JPS6137883A - 電界発光素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、電界発光を行なう電界発光素子［エレクトロ
ルミネッセンス（Ｅ　Ｌ）素子］に関し、くわしくは、
独立した２つの発光層を有し、これらのそれぞれを個々
に制御することにより、発光の色調や強度等を自由に制
御することができ、しかも、十分な輝度を有するＥＬ実
素子関する。

〔従来技術〕

ＥＬ実素子、一般にＥＬ機能を有する材料、すなわち電
界内に置かれた際に光を発する機能を有する材料を含む
発光層を２つの電極間に配置した構造を有し、これら電
極間に電圧を印加することにより電界を発生させて電気
エネルギーを直接光に変換して光を発生する発光素子で
あり、例えば白熱電球のようにフィラメントを白熱させ
て発光させる、あるいは蛍光灯のように電気的に励起し
た気体が蛍光体にエネルギーを付与して発光させるなど
の従来の発光方式とは異なり、薄型のパネル状、ベルト
状、円筒状等の種々の形状の例えば、ランプや線、図、
画像等の表示に用いる表示媒体の構成部材として、ある
いは大面積のパネルランプ等の発光体を実現化できる可
能性を有するものとして注目されている。

ＥＬ素子に用いられるＥＬ機能を有する材料としては、
従来、Ｍｎ、　ＣｕまたはＲｅＦ３　（Ｒｅは希土類を
表わす）等を賦活剤として含むＺｎＳ等の無機金属材料
が主に使用されてきており、また、最近では、特開昭５
８−１７２８９１公報により、アントラセン、ピレン若
しくはペリレンまたはこれらの誘導体を発光層用材料と
して用いたＥＬ素子が知゛られているように、種々の薄
膜形成法により精度良い薄膜の形成が可能である有機化
合物材料がＥＬ素子用の材料として注目されている。

このようなＥＬ素子の発する光の色は、主に、発光層に
使用する材料を適宜選択して組合わせたり、電界の強度
を変化させたりして制御することが可能である。

しかしながら、現在知られているＥＬ素子の発光層を形
成することのできる材料を用いてＥＬ素子を形成した場
合、発光の色や強度がある程度限られてしまい、しかも
１つのＥＬ素子に於いて、発光色を大きく変化させたり
、色調を微妙に調節したり、発光の強弱を自由に制御す
ることはほぼ困難であった。

一方、上記のＺｎＳを主体とする無機金属材料を用いて
蒸着法等の薄膜形成法により薄膜の発光層を形成し、い
わゆる薄膜型のＥＬ素子を製造した場合、製造コストが
非常に高くなってしまうという問題があり、また大面積
の均一な薄膜からなる発光層の形成が非常に困難である
ため、品質の良い大面積のＥＬ素子を量産性良く製造す
ることはできなかった。

これに対して、量産性に富み、コスト的に有利であるＥ
Ｌ素子として、上記のＺｎＳを主体とするＥＬ無機材料
を有機バインダー中に分散して発光層を形成した真性Ｅ
Ｌ方式の有機粉末型ＥＬ素子が知られている。

ところが、この粉末型のＥＬ素子に於いては、層厚を薄
く形成すると、その発光層にピンホール等の欠陥が生じ
易く、発光特性を十分に高めるために、発光層の層厚を
一定以上薄くするには構造上の限界があり、十分な発光
、特に高い輝度を得ることかできず、また層厚が比較的
厚くなるので、より強い電界を発生させるために、電力
消費が多くなるなどの問題点を有していた。この粉末型
のＥＬ素子の有する発光層内に、より強い電界を発生さ
せるためにフッ化ビニリデン系重合体からなる中間誘電
体層を設けた改良型の粉末型ＥＬ素子が、特開昭５８−
１７２８９１公報によって知られているが、輝度、電力
消費等に於いて満足のいく性能が得られていないのが現
状である。

前記のアントラセン等の有機材料を用いた、このＥＬ素
子に於いても、発光層が精度良い薄膜として形成されて
はいるものの、キャリアーである電子あるいはホールの
密度が非常に小さく、キャリアーの移動や再結合等によ
る機能分子の励起確率が低く、効率の良い発光が得られ
ず、特に電力消費や輝度の点で満足できるものとなって
いないのが現状である。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、１つのＥＬ素子に於いて発光色を大き
く変化させたり、色調を微妙に調節したり、発光の強弱
を自由に制御することが可能な構造を有する新規なＥＬ
素子を提供することにある。

本発明の他の目的は、ＥＬ素子用の種々の材料を適宜選
択し、その材料に最適な薄膜形成法を組合わせて形成す
ることができ、発光効率が良好であり、低電圧駆動でも
十分な輝度が得られ、安価でかつ製造容易な構造を有す
る新規なＥＬ素子を提供することにある。

〔発明の構成〕

すなわち、本発明の電界発光素子は、少なくとも一方が
透明である２つの電極層と、これら２つの電極層間に設
けられた、２つの発光層と、これら２つの発光層間に設
けられた透明または半透明な電極層とを有してなり、前
記２つの発光層のいずれか一方が有機化合物の単分子膜
または単分子累積膜からなる層を有してなるものである
。

本発明のＥＬ素子は、一対の電極層間に設けられた２つ
の独立した発光層が積層された構造を有し、それぞれの
発光層を個々に制御して発光の色や強度を所望に応じて
変化させることが可能であり、また十分な輝度を有する
発光を行なうことのできるものである。

以下、図面を用いて本発明のＥＬ素子の一例を詳細に説
明する。

第１図は、本発明のＥＬ素子の模式的断面図である。

ｌ、２及び３は電圧が印加されることによって電界を発
生させるための電極層であり、１は発光層４と発光層５
とで発生した光が合成されて取り出される透明な電極層
である。４及び５は、ＥＬ機能を有する発光層であり、
発光層４は、電極層１と３によって発生した電界により
発光し、発光層５は電極層２と３によって発生した電界
により発光する。従って、電極層３は発光層４と５とに
対して共通電極となっており、発光層５で発生した光を
発光層４側へ透過させる機能を有し、透明でも、主に発
光層４側へのみ光を透過させるような半透明な層でも良
い。

なお、第１図に示した本発明のＥＬ素子の一例に於いて
は、電極層ｌ及び電極層２のうち電極層ｌが透明電極と
して設けられているが、電極層２のみが、あるいはこれ
ら両方が透明であっても良い。電極層２のみが透明であ
る場合には、電極層３は、少なくとも発光層４から発光
層５側へ光を透過させる機能を有するように設けられ、
また電極層ｌ及び電極層２の両方が透明である場合には
、電極層３は発光層４から発光層５側へ光を透過させる
とともに、これと逆方向にも光を透過できるように設け
られる。

発光層４と発光層５は、それぞれが同様の機能を有する
ものであっても良く、例えば発光色や輝度が異なるよう
に、それぞれが異なる機能を有するものであっても良い
。

以下、本発明のＥＬ素子の有する発光層４及び発光層５
の基本的構造について説明する。

発光層４，５は、主に相対的に電子受容性を示す有機化
合物を含む第１の層と、主に相対的に電子供与性を示す
有機化合物を含む第２の層と、電気絶縁性を有する第３
の層とを有し、これらの層が、前記第３の層上に前記第
１の層、第２の層及び第３の層がこの順に２回以上繰り
返されて積層された基本的構造を有するものである。そ
して、発光層４及び発光層５のいずれか一方の有する第
１の層、第２の層及び第３の層のうち少なくとも１つの
層が、該層を形成することのできる有機化合物の単分子
膜または単分子累積膜から形成されているものである。

すなわち本発明のＥＬ素子の有する発光層ｌ±。

相対的に電子受容性を示す有機化合物（以後ＥＡ化合物
と略称する）と、相対的に電子供与性を示す有機化合物
（以後ＥＤ化合物と略称する）が互いに接触する位置に
配置された構造を有し、これら化合物が電界中に置かれ
た時のこれら化合物間の電子の授受に伴なう励起錯体の
形成に基づく発光作用を主な発光源として有するもので
あり、しかもこのような励起錯体が電界の発生とともに
効率良く形成されるのに好適な構造を有するものである
。

このような構造の発光Ｍ４．５の一例を８２図の模式的
断面図に示す。

２５．２Ｇは電圧が印加されることによって電界を発生
させるための電極層であり、２０ばＥＬ機能を有する発
光層である。第２図に示された電極層のうち、電極層２
５ば、第１図に示した本発明のＥＬ素子の電極層３に、
また電極層２６は該ＥＬ素子の電極層１または２にそれ
ぞれ相当する。

発光層２０は、上下両端に積層された絶縁層として機能
する第３の層２３−１．２３−３の間に、第１の層２１
−１．２１−２、第２の層２２−１．２２−２及び第３
の層２３−２が交互に繰返されて積層された多層構造と
なっている。なお、単分子膜または単分子累積膜を有す
る発光層の場合には、第１の層２１−１．２１−２、第
２の層２２−１．２２−２及び第３の層２３−１．２３
−２．２３−３のうちの少なくとも１つの層が、該層を
形成することのできる有機化合物の単分子膜あるいはそ
の累ｖＸＩＩ５！から形成されている。

発光層の有する第１の層２１−１は、第２の層２２−１
に主に含まれる前述したＥＤ化合物に対してＥＡ化合物
となり得る化合物を含み、この第１の層２１−１に直接
接して積層された第２の層２２−１は、第１の層２１−
１に主に含まれたＥＡ化合物に対してＥＤ化合物となり
得る化合物を含み、これら第１の層２１−１と第２層２
２−１の界面２４−１がＥＡ化合物とＥＤ化合物との接
触面となっている。第１の層２１−２と第２の層２２−
２の関係もこれと同様であり、これらの層によって界面
２４−２が独自に形成されている。

これらの界面２４−１．２４−２に於いて、電極１．２
に電圧が印加されて発光層３に電界がかけられたときに
、ＥＡ化合物とＥＤ化合物が励起状態にある錯体を形成
し、この励起錯体が基底状態に戻る際に、励起状態にあ
る錯体、ＥＡ化合物及び／またはＥＤ化合物から励起エ
ネルギーが光として発生される。このように、本発明の
ＥＬ素子に於ける発光は、この界面２４−１．２４−２
に於ける発光を主な発光源とするものである。

本発明のＥＬ素子の有する発光層を構成する第１の層２
１−１．２１−２及び第２の層２２−１．２２−２は、
以下に示すような電界励起錯体の形成に直接関与する化
合物分子を、または該化合物分子の少なくとも１つを機
能性部分として有する化合物分子を含有している。

このような電界励起錯体の形成に直接関与する化合物分
子の発光層２０内の配置としてぽ、以下のような組み合
わせを代表的なものとして挙げることができる。

（ａ）第１の層２１−１．２１−２と第２の層２２−１
．２２−２のそれぞれに励起錯体形成に基づ（Ｅ１機能
を右する（主に発光を行なう）化合物分子が配置されて
いる。

（）ｌ）第１の層２１−１．２１−２に励起錯体形成に
基づ＜ＥＬ機能を右する化合物分子が配置され、これら
化合物分子に対して電子供与体となり得る化合物（ＥＤ
化合物）分子がそれぞれ第２の層２２−１．２２−２に
配置されている。

（Ｃ）第２の層２２−１．２２−２に励起錯体形成に基
づ＜ＥＬ機能を有する化合物分子が配置され、これら化
合物に対して電子受容体となり得る化合物（ＥＡ化合物
）分子がそれぞれ＄１の層２１−１．２１−２に配置さ
れている。

