JPS6137871A - 電界発光素子 - Google Patents
電界発光素子Info
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- JPS6137871A JPS6137871A JP15881484A JP15881484A JPS6137871A JP S6137871 A JPS6137871 A JP S6137871A JP 15881484 A JP15881484 A JP 15881484A JP 15881484 A JP15881484 A JP 15881484A JP S6137871 A JPS6137871 A JP S6137871A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、電界発光を行なう電界発光素子[エレクトロ
ルミネッセンス(E L)素子]に関し、くわしくは有
機化合物からなる電気化学的特性の異なる2種の薄膜を
組合わせたEL機能を持つ層を有し、特に、低電圧駆動
でも効率良い発光が得られ、十分な輝度を有するEL素
子に関する。
ルミネッセンス(E L)素子]に関し、くわしくは有
機化合物からなる電気化学的特性の異なる2種の薄膜を
組合わせたEL機能を持つ層を有し、特に、低電圧駆動
でも効率良い発光が得られ、十分な輝度を有するEL素
子に関する。
EL素子は、EL機能を有する材料、すなわち電界内に
置かれた際に光を発する機能を有する材料を含む発光層
を2つの電極間に配置した構造を有し、これら電極間に
電圧を印加することにより電界を発生させて電気エネル
ギーを直接光に変換して光を発生する発光素子であり、
例えば白熱電球のようにフィラメントを白熱させて発光
させる、あるいは蛍光灯のように電気的に励起した気体
が蛍光体にエネルギーを付与して発光させるなどの従来
の発光方式とは異なり、薄型のパネル状、ベルト状、円
筒状等の種々の形状の例えば、ランプや線、図、画像等
の表示に用いる表示媒体の構成部材として、あるいは大
面積のパネルランプ等の発光体を実現化できる可能性を
有するものとして注目されている。
置かれた際に光を発する機能を有する材料を含む発光層
を2つの電極間に配置した構造を有し、これら電極間に
電圧を印加することにより電界を発生させて電気エネル
ギーを直接光に変換して光を発生する発光素子であり、
例えば白熱電球のようにフィラメントを白熱させて発光
させる、あるいは蛍光灯のように電気的に励起した気体
が蛍光体にエネルギーを付与して発光させるなどの従来
の発光方式とは異なり、薄型のパネル状、ベルト状、円
筒状等の種々の形状の例えば、ランプや線、図、画像等
の表示に用いる表示媒体の構成部材として、あるいは大
面積のパネルランプ等の発光体を実現化できる可能性を
有するものとして注目されている。
このようなEL素子は、その発光方式の違いから、発光
層内部でのキャリアーの異動に伴なう電界励起発光を行
なう真性EL方式と、電極からキャリアーを発光層内に
注入して電界励起発光を行なうキャリアー注入EL方式
との2つに大きく分けられる。
層内部でのキャリアーの異動に伴なう電界励起発光を行
なう真性EL方式と、電極からキャリアーを発光層内に
注入して電界励起発光を行なうキャリアー注入EL方式
との2つに大きく分けられる。
更に、EL素子は、該素子の有する発光層の構造の違い
から、EL機能を有する材料からなる薄膜を発光層とし
て有する薄膜型と、EL機能を有する材料をバインダー
中に分散して形成した発光層を有する粉末型との2つの
タイプに大きく分類される。
から、EL機能を有する材料からなる薄膜を発光層とし
て有する薄膜型と、EL機能を有する材料をバインダー
中に分散して形成した発光層を有する粉末型との2つの
タイプに大きく分類される。
なお、上記のEL機能を有する材料としては、従来、M
n、 CuまたはReF3 (Reは希土類を表わす)
等を賦活剤として含むZnS等の無機金属材料が主に使
用されてきた。
n、 CuまたはReF3 (Reは希土類を表わす)
等を賦活剤として含むZnS等の無機金属材料が主に使
用されてきた。
薄膜型のEL素子は、発光層を薄く形成して、電極間の
距離を十分に短かくすることができ、発光層内でより強
い電界を発生させて、低電圧駆動に於いても、輝度の高
い良好な発光を得るために好適な構造を有している。し
かしながら、上記のZnSを主体とする無機金属材料を
用いて蒸着法等の薄膜形成法により薄膜の発光層を形成
し、この型のEL素子を製造した場合、製造コストが非
常に高くなってしまうという問題があり、また大面積の
均一な薄膜からなる発光層の形成が非常に困難であるた
め、品質の良い大面積のEL素子を量産性良く製造する
ことはできなかった。
距離を十分に短かくすることができ、発光層内でより強
い電界を発生させて、低電圧駆動に於いても、輝度の高
い良好な発光を得るために好適な構造を有している。し
かしながら、上記のZnSを主体とする無機金属材料を
用いて蒸着法等の薄膜形成法により薄膜の発光層を形成
し、この型のEL素子を製造した場合、製造コストが非
常に高くなってしまうという問題があり、また大面積の
均一な薄膜からなる発光層の形成が非常に困難であるた
め、品質の良い大面積のEL素子を量産性良く製造する
ことはできなかった。
これに対して、量産性に富み、コスト的に有利であるE
L素子として、上記のZnSを主体とするEL無機材料
を有機バインダー中に分散して発光層を形成した真性E
L方式の有機粉末型EL素子が知られている。
L素子として、上記のZnSを主体とするEL無機材料
を有機バインダー中に分散して発光層を形成した真性E
L方式の有機粉末型EL素子が知られている。
ところが、この粉末型のEL素子に於いては、ところが
、この粉末型のEL素子に於いては、層厚を薄く形成す
ると、その発光層にビンポール等の欠陥が生じ易く、発
光特性を十分に高めるために、発光層の層厚を一定以上
薄くするには構造上の限界があり、十分な発光]特に高
い輝度を得ることができず、また層厚が比較的厚くなる
の′で、より強い電界を発生させるために、電力消費′
が多く外るなどの問題点を有していた。この粉末如のE
L素子の有する発光層内に、より強い電界を発生させる
ためにフッ化ビニ′リデン系重合体からなる中間誘電体
層を設けた改良型の粉末型EL素子が、特開昭58−1
72891公報によって知られているが、岬痩、電力消
費等に於いて満足のいく性能が得られていないのが現状
である。
、この粉末型のEL素子に於いては、層厚を薄く形成す
ると、その発光層にビンポール等の欠陥が生じ易く、発
光特性を十分に高めるために、発光層の層厚を一定以上
薄くするには構造上の限界があり、十分な発光]特に高
い輝度を得ることができず、また層厚が比較的厚くなる
の′で、より強い電界を発生させるために、電力消費′
が多く外るなどの問題点を有していた。この粉末如のE
L素子の有する発光層内に、より強い電界を発生させる
ためにフッ化ビニ′リデン系重合体からなる中間誘電体
層を設けた改良型の粉末型EL素子が、特開昭58−1
72891公報によって知られているが、岬痩、電力消
費等に於いて満足のいく性能が得られていないのが現状
である。
一方、最近、種々の薄膜形成法により精度良い薄膜の形
成が可能である有機化合物材料の化学構造壱高次構造を
