JPS5839358Y2 - マイクロ波加熱炉 - Google Patents
マイクロ波加熱炉Info
- Publication number
- JPS5839358Y2 JPS5839358Y2 JP8777679U JP8777679U JPS5839358Y2 JP S5839358 Y2 JPS5839358 Y2 JP S5839358Y2 JP 8777679 U JP8777679 U JP 8777679U JP 8777679 U JP8777679 U JP 8777679U JP S5839358 Y2 JPS5839358 Y2 JP S5839358Y2
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- JP
- Japan
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- heated
- heat
- container
- metal
- resistant
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- Constitution Of High-Frequency Heating (AREA)
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- Furnace Housings, Linings, Walls, And Ceilings (AREA)
- Furnace Details (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
この考案は、マイクロ波加熱により被加熱物を高温度に
加熱するためのマイクロ波加熱炉に関し、特に被加熱物
がマイクロ波損失の小さい物質で形成されている場合で
あっても高温度に均一に加熱しうるようにしたマイクロ
波加熱炉に関する。
加熱するためのマイクロ波加熱炉に関し、特に被加熱物
がマイクロ波損失の小さい物質で形成されている場合で
あっても高温度に均一に加熱しうるようにしたマイクロ
波加熱炉に関する。
第１図は、従来のこの種装置の概念的構成を示す断面図
で、１はマイクロ波共振器、３はアンテナ、４は導波管
、５は結合窓、６はスターラフアンで、１〜６でマイク
ロ波照射装置２０を構成する。
で、１はマイクロ波共振器、３はアンテナ、４は導波管
、５は結合窓、６はスターラフアンで、１〜６でマイク
ロ波照射装置２０を構成する。
７は被加熱物、８は耐火断熱容器、９は置台である。
次に動作について説明する。
マイクロ波発生器２で発生したマイクロ波はアンテナ３
を経て導波管４で伝送され、マイクロ波結合窓５を介し
て、マイクロ波共振器１に供給される。
を経て導波管４で伝送され、マイクロ波結合窓５を介し
て、マイクロ波共振器１に供給される。
このマイクロ波共振器１の内部電界はスターラフアン６
の攪拌で均一化され、内部に置かれた被加熱物７を誘電
加熱する。
の攪拌で均一化され、内部に置かれた被加熱物７を誘電
加熱する。
今、被加熱物７の誘電率がε、誘電正接がｔａｎδ、電
界の尖頭値がＥとすれば、単位体積あたりに吸収される
電力Ｐは次式で表わされる。
界の尖頭値がＥとすれば、単位体積あたりに吸収される
電力Ｐは次式で表わされる。
Ｐ ＝４−ωｔ： ｔａｎδＥ２
すなわち、角周波数ωおよび電界Ｅが一定の場合、被加
熱物７の吸収電力はεとｔａｎδの積に比例することが
判る。
熱物７の吸収電力はεとｔａｎδの積に比例することが
判る。
さらに、被加熱物７が不均質で熱伝導の悪い物質の場合
、成る部分の誘電率がＥｌ、誘電正接がｔａｎδＩ、電
界がＥｌ、熱容量がＣ８とすれば、熱の流れを無視した
断熱系と考えると被加熱物７の各部分は次式で表わされ
る温度上昇速度ｄθ／ｄｔで加熱されるので、不均一な
加熱がおこなわれることになる。
、成る部分の誘電率がＥｌ、誘電正接がｔａｎδＩ、電
界がＥｌ、熱容量がＣ８とすれば、熱の流れを無視した
断熱系と考えると被加熱物７の各部分は次式で表わされ
る温度上昇速度ｄθ／ｄｔで加熱されるので、不均一な
加熱がおこなわれることになる。
なお、耐火断熱容器８は被加熱物７の放熱を防止し、高
温度に昇温させるためのものである。
温度に昇温させるためのものである。
従来の装置は以上のように構成されているので被加熱物
の誘電損失（誘電率εと誘電正接ｔａｎδの積で表わさ
れる。
の誘電損失（誘電率εと誘電正接ｔａｎδの積で表わさ
れる。
）が小さいとき、加熱効率が悪く、また誘電損失が大き
くても、被加熱物が不均質であったり、電界分布にむら
がある場合は、被加熱物を均一に加熱することができな
いという欠点があった。
くても、被加熱物が不均質であったり、電界分布にむら
がある場合は、被加熱物を均一に加熱することができな
いという欠点があった。
この考案は上記のような従来のものの欠点を除去するた
めになされたもので、被加熱物を耐熱性金属のルツボ内
に収容するとともにそのルツボを耐火断熱物質で形成さ
れた容器内に収容し、更にこの容器とルツボとの間に誘
電損失が大きく、かつ耐熱性を有する物質で形成された
粒体を充填したものをマイクロ波共振器内においてマイ
クロ波加熱するようにしたものである。