上記の励起錯体形成に基づ＜ＥＬ機能を有する化合物と
して１±、高い発光量子効率を持ち、外部摂動を受は易
いπ電子系を有し、容易に電界励起する有機化合物が好
適に用いられる。

このような化合物として１±、例えば縮合多環芳香族炭
化水素、ｐ−ターフ−ニル、２，５−ジフェニルオキサ
ゾール、１．４−ｂｉｓ−（２−メチルスチリル）−ベ
ンゼン、キサンチン、クマリン、アクリジン、シアこン
色素、ベンゾフェノン、フタロシアニン、フタロシアニ
ンの金属錯体、ポルフィリン、ポルフィリンの金属錯体
、８−ヒドロキシキノリン、８−ヒドロキシキノリンの
金属錯体、ルテニウム錯体、稀土類錯体及びこれらの化
合物の誘導体、並びに上記以外の複素環式化合物及びそ
の誘導体、芳香族アミン、芳香族ポリアミン及びキノン
構造を有する化合物のなかで励起錯体形成に基づ＜　Ｅ
　Ｌ　ａ能を有する化合物を挙げることかでｙ、これら
化合物の中から、相対的にＥＡ化合物となり得るもの１
種以上と、ＥＤ化合物となり得るもの１種以上とを所望
に応じて選択して組み合わせ、蒸着法、ＣＶＤ法や後に
述べる単分子累積法等の薄膜形成法を適宜適用して、前
記した第１の層と第２の層の構成（ａ）を有する発光層
を形成することができる。

更に、上記の励起錯体形成に基づくＥＬ機能を有する化
合物に対して電子受容体またｉ±電子供与体となり得る
化合物として１ｉ：、上記した化合物以外の複素環式化
合物及びその誘導体、芳香族アミン、芳香族ポリアミン
、キノン構造を有する化合物、テトラシアノキノジメタ
ン並びにテトラシアノエチレン等を挙げることができ、
先に挙げた化合物とこれら化合物とを適宜選択して組み
合わせて、前記した第１の層と第２の層の構成（ｂ）ま
たは（ｃ）を有する発光層を形成することができる。

なお、これまで挙げた機能性部分を形成することのでき
る化合物は、励起錯体形成に基づかない発光を行なう機
能を備えた化合物であっても良く、本発明のＥＬ素子に
於ける発光ｔ±、第１の層と第２の層の界面２４−１．
２４−２に於ける発光のみに限定されるもので６士なく
、第１の層２１−１．２１−２及び／または第２の層２
２−１．２２−２内に於いて発光が行なわれる場合をも
含むものであっても良い。

また、第１の層２１−１．２１−２にばＥＡ化合物の他
に、該ＥＡ化合物との電気化学的相互作用によりＥＡ化
合物の電界励起効率を高めたり１発光色等を制御したり
、あるいは第１の層の強度を高めたり、他の層との接着
性を向上させるなどのための他の成分を含有させても良
く、第２の層についてもこれと同様にＥＤ化合物以外の
化合物を含有したものであっても良い。これらのＥＡ化
合物及びＥＤ化合物以外の化合物自身もまた、ＥＬ機能
を有するものであっても良い。

ＥＡ化合物あるいはＥＤ化合物との電気化学的相互作用
によりＥＡ化合物の電界励起効率を高めることのできる
ものとしてｔ±、ＥＡ化合物に対して電子受容体またば
電子供与体となり得る化合物、ＥＤ化合物に体して電子
受容体または電子供与体となり得る化合物等を挙げるこ
とができる。

二のような、化合物としては前記した励起錯体の形成に
基づ＜ＥＬ機能を有する（主に発光を行なう）化合物、
該化合物に対して電子供与体芳しく１士電子受容体とな
り得る化合物、励起エネルギーの移動により、発光体と
なり得る化合物及びこれら化合物分子を機能性部分とし
て少なくとも１つ有する化合物等を挙げることができ、
第１の層及び第２の層を形成する際には、これらの化合
物の１種以上を、第１の層及び第２の層の主成分として
用いられる化合物（ＥＡ化合物及びＥＤ化合物）に応じ
て適宜選択して用いることができる。

このような化合物を第１の層及び／またｔ±第２の層に
含有させる場合の混合量は、第１の層及び第２の層に用
いられる化合物に応じて異なり、−概には規定できない
が、通常、ＥＡ化合物に対して電子受容体または電子供
与体となり得る第１の層に含まれる化合物については、
ＥＡ化合物に対して、１０モル％〜０．１モル％、また
ＥＤ化合物に対して電子受容体または電子供与体となり
得る第２の層に含まれる化合物については、１０モル％
〜０．１モル％程度とされる。

第１の層２１−１．２１−２及び第２の層２２−１．２
２−２のうちの少なくとも１つの層を、該層を構成する
ことのできる化合物の単分子膜または単分子累積膜とし
て形成する場合には、高秩序の分子配向と配列を可能と
し、超薄ｌｌ５２層を簡易に形成できる、いわゆる単分
子累積法を好適に適用することができる。

この単分子累積法は、以下のような原理に基づくもので
ある。すなわち１例えば分子内に親木性部分と疎水性部
分を有する分子に於いて、両者のバランス（両親媒性の
バランス）が適度に保たれているとき、このような分子
の多数が水面上で親水性部分を下に向けて単分子の層を
形成する。この単分子層は二次元系の特徴を有し、これ
ら分子がまばらに散開しているときば、一分子当たりの
面積Ａと表面圧■との間に二次元理想気体の式；ｎＡ＝
ｋＴ　（ｋ　；ポルツマン定数、Ｔ：絶対温度）が成り
立ち、これら分子ｔ±゛気体膜”を形成するが、Ａを十
分に小さくすると分子間相互作用が強まりこれら分子は
二次元固体の゛凝縮膜（または固体膜）゛を形成する。

この凝縮１１５！ばガラス等の基板の表面に移し取るこ
とができ、基板上に超薄膜の単分子膜またはその累積膜
を形成することができる。

この方法によれば、単分子膜を形成する分子の配列され
る向きは、例えば構成分子の親水性部分のほぼ全てが基
板側に高秩序で配向されるなど、１つの単分子膜内で一
様とすることができる。

従って、本発明のＥＬ素子の第１の層及び／また１士第
２の層を単分子膜また単分子累積膜とすることによって
、単分子膜また１主型分子累清膜として形成された層に
含まれる励起錯体形成に直接関与する化合物分子からな
る機能性部分を第１の層と第２の層の界面に高密度に配
置することが可能となる。

この単分子累積法に於ける単分子形成用の溶液としてば
、種々の溶液を使用することができ、この使用される溶
液に応じて、該溶液に対する親媒性の異なる部分をバラ
ンス良く有する単分子膜形成用化合物を適宜選択して単
分子膜を形成することができる。このような単分子膜形
成用の溶液の中では、安価であり、取り扱いも容易であ
り、安全である等の点から水または水を主成分とした溶
液が好適に用いられている。

以下、水または水を主成分とした溶液を用いた単分子累
積法を適用した場合を一例として、本発明のＥＬ麦子の
単分子膜を有する発光層の構成について説明する。

基本的に１本発明のＥＬ素子の発光層の有する第１の層
及び第２の層を形成することのできる化合物は、前述し
た機能性部分を形成することのできる化合物若しくは該
化合物分子を機能性部分として少なくとも１つ有する化
合物である。これらの化合物のうち単分子膜あるいは単
分子累積膜を形成できる化合物ば、例えば機能性部分を
１つ有する単分子膜形成用化合物を例に取ると、機能性
部分を有する分子内の泣きによって、第３図の分子構造
の模式図に示すように、 （ａ）機能性部分３１が親木性部分３２側にある、−第
３図（ａ） （ｂ）機能性部分３１が疎水性部分３３側にある、−第
３図（ｔ］） （Ｃ）機能性部分３１が疎水性部３３と親水性部分３２
とのほぼ中間にある　　−第３図（Ｃ）の３つのタイプ
に大きく分類される。

これらの化合物の親木性部分３２の構成要素として（±
、例えばカルボキシル基及びその金属塩、アミン塩並び
にエステル、スルホン酸基及びその金属塩並びにアミン
塩、スルホンアミド基、アミド基、アミ７基、イミノ基
、ヒドロキシル基、４級アミ、）基、オキシアミノ基、
オキシイミノ基、ジアゾニウム基、グアこジン基、ヒド
ラジン基、す〕／酸基、ケイ酸基、アルミン酸Ｘ等が挙
げられ。

各々が単独でまたは組み合わされて上記化合物中の親水
性部分３２を構成することができる。

また、疎水性部分３３の構成要素としては、直鎖状のま
たは分枝な有するアルキル基、ビニレン。

ビニリデン、アセチレン等のオレフィン系炭化水素、フ
ェニル、ナフチル、アントラニル等の縮合　゛多環フェ
ニル基、ビフェニル等の鎖状多環フェニル基等の疎水性
を示す基を挙げることができ、これらもまた各々が単独
でまたは組み合わされて上記化合物中の疎水性部分３３
を構成することができる。

一方、本発明のＥＬ素子の単分子膜または単分子累積膜
を有する方の発光層の第１の層と＄２の層の界面２４−
１．２４−２　（主に発光が行なわれる部分）に於ける
単分子膜の配向及び配列は、第４図の界面２４−１付近
の模式的断面部分図（この図の場合第１の層及び第２の
層がともに機能性部分を有する化合物のみからなる単分
子膜から形成されている）に示すように、 （１）第１の層２１−１の単分子膜を形成する分子の機
能性部分３１を有する親木性部分３２と、第２の層３２
−１の単分子膜を形成する分子の機能性部分３１′を有
する親水性部分３２′とが界面２４−１に配向されてい
る。

一第４図（ａ） （２）第１の層２１−１の単分子膜を形成する分子の機
能性部分３１を有する疎水性部分３３と、第２の、Ｑ２
２−１の単分子膜を形成する分子の機能性部分３１′を
有する疎水性部分３３′とが界面２４−１に配向されて
いる。

一第４図（ｂ） （３）第１の層２１−１の単分子膜を形成する分子の機
能性部分３１を有する疎水性部分３３と、第２の層２２
−１の単分子膜を形成する分子の機能性部分３１′を有
する親水性部分３２′とが界面２４−１に配向されてい
る。

一第４図（ｃ） （４）第１の層２１−１の単分子膜を形成する分子の機
能性部分３１を有する親木性部分３２と、第２の層８−
１の単分子膜を形成する分子の機能性部分３１′を有す
る疎水性部分３３′とが界面２４−１に配向されている
。

一５４図（ｄ） の４つのパターンに基本的に分けられる。

なお、第４図に示した例は単分子膜を有する方の発光層
の有する第１の層及び第２の層がともに単分子膜からな
るものであるが、もちろん先に述べたように第１の層の
みが、あるいば第２の層のみが単分子膜から構成された
ものであっても良く、そのような場合、単分子膜でない
層は、蒸着法、ＣＶＤ法等の薄膜形成法によって形成さ
れた薄膜層として設【すられる。

第４図に示したような発光層の有する界面のパターンを
形成するには、先に挙げた単分子膜形成用化合物のタイ
プａ及びｂに属する化合物が好適に用いられる。また、
上記界面のパターン（１）を形成するにｌ±、第１の層
及び第２の層に前記タイプａに属する化合物を用いるの
が、また上記界面のパターン（２）を形成するには、第
１の層及び第２の層に前記タイプｂに属する化合物を用
いるのが好適である。更に、上記界面のパターン（３）
を形成するには、第１の層に前記タイプａを、第２の層
に前記タイプｂに属する化合物をそれぞれ用いるのが好
適であり、上記界面のパターン（４）を形成するには、
第１の層に前記タイプｂを、第２の層に前記タイプａに
属する化合物をそれぞれ用いるのが好適である。