制御して、従来用いられていた金属、無機材料の代りに
、オプティカル及びエレクトロニクス用材料として、エ
レクトロクロミック素子、圧電素子、焦電素子、非線形
光学素子、強誘電性液晶等の用途に適用することが注目
されており、更に、これらの材料のEL素子の発光層を
形成する材料としての適用が期待されている。
成が可能である有機化合物材料の化学構造壱高次構造を
制御して、従来用いられていた金属、無機材料の代りに
、オプティカル及びエレクトロニクス用材料として、エ
レクトロクロミック素子、圧電素子、焦電素子、非線形
光学素子、強誘電性液晶等の用途に適用することが注目
されており、更に、これらの材料のEL素子の発光層を
形成する材料としての適用が期待されている。
これらのなかで、EL素子の発光層用の有機材料として
は、°ナンドラセン、ピレン若シくはペリレンまたはこ
れらの誘導体等が知られており、これらの材料の単分子
累積膜を発光層として用いた、キャリアー注入EL方式
の素子が、特開5B52−35587号公報により知ら
れている。
は、°ナンドラセン、ピレン若シくはペリレンまたはこ
れらの誘導体等が知られており、これらの材料の単分子
累積膜を発光層として用いた、キャリアー注入EL方式
の素子が、特開5B52−35587号公報により知ら
れている。
しかしながら、このEL素子に於いては、発光層が精度
良い薄膜として形成されているものの、キャリアーであ
る電子あるいはホールの密度が非常に小さく、毛ヤリア
ーの移動や再結合等による機能分子の励起確率が低く、
効率の良い発光が得られず、特に電力消費や輝度の点で
満足できるものとなっていないのが現状である。
良い薄膜として形成されているものの、キャリアーであ
る電子あるいはホールの密度が非常に小さく、毛ヤリア
ーの移動や再結合等による機能分子の励起確率が低く、
効率の良い発光が得られず、特に電力消費や輝度の点で
満足できるものとなっていないのが現状である。
本発明の目的は、発光効率が良好であり、低電圧駆動で
も十分な輝度が得られ、安価でかつ製造容易な構造を有
する新規なEL素子を提供することにある。
も十分な輝度が得られ、安価でかつ製造容易な構造を有
する新規なEL素子を提供することにある。
本発明の他の目的は、EL素子用の種々の有機化合物材
料を適宜選択し、その材料に最適な薄膜形成法を組合わ
せて形成することができ、所望の発光特性を容易に付与
することが可能な構造を有するEL素子を提供すること
にある。
料を適宜選択し、その材料に最適な薄膜形成法を組合わ
せて形成することができ、所望の発光特性を容易に付与
することが可能な構造を有するEL素子を提供すること
にある。
すなわち、本発明の電界発光素子は、少なくとも一方が
透明である2つの電極層と、これら電極層間に設けられ
た発光層とを有する電界発光素子に於いて、前記発光層
が、相対的に電子受容性を示す有機化合物を含む第1の
層と、相対的に電子供与性を示す有機化合物を含む第2
の層と、電気絶縁性を有する第3の層とを有し、更に前
記第1の層に前記相対的に電子受容性を示す有機化合物
に対して電子供与体となり得る他の化合物が含有され、
かつ前記第2の層に前記相対的に電子供与性を示す有機
化合物に対して電子受容体となり得る他の化合物が含有
されてなり、これらの層が、前記電極層の一方から他方
に向かって前記第3の層上に、前記第1の層、第2の層
及び第3の層がこの順に2回以上繰り返されて積層され
てなり、更に前記第2の層が、該層を形成できる化合物
の単分子膜または単分子累積膜からなるものであること
を特徴とする。
透明である2つの電極層と、これら電極層間に設けられ
た発光層とを有する電界発光素子に於いて、前記発光層
が、相対的に電子受容性を示す有機化合物を含む第1の
層と、相対的に電子供与性を示す有機化合物を含む第2
の層と、電気絶縁性を有する第3の層とを有し、更に前
記第1の層に前記相対的に電子受容性を示す有機化合物
に対して電子供与体となり得る他の化合物が含有され、
かつ前記第2の層に前記相対的に電子供与性を示す有機
化合物に対して電子受容体となり得る他の化合物が含有
されてなり、これらの層が、前記電極層の一方から他方
に向かって前記第3の層上に、前記第1の層、第2の層
及び第3の層がこの順に2回以上繰り返されて積層され
てなり、更に前記第2の層が、該層を形成できる化合物
の単分子膜または単分子累積膜からなるものであること
を特徴とする。
本発明の発光素子は、基本的に、少なくとも一方が透明
である2つの電極層と、これら電極層間に絶縁層を介し
て設けられたELJ1能を持つ発光層とを有する、いわ
ゆる真性EL方式の薄膜型EL素子であり、前記発光層
の構造にその特徴を有する。
である2つの電極層と、これら電極層間に絶縁層を介し
て設けられたELJ1能を持つ発光層とを有する、いわ
ゆる真性EL方式の薄膜型EL素子であり、前記発光層
の構造にその特徴を有する。
本発明のEL素子の有する発光層は、相対的に電子受容
性を示す有機化合物(以後EA化合物と略称する)と、
相対的に電子供与性を示す有機化合物(以後ED化合物
と略称する)が互いに接触する位置に、かつ前記EA化
合物周辺に、該化合物に対して電子供与体となり得る化
合物(以後EA−d化合物と略称する)が、更に前記E
D化合物周辺に、該化合物に対して電子受容体となり得
る化合物(以後ED−a化合物と略称する)がそれぞれ
配置された構造を有し、これら化合物が電界中に置かれ
た時のこれら化合物間の相互作用による、なかでも前記
ED化合物とEA化合物間の電子の授受に伴なう励起錯
体の形成に基づく発光作用を主な発光源として有するも
のであり、しかもこのような励起錯体が電界の発生とと
もに効率良く形成されるのに好適な構造を有することに
特徴がある。
性を示す有機化合物(以後EA化合物と略称する)と、
相対的に電子供与性を示す有機化合物(以後ED化合物
と略称する)が互いに接触する位置に、かつ前記EA化
合物周辺に、該化合物に対して電子供与体となり得る化
合物(以後EA−d化合物と略称する)が、更に前記E
D化合物周辺に、該化合物に対して電子受容体となり得
る化合物(以後ED−a化合物と略称する)がそれぞれ
配置された構造を有し、これら化合物が電界中に置かれ
た時のこれら化合物間の相互作用による、なかでも前記
ED化合物とEA化合物間の電子の授受に伴なう励起錯
体の形成に基づく発光作用を主な発光源として有するも
のであり、しかもこのような励起錯体が電界の発生とと
もに効率良く形成されるのに好適な構造を有することに
特徴がある。
以下、図面を用いて本発明のEL素子を更に詳細に説明
する。
する。
第1図は本発明のEL素子の一例の模式的断面図である
。
。
1.2は電圧が印加されることによって電界を発生させ
るための電極であり、lは発生した光を取り出すための
透明な電極である。3は、EL@能を有する発光層であ
り、上下両端に積層された絶縁層として機能する第3の
層4−1.4−3の間に、第1の層5−1.5−2、第
2の層e−t、6−2及び第3の層4−2が交互に繰返
されて積層された多層構造となっており、第2の層8−
1.6−2は、それぞれの層、を形成することのできる
化合物の単分子膜あるいはその累積膜から形成されてい
る。
るための電極であり、lは発生した光を取り出すための
透明な電極である。3は、EL@能を有する発光層であ