めになされたもので、被加熱物を耐熱性金属のルツボ内
に収容するとともにそのルツボを耐火断熱物質で形成さ
れた容器内に収容し、更にこの容器とルツボとの間に誘
電損失が大きく、かつ耐熱性を有する物質で形成された
粒体を充填したものをマイクロ波共振器内においてマイ
クロ波加熱するようにしたものである。
以下、この考案の一実施例について説明する。
第２図において、１０は被加熱物７を収容する耐熱性金
属例えばステンレス鋼で形成されたルツボ、１１は誘電
損失が大きい←耐熱性の物質←例えば酸化亜鉛を主成分
とする金属酸化物の焼成体である加熱粒体で、耐熱性金
属ルツボ１０と耐火断熱容器８との間に充填されている
。
属例えばステンレス鋼で形成されたルツボ、１１は誘電
損失が大きい←耐熱性の物質←例えば酸化亜鉛を主成分
とする金属酸化物の焼成体である加熱粒体で、耐熱性金
属ルツボ１０と耐火断熱容器８との間に充填されている
。
このようにして被加熱物７を収容せる容器８をマイクロ
波共振器１内に置いてマイクロ波を供給すると、マイク
ロ波は誘電損失の小さな耐火断熱容器８を透過して、加
熱粒体１１を加熱する。
波共振器１内に置いてマイクロ波を供給すると、マイク
ロ波は誘電損失の小さな耐火断熱容器８を透過して、加
熱粒体１１を加熱する。
加熱粒体１１は誘電損失が大きいために、マイクロ波が
効率よく吸収されて昇温シフ、すみやかに高温度に加熱
される。
効率よく吸収されて昇温シフ、すみやかに高温度に加熱
される。
そして加熱粒体１１からの熱伝導によって耐熱性金属ル
ツボ１０も昇温するが、耐熱性金属ルツボは一般にセラ
ミックス製のルツボなどに比べて、熱伝導率が大きいた
め、たとえ加熱粒体１１が不均一に加熱されていても、
断熱性金属ルツボ１０の温度は均一となり、従ってその
内部は均一な熱情射場が形成され、被加熱物も均一に加
熱されることになる。
ツボ１０も昇温するが、耐熱性金属ルツボは一般にセラ
ミックス製のルツボなどに比べて、熱伝導率が大きいた
め、たとえ加熱粒体１１が不均一に加熱されていても、
断熱性金属ルツボ１０の温度は均一となり、従ってその
内部は均一な熱情射場が形成され、被加熱物も均一に加
熱されることになる。
なお金属ルツボの熱容量は小さなものとすることができ
るので、その昇温も速いものとすることができる。
るので、その昇温も速いものとすることができる。
上記実施例では、加熱粒体１１として酸化亜鉛（ＺｎＯ
）を主成分とする金属酸化物を用いた例を示したが、そ
の例に限られるものではなく、例えば炭化硅素５ｉＣ）
、またはランタンクロマイド（ＬａＣｒ０３）を主成分
とする化合物半導体、またはジルコニア（ＺｒＯ２）を
主成分とする物質などの焼結体も同様に適用できる。
）を主成分とする金属酸化物を用いた例を示したが、そ
の例に限られるものではなく、例えば炭化硅素５ｉＣ）
、またはランタンクロマイド（ＬａＣｒ０３）を主成分
とする化合物半導体、またはジルコニア（ＺｒＯ２）を
主成分とする物質などの焼結体も同様に適用できる。
また、上記実施例では金属ルツボは上方開口のものを示
したが必ずしも開口させておく必要はなく、金属蓋をし
た上を加熱粒体で覆い、更に耐火断熱容器の蓋で覆う構
成としてもよい。
したが必ずしも開口させておく必要はなく、金属蓋をし
た上を加熱粒体で覆い、更に耐火断熱容器の蓋で覆う構
成としてもよい。
第３図および第４図はこの考案にかかる容器の他の実施
例で、第３図は横断面図、第４図は縦断面図である。
例で、第３図は横断面図、第４図は縦断面図である。
図において、１０ａは金属ルツボ１０と同質の金属で形
成されている蓋、１２はステンレス鋼、アルミニウム、
銅などの金属薄板で形成した筒体で、耐火断熱容器８の
表面を覆い、幅対熱を反射して保温効果を高めるための
ものである。
成されている蓋、１２はステンレス鋼、アルミニウム、
銅などの金属薄板で形成した筒体で、耐火断熱容器８の
表面を覆い、幅対熱を反射して保温効果を高めるための
ものである。
なおこの筒体１２は開口部を有し、この開口部からマイ
クロ波が内部に入射しうる形状に形成されている。
クロ波が内部に入射しうる形状に形成されている。
このように構成すると、金属ルツボ１０内はいっそう均
一な熱情射場を形成しつるとともに耐火断熱容器８の表
面からの熱輻射損失を少なくできるので、同じ入力の場
合より高温度に加熱することができる。
一な熱情射場を形成しつるとともに耐火断熱容器８の表
面からの熱輻射損失を少なくできるので、同じ入力の場
合より高温度に加熱することができる。
以上のようにこの考案は、内部に被加熱物を収容しうる
形状に耐熱性金属で形成された金属容器と、この金属容
器を収容する耐火断熱材で形成された耐火断熱容器と、
誘電損失が大きくかつ耐熱性の物質で形成され上記耐火
断熱容器とそのなかに収容された上記金属容器との間に
充填された加熱粒体と、上記耐火断熱容器をとおして上
記加熱粒体にマイクロ波を照射するマイクロ波照射装置
とで構成されたもので、金属容器内を均一な熱情射場に
なしうるので被加熱物を均一にマイクロ波加熱すること
ができる。
形状に耐熱性金属で形成された金属容器と、この金属容
器を収容する耐火断熱材で形成された耐火断熱容器と、
誘電損失が大きくかつ耐熱性の物質で形成され上記耐火