以上説明した例ｔ±、第１の層及び第２の層が単分子膜
から形成されている場合であるが、第１の層５−１．５
−２及び／または第２の層ｅ−１，８−２が単分子累積
膜からなる場合に於いても、第１の層と第２の層の界面
が上記のようなパターンを取るように、第１の層と第２
の層の界面７−１．７−２を構成する単分子膜を形成す
れば良い。

なお、第１の層５−１．５−２及び／または第２の層ｅ
−ｔ、６−２が単分子累積膜からなる場合にば、累積膜
を構成する各単分子膜ば、それぞれが同一のものであっ
ても良く、また単分子膜の１つ以上が他の単分子膜と異
なるものであっても良い。更に、単分子累積膜の各単分
子膜を形成する分子の配向状Ｔ；による構造は、いわゆ
るＹ型（各股間に於いて親木性部分と親木性部分また１
士疎水性部分と疎水性部分とが互いに向きあった構造）
、ｘ型（各層の基板側に疎水性部分が向いた構造）、ｚ
型（各層の基板側に親水性部分が向いた構造）及びこれ
らの変形構造等の種々の構造とすることができる。更に
、本発明のＥＬ素子の有する発光層の第１の層または第
２の層に含まれる単分子膜は、２種以上の化合物によっ
て形成された多成分系単分子膜でも良い。そのような場
合、先に発光層の構成について説明したように１機能性
部分を有する化合物の２種以上を組み合わせて、あるい
１士機能性部分を有する化合物と、機能性部分を有する
もので６士ないが機能性部分を有する化合物との相互作
用により発光層の、例えば電気陰性度等の電気化学的特
性を制御できるような化合物との組み合わせであっても
良いし、更には発光層を構成する単分子層の強度を増し
たり、各層間の接着性を良くするための他の成分を加え
たものであっても良い。

このような単分子膜または単分子累積膜の構造は、所望
とする第１の層または第２の層の電気的特性に応じて、
すなわち第１の層または第２の層を形成する化合物また
は化合物の組み合わせに応じて適宜選択すれば良く、例
えば前記単分子膜形成用化合物のタイプａ、　ｂまた１
±Ｃに属する化合物からなる単分子膜を組み合わせて累
積して単分子膜の面方向に垂直な方向でのπ電子のポテ
ンシャル曲線を制御すること等ができる。

上記の第１の層２１−１．２１−２及び／または第２の
層２２−１．２２−２を単分子膜若しくは単分子累積膜
として形成するのに用いることのできる化合物としては
１機能性部分を形成することのできる先に挙げた化合物
、若しくは該化合物の１つ以上を有する化合物の中で、
親水性部分と疎水性部分をバランス良く有している化合
物はそのまま単分子膜形成用として用いることができ、
そうでないものは、先に挙げたような親水基及び／また
は疎水基を新たに分子内に導入し、単分子膜形成用化合
物とすることができる。そのような化合物としては、以
下のような構造式で示された化合物を挙げることができ
る。

なお、以下に示す構造式に於いて、Ｘ及びＹｌ±、先に
挙げたような親木基を表すが、１分子内にこれらが両方
存在する時は、どちらか一方が親木基であれば良く、そ
のような場合は他の一方は水素となる。また、Ｒは炭素
数４〜３０程度、好ましくは１０〜２５程度の直鎖状若
しくは側鎖を有するアルキル基を表わす。

５．６゜ （ＣＨ２）ｎＸ　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　２８゜６≦ｎ≦２０ ２８゜ ＣＨ３ ＋　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　９ＱＯ≦ｎ≦２ ２５゜ Ｍ＝Ｈ２，Ｂｅ、Ｍｇ、＋Ｃａ、Ｃｄ、５ｒＡＩＣ１，
ＹｂＣ１ −３１゜ Ｍ＝Ｅｒ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ＋Ｔｍ、Ｙｂ
３４゜ Ｍ＝Ｅｒ、Ｓｒｒ＋、Ｅｕ＋Ｇｄ＋Ｔｂ、Ｄｙ、Ｔｍ、
ＹｂＭ−Ｅｒ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ＋Ｔｍ、
ＹｂＲ１−Ｈ，−ＣＨ３，ＣＦ３　、Ｚ ａ６．　　　　　　　　３７）　　　　　　　　　　３
８゜４１、　　　　　　　　　　　　４２゜４．８．　
　　　　　　　　　　”・ ６２゜ Ｆ４ ６５．６６・ ＯＲ ７１、７２゜ ７３、　　　　　　　　　　　　　　７４゜７’７．　
　　　　　　　　　　　　　　７８゜リ （ＣＨ２）ｎ　ｘ３９ ８８゜ 電 ８９゜ これらの化合物の中でＡＩＩＬＩ〜Ｎ６３５の構造式の
化合物ｔ±、先に挙げた機能性部分を形成できる化合物
のうち励起錯体の形成に基づ＜ＥＬＩＩ能を有する化合
物を疎水基及び／または親木基によって修飾し、単分子
膜形成用化合物としたものである。

なお、／ｉ４２〜＃６５４及びＮＦＬ８５〜誠８６の構
造式の化合物は、機能性部分にアルキル鎖が直接結合し
た構造を有するものであるが、アルキル鎖の機能性部分
への結合は、例えばエーテル結合、カルボニル基を介し
た結合等によるものであっても良い。

本発明のＥＬ素子の有する発光層のもう１つの層である
第３の層２３−１．２３−２．２３−３は、絶縁性を有
する層であり、特に第３の層２３−１．２３−３は本発
明のＥＩ、Ｉ子のコンデンサー構造の絶縁性を高める機
能を有し、第３の層２３−２は、電子の移動を必要最小
限の領域内に閉じ込め、効率良い電子の授受による発光
を行なわせる機能を有する。これら第３の層もまた蒸着
法、ＣＶＤ法等の薄膜形成法あるいは単分子累積法によ
って形成することができる。この第３の層を単分子累積
法によって形成する場合には、精度良い均一な絶縁性を
有する単分子膜からなる層を形成することのできる一般
式； ％式％） （上記式中に於いてｎは、１０≦ｎ≦３０であり、Ｘは
−ＣＯ（ｌ）！、−ＣＯＮ）Ｉ２．−ＣＤＩＩ）Ｒ，−
Ｎ　（Ｃ）（３）３．　ＣＩ−。

等の基を表わす）で示される化合物等の１種以上を第３
の層形成用材料として用いることができる。

また、蒸着法によって形成する場合には、上記の化合物
または５ｉ０２等の無機化合物の１種以上を第３の層形
成用材料として用いることができる。

第３の層を単分子累積膜として形成した場合には、各単
分子膜が同一であるものでも、各単分子膜のうち１つ以
上が他の単分子膜と異なるものであっても良い。

なお、これまで第２図及び第３図を用いて第１の層と第
２の層によって形成された界面を２つ有する本発明のＥ
Ｌ素子について説明してきたが、本発明のＥＬ素子の有
する発光層２０の界面の数は、これに限定されることな
く、３つ以上であっても良い。

以上のような構造の本発明のＥＬ素子の発光層２０を形
成する各層の層厚は、ＥＬ素子の有する界面の数や各層
自身の構成によっても各々異なるが、第１の層について
は、５００八以下、好ましくは２００Ａ以下、第２の層
についてｔ±、５００Ａ以下、好ましくは２００八以下
、第３の層については、５００Ａ以下、好ましくはｚｏ
ｏ　Ａ以下、更に発光層全体の層厚としては、５６’６
ｏ−以下、好ましくは３０００Ａ以下とするのが低電圧
駆動に於いても良好な発光状態を得るために望ましい。

以上、第２図及び第３図を用いて説明した構造の発光層
２０から、本発明ＥＬ素子が所望のＥＬ機能を有するよ
うに、同一の機能を有するものを２つ、あるいは発光色
や輝度が異なるような、異なる機能を有するものを２つ
選択し、発光層４及び発光層５として、本発明のＥＬ素
子を形成することができる。

本発明のＥＬ素子の有する２つの電極層１．２は、前述
したように少なくともどちらか一方が、光を取り出すた
めに透明電極として設けられる。

透明電極として電極層を形成する場合には、ＰＭＭＡ、
ポリエステル等のフィルムまたはシート、あるいはガラ
ス板等の透明な基板上にＩｎ０７．５ｎ０２、インシュ
ウムティンオキサイド（１，Ｔ、Ｏ）等を蒸着法等によ
って積層して、あるいはこれらの材料を発光層に直接積
層して形成することができる。

電極層３は、透明電極として、あるいは電極層の厚さ方
向の一方向のみに光を透過する半透明電極として設けら
れる。電極層３が透明電極として設けられる場合には、
前記した透明電極形成用材料を用いて、形成された発光
層４または発光層５上に形成すれば良い。電極層３が半
透明電極として設けられる場合には、光の透過方向を考
厖゛シて、１．Ｔ、Ｏ、Ａｕ、　ＩｎＯ２，５ｎ０２等
の材料を用いて、形成された発光層４または発光層５上
に形成すれば良い。

また、透明でない電極層は、十分な導電性を有する通常
の電極を形成することのできる材料からなる薄板や、適
当な基板上に若しくは形成された発光層上に直接ＡＩ　
、　Ａｇ、　Ａｕ等を蒸着法等によって積層して形成す
ることができる。

これら電極層の厚さは、０．０１ｕ＋〜０．３３ｍ程度
、好ましくは０．０５ｇｍ〜０．２−程度とされる。

なお、本発明のＥＬ素子の形状及び大きさは、所望によ
り種々の形状とすることができ、例えば透明電極を形成
するときの基板を発光層形成用基板とし、この基板とし
て板状、ベルト状、円筒状のものを用いる等して所望の
形状及び大きさとすることができる。また、３つの電極
層ｌ、２．３は、所望により、種々の形状にパターンニ
ングされたものであっても良い。

以上のような構成の本発明ＥＬ素子に於いては、例えば
、該ＥＬ素子の２つの電極ｌ、３間及び電極２．３間に
、例えば発光層４．５のそれぞれにｌ　Ｘ　１０５〜３
Ｘ１０６程度の電界がかかるように、直流または交流、
あるいはパルス電圧を印加することにより、良好な発光
を透明型＆ｉｌを通じて得ることができる。また、発光
層４と発光層５に発光色や輝度の異なる２つの発光層用
いて、電極１．３間の電圧と電極２．３間の電圧をそれ
ぞれ独自に制御して透明電極ｌからの光の色及び強度を
広範囲にわたって変化させることもできる。

以下、本発明のＥＬ素子の発光層の有する単分子膜また
は単分子累積膜の形成に適用するラングミューア・ブロ
ジェット法（ＬＢ法）に代表される単分子累積法の代表
的な操作を説明する。

単分子膜を形成させるための水相を水槽中に設け、該水
相内に清浄な基板を浸漬さておく。次に、単分子膜形成
用化合物の適当な溶剤に溶解または分散した溶液の所定
量を、水相中に展開し、この化合物を水相表面に膜状に
析出させる。この時、この析出物が水相上を自由に拡散
して広がりすぎないように、仕切り板（または浮子）を
設けて展開面積を制限して膜物質の集合状態を制御し、
その集合状態に比例した表面圧■を得る。そして、仕切
り板を作動させ、展開面積を縮少し、表面圧■を徐々に
上昇させ、単分子膜の形成に適した表面圧■に設定する
。ここで、この表面圧■を維持させながら静かにすでに
浸漬しておいた基板を、水相面に垂直な方向に上下させ
ると、基板の上方への移動と下方への移動ごとに単分子
膜が基板上に移し取られ、単分子累積膜が形成される。