り、上下両端に積層された絶縁層として機能する第3の
層4−1.4−3の間に、第1の層5−1.5−2、第
2の層e−t、6−2及び第3の層4−2が交互に繰返
されて積層された多層構造となっており、第2の層8−
1.6−2は、それぞれの層、を形成することのできる
化合物の単分子膜あるいはその累積膜から形成されてい
る。
発光層3の有する第1の層5−1は、第2の層1(−1
に含まれる前述したED化合物に対してEA化合物とな
り得る化合物を主成分として含み、この第1の層5−1
に直接接して積層された第2の層[1−1は、第1の層
5−1に含まれたEA化合物に対してED化合物となり
得る化合物を主成分として含み、これら第1の層5−1
と第2層B−1の界面7−1がEA化合物とED化合物
との接触面となっている。第1の層5−2と第2の層6
−2の関係もこれと同様であり、これらの層によって界
面?−2が独自に形成されている。
に含まれる前述したED化合物に対してEA化合物とな
り得る化合物を主成分として含み、この第1の層5−1
に直接接して積層された第2の層[1−1は、第1の層
5−1に含まれたEA化合物に対してED化合物となり
得る化合物を主成分として含み、これら第1の層5−1
と第2層B−1の界面7−1がEA化合物とED化合物
との接触面となっている。第1の層5−2と第2の層6
−2の関係もこれと同様であり、これらの層によって界
面?−2が独自に形成されている。
これらの界面7−1、?−2’[於いて、電極l、2に
電圧が印加されて発光層3に電界がかけられたときに、
EA化合物とED化合物が励起状態にある錯体を形成し
、この励起錯体が基底状態に戻る際に、励起状態にある
錯体、EA化合物及び/またはED化合物から励起エネ
ルギーが光として発生される。このように、本発明のE
L素子に於ける発光は、この界面7−1.7−2に於け
る発光を主な発光源とするものである。
電圧が印加されて発光層3に電界がかけられたときに、
EA化合物とED化合物が励起状態にある錯体を形成し
、この励起錯体が基底状態に戻る際に、励起状態にある
錯体、EA化合物及び/またはED化合物から励起エネ
ルギーが光として発生される。このように、本発明のE
L素子に於ける発光は、この界面7−1.7−2に於け
る発光を主な発光源とするものである。
更に、第1の層5−1.5−2には、これら層の主成分
であるEA化合物に対して電子供与体となり得るEA−
d化合物が混合されており、このEA−d化合物は、E
A化合物に電子を供与するなどのEA化合物との相互作
用によって、該EA化合物の電界励起効率を高める機能
を主に有するものである。
であるEA化合物に対して電子供与体となり得るEA−
d化合物が混合されており、このEA−d化合物は、E
A化合物に電子を供与するなどのEA化合物との相互作
用によって、該EA化合物の電界励起効率を高める機能
を主に有するものである。
また、第2の層6−1.6−2には、これら層の主成分
であるED化合物に対して電子受容体とな、り得るE[
]−a化合物が混合されており、このED−a化合物も
また、ED化合物から電子を受取るなどのED化合物と
の相互作用によって、該ED化合物の電界励起効率を高
める機能を主に有するものである。
であるED化合物に対して電子受容体とな、り得るE[
]−a化合物が混合されており、このED−a化合物も
また、ED化合物から電子を受取るなどのED化合物と
の相互作用によって、該ED化合物の電界励起効率を高
める機能を主に有するものである。
なお、上記ED−δ及びEA−d化合物は、EA化合物
及びED化合物との相互作用により、例えば発光色を制
御する等、第1の層及び第2の層の電気化学的性質を所
望に応じて制御する機能を上記の機能に加えて有してい
るものであっても良い。
及びED化合物との相互作用により、例えば発光色を制
御する等、第1の層及び第2の層の電気化学的性質を所
望に応じて制御する機能を上記の機能に加えて有してい
るものであっても良い。
本発明のEL素子の有する発光層を構成する第1の層5
−1.5−2及び第2の層e−t、6−2は、以下に示
すような電界励起錯体の形成に直接関与する化合物分子
を、または該化合物の少なくとも1つを機能性部分とし
て有する化合物分子を主成分として含み、第2の層6−
1.6−2は単分子膜または単分子累積膜から形成され
ている。
−1.5−2及び第2の層e−t、6−2は、以下に示
すような電界励起錯体の形成に直接関与する化合物分子
を、または該化合物の少なくとも1つを機能性部分とし
て有する化合物分子を主成分として含み、第2の層6−
1.6−2は単分子膜または単分子累積膜から形成され
ている。
更に、第1の層5−1.5−2には、これら層の主成分
であるEA化合物に対し電子供与体となり得るEA−d
化合物が副成分として含まれており、第2の層6−1.
6−2には、これら層の主成分であるED化合物に対し
電子受容体となり得るED−a化合物が副成分として含
まれている。
であるEA化合物に対し電子供与体となり得るEA−d
化合物が副成分として含まれており、第2の層6−1.
6−2には、これら層の主成分であるED化合物に対し
電子受容体となり得るED−a化合物が副成分として含
まれている。
上記の第1の層及び第2の層に主成分として含まれる電
界励起錯体の形成に直接関与する化合物分子の発光層3
内の配置としては、以下のような組み合わせを代表的な
ものとして挙げることができる。
界励起錯体の形成に直接関与する化合物分子の発光層3
内の配置としては、以下のような組み合わせを代表的な
ものとして挙げることができる。
(a)第1の層5−1.5−2と第2の層8−1.8−
2のそれぞれに励起錯体形成に基づ<EL機能を有する
(主に発光を行なう)化合物分子が配置されている。
2のそれぞれに励起錯体形成に基づ<EL機能を有する
(主に発光を行なう)化合物分子が配置されている。
(b)第1の層5−1.5−2に励起錯体形成に基づ<
EL機能を有する化合物分子が配置され、これら化合物
分子に対して電子供与体となり得る化合物(ED化合物
)分子がそれぞれ第2の層8−1.8−2に配置されて
いる。
EL機能を有する化合物分子が配置され、これら化合物
分子に対して電子供与体となり得る化合物(ED化合物
)分子がそれぞれ第2の層8−1.8−2に配置されて
いる。
(c)第2の層6−1.8−2に励起錯体形成に基づ<
EL機能を有する化合物分子が配置され、これら化合物
に対して電子受容体となり得る化合物(EA化合物)分
子がそれぞれ第1の層5−1.5−2に配置されている
。 ′上記の励起錯体形成に基づ<EL@能を有する
化合物としては、高い発光歇子効率を持ち、外部摂動を
受は易いπ電子系を有し、容易に電界励起する有機化合
物が好適に用いられる。
EL機能を有する化合物分子が配置され、これら化合物
に対して電子受容体となり得る化合物(EA化合物)分
子がそれぞれ第1の層5−1.5−2に配置されている
。 ′上記の励起錯体形成に基づ<EL@能を有する
化合物としては、高い発光歇子効率を持ち、外部摂動を
受は易いπ電子系を有し、容易に電界励起する有機化合
物が好適に用いられる。
このような化合物としては、例えば縮合多環芳香族炭化
水素、p−ターフェニル、2.5−ジフェニルオキサゾ
ール、1.4−bis−(’−メチルスチリル)−ベン
ゼン、キサンチン、クマリン、アクリジン、シアニン色
