JPS6138179Y2 - - Google Patents
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- JPS6138179Y2 JPS6138179Y2 JP1980171261U JP17126180U JPS6138179Y2 JP S6138179 Y2 JPS6138179 Y2 JP S6138179Y2 JP 1980171261 U JP1980171261 U JP 1980171261U JP 17126180 U JP17126180 U JP 17126180U JP S6138179 Y2 JPS6138179 Y2 JP S6138179Y2
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- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 22
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は冷却型光電変換装置、特に冷却台上に
配設するコバール板と、複数の受光セルを配列し
てなる光電変換素子の端子導出用導電膜を形成せ
るセラミツク端子板との接合構造の改良に関する
ものである。
配設するコバール板と、複数の受光セルを配列し
てなる光電変換素子の端子導出用導電膜を形成せ
るセラミツク端子板との接合構造の改良に関する
ものである。
従来の冷却型光電変換装置は、例えばステンレ
ス等からなる金属製の２重管構造の気密容器から
なり、その外管の一部に透光窓が設けられ、該透
光窓に対向した内管の真空側管壁に光電変換素子
（赤外線検知素子等）を配設した構成をそなえて
いる。即ち第１図はそのような従来の光電変換装
置の構成を示しており、図において１は、例えば
ステンレス等からなる外管、２は、この場合コバ
ールリング２ａ、ガラス管２ｂ及び冷却台２ｃの
３者で形成された内管であつて、これら２つの筒
体でデユワ構造の気密容器を構成している。４は
前記外管１の外側に設けた透光窓、５は、前記冷
却台２ｃ上にコバール板６を介して絶縁関係に配
設された赤外線検知素子等からなる光電変換素子
であり、該変換素子５には、リード端子８よりリ
ード線９及び端子導出用導電膜を形成してなるセ
ラミツク端子板７を介して電圧が印加される。そ
して前記光電変換素子５を常温よりはるかに低温
に冷却し、良好に動作させるため、該変換素子５
を配設した冷却台２ｃに冷却器１０の寒冷発生部
に連なる冷却ヘツド９を図示のように付設して、
前記冷却台２ｃを介して光電変換素子５を効率良
く冷却する構造としている。
ス等からなる金属製の２重管構造の気密容器から
なり、その外管の一部に透光窓が設けられ、該透
光窓に対向した内管の真空側管壁に光電変換素子
（赤外線検知素子等）を配設した構成をそなえて
いる。即ち第１図はそのような従来の光電変換装
置の構成を示しており、図において１は、例えば
ステンレス等からなる外管、２は、この場合コバ
ールリング２ａ、ガラス管２ｂ及び冷却台２ｃの
３者で形成された内管であつて、これら２つの筒
体でデユワ構造の気密容器を構成している。４は
前記外管１の外側に設けた透光窓、５は、前記冷
却台２ｃ上にコバール板６を介して絶縁関係に配
設された赤外線検知素子等からなる光電変換素子
であり、該変換素子５には、リード端子８よりリ
ード線９及び端子導出用導電膜を形成してなるセ
ラミツク端子板７を介して電圧が印加される。そ
して前記光電変換素子５を常温よりはるかに低温
に冷却し、良好に動作させるため、該変換素子５
を配設した冷却台２ｃに冷却器１０の寒冷発生部
に連なる冷却ヘツド９を図示のように付設して、
前記冷却台２ｃを介して光電変換素子５を効率良
く冷却する構造としている。
ところで上述のごとき従来の光電換装置にあつ
ては、光電変換素子５を載置するコバール板６上
に前記セラミツク（Al2O3）端子板７を固着する
のに例えば銀（Ag）72％−銅（Cu）28％からな
る共晶合金鑞を用いて溶着する構成がとられてい
る。ところが前記コバール板６の厚さが約１mm、
これに対して鑞着するセラミツク端子板（接着面
にはメタライズ層が施されている）７が約0.5mm
厚と、それぞれの部材が薄板状であり、また前記
共晶合金鑞による溶着温度が780℃程度と高温で
あるため、この温度におけるコバール板６の熱膨
張係数（103×10-7℃-1）とセラミツク端子板７の
熱膨張係数（75×10-7℃-1）との差が28×10-7℃-1
と大きく、これに起因して、前記セラミツク端子
板７を鑞着したコバール板６がそつてしまうとい
つた不都合が生じる。特に前記コバール板６に載
置される光電変換素子５が多素化されると、これ
に比例して前記コバール板６及びセラミツク端子
板７が長くなり、前記そりがいつそう著しくな
り、かかるコバール板６上に前記光電変換素子５
を密接して配置することや、該コバール板６を前
記冷却台２ｃ上に沿わせて固着することが困難と
なり、該変換素子の冷却効率を低下させる欠点が
あつた。