単分子膜を基板上に移し取るには、上述した垂直浸漬法
の他に、基板を水相面とを平行に保ちながら水平に接触
させる水平付着法、円筒型の基体を水面上を回転させて
単分子膜を基体表面に移し取る回転円筒法、あるいは基
板ロールから水相中に基板を押し出してゆく方法などの
種々の方法が適用できる。上記垂直浸漬法では、通常基
板の引」二げ工程と浸漬工程とで成膜分子の配向が逆に
なるので、いわゆるＹ型膜が形成される。また、水平付
着法によれば、疎水基が基板側に向いた単分子膜が形成
され、累積膜とした場合、いわゆるＸ型膜が形成される
。しかしながら、このような親水基や疎水基の向きは、
基板の表面処理等によって変化させることも可能である
。

更に単分子累積法によって単分子膜を形成する際の水相
のｐＨ１水相のｐＨ等を調整するための添加剤の種類及
びその量、水相の温度、基板の上げ下げ速度または表面
圧等の操作条件は、使用される単分子膜形成用化合物の
種類、形成しようとする膜の特性等に応じて適宜選択す
れば良い。

以上のような単分子累積法と他の蒸着法等の薄膜形成法
とによって、例えば以下のようにして本発明のＥＬ素子
を形成することができる。

まず、前述したような透明電極層の設けられている基板
上に前記した第３の層形成用材料を用いて所望の構成の
らなる第３の層を形成させ、更に前記した第１の層、第
２の層を形成することのできる材料を用いて所望の構成
の第１の層、第２の層をこの順に先に形成した第３の層
上に積層する。つぎにこの第２の層上に第３の層を積層
し、所望とする第１の層と第２の層の界面の数に応じて
、この第１の層〜第３の層の形成操作を２回以上繰返し
て発光層４を形成する。

このように発光層４が形成されたところで、発光層４の
最上部に位置する第３の層上に、Ａｕ等の金属を蒸着法
等によって積層して、半透明の電極層３を形成する。

更に、電極層３上に、発光層４の形成と同様にして、発
光層４と同一の材料を、あるいは異なる材料を用いて発
光層５を形成し、最後に発光層５の有する第３の層上に
、Ａ１．　Ａｇ、　Ａｕ等の金属を蒸着法等によって積
層して、本発明のＥＬ素子を形成することができる。

なお、２つの電極がともに透明である場合には、発光層
４．５形成用の透明基板に上述の材料によって透明電極
層を形成し、発光層５の形成が終了した後に透明電極層
を積層すれば良い。

以上のようにして本発明のＥＬ素子を形成する際に、発
光層４及び発光層５の有する第１の層、第２の層及び第
３の層の各層は、これらの層を形成するための材料と、
これら材料に適応した薄膜形成法によって形成され、か
つ発光層４及び発光層５のいずれか一方が、単分子累積
法によって形成された単分子膜または単分子累積膜を有
する多層構造として形成される。その際、上記の操作に
於いて、発光層４及び発光層５のいずれか一方の有する
第１の層、第２の層及び第３の層のうちの少なくとも１
つの層を単分子累積法を用いて形成すれば良い。

また、本発明のＥＬ素子の発光層の有する複数の第１の
層は、それぞれが同一の構成を有するものでも良く、複
数の第１の層のうち１つ以上の第１の層の構成が他の第
１の層の構成と異なるものであっても良く、これは第２
の層及び第３の層についても同様である。また、本発明
のＥＬ素子を構成する各層間には、各層の接着性を高め
るために、接着層を設けることもできる。更に本発明の
ＥＬ素子には、空気中の湿気や酸素による影響から素子
を保護するための保護構造を設けることが望ましい。

以上のような本発明のＥＬ素子は、それぞれ独立して制
御可能な２つの発光層を有し、これら発光層を個々に制
御して、発光色を変化させたり、色調を微妙に調節した
り、発光の強弱を自由に制御することが可能となった。

更に、本発明のＥＬ素子の有する発光層は、電気化学的
性質の異なる２つの層の界面で主に発光を行ない、しか
もそのような界面がＥＬ素子の光の取り出し方向に対し
て複数設けられた構造を有し、光の取り出し面の単位あ
たりの発光量が従来のＥＬ素子に比べて非常に増大した
ものとなった。

また、本発明のＥＬ素子に於いては、主に発光を行なう
複数の界面について、該界面を構成する２つの層の構成
を界面ごとに変え、こられを組合わせて、発光色等を所
望に応じて制御することも可能となった。

これらに加えて、本発明のＥＬ素子の有する発光層は、
主に有機化合物材料と、その材料に適した薄膜形成とが
組み合わせて形成され、上記のように発光を行なう界面
を複数力した多層構造となっているにもかかわらず、発
光層全体の層厚がより薄く形成されており、低電圧駆動
でも効率良い発光状態が得られ、十分な輝度が得られる
ものとなった。

特に、単分子膜を有する発光層に於いては１発光層を構
成する各層の少なくとも１つの層を単分子膜または単分
子累積膜として形成したことによって発光層全体の層厚
を更により薄く形成されており、また、発光層を単分子
累積膜として形成した場合には発光層の層厚を非常に薄
くすることができ、上記の効果を更に高めることができ
た。

しかも、本発明のＥＬ素子の有する発光層に於いては、
単分子膜または単分子累積膜によって第１の層及び／ま
たは第２の層を形成した場合には、発光に直接関与する
化合物の機能性部分が、高い秩序を持って精度良く、第
１の層と第２の層の界面に向いて配向、配列され、より
効率良い電子の授受に伴なう励起錯体の形成に基づく発
光が更に、本発明のＥＬ素子の発光層の各層は、主に種
々の有機化合物材料によって精度良い薄膜として簡易に
形成可能であり、特に単分子膜または単分子累積膜とし
て形成された場合の第１の層、第２の層または第３の層
は、はぼ常温、常圧で形成することができ、これらの層
の形成には、蒸着法等に使用することのできない熱に弱
い材料化合物をも使用することができ、本発明のＥＬ素
子は安価で量産性のあるＥＬ素子となった。

また、本発明のＥＬ素子は、大面積のＥＬ素子として形
成した場合でも、発光層が精度良く形成されたものとな
り、大面積のＥＬ素子としても良好な機能を有するもの
となった。

以下、参考例及び実施例を用いて本発明のＥＬ素子を更
に詳細に説明する。

参考例１ 〔発光層成ｌ及びＡｌ６２の形成３ ５０ｍｍ角のガラス表面上にスパッタリング法により膜
厚１５００Ａの１．７．０層を形成し、これを発光層形
成用基板とした。この基板をＪｏｙｃｅ−Ｌｏｅｂｅ　
Ｉ社製のＬａｎｇｍｕｉｒ−’ｒｒｏｕｇｈ　ｄ内の、
４Ｘ　１０’　ｒｘａＩ／ＩのＣｄＣＩ　２を含有する
ことによりｐＨＩＩ＜ｓ、５に調整された水相中に浸漬
した。

次に、アラキシン酸をクロロホルムに　ＩＸＩＯ−３ｍ
ｏｌ／ｆの濃度で溶解した溶液の０．５　ｍｌを、前記
水相上に展開させた。クロロホルムを水相表面から蒸発
除去した後、水相表面圧を３０ｄｖｎｅ／ａｙｓに調整
し、膜状のアラキシン酸を水相面に析出させた。

更に、表面圧を一定に保ちながら、基板を水面を横切る
方向に２ＣＩＩＩ／１ｌＩｎの速度で静かに引上げ、第
３の層としてのアラキシン酸分子からなる単分子膜絶縁
層を基板の電極層上に形成し、これを水相外へ引上げ、
３０分以上室温で放置して乾燥させた。

ここで、水相表面に残ったアラキシン酸を該水相表面上
から完全に取り除き、アラキシン酸からなる単分子絶縁
層の形成された基板を再び水相中に浸漬させた後、新た
に を　Ｉ　Ｘ　１０−３ｍｏｌ／　ｊ！の濃度で含むクロ
ロホルム溶液の０．５　ｍｌ！をこの水相上に展開させ
、表面圧を３０ｄｙｎｅ／ｃｍに調整したところで基板
を水面を横切る方向に２ｃｍ／ｗｉｎの速度で静かに引
上げ、上記化合物分子からなる単分子膜を第２の層とし
て絶縁層上に形成した。次に、この基板を水相外に引出
し、再び３０分以上室温で放置して乾燥させた。

更に、水相表面に残された上記化合物を完全に取り除き
、基板を水相内に浸漬し、新たにの０．５　ｎ／！をこ
の水相上に展開させ、表面圧を３０ｄｙｎｅ／ａｍに調
整したところで基板を水面を横切る方向に２ｃｍ／ｆｆ
ｌ１ｎの速度で静かに引上げ、上記化合物分子からなる
単分子膜を第１の層として第２の層上に形成した。

以後、上記した第３の層から第２の層までの形成操作を
１６回繰返し、最後に第３の層を積層して第１の層と第
２の層の界面を１６個有する発光層＃６．１Ｃ層厚；約
１８０ＯＡ）を形成した。

更に、第３の層から第２の層までの形成操作を１２回繰
返す以外は上記の操作と同様にして第１の層と第２の層
との界面を１２個有する発光層成２（層厚；約１２００
八）を形成した。

参考例２ 〔発光層酸３の形成〕 参考例１で用いたのと同様の基板を、参考例１で用いた
のと同様の単分子膜形成用の水相中に浸漬した。

次に、アラキシン酸をクロロホルムに　ＩＸＩＯ−３ｍ
ａｔ／Ｉｌの濃度で溶解した溶液の０．５　ｍｌを、前
記水相上に展開させた。クロロホルムを水相表面から蒸
発除去した後、水相表面圧を３０ｄｙｎｅ／ｃｍに調整
し、膜状の７ラキジン酸を水相面に析出させた。

更に、表面圧を一定に保ちながら、基板を水面を横切る
方向に２ｃｍ／ｓｉｎの速度で静かに上下方向に２往復
させ、アラキシン酸からなる単分子膜が４層累積された
絶縁層としての第３の層を基板の電極層上に形成し、こ
れを水相外へ引上げ、３０分以上室温で放置して乾燥さ
せた。

ここで、水相表面に残ったアラキシン酸を該水相表面上
から完全に取り除き、アラキシン酸からなる単分子絶縁
層の形成された基板を再たび水相中に浸漬させた後、新
たに を　ＩＸ　１０−３ｍｏｌ／ｊ！の濃度で含むクロロホ
ルム溶液のＱ、５　ｍｌを外水相上に展開させ、表面圧
を３０ｄｙｎｅ／ａｍに調整したところで基板を水面を
横切る方向に２ｃｍ／ｗｉｎの速度で静かに引き上げ、
更に引き下げと引き上げを一回づつ行ない、上記化合物
からなる単分子膜が３層累積した第１の層を絶縁層上に
形成した。次に、この基板を水相外に引出し、再び３０
分以上室温で放置して乾燥させた。