素、ベンゾフェノン、フタロシアニン、フタロシアニン
の金属錯体、ポルフィリン、ポルフィリンの金属錯体、
8−ヒドロキシキノリン、8−ヒドロキシキノリンの金
属錯体、ルテニウム錯体、稀土類錯体及びこれらの化合
物の誘導体、並びに上記以外の複素環式化合物及びその
誘導体、芳香族アミン、芳香族ポリアミン及びキノン構
造を有する化合物のなかで励起錯体形成に基づ<EL機
能を有する化合物を挙げることができ、これら化合物の
中から、相対的にEA化合物となり得るもの1種以−F
と、ED化合物となり得るもの1種以上とを適宜選択し
て組み合わせ、前記した第1の層と第2の層の構成(a
)を有する発光層を、第1の層については蒸着法、CV
D法等め薄膜形成法を用いて、第2の層については後に
述べる単分子累積法を用いて形成することができる。
水素、p−ターフェニル、2.5−ジフェニルオキサゾ
ール、1.4−bis−(’−メチルスチリル)−ベン
ゼン、キサンチン、クマリン、アクリジン、シアニン色
素、ベンゾフェノン、フタロシアニン、フタロシアニン
の金属錯体、ポルフィリン、ポルフィリンの金属錯体、
8−ヒドロキシキノリン、8−ヒドロキシキノリンの金
属錯体、ルテニウム錯体、稀土類錯体及びこれらの化合
物の誘導体、並びに上記以外の複素環式化合物及びその
誘導体、芳香族アミン、芳香族ポリアミン及びキノン構
造を有する化合物のなかで励起錯体形成に基づ<EL機
能を有する化合物を挙げることができ、これら化合物の
中から、相対的にEA化合物となり得るもの1種以−F
と、ED化合物となり得るもの1種以上とを適宜選択し
て組み合わせ、前記した第1の層と第2の層の構成(a
)を有する発光層を、第1の層については蒸着法、CV
D法等め薄膜形成法を用いて、第2の層については後に
述べる単分子累積法を用いて形成することができる。
更に、上記の励起錯体形成に基づ<EL機能を着する化
合物に対して電子受容体または電子供与体となり得る化
合物としては、上記した化合物以外の複素環式化合物及
びその誘導体、芳香族アミン、芳香族ポリアミン、キノ
ン構造を有する化合物、テトラシアノキノジメタン並び
にテトラシアノエチレン等を挙げることができ、先に挙
げた化合物とこれら化合物とを適宜選択して組み合わせ
て、前記した第1の層と第2の層の構成(b)または(
C)を有する発光層を形成することができる。
合物に対して電子受容体または電子供与体となり得る化
合物としては、上記した化合物以外の複素環式化合物及
びその誘導体、芳香族アミン、芳香族ポリアミン、キノ
ン構造を有する化合物、テトラシアノキノジメタン並び
にテトラシアノエチレン等を挙げることができ、先に挙
げた化合物とこれら化合物とを適宜選択して組み合わせ
て、前記した第1の層と第2の層の構成(b)または(
C)を有する発光層を形成することができる。
更に、第1の層に含まれる第1の層の主成分であるEA
化合物に対して電子供与体となり得るEA−d化合物、
及び第2の層に含まれる第2の層の主成分であるED化
合物に対して電子受容体となり得るED−a化合物とし
ては、上記した励起錯体形成に基づ< E L41Th
能を有する(主に発光を行なう)化合物、該化合物に対
して電子供与体若しくは電子受容体となり得る化合物、
励起エネルギーの移動により発光体となり得る化合物及
びこれら化合物分子を機能性部分として少なくとも1つ
有する化合物等を挙げることができる。第1の層及び第
2の層を形成する時には、これらの中から、第1の層及
び第2の層の主成分として使用される化合物に応じて、
これらEA−d及びED−a化合物が前記したような機
能を有するように適宜選択して用いれば良い。EA化合
物に対するEA−d化合物の量及びED化合物に対する
ED−a化合物の量は、第1の層及び第2の層に使用さ
れる化合物に応じて異なり、−概には規定できないが、
通常EA−d化合物については、EA化合物のlOモル
%〜0.1モル%程度、ED−a化合物については、E
D化合物のlOモル%〜0.1モル重量%程度とされる
。
化合物に対して電子供与体となり得るEA−d化合物、
及び第2の層に含まれる第2の層の主成分であるED化
合物に対して電子受容体となり得るED−a化合物とし
ては、上記した励起錯体形成に基づ< E L41Th
能を有する(主に発光を行なう)化合物、該化合物に対
して電子供与体若しくは電子受容体となり得る化合物、
励起エネルギーの移動により発光体となり得る化合物及
びこれら化合物分子を機能性部分として少なくとも1つ
有する化合物等を挙げることができる。第1の層及び第
2の層を形成する時には、これらの中から、第1の層及
び第2の層の主成分として使用される化合物に応じて、
これらEA−d及びED−a化合物が前記したような機
能を有するように適宜選択して用いれば良い。EA化合
物に対するEA−d化合物の量及びED化合物に対する
ED−a化合物の量は、第1の層及び第2の層に使用さ
れる化合物に応じて異なり、−概には規定できないが、
通常EA−d化合物については、EA化合物のlOモル
%〜0.1モル%程度、ED−a化合物については、E
D化合物のlOモル%〜0.1モル重量%程度とされる
。
なお、これまで挙げたED及びEA化合物になり得る化
合物は、励起錯体の形成に基づかない発光を行なう機能
を備えた化合物であっても良く、更にEA−d及びED
−a化合物となり得る化合物もEL機能を有するもので
あっても良く、本発明のEL素子に於ける発光は、第1
の層と第2の層の界面7−1、?−2に於ける発光のみ
に限定されるものではなく、第1の層5−1.5−2及
び/または第2の層6−1 、6−2内に於いて発光が
行なわれる場合をも含むものであっても良い。
合物は、励起錯体の形成に基づかない発光を行なう機能
を備えた化合物であっても良く、更にEA−d及びED
−a化合物となり得る化合物もEL機能を有するもので
あっても良く、本発明のEL素子に於ける発光は、第1
の層と第2の層の界面7−1、?−2に於ける発光のみ
に限定されるものではなく、第1の層5−1.5−2及
び/または第2の層6−1 、6−2内に於いて発光が
行なわれる場合をも含むものであっても良い。
上記した化合物若しくは該化合物分子を機能性部分とし
て有する化合物を含む単分子膜または単分子累積膜を形
成するには、高秩序の分子配向と配列を可能とし、超薄
膜層を簡易に形成することのできる、いわゆる単分子累
積法を好適に適用することができる。
て有する化合物を含む単分子膜または単分子累積膜を形
成するには、高秩序の分子配向と配列を可能とし、超薄
膜層を簡易に形成することのできる、いわゆる単分子累
積法を好適に適用することができる。
この、単分子累積法は、以下のような原理に基づくもの
である。すなわち1例えば分子内に親木性部分と疎水性
部分を有する分子に於いて、両者のバランス(両親媒性
のバランス)が適度に保たれているとき、このような分
子の多数が水面上で親木性部分を下に向けて単分子の層
を形成する。
である。すなわち1例えば分子内に親木性部分と疎水性
部分を有する分子に於いて、両者のバランス(両親媒性
のバランス)が適度に保たれているとき、このような分
子の多数が水面上で親木性部分を下に向けて単分子の層
を形成する。
この単分子層は二次元系の特徴を有し、これら分子がま
ばらに散開しているときは、一分子当たりの面積Aと表
