JPS6138393B2 - - Google Patents
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- JPS6138393B2 JPS6138393B2 JP12173178A JP12173178A JPS6138393B2 JP S6138393 B2 JPS6138393 B2 JP S6138393B2 JP 12173178 A JP12173178 A JP 12173178A JP 12173178 A JP12173178 A JP 12173178A JP S6138393 B2 JPS6138393 B2 JP S6138393B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- frequency
- high frequency
- inner container
- heating furnace
- heated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
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Landscapes
- Constitution Of High-Frequency Heating (AREA)
- Vertical, Hearth, Or Arc Furnaces (AREA)
- Furnace Details (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は高周波で物質を加熱する高周波加熱
炉に関し、特に、高温かつ均一な加熱を達成する
ための改良に関する。
炉に関し、特に、高温かつ均一な加熱を達成する
ための改良に関する。
たとえば、セラミツクスや陶器または酸化亜鉛
を主成分とする金属酸化物の焼成体などを作るた
めに、高周波加熱炉が用いられる。従来、この種
の高周波加熱炉として、第１図に示すものがあつ
た。第１図において、高周波発生装置１は、導波
管２を介して高周波オーブン３と結合される。そ
して、高周波オーブン３の中に、被加熱物が配置
される。
を主成分とする金属酸化物の焼成体などを作るた
めに、高周波加熱炉が用いられる。従来、この種
の高周波加熱炉として、第１図に示すものがあつ
た。第１図において、高周波発生装置１は、導波
管２を介して高周波オーブン３と結合される。そ
して、高周波オーブン３の中に、被加熱物が配置
される。
上述した構成において、高周波発生装置１で発
生した高周波は導波管２によつて高周波オーブン
３に導かれる。このとき、高周波オーブン３内に
は、各種モードの共振電磁界が発生している。そ
して、高周波オーブン３の中に被加熱物４を設置
したとき、上述の高周波電界により、被加熱物４
は誘電加熱される。
生した高周波は導波管２によつて高周波オーブン
３に導かれる。このとき、高周波オーブン３内に
は、各種モードの共振電磁界が発生している。そ
して、高周波オーブン３の中に被加熱物４を設置
したとき、上述の高周波電界により、被加熱物４
は誘電加熱される。
しかしながら、上述の従来の高周波加熱炉にお
いては、電界の不均一性のため、被加熱物４に加
熱むらが生じた。また、被加熱物４の温度は、輻
射や自然対流などによる熱放散のため、たとえば
セラミツクスの焼成に必要な1000℃以上にするこ
とは極めて困難であつた。たとえば、被加熱物４
として、直径が７cmの黒体球を想定すると、1000
℃における輻射による熱放散は、 Q1＝４π（３．５／１００）24.88（１０００＋２７３
／１００）４ ＝1860kcal/h＝2.16kW 自然対流による熱放散は、 Q2＝４π（３．５／１００）210・1000＝154kcal/h ＝179W となる。したがつて、高周波入力として2kW以
上のものが必要であつた。
いては、電界の不均一性のため、被加熱物４に加
熱むらが生じた。また、被加熱物４の温度は、輻
射や自然対流などによる熱放散のため、たとえば
セラミツクスの焼成に必要な1000℃以上にするこ
とは極めて困難であつた。たとえば、被加熱物４
として、直径が７cmの黒体球を想定すると、1000
℃における輻射による熱放散は、 Q1＝４π（３．５／１００）24.88（１０００＋２７３
／１００）４ ＝1860kcal/h＝2.16kW 自然対流による熱放散は、 Q2＝４π（３．５／１００）210・1000＝154kcal/h ＝179W となる。したがつて、高周波入力として2kW以
上のものが必要であつた。
この発明は上述のような従来のものの欠点を除
去するためになされたもので、被加熱物を均一に
かつ高温にすることのできる高周波加熱炉を提供
することを目的としている。
去するためになされたもので、被加熱物を均一に
かつ高温にすることのできる高周波加熱炉を提供
することを目的としている。
この発明は、要約すれば、被加熱物を高周波発
熱する物質からなる内側容器に入れ、この内側容
器をさらに高周波損失の小さい耐火断熱体からな
る中間容器で囲繞し、中間容器の外部から高周波
を内側容器に供給するようにした高周波加熱炉で
ある。
熱する物質からなる内側容器に入れ、この内側容
器をさらに高周波損失の小さい耐火断熱体からな
る中間容器で囲繞し、中間容器の外部から高周波
を内側容器に供給するようにした高周波加熱炉で