次に、水相表面に残された上記化合物を完全に取り除き
、基板を水相内に浸漬し、新たにを　ＩＸ　１０’　ｍ
ｏｌ＃ｔの濃度で含むクロロホルム溶液の０．５　ｔａ
ｌｌを該水相上に展開させ、表面圧を３０ｄｙｎｅ／ｃ
１１に調整したところで基板を水面を横切る方向に２ｃ
ｍ／ｗｉｎの速度で静かに引き上げ、更に引き下げと引
き上げを一回づつ行ない、上記化合物からなる単分子膜
が３層累積した第２層を先に形成した第１の層上に形成
した。

以後、上記した第３の層から第２の層までの形成操作を
４回繰返し、最後に更に第３の層を積層して第１の層と
第２の層の界面を４つ有する発光層成３（層厚；約１１
０ＯＡ）を形成した。

参考例３ 〔発光層逅４の形成〕 参考例１で用いたのと同様の基板を参考例１で用いたの
と同様の単分子膜形成用の水相中に浸漬した。

次に、アラキシン酸をクロロホルムに　ＩＸ　１０〜３
ｍｏｌ／ｊ！の濃度で溶解した溶液の０．５　ｍｊ！を
、前記水相上に展開させた。クロロホルムを水相表面か
ら蒸発除去した後、水相表面圧を３０ｄｙｎｅ／ｃｎ＋
に調整し、膜状のアラキシン酸を水相面に析出させた。

更に、表面圧を一定に保ちながら、基板を水面を横切る
方向に２ｃｍ／ｓｉｎの速度で静かに引上げ、アラキシ
ン酩分子からなる単分子膜を基板の電極層上に形成し、
これを水相外へ引上げ、３０分以上室温で放置して乾燥
させた。この操作をもラ一度繰り返して、第３の層とし
てのアラキシン酸単分子膜を２層累積した絶縁層を形成
した。

ここで、水相表面に残ったアラキシン酸を数本和衷面上
から完全に取り除き、新たにクロロホルムに Ｈ３ を１００　ｍｏｌ　：　　１ｍｏｌの割合で、これらの
総量がＩＸ　１０’　ｍｏｌ／Ａの濃度となるように溶
解した溶液の０．５　ｍｌをこの水相上に展開させ、表
面圧を３０ｄｙｎｅ／ｃｍに調整したところでアラキシ
ン酸からなる絶縁層の形成された基板を再たび水相中に
、該水相の水面を横切る方向に２ｃｍ／＋＊ｉｎの速度
で静かに浸漬させて、上記２種の化合物分子からなる単
分子膜を第１の層として絶縁層上に形成した。次に、こ
の基板を水相外に引出し、再び３０分以上室温で放置し
て乾燥させた。

更に、水相表面に残された上記化合物を完全にを１００
　ｎｏｌ　　：　１　ｍｏｌの割合で、これらの総量が
ＩＸ　１０−３ｍｏｌ／ｊ！の濃度となるように溶解し
た溶液の０．５　ｍｌをこの水相上に展開させ、表面圧
を３０ｄｙｒ＋ｅ／Ｃｍに調整したところで、前記第１
の層の形成操作を繰り返して、先に形成した第１の層−
ヒに上記の２種の化合物からなる単分子膜を第２の層と
して形成した。

以後、上記した第３の層から第２の層までの形成操作を
１５回繰返し、最後に第３の層を積層して第１の層と第
２の層の界面を１５個有する発光層成４（層厚；約１５
０ＯＡ）を形成した。

参考例４ 〔発光層成５の形成〕 参考例１で用いたのと同様の基板を参考例１で用いたの
と同様の単分子膜形成用の水相中に浸漬した。

次に、参考例３に於けるアラキシン酸からなる単分子膜
の形成操作を５回繰返して第３の層としての５層のアラ
キシン酸単分子累積膜からなる絶縁層を形成した。

ここで、水相表面に残ったアラキシン酸を該水相表面上
から完全に取り除き、新たにクロロホルムに Ｈ３ を１００モル：１モルの割合で、これらの総量がＩＸ　
１０−３ｍｏｌ／ノの濃度となるように溶解した溶液の
０．５　ｍｕ！をこの水相上に展開させ、表面圧を３０
ｄｙｎｅ／ｃｍに調整したところでアラキシン酸からな
る単分子累積膜絶縁層の形成された基板を再たび水相中
に、該水相の水面を横切る方向に２ｃｍ／■ｉｎの速度
で静かに浸漬させ、更に上下させて上記２種の化合物分
子からなる単分子膜を３層累積した第１の層を先に形成
した絶縁層上に形成した。次に、この基板を水相外に引
出し、再び３０分以上室温で放置して乾燥させた。

更に、水相表面に残された上記化合物を完全に取り除き
、新たにクロロホルムに ヲ１０モル＝１モルの割合で、これらのｙｉカＩＸ１０
−３ｍｏｌ／／の濃度となるように溶解した溶液の０．
５　ｍｌＬをこの水相上に展開させ、表面圧を３０ｄｙ
ｎｅ／ｃＩｌに調整したところで、前記第１の層の形成
操作と同様にして、先に形成した第１の層上に上記の２
種の化合物からなる単分子膜が３層累積された単分子累
積膜を第２の層として形成した。

次に、参考例３に於けるアラキシン酸からなる単分子膜
の形成操作を４回繰返して第３の層としての４層のアラ
キシン酸単分子累積膜からなる絶縁膜を先に形成した第
２の層上に形成し、以後上記した第１の層から第３の層
（４層のアラキシン酸単分子累積膜）までの形成操作を
４回繰返し、第１の層と、第２の層の界面を４つ有する
発光層ａ５（層厚；約１１０ＯＡ）を形成した。

参考例５ 〔発光層逅６の形成〕 参考例１で用いたのと同様の基板を、参考例１で用いた
のと同様の単分子膜形成用の水相中に浸漬し、参考例３
に於けるアラキシン酸からなる単分子膜の形成操作を２
回繰返して第３の層としてのアラキシン酸単分子膜を２
層累積した絶縁層を前記基板の電極層上に形成した。

ここで、水相表面に残ったアラキシン酸を該水相表面上
から完全に取り除き、新たにクロロホルムに を１０ｍｏｌ　：　　１ｍｏｌの割合で、これらの総量
が１×１０−３ｍｏｌ／ｊ！の濃度となるように溶解し
た溶液の０．５　ｍＡをこの水相上に展開させ、表面圧
を３０ｄｙｎｅ／ｃｍに調整したところでアラキシン酸
からなる絶縁層の形成された基板を再たび水相中に、該
水相の水面を横切る方向に２ｃｍ／ｗｉｎの速度で静か
に浸漬させて、上記２種の化合物分子からなる単分子膜
を第１の層として絶縁層上に形成した。次に、この基板
を水相外に引出し、再び３０分以上室温で放置して乾燥
させた。

更に、水相表面に残された上記化合物を完全に取り除き
、新たにクロロホルムに Ｈ３ を１０　ｍｏｌ　：　１　ｍｏｌの割合で、これらの総
量が１×１０−３ｍｏｌ／ｊ！の濃度となるように溶解
した溶液の０．５　ｍｌＬをこの水相上に展開させ、表
面圧を３０ｄｙｎｅ／ｃｍに調整したところで、前記第
１の層の形成操作を繰り返して、先に形成した第１の層
上に上記の２種の化合物からなる単分子膜を第２の層と
して形成した。

以後、上記した第３の層から第２の層までの形成操作を
１５回繰返し、最後に第３の層を積層して第１の層と第
２の層の界面を１５個有する発光層届６（層厚；約１５
０ＯＡ）を形成した。

参考例６ 〔発光層成７の形成〕 参考例１で用いたのと同様の基板を、参考例１で用いた
のと同様の単分子膜形成用の水相中に浸漬した。

次に、参考例３に於けるアラキシン酸からなる単分子膜
の形成操作を５回繰返して、第３の層としての５層のア
ラキシン酸単分子累積膜からなる絶縁層を形成した。

ここで、水相表面に残ったアラキシン酸を該水相表面上
から完全に取り除き、新たにクロロホルムに を１０モル＝１モルの割合で、これらの総量が　１×１
０−”ｍｏｌ／Ｉ！、の濃度となるように溶解した溶液
の０．５ｍＡをこの水相上に展開させ、表面圧を３０ｄ
ｙｎｅ／ｃ＋＋＋に調整したところで７ラキジン酸から
なる単分子累積膜絶縁層の形成された基板を再たび水相
中に、該水相の水面を横切る方向に２ｃｍ／＋＊ｉｎの
速度で静かに浸漬させ、更に上下させて上記２種の化合
物分子からなる単分子膜を３層累積した第１の層を先に
形成した絶縁層上に形成した。次に、この基板を水相外
に引出し、再び３０分以上室温で放置して乾燥させた。

更に、これまで使用した水相とは別に、［Ｅｕ（ＢＦＡ
）４１　Ｋを飽和させた水相を用意し、この水相表面に
クロロホルムに をｌＯモル＝１モルの割合で、これらの総量が１×ＩＱ
−３ｍｏｌ／ｊ！の濃度となるように溶解した溶液の０
．５　ｔａｌｌを展開させ、表面圧を３０ｄｙｎｅ／ｃ
＋ｓに調整したところで、前記第１の層の形成操作と同
様にして、先に形成した第１の層上に上記の２種の化合
物からなる単分子膜が３層累積された単分子膜積層を第
２の層として形成した。

次に、参考例３に於けるアラキシン酸からなる単分子膜
の形成操作を４回繰返して第３の層としての４層のアラ
キシン酸単分子累積膜からなる絶縁膜を先に形成した第
２の層上に形成し、以後上記した第１の層から第３の層
（４層のアラキシン酸単分子累積膜）までの形成操作を
４回繰返し、第１の層と第２の層の界面を４つ有する発
光層４７（層厚；約１１０ＯＡ）を形成した。

参考例７ 〔発光層成８の形成〕 参考例１で用いたのと同様の基板を、抵抗加熱蒸着装置
の蒸着槽内の所定の位置にセットし、更に抵抗加熱ポー
ト内にステアリン酸メチル（ｍｐ。

３８℃）を入れ、該槽内をまず１０（′Ｔｏｒｒの真空
度まで減圧した後、蒸着速度が２人／ｓｅｃとなるよう
にポートに流れる電波を調整し、２００へのステアリン
酸メチル層からなる蒸着層を第３の層として前記基板の
透明電極層上に形成した。なお、蒸着時の槽内の真空度
を９　Ｘ　１０’　Ｔｏｒｒに維持し、基板ホルダーの
温度は２０℃とした。

更に、この基板を、参考例１で用いたのと同様の単分子
膜形成用の水相中に浸漬した。

次に。

（ＣＨ２１２ＣＨ３ （ＣＨ２）２ＣＯＮＨ２（ＣＨ２１６ＣＯＮＨ２を１ｍ
ｏｌ　：　　１ｍｏｌの割合で、これらの総量が１×１
０−３ｍｏｌ／ｊｌとなるようにクロロホルムに溶解し
た溶液０．５　ｍｌを前記水相上に展開させ、表面圧を
３０ｄｙｎｅ／ｃｍに調整し、上記の２つ化合物からな
る多成分系単分子膜を該水相表面に析出させたところで
基板を水面を横切る方向に２ｃｍ／ｓｉｎの速度で静か
に上下に２往復させ、上記化合物の混合物からなる単分
子膜を４層累積した第１の層としての単分子累積膜を先
に形成した第３の層上に形成した。ここで、この基板を
水相外に引出し、３０分以」二室温で放置して乾燥させ
た。