断熱容器とそのなかに収容された上記金属容器との間に
充填された加熱粒体と、上記耐火断熱容器をとおして上
記加熱粒体にマイクロ波を照射するマイクロ波照射装置
とで構成されたもので、金属容器内を均一な熱情射場に
なしうるので被加熱物を均一にマイクロ波加熱すること
ができる。
第１図は従来のマイクロ波加熱を利用した加熱炉の概念
的構成を示す断面図、第２図はこの考案の一実施例を示
す断面図、第３図はこの考案に係る耐火断熱容器の他の
実施例の横断面図、第４図はその縦断面図である。 図において、１はマイクロ波共振器、７は被加熱物、８
は耐火断熱容器、１０は耐熱性金属ルツボ、１１は加熱
粒体、１２は反射筒、２０はマイクロ波照射装置である
。 なお、各図中同一符号はそれぞれ同一または相当部分を
示す。
的構成を示す断面図、第２図はこの考案の一実施例を示
す断面図、第３図はこの考案に係る耐火断熱容器の他の
実施例の横断面図、第４図はその縦断面図である。 図において、１はマイクロ波共振器、７は被加熱物、８
は耐火断熱容器、１０は耐熱性金属ルツボ、１１は加熱
粒体、１２は反射筒、２０はマイクロ波照射装置である
。 なお、各図中同一符号はそれぞれ同一または相当部分を
示す。
Claims (1)
- 内部に被加熱物を収容しうる形状に耐熱性金属で形成さ
れた金属容器と、この金属容器を収容する耐火断熱材で
形成された耐火断熱容器と、誘電損失が大きくかつ耐熱
性の物質で形成され上記耐火断熱容器とその中に収容さ
れた上記金属容器との間に充填された加熱粒体と、上記
耐火断熱容器をとおして上記加熱粒体にマイクロ波を照
射するマイクロ波照射装置とを備え上記耐火断熱容器が
その表面の一部を残して金属薄板で覆われている構成と
したことを特徴とするマイクロ波加熱炉。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8777679U JPS5839358Y2 (ja) | 1979-06-26 | 1979-06-26 | マイクロ波加熱炉 |
| US06/062,790 US4307277A (en) | 1978-08-03 | 1979-08-01 | Microwave heating oven |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8777679U JPS5839358Y2 (ja) | 1979-06-26 | 1979-06-26 | マイクロ波加熱炉 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS566000U JPS566000U (ja) | 1981-01-20 |
| JPS5839358Y2 true JPS5839358Y2 (ja) | 1983-09-05 |
Family
ID=29320978
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8777679U Expired JPS5839358Y2 (ja) | 1978-08-03 | 1979-06-26 | マイクロ波加熱炉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5839358Y2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020196971A1 (ko) * | 2019-03-28 | 2020-10-01 | 주식회사 세지테크 | 마이크로파 가열로 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59151797A (ja) * | 1983-02-16 | 1984-08-30 | 東京電子技研株式会社 | マイクロ波溶融炉 |
| JP6310712B2 (ja) * | 2014-01-31 | 2018-04-11 | 初一 松本 | 放射性汚染水濃縮装置及びその装置を用いた放射性汚染水処理方法 |
| WO2016156275A1 (fr) * | 2015-03-27 | 2016-10-06 | Centre National De La Recherche Scientifique | Procédé de traitement thermique de revêtement de surface sur une pièce métallique par micro-ondes |
-
1979
- 1979-06-26 JP JP8777679U patent/JPS5839358Y2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020196971A1 (ko) * | 2019-03-28 | 2020-10-01 | 주식회사 세지테크 | 마이크로파 가열로 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS566000U (ja) | 1981-01-20 |
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