ある。
以下、この発明の一実施例を図について説明す
る。
る。
第２図はこの発明の一実施例を図解的に示すも
のである。第２図を参照して、高周波発生装置２
１は導管波２２を介して高周波オーブン２３に結
合される。高周波オーブン２３の中には、被加熱
物２４が配置される。そして、この被加熱物２４
は、まず内側容器２５によつて囲繞される。この
内側容器２５は、高周波発熱する物質から構成さ
れ、たとえば酸化亜鉛を主成分とする金属酸化物
が選ばれる。また、内側容器２５の直径は約90mm
に選ばれる。内側容器２５は中間容器２６により
囲繞される。この中間容器は高周波損失の小さい
耐火断熱体から構成され、たとえば厚さが約30mm
の耐火断熱れんが（JIS規格Ａ類７種）が選ばれ
る。
のである。第２図を参照して、高周波発生装置２
１は導管波２２を介して高周波オーブン２３に結
合される。高周波オーブン２３の中には、被加熱
物２４が配置される。そして、この被加熱物２４
は、まず内側容器２５によつて囲繞される。この
内側容器２５は、高周波発熱する物質から構成さ
れ、たとえば酸化亜鉛を主成分とする金属酸化物
が選ばれる。また、内側容器２５の直径は約90mm
に選ばれる。内側容器２５は中間容器２６により
囲繞される。この中間容器は高周波損失の小さい
耐火断熱体から構成され、たとえば厚さが約30mm
の耐火断熱れんが（JIS規格Ａ類７種）が選ばれ
る。
上述の構成において、高周波発生装置２１で発
生された高周波は、導波管２２によつて高周波オ
ーブン２３に導かれる。このとき、高周波オーブ
ン２３内には、各種モードの共振電磁界が発生す
る。この高周波電界により、中間容器２６の耐火
断熱体は高周波損失が小さいので、高周波の減衰
がほとんど生じず、たとえば酸化亜鉛を主成分と
する金属酸化物からなる内側容器２５が直接加熱
されることになる。この酸化亜鉛を主成分とする
金属酸化物からなる内側容器２５は、高周波損失
が極めて大きく、かつ比較的熱伝導率が高く、耐
熱性にも優れているので、その内部の温度を均一
にかつたとえば1000℃以上の高温に保持できるも
のである。したがつて、内側容器２５内の被加熱
物２４は、均一にかつたとえば1000℃以上の高温
に加熱されることになる。
生された高周波は、導波管２２によつて高周波オ
ーブン２３に導かれる。このとき、高周波オーブ
ン２３内には、各種モードの共振電磁界が発生す
る。この高周波電界により、中間容器２６の耐火
断熱体は高周波損失が小さいので、高周波の減衰
がほとんど生じず、たとえば酸化亜鉛を主成分と
する金属酸化物からなる内側容器２５が直接加熱
されることになる。この酸化亜鉛を主成分とする
金属酸化物からなる内側容器２５は、高周波損失
が極めて大きく、かつ比較的熱伝導率が高く、耐
熱性にも優れているので、その内部の温度を均一
にかつたとえば1000℃以上の高温に保持できるも
のである。したがつて、内側容器２５内の被加熱
物２４は、均一にかつたとえば1000℃以上の高温
に加熱されることになる。
第３図はこの発明による被加熱物の温度上昇曲
線ａと従来の高周波加熱炉による被加熱物の温度
上昇曲線ｂとを比較して示すグラフである。ここ
に示すグラフは、高周波入力が500Wの場合を示
している。第３図を参照して、従来の被加熱物の
温度上昇は500〜600℃程度の温度で平衡状態に達
しそれ以上の高温が得られないが、この発明によ
る被加熱物の温度上昇は約１時間で1000℃を突破
しさらに高温に加熱されていることがわかる。
線ａと従来の高周波加熱炉による被加熱物の温度
上昇曲線ｂとを比較して示すグラフである。ここ
に示すグラフは、高周波入力が500Wの場合を示
している。第３図を参照して、従来の被加熱物の
温度上昇は500〜600℃程度の温度で平衡状態に達
しそれ以上の高温が得られないが、この発明によ
る被加熱物の温度上昇は約１時間で1000℃を突破
しさらに高温に加熱されていることがわかる。
なお、上述の実施例では、被加熱物２４を囲繞
する内側容器２５を構成する高周波発熱する物質
として、酸化亜鉛を主成分とする金属酸化物を用
いたが、炭化硅素を主成分とする化合物半導体
や、その他高周波損失が大きく耐熱性に優れた物
質を有利に用いることができる。
する内側容器２５を構成する高周波発熱する物質
として、酸化亜鉛を主成分とする金属酸化物を用
いたが、炭化硅素を主成分とする化合物半導体
や、その他高周波損失が大きく耐熱性に優れた物
質を有利に用いることができる。
また、上述の実施例では、中間容器２６を構成
する耐火断熱体として、耐火断熱れんが（JIS規
格Ａ類７種）を用いたが、その他の高周波損失の
小さい耐火断熱体を用いてもよい。
する耐火断熱体として、耐火断熱れんが（JIS規
格Ａ類７種）を用いたが、その他の高周波損失の
小さい耐火断熱体を用いてもよい。
以上のように、この発明によれば、被加熱物
を、高周波発熱する物質からなる内側容器と高周
波損失の小さい耐火断熱体からなる中間容器とで
順次囲繞したので、被加熱体を均一にかつたとえ
ば1000℃以上の高温に小さな高周波入力により加
熱することが容易にできる高周波加熱炉が得られ
る。そして、この発明の高周波加熱炉を用いれ
ば、セラミツクスや陶器または酸化亜鉛を主成分
とする金属酸化物の焼成体などを小電力で簡単に
作ることができるものである。
を、高周波発熱する物質からなる内側容器と高周
波損失の小さい耐火断熱体からなる中間容器とで