更に、水相表面に残された上記化合物を完全に取り除き
、基板を水相内に浸漬し、新たに（ＣＨ２）ｌｏＣＯＮ
Ｈ２ を　ＩＸ　１０−３ｍｏｌ／ｊ！の濃度で含むクロロホ
ルム溶液の０．５　ｍｊ！をこの水相上に展開させ、表
面圧を３０ｄｙｎｅ／ｃｍに調整し、この化合物からな
る単分子膜を該水相上に析出させ、基板を水面を横切る
方向に２ｃｍ／ｍ　ｉｎの速度で静かに引上げ、更に浸
漬と引上げを一度づつ行ない上記化合物分子からなる単
分子膜を３層累積した単分子累積膜を第２の層として先
に形成した第１の層上に形成した。

以後、上記した第３の層から第２の層までの形成操作を
４回繰返し、最後に第３の層を積層して第１の層と第２
の層の界面を４つ有する発光層届８（層厚；約１８０Ｏ
Ａ）を形成した。

参考例８ 〔発光層成９の形成〕 参考例１で用いたのと同様の基板を、参考例１で用いた
のと同様の単分子膜形成用の水相中に浸漬した。

次に、ステアリン酸をクロロホルム溶液に　１×１０−
３ｍｏｌ＃２の濃度で溶解した溶液の０．５ｍｔを、前
記水相上に展開させた。クロロホルムを水相表面から蒸
発除去した後、水相表面圧を３０ｄｙｎｅ／ｃ１１に調
整し、膜状のステアリン酸を水相面に析出させた。

更に、表面圧を一定に保ちながら、基板を水面を横切る
方向に２ｃｍ／ｍｉｎの速度で静かに引上げ、第３の層
としてのステアリン酸分子からなる単分子膜を基板の前
記電極層上に形成し、これを水相外へ引上げ、３０分以
上室温で放置して乾燥させた。更に、この操作をもう三
爪繰返して、前記基板の電極層上にステアリン酸分子か
らなる単分子膜が３層に積層された単分子累積膜を第３
の層として形成させた。なお、水相表面に残ったステア
リン酸は、該水相表面から完全に取り除いた。

次に、この基板を抵抗加熱蒸着装置の蒸着槽内の所定の
位置にセットし、更に抵抗加熱ポート内にアントラセン
（ｍｐ、　２１８℃）を入れ、該槽内をまず１０’　Ｔ
ｏｒｒの真空度まで減圧した後、蒸着速度が２　Ａ　１
ｓｅｃとなるようにポートに流れる電流を調整し、２０
０へのアントラセンからなる蒸着層を第１の層として先
に形成した第３の層としての絶縁層上に形成した。なお
、蒸着時に於ける槽内の真空度を９　Ｘ　１０’　Ｔａ
ｒｔに維持し、基板ホルダーの温度は、２０℃とした。

このようにして第１の層を形成した後、電極基板を、再
び残ったステアリン酸が完全に取り除かれた先に第３の
層の形成に使用した水相中に浸漬させた後、新たに を　ＩＸ　１０−３ｍｏｌ／／の濃度で含むクロロホル
ム溶液の　０．５ｍｊ！をこの水相上に展開させ、表面
圧を３０ｄｙｎｅ／ｃ＋ｗに調整し、上記化合物の単分
子膜を水相上に形成させたところで基板を水面を横切る
方向に２ｃｍ／ｌｌ１ｉｎの速度で静かに引上げ、更に
浸漬と引上げを１回づつ行ない上記化合物分子からなる
単分子膜が３層累積された単分子累積膜を第２の層とし
て先に形成した第１の層上に形成した。次に、この基板
な水相外に引出し、再び３０分以上室温で放置して乾燥
させた。

以後、このように形成された第２層上に、前記したステ
アリン酸からなる単分子膜の形成操作を２回繰返してス
テアリン酸からなる単分子膜が２層累積した第３の層を
形成し、更にこれまでの第１の層から第３の層までの形
成操作を４回繰返して第１の層と第２の層の界面を４つ
有する発光層＃６９（層厚；約１５０ＯＡ）を形成した
。

参考例９ 〔発光層成１０の形成〕 参考例１で用いたのと同様の基板を参考例１で用いたの
と同様の単分子膜形成用の水相中に浸漬した。

次に、参考例８に於けるステアリン酸からなる単分子膜
の形成操作を３回繰返して前記基板の電極層上にステア
リン酸分子からなる単分子膜が３層に積層された単分子
累積膜を第３の層として形成させた。なお、水相表面に
残ったステアリン酸は、該水相表面から完全に取り除い
た。

次に、このようにして第３の層が形成された基板を、残
ったステアリン酸が完全に取り除かれた水相中に再び浸
漬させた後、新たに （ＣＨ２）　２　Ｃ０ＮＨ２（ＣＨ２）　６　Ｃ０ＮＨ
２を１　ｍｏｌ：　ｌ　ｍｏｌの割合で、これらの総量
が１×１０’ｍｏｌ／ｊｔの濃度となるようにクロロホ
ルムに溶解した溶液の０．５＋ｍＡをこの水相上に展開
させ、表面圧を３０ｄｙｎｅ／ｃｍに調整し、上記化合
物の単分子膜を水相上に形成させたところで基板を水面
を横切る方向に２ｃ＋ｎ／ｗｉｎの速度で静かに上下に
２往復させ上記化合物分子からなる単分子膜が４層累積
された単分子累積膜を第１の層として先に形成した第３
の層上に形成した。次に、この基板を水相外に引出し、
再び３０分以上室温で放置して乾燥させた。

次に、この基板を抵抗加熱蒸着装置の蒸着槽内の所定の
位置にセットし、更に抵抗加熱ポート内に２，５−ジフ
ェニルオキサゾールを入れ、該槽内をまず１０’　Ｔｏ
ｒｒの真空度まで減圧した後、蒸着速度が２人／ｓｅｃ
となるように抵抗加熱ポートに流れる電流を調整し、２
００への２．５−ジフェニルオキサゾールからなる蒸着
層を第２の層として先に形成した第１の層上に形成した
。なお、蒸着時に於ける槽内の真空度を９　Ｘ　１０’
　Ｔｏｒｒに維持し、基板ホルダーの温度は、２０℃と
した。

以後、このように形成された第２層上に、前記したステ
アリン酸からなる単分子膜の形成操作を２回繰返してス
テアリン酸からなる単分子膜が２層累積した第３の層を
形成し、更にこれまでの第１の層から第３の層までの形
成操作を４回繰返して第１の層と第２の層の界面を４つ
有する発光層、７６．１０Ｃ層厚；約２２００人）を形
成した。

参考例１０ 〔発光層魚１１の形成〕 参考例１で用いたのと同様の基板上に、参考例７に於い
て形成したのと同様の２００Ａのステアリン酸メチル層
からなる蒸着層を第３の層として、参考例７に於ける方
法と同様にして形成した。

この第３の層が形成された基板を参考例１で用いたのと
同様の単分子膜形成用の水相中に浸漬しくＣＨ２）　１
０ＣＨ３ を５０ｍｏｌ　：　５０ｍｏｌ　：　１　ｍｏｌの割合
で、これらの総量がＩＸ　１０−３ｍｏｌ／ｊ！となる
ようにクロロホルムに溶解した溶液０．５ｍｌ１を前記
水相上に展開させ、表面圧を３Ｇｄｙｎｅ／ｃｍに調整
し、上記の２つ化合物からなる多成分系単分子膜を該水
相表面に析出させたところで基板を水面を横切る方向に
２ｃｍ／ｗｉｎの速度で静かに上下に２往復させ、上記
化合物の混合物からなる単分子膜を４層累積した第１の
層としての単分子累積膜を先に形成した第３の層上に形
成した。ここで、この基板な水相外に引出し、３０分以
上室温で放置して乾燥させた。

更に、水相表面に残された上記化合物を完全に取り除き
、基板を水相内に浸漬し、新たにを１００　ｍｏｌ　：
　１ｍｏｌの割合で、これらの総量がｌ×ＩＯ〜３ｍｏ
ｌ／／となるようにりＩ：Ｆロホルムに溶解した溶液の
０．５ｍｊ！をこの水相上に展開させ、表面圧を３０ｄ
ｙｎｅ／ｃｍに調整し、上記化合物からなる単分子膜を
該水相上に析出させ、基板を水面を横切る方向に２ｃｍ
／ｗｉｎの速度で静かに」−下に２往復させ、上記化合
物分子からなる単分子膜を３層累積した単分子累積膜を
第２の層として先に形成した第１の層上に形成した。

以後、」−記した第３の層から第２の層までの形成操作
を４回繰返し、最後に第３の層を積層して第１の層と第
２の層の界面を４つ有する発光層ｆ１２（層厚；約１ｅ
ｏｏＡ）を形成した。

参考例１１ 〔発光層魚１２の形成〕 参考例１で用いたのと同様の基板を参考例１で用いたの
と同様の単分子膜形成用の水相中に浸漬した。

次に、参考例８に於けるステアリン酸からなる単分子膜
の形成操作を３回繰返して、前記基板の電極層上にステ
アリン酸分子からなる単分子膜が３層に積層された単分
子累積膜を第３の層として形成させた。なお、水相表面
に残ったステアリン酸は、該水相表面から完全に取り除
いた。

次に、この基板を抵抗加熱蒸着装置の蒸着槽内の所定の
位置にセットし、更に抵抗加熱ポートの１つにアントラ
セン（ｍｐ、　２１６℃）を入れ、他の１つにアントラ
キノン（ｍｐ、　２８８℃）を入れ、該槽内をまず１０
’Ｔｏｒｒの真空度まで減圧した後、アントラキノンの
蒸着速度が０．１人／ｓｅｃ程度になるようにアントラ
キノンの入ったポートに流れる電流を一定とし、かつア
ントラセンとアントラキノンの混合物からなる蒸着層全
体の蒸着速度が２人／ｓｅｅとなるようにアントラセン
の入ったポートに流れる電流を調整し、２００へのアン
トラセンとアントラキノンの混合物からなる蒸着層を第
１の層として先に形成した第３の層としての絶縁層上に
形成した。なお、蒸着時に於ける槽内の真空度を９　Ｘ
　１Ｏ−６Ｔｏｒｒに維持し、基板ホルダーの温度は、
２０℃とした。

このようにして第１の層を形成した後、基板を、残った
ステアリン酸が完全に取り除かれた前記水相中に浸漬さ
せた後、新たに をＬＱＱ　ｍａｔ　：　１＋ｍｏｌの割合で、これらの
総量が１×１０’ｍｏｌ／／の濃度でクロロホルムに溶
解した溶液の　０．５ｍＡをこの水相上に展開させ、表
面圧を３０ｄｙｎｅ／ｃｍに調整し、上記化合物の単分
子膜を水相上に形成させたところで基板を水面を横切る
方向に２ｃｍ／ｗｉｎの速度で静かに上下に２往復させ
、上配化合物分子からなる単分子膜が４層累積された単
分子累積膜を第２の層として先に形成した第１の層上に
形成した。次に、この基板を水相外に引出し、再び３０
分以上室温で放置して乾燥させた。

以後、このように形成された第２層上に、前記したステ
アリン酸からなる単分子膜の形成操作を４回繰返してス
テアリン酸からなる単分子膜が４層累積した第３の層を
形成し、更にこれまでの第１の層から第３の層までの形
成操作を４回繰返して第１の層と第２の層の界面を４つ
有する発光層遂１２（層厚；約１８０ＯＡ）を形成した
。