ては、光電変換素子５を載置するコバール板６上
に前記セラミツク（Al2O3）端子板７を固着する
のに例えば銀（Ag）72％−銅（Cu）28％からな
る共晶合金鑞を用いて溶着する構成がとられてい
る。ところが前記コバール板６の厚さが約１mm、
これに対して鑞着するセラミツク端子板（接着面
にはメタライズ層が施されている）７が約0.5mm
厚と、それぞれの部材が薄板状であり、また前記
共晶合金鑞による溶着温度が780℃程度と高温で
あるため、この温度におけるコバール板６の熱膨
張係数（103×10-7℃-1）とセラミツク端子板７の
熱膨張係数（75×10-7℃-1）との差が28×10-7℃-1
と大きく、これに起因して、前記セラミツク端子
板７を鑞着したコバール板６がそつてしまうとい
つた不都合が生じる。特に前記コバール板６に載
置される光電変換素子５が多素化されると、これ
に比例して前記コバール板６及びセラミツク端子
板７が長くなり、前記そりがいつそう著しくな
り、かかるコバール板６上に前記光電変換素子５
を密接して配置することや、該コバール板６を前
記冷却台２ｃ上に沿わせて固着することが困難と
なり、該変換素子の冷却効率を低下させる欠点が
あつた。
本考案は上記従来の欠点を解消するため、コバ
ール板とセラミツク端子板とを、それぞれの熱膨
張係数が等しくなる温度あるいは近傍温度におい
て固相化するアルミニウムを主材とした鑞材で接
着した構成とし、従来の如きそりが生ずることな
く、冷却効率のよい新規な冷却型光電変換装置を
提供することを目的とするものである。
ール板とセラミツク端子板とを、それぞれの熱膨
張係数が等しくなる温度あるいは近傍温度におい
て固相化するアルミニウムを主材とした鑞材で接
着した構成とし、従来の如きそりが生ずることな
く、冷却効率のよい新規な冷却型光電変換装置を
提供することを目的とするものである。
以下図面を用いて本考案に係る一実施例につい
て詳細に説明する。第２図は本考案に係る光電変
換装置の複数の受光セルを配列せる光電変換素子
を載置するコバール板２１上に、前記受光セルの
端子導出用導電膜２３を形成せるセラミツク端子
板２２を鑞着した構成を示す上面図であり、第３
図は、第２図の−′切断線に沿つた断面図で
ある。本実施例では上記両図のように構成された
コバール板２１とセラミツク端子板の接合構造が
熱膨張係数の差によつてそるといつた不都合を排
除するため、コバール（Fe−Ni−Co合金）とセ
ラミツク（Al2O3）の熱膨張係数がほぼ等しくな
る温度、即ち約550℃程度で固相化する鑞材、例
えば、アルミニウム（Al）80％以上を主材と
し、その他珪素（Si）、銅（Cu）等を含むアルミ
ニウム合金からなる鑞材（鑞付け温度570〜620
℃）２４を用いて前記コバール板２１とセラミツ
ク端子板２２とを鑞着する。かかる構成とすれ
ば、コバール板２１とセラミツク端子板２２の接
合構造が従来のようにそるといつた変形が解消さ
れ、このように構成されたコバール板２１上に図
示しない複数の受光セルを配列せる光電変換素子
を容易に密着状態に取付けることができる。また
上記のように、セラミツク端子板２２及び光電変
換素子が配設されたコバール板を、該装置の冷却
台上に密着配置することも容易となる。
て詳細に説明する。第２図は本考案に係る光電変
換装置の複数の受光セルを配列せる光電変換素子
を載置するコバール板２１上に、前記受光セルの
端子導出用導電膜２３を形成せるセラミツク端子
板２２を鑞着した構成を示す上面図であり、第３
図は、第２図の−′切断線に沿つた断面図で
ある。本実施例では上記両図のように構成された
コバール板２１とセラミツク端子板の接合構造が
熱膨張係数の差によつてそるといつた不都合を排
除するため、コバール（Fe−Ni−Co合金）とセ
ラミツク（Al2O3）の熱膨張係数がほぼ等しくな
る温度、即ち約550℃程度で固相化する鑞材、例
えば、アルミニウム（Al）80％以上を主材と
し、その他珪素（Si）、銅（Cu）等を含むアルミ
ニウム合金からなる鑞材（鑞付け温度570〜620
℃）２４を用いて前記コバール板２１とセラミツ
ク端子板２２とを鑞着する。かかる構成とすれ
ば、コバール板２１とセラミツク端子板２２の接
合構造が従来のようにそるといつた変形が解消さ
れ、このように構成されたコバール板２１上に図
示しない複数の受光セルを配列せる光電変換素子
を容易に密着状態に取付けることができる。また
上記のように、セラミツク端子板２２及び光電変
換素子が配設されたコバール板を、該装置の冷却
台上に密着配置することも容易となる。
なお第４図は、コバール（Fe−Ni−Co合金）
とセラミツク（Al2O3）の温度に対する平均の熱
膨張係数の変化を示すもので、図中Ａは、コバー
ルの熱膨張係数曲線、Ｂはセラミツクの熱膨張係
数曲線、Ｃは、コバールとセラミツクの熱膨張係
数が同等となる温度点を示す。本考案はこの第４
図のＣ点近傍の温度で固相化する鑞材としてAl
合金鑞を用いた点に特徴を有するものである。
とセラミツク（Al2O3）の温度に対する平均の熱
膨張係数の変化を示すもので、図中Ａは、コバー