面圧■との間に二次元理想気体の式、 rlA= kT
(k ;ポルツマン定数、T:絶対温度)が成り立ち
、これら分子は“気体膜”を形成するが、Aを十分に小
さくすると分子間相互作用が強まりこれら分子は二次元
固体の“凝縮膜(または固体膜)゛を形成する。この凝
縮膜はガラス等の基板の表面に移し取ることができ、基
板上に超薄膜の単分子膜またはその累積膜を形成するこ
とができる。
ばらに散開しているときは、一分子当たりの面積Aと表
面圧■との間に二次元理想気体の式、 rlA= kT
(k ;ポルツマン定数、T:絶対温度)が成り立ち
、これら分子は“気体膜”を形成するが、Aを十分に小
さくすると分子間相互作用が強まりこれら分子は二次元
固体の“凝縮膜(または固体膜)゛を形成する。この凝
縮膜はガラス等の基板の表面に移し取ることができ、基
板上に超薄膜の単分子膜またはその累積膜を形成するこ
とができる。
この方法によれば、単分子膜を形成する分子の配列され
る向きは1例えば構成分子の親木性部分のほぼ全てが基
板側に高秩序で配向される等、1つの単分子膜内で一様
とすることができる。従って、本発明のEL素子の有す
る発光層の第2の層を単分子膜または単分子累積膜とす
ることによって、第2の層に含まれる励起錯体形成に直
接関与する化合物分子からなる機能性部分を第1の層と
第2の層の界面に高密度に配置することが可能となる。
る向きは1例えば構成分子の親木性部分のほぼ全てが基
板側に高秩序で配向される等、1つの単分子膜内で一様
とすることができる。従って、本発明のEL素子の有す
る発光層の第2の層を単分子膜または単分子累積膜とす
ることによって、第2の層に含まれる励起錯体形成に直
接関与する化合物分子からなる機能性部分を第1の層と
第2の層の界面に高密度に配置することが可能となる。
この単分子累積法に於ける単分子形成用の溶液としては
、種々の溶液を使用することができ、この使用される溶
液に応じて、該溶液に対する親媒性の異なる部分をバラ
ンス良く有する単分子膜形成用化合物を適宜選択して単
分子膜を形成することができる。このような単分子膜形
成用の溶液の中では、安価であり、取り扱いも容易であ
り、安全である等の点から水または水を主成分とした溶
液が好適に用いられている。
、種々の溶液を使用することができ、この使用される溶
液に応じて、該溶液に対する親媒性の異なる部分をバラ
ンス良く有する単分子膜形成用化合物を適宜選択して単
分子膜を形成することができる。このような単分子膜形
成用の溶液の中では、安価であり、取り扱いも容易であ
り、安全である等の点から水または水を主成分とした溶
液が好適に用いられている。
以下、水または水を主成分とした溶液を用いた単分子累
積法を適用した場合を一例として、未発明のEL素子の
発光層の構成について説明する。
積法を適用した場合を一例として、未発明のEL素子の
発光層の構成について説明する。
基本的に、本発明のEL素子の発光層の有する第1の層
及び第2の層に含まれる化合物は、前述したE D 、
E A 、 ED−a及びFA−d化合物、あるいは
をこれら化合物のいずれかを機能性部分として少なくと
も1つ有する化合物である。このような化合物のなかで
単分子膜形成用化合物は、例えば機能性部分を1つ有す
る単分子膜形成用化合物を例とすると、機能性部分を有
する分子内の位置によって、第2図の分子構造の模式図
に示すように、 (a)機能性部分21が親木性部分22側にある、−第
2図(a) (b) 4jl能性部分21が疎水性部分23偏にある
、一第2図(b) (C)機能性部分21が疎水性部23と親木性部分22
とのほぼ中間にある −第2図(c)の3つのタイプ
に大きく分類される。
及び第2の層に含まれる化合物は、前述したE D 、
E A 、 ED−a及びFA−d化合物、あるいは
をこれら化合物のいずれかを機能性部分として少なくと
も1つ有する化合物である。このような化合物のなかで
単分子膜形成用化合物は、例えば機能性部分を1つ有す
る単分子膜形成用化合物を例とすると、機能性部分を有
する分子内の位置によって、第2図の分子構造の模式図
に示すように、 (a)機能性部分21が親木性部分22側にある、−第
2図(a) (b) 4jl能性部分21が疎水性部分23偏にある
、一第2図(b) (C)機能性部分21が疎水性部23と親木性部分22
とのほぼ中間にある −第2図(c)の3つのタイプ
に大きく分類される。
これらの化合物の親木性部分22の構成要素としては、
例えばカルボキシル基及びその金属塩、アミン塩並びに
エステル、スルホン酸基及びその金属塩並びにアミン塩
、スルホンアミド基、アミド基、アミノ基、イミノ基、
ヒドロキシル基、4級アミノ基、オキシアミノ基、オキ
シイミノ基、ジアゾニウム基、グアニジン基、ヒドラジ
ン基、リン酸基、ケイ酸基、アルミン酸基等が挙げられ
、各々が単独でまたは組み合わされて上記化合物中の親
水性部分22を構成することができる。
例えばカルボキシル基及びその金属塩、アミン塩並びに
エステル、スルホン酸基及びその金属塩並びにアミン塩
、スルホンアミド基、アミド基、アミノ基、イミノ基、
ヒドロキシル基、4級アミノ基、オキシアミノ基、オキ
シイミノ基、ジアゾニウム基、グアニジン基、ヒドラジ
ン基、リン酸基、ケイ酸基、アルミン酸基等が挙げられ
、各々が単独でまたは組み合わされて上記化合物中の親
水性部分22を構成することができる。
また、疎水性部分23の構成要素としては、直鎖状のま
たは分枝を有するアルキル基、ビニレン、ビニリデン、
アセチレン等のオレフィン系炭化水素、フェニル、ナフ
チル、アントラニル等の縮合多環フェニル基、ビフェこ
ル等の鎖状多環フェニル基等の疎水性を示す基を挙げる
ことができ、これらもまた各々が単独でまたは組み合わ
されて上記化合物中の疎水性部分23を構成することが
できる。
たは分枝を有するアルキル基、ビニレン、ビニリデン、
アセチレン等のオレフィン系炭化水素、フェニル、ナフ
チル、アントラニル等の縮合多環フェニル基、ビフェこ
ル等の鎖状多環フェニル基等の疎水性を示す基を挙げる
ことができ、これらもまた各々が単独でまたは組み合わ
されて上記化合物中の疎水性部分23を構成することが
できる。
一方、本発明のEL素子の発光層の第1の層と第2の層
の界面?−1,?−2(主に発光が行なわれる部分)に
於ける単分子膜に含まれるHD化合物の配向及び配列は
、第3図の界面7−1付近の模式的断面部分図(この図
の場合、第2の層はそれぞれED化合物分子からなる機
能性部分を1つ有する化合物分子を含む単分子膜から形
成されてお、 リ、ED−a化合物分子35からなる
機能性部分を有する分子については機能性部分の図示を
省略しである)に示すように、 (1)第2の層8−1の単分子膜を形成する分子の(E
D化合物からなる)411能性部分31を有する親木性
部分32が界面7−1に配向されている。
の界面?−1,?−2(主に発光が行なわれる部分)に
於ける単分子膜に含まれるHD化合物の配向及び配列は
、第3図の界面7−1付近の模式的断面部分図(この図
の場合、第2の層はそれぞれED化合物分子からなる機
能性部分を1つ有する化合物分子を含む単分子膜から形
成されてお、 リ、ED−a化合物分子35からなる
機能性部分を有する分子については機能性部分の図示を
省略しである)に示すように、 (1)第2の層8−1の単分子膜を形成する分子の(E