参考例１２ 〔発光層成１３の形成〕 参考例１で用いたのと同様の基板を参考例１で用いたの
と同様の単分子膜形成用の水相中に浸漬した。

次に、参考例８に於けるステアリン酸からなる単分子膜
の形成操作を４回繰返して、前記基板の電極層上にステ
アリン酸分子からなる単分子膜が４層に積層された単分
子累積膜を第３の層として形成させた。なお、水相表面
に残ったステアリン酸は、該水相表面から完全に取り除
いた。

次に、このようにして第３の層が形成された電極基板を
、残ったステアリン酸が完全に取り除かれた水相中に再
び浸漬させた後、新たにを５０ｍｏｌ　：５０ｍｏｌ：
　１　ｍｏｌの割合で、これらの総量がＩＸ　１０−３
ｍｏｌ＃ｔの濃度となるようにクロロホルムに溶解した
溶液の０．５層ノこの水相上に展開させ、表面圧を３０
ｄｙｎｅ／ｃｍに調整し、上記化合物の単分子膜を水相
上に形成させたところで基板を水面を横切る方向に２ｃ
＋＊／ｍｉηの速度で静かに上下に２往復させ上記化合
物分子からなる単分子膜が４層累積された単分子累積膜
を第１の層として先に形成した第３の層上に形成した。

次に、この基板な水相外に引出し、再び３０分以上室温
で放置して乾燥させた。

次に、この基板を抵抗加熱蒸着装置の蒸着槽内の所定の
位置にセットし、更に抵抗加熱ポートの１つにカルバゾ
ール（ｍｐ、　２４５℃）を入れ、他の１つに２，５−
ジフェニルオキサゾールを入れ、該槽内をまず１０”６
Ｔｏｒｒの真空度まで減圧した後、カルバゾールの蒸着
速度が０．４人／ｓｅｃ程度になるようにカルバゾール
の入った抵抗加熱ポートに流れる電流を一定とし、かつ
カルバゾールと２，５−ジフェニルオキサゾールの混合
物からなる蒸着層全体の蒸着速度が２Ｊ７ｓｅｃとなる
ように２．５−ジフェニルオキサゾールの入ったポート
に流れる電流を調整し、２００　Ａのカルバゾールと２
，５−ジフェニルオキサゾールの混合物からなる蒸着層
を第２の層として先に形成した第１の層扛番でゆｔ１啓
上に形成した。なお、蒸着時に於ける槽内の真空度を９
×１０’　Ｔｏｒｒに維持し、基板ホルダーの温度は、
２０℃とした。

以後、このように形成された第２層上に、前記したステ
アリン酸からなる単分子膜の形成操作を２回繰返してス
テアリン酸からなる単分子膜が２層累積した第３の層を
形成し、更にこれまでの第１の層から第３の層までの形
成操作を４回繰返して第１の層と第２の層の界面を４つ
有する発光層酸１３（層厚；約１８０ＯＡ）を形成した
。

参考例１３ 〔発光層酸１４の形成〕 参考例１で用いたのと同様の基板の電極層上に、参考例
７に於いて形成したのと同様の２００へのステアリン酸
メチル層からなる蒸着層を第３の層として、参考例７に
於ける方法と同様にして形成し、この第３の層の形成さ
れた基板を、参考例１で用いたのと同様の単分子膜形成
用の水相中に浸漬した。

（ＣＨ２）２ＣＯＮ）’１２　　　（０４２１６ＱＩＪ
Ｈ２を５０　ｍｏｌ　：５０ＩＩｏｌ　：　１　ｍｏｌ
の割合で、これらの総量が１×１０−３曹ｏ１／ｊ！と
なるようにクロロホルムに溶解した溶液０．５ｍｊ！を
前記水相上に展開させ、表面圧を３０ｄｙｎｅ／ｃ＋ｓ
に調整し、上記の２つ化合物からなる多成分系単分子膜
を該水相表面に析出させたところで基板を水面を横切る
方向に２ｃｍ／ｗｉｎの速度で静かに上下に２往復させ
、上記化合物の混合物からなる単分子膜を４層累積した
第１の層としての単分子累積膜を先に形成した第３の層
上に形成した。ここで、この基板を水相外に引出し、３
０分以上室温で放置して乾燥させた。

更に、水相表面に残された上記化合物を完全に取り除き
、基板を水相内に浸漬し、新たにＸ　１０’　ｍｏｌ／
ｊ！となるようにクロロホルムに溶解した溶液の０　、
５ｍ　ｊｌをこの水相上に展開させ、表面圧を３０ｄｙ
ｎｅ／ｃｍに調整し、上記化合物からなる単分子膜を該
水相上に析出させ、基板を水面を横切る方向に２ｃｍ／
ｗｉｎの速度で静かに上下に２往復させ、上記化合物分
子からなる単分子膜を４層累積した単分子累積膜を第２
の層として先に形成した第１の層上に形成した。

以後、上記した第３の層から第２の層までの形成操作を
４回繰返し、最後に第３の層を積層して第１の層と第２
の層の界面を４つ有する発光層成１４（層厚：約１８０
ＯＡ）を形成した。

参考例１４ 〔発光層酸１５の形成〕 参考例１で用いたのと同様の基板を参考例１で用いたの
と同様の単分子膜形成用の水相中に浸漬した。

次に、参考例８に於けるステアリン酸からなる単分子膜
の形成操作を３回繰返して、前記基板の電極層上にステ
アリン酸分子からなる単分子膜力（３層に積層された単
分子累積膜を第３の層として形成させた。なお、水相表
面に残ったステアリン酸は、該水相表面から完全に取り
除いた。

この基板を抵抗加熱蒸着装置の蒸着槽内の所定の位置に
セットし、更に抵抗加熱ポートの１つにアントラセン（
ｍｐ、　２１８℃）を入れ、他の１つにインダゾール（
ｍｐ、　１４５℃）を入れ、該槽内をまず１０’　Ｔｏ
ｒｒの真空度まで減圧した後、インダゾールの蒸着速度
が０．２　Ａ　／ｓｅｃ程度になるようにインダゾール
の入ったポートに流れる電流を一定とし、かつアントラ
センとインダゾールの混合物からなる蒸着層全体の蒸着
速度が２Ｊ／ｓｅｃとなるようにアントラセンの入った
ポートに流れる電流を調整し、２０ＯＡのアントラセン
とインダゾールの混合物からなる蒸着層を第１の野とし
て先に形成した第３の層としての絶縁層上に形成した。

なお、蒸着時に於ける槽内の真空度を９　Ｘ　１０（１
Ｔｏｒｒに維持し、基板ホルダーの温度は、２０℃とし
た。

このようにして第１の層を形成した後、電極基板を、残
ったステアリン酸が完全に取り除かれた前記水相中に浸
漬させた後、新たに ヲ１００　ｍｏｌ　：　１ｍｏｌ（７）ｍ合テ、コｎ　
（７）１１ｍ　ＪＬ　カ１ｘ１０−３ｍａｔ／／ｌの濃
度でクロロホルムに溶解した溶液の０．５＋／！をこの
水相上に展開させ、表面圧を３０ｄｙｎｅ／ｃｍに調整
し、上記化合物の単分子膜を水相上に形成させたところ
で基板を水面を横切る方向に２ｃｎ＋／ｗｉｎの速度で
静かに上下に２往復させ、上記化合物分子からなる単分
子膜が４層累積された単分子累積膜を第２の層として先
に形成した第１の層上に形成した。次に、この基板を水
相外に引出し、再び３０分以上室温で放置して乾燥させ
た。

以後、このように形成された第２層上に、前記したステ
アリン酸からなる単分子膜の形成操作を２回繰返してス
テアリン酸からなる単分子膜が２層累積した第３の層を
形成し、更にこれまでの第１の層から第３の層までの形
成操作を４回繰返して第１の層と第２の層の界面を４つ
有する発光層成１５（層厚；約１５０ＯＡ）を形成した
。

参考例１５ 〔発光層成ＩＢの形成〕 参考例１で用いたのと同様の基板を参考例１で用いたの
と同様の単分子膜形成用の水相中に浸漬した。

次に、参考例８に於けるステアリン酸からなる単分子膜
の形成操作を３回繰返して前記基板の電極層上にステア
リン酸分子からなる単分子膜が３層に積層された単分子
累積膜を第３の層として形成させた。なお、水相表面に
残ったステアリン酸は、該水相表面から完全に取り除い
た。

次に、このようにして第３の層が形成された電極基板を
、残ったステアリン酸が完全に取り除かれた水相中に再
び浸漬させた後、新たにを５０ｍｏｌ　：５０ｍｏｌ：
　１　ｍｏｌの割合で、これらの総量がＩＸ　１０’　
ｍｏｌ／ｊ！の濃度となるようにクロロホルムに溶解し
た溶液の０．５＋＊ｊをこの水相上に展開させ、表面圧
を３０ｄｙｎｅ／ｃｍに調整し、上記化合物の単分子膜
を水相上に形成させたところで基板を水面を横切る方向
に２ｃｍ／ｗｉｎの速度で静かに上下に２往復させ上記
化合物分子からなる単分子膜が４層累積された単分子累
積膜を第１の層として先に形成した第３の層上に形成し
た。次に、この基板を水相外に引出し、再び３０分以上
室温で放置して乾燥させた。

次に、この基板を抵抗加熱蒸着装置の蒸着槽内の所定の
位置にセットし、更に抵抗加熱ポートの１つにカルバゾ
ール（ｍｐ、　２４５℃）を入れ、他の１つにアントラ
キノン（＋＊ｐ、　２８８℃）を入れ、該槽内をまず１
０’　Ｔｏｒｒの真空度まで減圧した後、アントラキノ
ンの蒸着速度が０．　Ｉ　Ａ　／ｓｅｅ程度になるよう
にアントラキノンの入ったポートに流れる電流を一定と
し、かつカルバゾールとアントラキノンの混合物からな
る蒸着層全体の蒸着速度が２人／ｓｅｃとなるようにカ
ルバゾールの入ったポートに流れる電流を調整し、２０
０人のカルバゾールとアントラキノンの混合物からなる
蒸着層を第２の層として先に形成した第１の層厚せで茫
１１井上に形成した。なお、蒸着時に於ける槽内の真空
度を９　Ｘ　１０’　Ｔｏｒｒに維持し、基板ホルダー
の温度は、２０℃とした。

以後、このように形成された第２層上に、前記したステ
アリン酸からなる単分子膜の形成操作を２回繰返してス
テアリン酸からなる単分子膜が２層累積した第３の層を
形成し、更にこれまでの第１の層から第３の層までの形
成操作を４回繰返して第１の層と第２の層の界面を４つ
有する発光層Ｎ６．１８Ｃ層厚；約１５００人）を形成
した。

参考例１６ 〔発光層Ａ１７の形成〕 ５０ｍｍ角のガラス表面上にスパッタリング法により膜
厚１５００Ａの１．Ｔ、０層を形成して透明電極層を有
する発光層形成用の基板とし、更に該層上に膜厚１００
０Ａの５ｉ０２膜をスパッタリング法により積層し第３
の層としての絶縁層とした。

この基板を抵抗加熱蒸着装器の蒸着槽内の所定の位置に
セットし、更に抵抗加熱ポート内にトリフェニルアミン
（ｍｐ、　１２７℃）を入れ、該槽内をまず１０’　Ｔ
ａｒｔの真空度まで減圧した後、蒸着速度が２人／ｓｅ
ｅとなるように抵抗加熱ポートに流れる電流を調整し、
　２０ＯＡのトリフェニルアミンからなる蒸着層を第１
の層として、先に基板の透明電極層上に形成した第３の
層上に形成した。なお、蒸着時に於ける槽内の真空度を
９　Ｘ　１Ｏ−６Ｔａｒｔに維持し、基板ホルダーの温
度は、２０℃とした。