順次囲繞したので、被加熱体を均一にかつたとえ
ば1000℃以上の高温に小さな高周波入力により加
熱することが容易にできる高周波加熱炉が得られ
る。そして、この発明の高周波加熱炉を用いれ
ば、セラミツクスや陶器または酸化亜鉛を主成分
とする金属酸化物の焼成体などを小電力で簡単に
作ることができるものである。
第１図は従来の高周波加熱炉を図解的に示す
図、第２図はこの発明の一実施例を図解的に示す
図、第３図はこの発明による被加熱物の温度上昇
曲線ａと従来の高周波加熱炉による被加熱物の温
度上昇曲線ｂとを比較して示すグラフ図である。 図において、２１は高周波発生装置、２２は導
波管、２３は高周波オーブン、２４は被加熱物、
２５は内側容器、２６は中間容器である。
図、第２図はこの発明の一実施例を図解的に示す
図、第３図はこの発明による被加熱物の温度上昇
曲線ａと従来の高周波加熱炉による被加熱物の温
度上昇曲線ｂとを比較して示すグラフ図である。 図において、２１は高周波発生装置、２２は導
波管、２３は高周波オーブン、２４は被加熱物、
２５は内側容器、２６は中間容器である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 高周波を発生する手段、 被加熱物を囲繞しかつ高周波発熱する物質から
なる内側容器、 前記内側容器を囲繞しかつ高周波損失の小さい
耐火断熱体からなる中間容器、および 前記中間容器の外部から前記高周波を前記内側
容器に供給するための高周波オーブンを備えた高
周波加熱炉。 ２ 前記内側容器を構成する高周波発熱する物質
として酸化亜鉛を主成分とする金属酸化物を用い
たことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
高周波加熱炉。 ３ 前記内側容器を構成する高周波発熱する物質
として炭化硅素を主成分とする化合物半導体を用
いたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の高周波加熱炉。 ４ 前記中間容器を構成する耐火断熱体として耐
火断熱れんが（JIS規格Ａ類７種）を用いたこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の高周波
加熱炉。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12173178A JPS5549688A (en) | 1978-10-02 | 1978-10-02 | Highhfrequency heating furnace |
| US06/062,790 US4307277A (en) | 1978-08-03 | 1979-08-01 | Microwave heating oven |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12173178A JPS5549688A (en) | 1978-10-02 | 1978-10-02 | Highhfrequency heating furnace |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5549688A JPS5549688A (en) | 1980-04-10 |
| JPS6138393B2 true JPS6138393B2 (ja) | 1986-08-29 |
Family
ID=14818477
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12173178A Granted JPS5549688A (en) | 1978-08-03 | 1978-10-02 | Highhfrequency heating furnace |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5549688A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6435289U (ja) * | 1987-08-27 | 1989-03-03 | ||
| JPH047793U (ja) * | 1990-05-10 | 1992-01-23 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6166933A (ja) * | 1984-09-10 | 1986-04-05 | Tokyu Constr Co Ltd | 振動センサの特性調査方法及び装置 |
-
1978
- 1978-10-02 JP JP12173178A patent/JPS5549688A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6435289U (ja) * | 1987-08-27 | 1989-03-03 | ||
| JPH047793U (ja) * | 1990-05-10 | 1992-01-23 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5549688A (en) | 1980-04-10 |
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