D化合物からなる)411能性部分31を有する親木性
部分32が界面7−1に配向されている。
一第3図(a)
(2)第2の層e−1の単分子膜を形成する分子の(E
D化合物からなる)機能性部分31を有する疎水性部分
33が界面7−1に配向されている。
D化合物からなる)機能性部分31を有する疎水性部分
33が界面7−1に配向されている。
一第3図(b)
の2つのパターンに基本的に分けられる。
このような発光層の有する界面のパターンを形成するに
は、先に挙げたED化合物分子を機能性部分として含む
単分子膜形成用化合物については、タイプa及びbに属
する化合物が好適に用いられる。以下、上記界面のパタ
ーン(りを形成するには、第2の層に上記タイプaに属
する化合物を用いるのが、また上記界面のパターン(2
)を形成するには、□第2の層に上記タイプbに属する
化合物を用いるのが好適である。
は、先に挙げたED化合物分子を機能性部分として含む
単分子膜形成用化合物については、タイプa及びbに属
する化合物が好適に用いられる。以下、上記界面のパタ
ーン(りを形成するには、第2の層に上記タイプaに属
する化合物を用いるのが、また上記界面のパターン(2
)を形成するには、□第2の層に上記タイプbに属する
化合物を用いるのが好適である。
なお1図示を省略したHD−a化合物分子35からなる
機能性部分を有する分子のタイプとしては、前記した単
分子膜形成用化合物のタイプa−eのなかから、上記界
面のパターン(1) 、 (2)に於いて使用されるE
D化合物に応じて好適なタイプのものを適宜選釈すれば
良い。
機能性部分を有する分子のタイプとしては、前記した単
分子膜形成用化合物のタイプa−eのなかから、上記界
面のパターン(1) 、 (2)に於いて使用されるE
D化合物に応じて好適なタイプのものを適宜選釈すれば
良い。
□以上説明した例は、第2の層が単分子膜から形成され
ている場合であるが、第2の層8−1.8−2が単分子
累積膜からなる場合に於いても、第1の層と第2の層の
界面が上記のようなパターンを取るように、第1の層と
第2の層の界面7−1.7−2を構成する第2の層の単
分子膜を形成すれば良い。
ている場合であるが、第2の層8−1.8−2が単分子
累積膜からなる場合に於いても、第1の層と第2の層の
界面が上記のようなパターンを取るように、第1の層と
第2の層の界面7−1.7−2を構成する第2の層の単
分子膜を形成すれば良い。
なお、第2の層8−1.8−2が単分子累積膜からなる
場合には、累積膜を構成する各単分子膜は、それぞれが
同一のものであっても良く、また単分子膜の1つ以上が
他の単分子膜と異なるものであっても良い。更に、単分
子累積膜の各単分子膜を形成する分子の配向状態による
構造は、いわゆるY型(各膜間に於いて親水性部分と親
木性部分または疎水性部分と疎水性部分とが互いに向き
あった構造)、x型(各校の基板側に疎水性部分が向い
た構造)、Y型(各校の基板側に親木性部分が向いた構
造)及びこれらの変形構造等の種々の構造とすることが
できる。更に、本発明のEL素子の発光層を構成する第
2の層を形成する単分子膜は、主成分であるE 、D化
合物を分子を機能性部分として有する化合物の1種以−
Fと、副成分であるE[]−a化合化合子分機能性部分
として有する化合物の1種以上以外のその他の化合物を
1種以上含んだ多成分系単分子膜でも良い。そのよ゛う
な場合、その他の化合2物としては、機能性部分を有す
るものではないが機能性部分を有する化合物との相互作
用により発光層の電気化学的特性を制御できるような化
合物、更には単分子膜の強度を増したり、他の層との接
着性を向上することのできる化合物等を挙げることがで
きる。
場合には、累積膜を構成する各単分子膜は、それぞれが
同一のものであっても良く、また単分子膜の1つ以上が
他の単分子膜と異なるものであっても良い。更に、単分
子累積膜の各単分子膜を形成する分子の配向状態による
構造は、いわゆるY型(各膜間に於いて親水性部分と親
木性部分または疎水性部分と疎水性部分とが互いに向き
あった構造)、x型(各校の基板側に疎水性部分が向い
た構造)、Y型(各校の基板側に親木性部分が向いた構
造)及びこれらの変形構造等の種々の構造とすることが
できる。更に、本発明のEL素子の発光層を構成する第
2の層を形成する単分子膜は、主成分であるE 、D化
合物を分子を機能性部分として有する化合物の1種以−
Fと、副成分であるE[]−a化合化合子分機能性部分
として有する化合物の1種以上以外のその他の化合物を
1種以上含んだ多成分系単分子膜でも良い。そのよ゛う
な場合、その他の化合2物としては、機能性部分を有す
るものではないが機能性部分を有する化合物との相互作
用により発光層の電気化学的特性を制御できるような化
合物、更には単分子膜の強度を増したり、他の層との接
着性を向上することのできる化合物等を挙げることがで
きる。
以上のような単分子膜または単分子累積膜の構造は、所
望とする第2の層の電気的特性に応じて、すなわち第2
の層を形成する化合物または化合物の組み合わせに応じ
て適宜選択すれば良く、例えば前記単分子膜形成用化合
物のタイプa、 bまたはCに属する化合物からなる
単分子膜を組み合わせて累積して単分子膜の面方向に垂
直な方向でのπ電子のポテンシャル曲線を制御すること
等ができ′る。
望とする第2の層の電気的特性に応じて、すなわち第2
の層を形成する化合物または化合物の組み合わせに応じ
て適宜選択すれば良く、例えば前記単分子膜形成用化合
物のタイプa、 bまたはCに属する化合物からなる
単分子膜を組み合わせて累積して単分子膜の面方向に垂
直な方向でのπ電子のポテンシャル曲線を制御すること
等ができ′る。
上記の第2の層8−1.6−2を形成するのに用いるこ
とのできる化合物としては、機能性部分を形成すること
のできる先に挙げた化合物、若しくは該化合物の1つ以
上を有する化合物の中で、親木性部分と疎水性部分をバ
ランス良く有している化合物はそのまま単分子膜形成用
として用いることができ、そうでないものは、先に挙げ
たような親水基及び/または疎水基を新たに分子内に導
入し、単分子膜形成用化合物とすることができる。
とのできる化合物としては、機能性部分を形成すること
のできる先に挙げた化合物、若しくは該化合物の1つ以
上を有する化合物の中で、親木性部分と疎水性部分をバ
ランス良く有している化合物はそのまま単分子膜形成用
として用いることができ、そうでないものは、先に挙げ
たような親水基及び/または疎水基を新たに分子内に導
入し、単分子膜形成用化合物とすることができる。
そのような化合物としては、以下のような構造式で示さ
れた化合物を挙げることができる。
れた化合物を挙げることができる。
なお、以下に示す構造式に於いて、X及びYは、先に挙
げたような親木基な表すが、1分子内にこれらが両方存
在する時は、どちらか一方が親木基であれば良く、その
ような場合は他の一方は水素となる。また、Rは炭素数
4〜30程度、好ま1.シ<は10〜25程度の直鎖状
若しくは側鎖を有するアルキル基を表わす。
げたような親木基な表すが、1分子内にこれらが両方存
在する時は、どちらか一方が親木基であれば良く、その
ような場合は他の一方は水素となる。また、Rは炭素数
4〜30程度、好ま1.シ<は10〜25程度の直鎖状
若しくは側鎖を有するアルキル基を表わす。
5.6゜
7.8゜
0 10゜11.