ルの熱膨張係数曲線、Ｂはセラミツクの熱膨張係
数曲線、Ｃは、コバールとセラミツクの熱膨張係
数が同等となる温度点を示す。本考案はこの第４
図のＣ点近傍の温度で固相化する鑞材としてAl
合金鑞を用いた点に特徴を有するものである。
以上の説明から明らかなように本考案に従つて
冷却台上に配設するコバール板と、光電変換素子
の複数の各受光セルに対する端子導出用導電膜が
形成されたセラミツク端子板とを、該両者の熱膨
張係数がほぼ一致する温度で固相化するアルミニ
ウムを主材とした鑞材を用いて接合した構造とす
れば、接合面にそりを生ずるといつた従来の不都
合が解消され、上記構成のコバール板上に複数の
受光セルを配列してなる光電変換素子を密接状態
で取付けることが容易となる。また該コバール板
を、当該装置の冷却台上に密着配置することが可
能となるので、光電変換素子の冷却効率が向上す
る利点があり、多素子構造の赤外線検知器等の冷
却型光電変換装置に適用して極めて有利である。
冷却台上に配設するコバール板と、光電変換素子
の複数の各受光セルに対する端子導出用導電膜が
形成されたセラミツク端子板とを、該両者の熱膨
張係数がほぼ一致する温度で固相化するアルミニ
ウムを主材とした鑞材を用いて接合した構造とす
れば、接合面にそりを生ずるといつた従来の不都
合が解消され、上記構成のコバール板上に複数の
受光セルを配列してなる光電変換素子を密接状態
で取付けることが容易となる。また該コバール板
を、当該装置の冷却台上に密着配置することが可
能となるので、光電変換素子の冷却効率が向上す
る利点があり、多素子構造の赤外線検知器等の冷
却型光電変換装置に適用して極めて有利である。
第１図は従来の冷却型光電変換装置を説明する
要部断面図、第２図は、本考案に係る冷却型光電
変換装置のコバール板とセラミツク端子板の接合
構造の一実施例を示す上面図、第３図は、第２図
の−′切断線に沿つた断面図、第４図は、コ
バール（Fe−Ni−Co合金）とセラミツク
（Al2O3）の30℃からＴ℃における平均の熱膨張係
数の関係を示すグラフである。 図において、２１はコバール板、２２はセラミ
ツク端子板、２３は、端子導出用導電膜、２４は
アルミニウムを主材とする鑞材を示す。
要部断面図、第２図は、本考案に係る冷却型光電
変換装置のコバール板とセラミツク端子板の接合
構造の一実施例を示す上面図、第３図は、第２図
の−′切断線に沿つた断面図、第４図は、コ
バール（Fe−Ni−Co合金）とセラミツク
（Al2O3）の30℃からＴ℃における平均の熱膨張係
数の関係を示すグラフである。 図において、２１はコバール板、２２はセラミ
ツク端子板、２３は、端子導出用導電膜、２４は
アルミニウムを主材とする鑞材を示す。
Claims (1)
- 冷却台に接合されたコバール板上に、複数の受
光セルを配列してなる光電変換素子が配設され、
かつ該光電変換素子の側方に前記各受光セルの端
子導出用導電膜を形成したセラミツク端子板を固
着した構成を有する光電変換装置において、前記
セラミツク端子板をコバール板上にAlを主材と
した鑞材で接着したことを特徴とする冷却型光電
変換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1980171261U JPS6138179Y2 (ja) | 1980-11-28 | 1980-11-28 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1980171261U JPS6138179Y2 (ja) | 1980-11-28 | 1980-11-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5793161U JPS5793161U (ja) | 1982-06-08 |
| JPS6138179Y2 true JPS6138179Y2 (ja) | 1986-11-05 |
Family
ID=29529624
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1980171261U Expired JPS6138179Y2 (ja) | 1980-11-28 | 1980-11-28 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6138179Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2629942B2 (ja) * | 1989-02-15 | 1997-07-16 | 三菱電機株式会社 | 赤外線イメージセンサ装置 |
-
1980
- 1980-11-28 JP JP1980171261U patent/JPS6138179Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5793161U (ja) | 1982-06-08 |
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