランジスタエ
ミッタ領域、110・・・従来例のピンチ抵抗のピンチ
部形成領域、111・・・従来例のピンチ抵抗の抵抗領
域、212・・・本発明のピンチ抵抗の電極領域、21
3・・・本発明のピンチ抵抗のピンチ部形成領域、21
4・・・本発明のピンチ抵抗の抵抗領域 特許出願人 日本電気株式会社 代 理 人 弁理士 熊谷雄太部 第1図 第3図 第2図
Claims (1)
- バイポーラトランジスタのベース領域より深い接合をも
つことを特徴とするピンチ抵抗。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16034284A JPS6139565A (ja) | 1984-07-31 | 1984-07-31 | ピンチ抵抗 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16034284A JPS6139565A (ja) | 1984-07-31 | 1984-07-31 | ピンチ抵抗 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6139565A true JPS6139565A (ja) | 1986-02-25 |
Family
ID=15712906
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16034284A Pending JPS6139565A (ja) | 1984-07-31 | 1984-07-31 | ピンチ抵抗 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6139565A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0836230A3 (en) * | 1996-10-14 | 1998-08-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Power transistor |
JP2006013233A (ja) * | 2004-06-28 | 2006-01-12 | Fujitsu Ltd | 抵抗素子を含む半導体装置及びその製造方法 |
-
1984
- 1984-07-31 JP JP16034284A patent/JPS6139565A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0836230A3 (en) * | 1996-10-14 | 1998-08-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Power transistor |
KR100272052B1 (ko) * | 1996-10-14 | 2000-11-15 | 마찌다 가쯔히꼬 | 파워 트랜지스터 |
JP2006013233A (ja) * | 2004-06-28 | 2006-01-12 | Fujitsu Ltd | 抵抗素子を含む半導体装置及びその製造方法 |
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