12゜15゜ 1 g、 20゜
21、 22゜(OH
2)nX 6≦n≦20 28゜ Hs 0≦n≦2 25゜ 26゜ 28゜ 29゜ M=Hz +Be、Mg、Ca、Cd、5rAICI、
YbC/ 32゜ M =Br 、 Sm、Eu 、Gd 、Tb 、Dy
、Tm、Yb◎D、−帆、−t−Bu 34゜ M=Er、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Tm、Yb
M−Er、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、’rm、y
bR1−H+−0H3+−CF3r4 86、 37. 3s。
12゜15゜ 1 g、 20゜
21、 22゜(OH
2)nX 6≦n≦20 28゜ Hs 0≦n≦2 25゜ 26゜ 28゜ 29゜ M=Hz +Be、Mg、Ca、Cd、5rAICI、
YbC/ 32゜ M =Br 、 Sm、Eu 、Gd 、Tb 、Dy
、Tm、Yb◎D、−帆、−t−Bu 34゜ M=Er、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Tm、Yb
M−Er、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、’rm、y
bR1−H+−0H3+−CF3r4 86、 37. 3s。
3g、40゜
43、 44゜H(G!H
2)nX NIN BF4 55. 66゜(39,70・ OR 88゜ 89゜ これらの化合物の中でMfLl−435の構造式の化合
物は、先に挙げた機能性部分を形成できる化合物のうち
励起錯体の形成に基づ<EL機能を有する化合物を疎水
基及び/または親木基によって修飾し、単分子膜形成用
化合物としたものである。
2)nX NIN BF4 55. 66゜(39,70・ OR 88゜ 89゜ これらの化合物の中でMfLl−435の構造式の化合
物は、先に挙げた機能性部分を形成できる化合物のうち
励起錯体の形成に基づ<EL機能を有する化合物を疎水
基及び/または親木基によって修飾し、単分子膜形成用
化合物としたものである。
なお1./142〜逅54及び遂85〜正8Bの構造式
の化合物は、機能性部分にアルキル鎖が直接結合した構
造を有するものであるが、アルキル鎖の機能性部分への
結合は、例えばエーテル結合、カルボニル基を介した結
合等によるものであっても良い。
の化合物は、機能性部分にアルキル鎖が直接結合した構
造を有するものであるが、アルキル鎖の機能性部分への
結合は、例えばエーテル結合、カルボニル基を介した結
合等によるものであっても良い。
なお、ここに例示した単分子膜形成用化合物のなかで、
蒸着法等の他の薄膜形成法に使用できる化合物は、第1
の層の形成にも用いることができる。また、第1の層も
また、上記第2の層と同様に主成分であるEA化合物を
分子を機能性部分として有する化合物の1種以上と、副
成分であるEA−d化合物分子を機能性部分として有す
る化合物の1種以上以外のその他の化合物を1種以上含
んだものでも良く、そのような場合、その他の化合物と
しては、機能性部分を有するものではないが機飽性部分
を有する化合物との相互作用により発光層の電気化学的
特性を制御できるような化合物、更には第1の層の強度
を増したり、他の層との接着性を向上することのできる
化合物等を挙げることができる。
蒸着法等の他の薄膜形成法に使用できる化合物は、第1
の層の形成にも用いることができる。また、第1の層も
また、上記第2の層と同様に主成分であるEA化合物を
分子を機能性部分として有する化合物の1種以上と、副
成分であるEA−d化合物分子を機能性部分として有す
る化合物の1種以上以外のその他の化合物を1種以上含
んだものでも良く、そのような場合、その他の化合物と
しては、機能性部分を有するものではないが機飽性部分
を有する化合物との相互作用により発光層の電気化学的
特性を制御できるような化合物、更には第1の層の強度
を増したり、他の層との接着性を向上することのできる
化合物等を挙げることができる。
本発明のEL素子の有する発光層のもう1つの層である
第3の層重l、4−2 、4−3は、絶縁性を有する層
であり、特に第3の層4−1.4−3は本発明のEL素
子のコンデンサー構造の絶縁性を高める機能を有し、第
3の層4−2は、電子の移動を必要最小限の領域内に閉
じ込め、効率良い電子の授受による発光を行なわせる機
能を有する。これら第3の層を形成することのできる材
料としては、精度良い均一な絶縁層を形成することので
きる一般式: %式%) (上記式中に於いてnは、 10≦n≦30であり、X
は−GOOH,−CONH2,−GOOR,−N+(C
H3)3 m G!−。
第3の層重l、4−2 、4−3は、絶縁性を有する層
であり、特に第3の層4−1.4−3は本発明のEL素
子のコンデンサー構造の絶縁性を高める機能を有し、第
3の層4−2は、電子の移動を必要最小限の領域内に閉
じ込め、効率良い電子の授受による発光を行なわせる機
能を有する。これら第3の層を形成することのできる材
料としては、精度良い均一な絶縁層を形成することので
きる一般式: %式%) (上記式中に於いてnは、 10≦n≦30であり、X
は−GOOH,−CONH2,−GOOR,−N+(C
H3)3 m G!−。
等の基を表わす)で示される化合物等を挙げることがで
き、これらの材料の1種以上を用いて、蒸着法、CVD
法等の薄膜形成法によりこの第3の層を形成することが
できる。
き、これらの材料の1種以上を用いて、蒸着法、CVD
法等の薄膜形成法によりこの第3の層を形成することが
できる。
なお、これまで第1図を用いて示した第1の層と第2の
層によって形成される界面を2つ看する本発明のEL素
子について説明してきたが、本発明のEL素子の有する
界面の数は、これに限定されることなく、3つ以上であ
っても良い。
層によって形成される界面を2つ看する本発明のEL素
子について説明してきたが、本発明のEL素子の有する
界面の数は、これに限定されることなく、3つ以上であ
っても良い。
以上のような構成の本発明のEL素子の発光層を構成す
る各層の層厚は、EL素子の有する界面の数や各層自身
の構成によっても各々異なるが、第1の層については、
500A以下、好ましくは200A以下、第2の層につ
いては、 300 A以下、好ましくは100A以下、
第3の層については、500A以下、好ましくは200
A以下、更に発光層全体の層厚としては、1μ以下、好
ましくは3000A以下とするのが低電圧駆動に於いて
も良好な発光状態を得るために望ましい。
る各層の層厚は、EL素子の有する界面の数や各層自身
の構成によっても各々異なるが、第1の層については、
500A以下、好ましくは200A以下、第2の層につ
いては、 300 A以下、好ましくは100A以下、
第3の層については、500A以下、好ましくは200
A以下、更に発光層全体の層厚としては、1μ以下、好
ましくは3000A以下とするのが低電圧駆動に於いて
も良好な発光状態を得るために望ましい。
本発明のEL素子の有する2つの電極層l、2は、少な
くともどちらか一方が、光を取り出すために透明電極と
して設けられる。
くともどちらか一方が、光を取り出すために透明電極と
して設けられる。
透明電極として電極層を形成する場合には、PMMA、
ポリエステル等のフィルムまたはシート、あるいはガラ
ス板等の透明な基板上にInO2,5n02、インシュ
ウムティンオキサイド(1,T、())等を蒸着法等に
よって積層して、あるいはこれらの材料を発光層に直接
積層して形成することができる。
ポリエステル等のフィルムまたはシート、あるいはガラ
ス板等の透明な基板上にInO2,5n02、インシュ
ウムティンオキサイド(1,T、())等を蒸着法等に