次に、トリフェこルアミンの代りに、アントラセフ　（
ｍｐ、　２１Ｇｌ　’Ｃ）を使用し、先の第１の層の形
成と同様にして３００へのアントラセンからなる蒸着層
を第２の層として先に形成した第１の層上に形成した。

更に、アントラセンの代りに、ステアリン酸メチル（ｍ
ｐ、　３８°Ｃ）を使用し、先の第１の層の形成と同様
にして３００へのステアリン酸メチルからなる不着層を
新たな第３の層として先に形成した第２の層上に形成し
た。

以後、上記したトリフェニルアミンからなる第１の層か
らステアリン酸メチルからなる第３の層までの形成操作
をもう一度繰返し、第１の層と第２の層の界面を２つ有
する発光層、／ＦＬ１？（層厚；約１８００人）を形成
した。

参考例１７ 〔発光層、／Ｌ１８の形成〕 参考例１に於いて用いたのと同様の基板の電極層上に、
参考例１と同様にして膜厚１０００ｘの５ｉ０２膜をス
パッタリング法により積層し第３の層としての絶縁層と
した。

このようにして第３の層を形成した後、電極基４〆二＝ 板を、ｍ蒸着槽内にセットしておき、更ば、１′７′１
ス アントラセン（ｍｐ、　２１６℃）の入ったものとアン
トラキノン（ｍｐ、　２８θ℃）の入ったものの２つの
抵抗加熱ポートを蒸着槽内にセットし、該槽内をまず１
０°’　Ｔｏｒｒの真空度まで減圧した後、アントラキ
ノンの蒸着速度が０．１人／ｓｅｅ程度になるように抵
抗加熱ポートの電流を設定し、かつアントラセンとアン
トラキノンの混合物からなる蒸着層全体の蒸着速度が２
　Ａ　／ｓｅｃとなるようにアントラセンの入った抵抗
加熱ポートに流れる電流を調整し、アントラセンとアン
トラキノンの混合物からなる蒸着層を第１の層として先
に形成した第３の層としての絶縁層上に形成した。なお
、蒸着時に於ける槽内の真空度を９　Ｘ　１０’　Ｔａ
ｒｔに維持し、基板ホルダーの温度は、２０℃とした。

更に抵抗加熱ポートの１つをトリフェニルアミン（ｍｐ
、　２４５°Ｃ）の入ったものと交換し、他の１つもイ
ンダゾール（ｍｐ、　１４５℃）の入ったものと交換し
、該槽内をまず１０’　Ｔｏｒｒの真空度まで減圧した
後、インダゾールの蒸着速度が０．１人／ｓｅｃ程度に
なるように抵抗加熱ポートの電流を設定し、かつトリフ
ェニルアミンとインダゾールの混合物からなる蒸着層全
体の蒸着速度が２Ａ／ｓｅｃとなるようにトリフェニル
アミンの入ったポートに流れる電流を調整し、２００へ
のトリフェニルアミンとインダゾールの混合物からなる
蒸着層を第２の層として先に形成した第３の層としての
絶縁層上に形成した。なお、蒸着時に於ける槽内の真空
度を９　Ｘ　１０’　Ｔｏｒｒに維持し、この場合の基
板ホルダーの温度も２０℃とした。

引続き基板を蒸着槽内にセットしておき、更に抵抗加熱
ポート内にステアリン酸メチル（ｆｆｌＴ＋、　３８°
Ｏ）を入れ、該槽内を１Ｏ−６Ｔｏｒｒの真空度まで減
圧した後、蒸着速度が２八／ｓｅｃとなるように抵抗加
熱ポートに流れる電流を調整し、２００へのステアリン
酸メチル層からなる蒸着層を第３の層として、先に形成
した第２の層上に形成した。なお。

蒸着時に於ける槽内の真空度を９　Ｘ　１０”　Ｔｏｒ
ｒに維持し、この場合の基板ホルダーの温度も２０℃と
し升 以後、上記した第１の層から第３の層までの形成操作を
４回繰返して第１の層と第２の層の界面を４つ有する発
光層成１８（層厚；約２４００人）を形成した。

参考例１８ 〔発光層遂１θの形成〕 参考例１に於いて用いたのと同様の基板の電極層上に、
参考例１と同様にして膜厚１ｏｏｏＡの５ｉ０２膜を７
バツタリング法により積層し第３の層としての絶縁層と
した。

このようにして第３の層を形成した後、電極基板を、抵
抗加熱蒸着装置の蒸着槽内にセットし、更にトリフェニ
ルアミン（ｍｐ、　１２７℃）の入ったものと、アント
ラキノン（ｍｐ、　２８８℃）ノ入ったものの２つの抵
抗加熱ポートを蒸着槽内にセットし、該槽内をまず１０
’　Ｔｏｒｒの真空度まで減圧した後、アントラキノン
の蒸着速度が０．１．４／ｓｅｃ程度になるようにアン
トラキノンの入ったポートに流れる電流を一定とし、か
つトリフェニルアミンとアントラキノンの混合物からな
る蒸着層全体の蒸着速度が２　Ａ　／ｓｅｃとなるよう
にトリフェニルアミンの入ったポートに流れる電流を調
整し、２００人のトリフェニルアミンとアントラキノン
の混合物からなる蒸着層を第１の層として先に形成した
第３の層としての絶縁層上に形成した。なお、蒸着時に
於ける槽内の真空度を９ＸＩＱ’Ｔａビに維持し、基板
ホルダーの温度は、２０’Ｃとした。

更に抵抗加熱ポートの１つをアントラセン（ｒｓｐ、　
２１８　’０）の入ったものと交換し、他の１つもイン
ダゾール（ｍｐ、　１４５℃）の入ったものと交換し、
該槽内をまず１０’　Ｔｏｒｒの真空度まで減圧した後
、インダゾールの蒸着速度が０．１　）ｙ／ｓｅｃ程度
になるようにインダゾールの入った抵抗加熱ポートに流
れる電流を一定とし、かつアントラセンとインダゾール
の混合物からなる蒸着層全体の蒸着速度が２Ａ／ｓｅｃ
となるようにアントラセンの入ったポートに流れる電流
を調整し、　２００へのアントラセ〕／とインダゾール
の混合物からなる蒸着層を第２の層として先に形成した
第３の層としての絶縁層上に形成した。なお、この場合
も、蒸着時に於ける槽内の真空度を９　Ｘ　１０’　Ｔ
ａｒｔに維持し、基板ホルダーの温度も２０℃とした。

引続き基板を蒸着槽内にセットしておき、更に抵抗加熱
ポート内にステアリン酸メチル（ｍｐ、　３８°Ｃ）を
入れ、該槽内を１０”　Ｔａｒｒの真空度まで減圧した
後、蒸着速度が２Ａ／ｓｅｃとなるように抵抗加熱ポー
トに流れる電流を調整し、２００へのステアリン酸メチ
ル層からなる蒸着層を第３の層として、先に形成した第
２の層上に形成した。なお、この場合も、蒸着時に於け
る槽内の真空度を８×１０’　Ｔｏｒｒに維持し、基板
ホルダーの温度も２０℃とした。

以後、上記した第１の層から第３の層までの形成操作を
４回繰返して第１の層と第２の層の界面を４つ有する発
光層成１９（層厚；約２４００人）を形成した。

実施例 第１図に示した構造の本発明のＥＬ素子の形成を以下の
ようにして実施した。

５０ｍｍ角のガラス表面上にスパッタリング法により膜
厚１５００Ａの１．Ｔ、０層を蒸着して透明電極層１を
形成した。

次に、この透明電極層１上に参考例１６〜１８に於いて
形成した発光層（ＭｆＬ１７〜逅１９）のいずれか１つ
を発光層４として形成した後、この発光層４の形成され
た基板を、真空蒸着装置の蒸着槽内の所定の位置にセッ
トし、該槽内を一度ＩＸ　１０’　Ｔｏｒｒの真空度ま
で減圧した後、該槽内の真空度を９×１０’　Ｔｏｒｒ
に調整し、蒸着速度５　Ａ　／　ｓｅｃ　テ５０への膜
厚のＡｕ層を発光層４の最上部に位置する第３の層上に
形成し、半透明電極層３とした。

更に、半透明電極層３上にに参考例１〜１５に於いて形
成した発光層（逅１〜逅１６）のいずれか１つを単分子
膜または単分子累積膜を有する発光層５として形成した
後、この発光Ｎ５の形成された基板を、真空蒸着装置の
蒸着槽内の所定の位置に再びセットし、該槽内を一度Ｉ
Ｘ　１０’　Ｔｏｒｒの真空度まで減圧した後、今回は
該槽内の真空度を　１×１０’　Ｔｏｒｒに調整し、蒸
着速度２０Ａ　／　ｓｅｃ　テ１５０ＯＡの膜厚のＡ１
層を発光層５の最上部に位置する第３の層上に形成し、
透明でない背面電極層２として発光層成１〜魚Ｊ６から
選ばれた１つと、発光層成１７〜逅１９から選ばれた１
つとを、発光層４と発光層５として組み合わせて本発明
のＥＬｉ子を計４８個形成した。

これらの本発明のＥＬ素子のそれぞれを第５図に示すよ
うに、シールガラス５１でシールした後、常法に従って
精製、脱気及び脱水処理されたシリコンオイル５２をシ
ール中に注入して、ＥＬナセル０を形成した。

このようなＥＬセルのそれぞれについて、電極層１，３
間及び電極層２．３間に、交流電圧（２０■、４００Ｈ
２）を印加して１発光させ、発光に於ける輝度及び電流
密度を測定したところ、　０．０８〜０．１３　ｍＡ／
ｃｍ２の範囲の電流密度及び２０〜４０ｆｔ−Ｌノ範囲
の輝度が測定された。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のＥＬ素子の模式的断面図、第２図は本
発明のＥＬ素子の有する発光層の一例の模式的断面図、
第３図１ｉ−単分子膜形成用化合物の分子構造の模式図
、第４図は本発明のＥＬ素子の有する第１の層とＳ２の
層の界面に於ける分子の配列の一例を示す模式図、第５
図は本発明ＥＬ素子の組み込まれたＥＬナセル模式的断
面図である。 １：透明電極層 ３：透明または半透明な電極層 ２：電極層 ４．５：発光層 ２１−１．２１−’２：第１の層 ２２−１．２２−２：第２の層 ２３−１．２３−２．２３−３：第３の層２４−１．２
４−２　：界面 ３１．３１′：機能性部分 ３２．３２′：Ｍ１水性部分 ３３．３３′：疎水性部分 ５０：ＥＬ素子 ５１ニガラスシール ５２：シリコンオイル ５３：ＥＬナセ ル許出願人　　キャノン株式会社 第　　２　　図 （ｂ） （Ｃ） （ｄ）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）少なくとも一方が透明である２つの電極層と、これ
   ら２つの電極層間に設けられた、２つの発光層と、これ
   ら２つの発光層間に設けられた透明または半透明な電極
   層とを有してなり、前記２つの発光層のいずれか一方が
   有機化合物の単分子膜または単分子累積膜からなる層を
   有してなるものである電界発光素子。 ２）前記２つの発光層が、同一の機能を有するものであ
   る特許請求の範囲第１項記載の電界発光素子。 ３）前記２つの発光層が、異なる機能を有するものであ
   る特許請求の範囲第１項記載の電界発光素子。