よって積層して、あるいはこれらの材料を発光層に直接
積層して形成することができる。
また、透明でない電極層は、十分な導電性を有する通常
の電極を形成することのできる材料からなる薄板や、適
当な基板上に若しくは形成された発光層上に直接AI
、 Ag、 Au等を蒸着法等によって積層して形成す
ることができる。
の電極を形成することのできる材料からなる薄板や、適
当な基板上に若しくは形成された発光層上に直接AI
、 Ag、 Au等を蒸着法等によって積層して形成す
ることができる。
これら電極層の厚さは、0.01g〜0.3−程度、好
ましくは0.05−〜0.2鱗程度2される。
ましくは0.05−〜0.2鱗程度2される。
なお、本発明のEL素子の形状及び大きさは、所望によ
り種々の形状とすることができ、例えば透明電極を形成
するときの基板を発光層形成用基板とし、この基板とし
て板状、ベルト状、円筒状“のものを用いる等して所望
の形状及び大きさとすることができる。また、2つの電
極層は、所望により、種々の形状にパターンニングされ
たものであっても良い。
り種々の形状とすることができ、例えば透明電極を形成
するときの基板を発光層形成用基板とし、この基板とし
て板状、ベルト状、円筒状“のものを用いる等して所望
の形状及び大きさとすることができる。また、2つの電
極層は、所望により、種々の形状にパターンニングされ
たものであっても良い。
以−トのような構成の本発明EL素子に於いては、該E
L素子の2つの電極l、2間に、例えば発光層3にtx
to’〜3 X 106程度の電界がかかるように、直
波または交流、あるいはパルス電圧を印加することによ
り、良好な発光が発光層3より透明電極を通じて得るこ
とができる。
L素子の2つの電極l、2間に、例えば発光層3にtx
to’〜3 X 106程度の電界がかかるように、直
波または交流、あるいはパルス電圧を印加することによ
り、良好な発光が発光層3より透明電極を通じて得るこ
とができる。
以下1本発明のEL素子の発光層の有する第2の層の形
成に適用するラングミューア・ブロジェット法(LB法
)に代表される単分子累積法の代表的な操作を説明する
。
成に適用するラングミューア・ブロジェット法(LB法
)に代表される単分子累積法の代表的な操作を説明する
。
単分子膜を形成させるための水相を水槽中に設け、該水
相内に清浄な基板を浸漬さておく1次に、単分子膜形成
用化合物の適当な溶剤に溶解または分散した溶液の所定
量を、水相中に展開し、この化合物を水相表面に膜状に
析出させる。この時、この析出物が水相上を自由に拡散
して広がりすぎないように、仕切り板(または浮子)を
設けて展開面積を制限して膜物質の集合状態を制御し、
その集合状態に比例した表面圧■を得る。そして、仕切
り板を作動ξせ、展開面積を縮少し。
相内に清浄な基板を浸漬さておく1次に、単分子膜形成
用化合物の適当な溶剤に溶解または分散した溶液の所定
量を、水相中に展開し、この化合物を水相表面に膜状に
析出させる。この時、この析出物が水相上を自由に拡散
して広がりすぎないように、仕切り板(または浮子)を
設けて展開面積を制限して膜物質の集合状態を制御し、
その集合状態に比例した表面圧■を得る。そして、仕切
り板を作動ξせ、展開面積を縮少し。
表面圧■を徐々に上昇させ、単分子膜の形成に適した表
面圧Hに設定する。ここ〒、この表面圧■を維持させな
がら静かにすでに浸漬しておいた基板を、水相面に垂直
な方向に−L下させると、基板の−L方への移動と下方
への移動ごとに単分子膜が基板上に移し取られ、単分子
累積膜が形成される。
面圧Hに設定する。ここ〒、この表面圧■を維持させな
がら静かにすでに浸漬しておいた基板を、水相面に垂直
な方向に−L下させると、基板の−L方への移動と下方
への移動ごとに単分子膜が基板上に移し取られ、単分子
累積膜が形成される。
単分子膜を基板−ヒに移し取るには、上述した垂直浸漬
法の他に、基板な水相面とを平行に保ちながら水平に接
触させる水平付着法、円筒型の基体を水面上を回転させ
て単分子膜を基体表面に移し取る回転円筒法、あるいは
基板ロールから水相中に基板を押し出してゆく方法など
の種々の方法が適用できる。−上記垂直浸漬法では、通
常基板の引上げ工程と浸漬工程とで成膜分子の配向が逆
に゛なるので、いわゆるY型膜が形成される。また、水
平付着法によれば、疎水基が基板側に向いた単分子膜が
形成され、累積膜とした場合、いわゆるX型膜が形成さ
れる。しかしながら、このような親木基や疎水基の向き
は、基板の表面処理等によって変化させることも可能で
ある。
法の他に、基板な水相面とを平行に保ちながら水平に接
触させる水平付着法、円筒型の基体を水面上を回転させ
て単分子膜を基体表面に移し取る回転円筒法、あるいは
基板ロールから水相中に基板を押し出してゆく方法など
の種々の方法が適用できる。−上記垂直浸漬法では、通
常基板の引上げ工程と浸漬工程とで成膜分子の配向が逆
に゛なるので、いわゆるY型膜が形成される。また、水
平付着法によれば、疎水基が基板側に向いた単分子膜が
形成され、累積膜とした場合、いわゆるX型膜が形成さ
れる。しかしながら、このような親木基や疎水基の向き
は、基板の表面処理等によって変化させることも可能で
ある。
更に単分子累積法によって本発明のEL素子の有する発
光層の第2の層を形成する際の水相のpH1水相のPH
等を調整するための添加剤の種類及びその量、水相の温
度、基板の上げ下げ速度または表面圧等の操作条件は、
使用される単分子膜形成用化合物の種類、形成しようと
する膜の特性等に応じて適宜選択すれば良い。
光層の第2の層を形成する際の水相のpH1水相のPH
等を調整するための添加剤の種類及びその量、水相の温
度、基板の上げ下げ速度または表面圧等の操作条件は、
使用される単分子膜形成用化合物の種類、形成しようと
する膜の特性等に応じて適宜選択すれば良い。
以−Lのような単分子累積法と蒸着法等の他の薄膜形成
法とによって、例えば以下のようにして本発明の発光層
を形成することができる。
法とによって、例えば以下のようにして本発明の発光層
を形成することができる。
まず、前述したような透明電極層の設けられている基板
上に前記した第3の層形成用材料を用いて所望の構成の
第3の層を形成させ、次にこの第3の層上に前記した第
1の層を形成することのできる材料を用いて所望の構成
の第1の層をこれも蒸着法等によって形成する。更に、
この第1の層上に、前記した第2の層を形成することの
できる材料を用いて所望の構成の単分子膜または単分子
累積膜からなる第2の層を積層する。
上に前記した第3の層形成用材料を用いて所望の構成の
第3の層を形成させ、次にこの第3の層上に前記した第
1の層を形成することのできる材料を用いて所望の構成
の第1の層をこれも蒸着法等によって形成する。更に、
この第1の層上に、前記した第2の層を形成することの
できる材料を用いて所望の構成の単分子膜または単分子
累積膜からなる第2の層を積層する。
更に第2の層上に第3の層を積層し、所望とする第1の
層と第2の層の界面の数に応じて、この第1の層〜第3
の層の形成操作を2回以上繰返す。・ 最後に、この第3の層上に、A1、Ag、 Au等の金
属を蒸着法等によって積層して、本発明のEL素子を形
成することができる。
層と第2の層の界面の数に応じて、この第1の層〜第3
の層の形成操作を2回以上繰返す。・ 最後に、この第3の層上に、A1、Ag、 Au等の金
属を蒸着法等によって積層して、本発明のEL素子を形
成することができる。
最初の発光層形成用の基板として、透明でない電極板若
しくは電極層を有する基板を用いた場合には、最後にr
、T−0等の透明な電極層を形成するための材料を蒸着
法等により発光層上に積層すれば良い、また、2つの電
極がともに透明である場合には、発光層形成用の透明基
板に上述の材料によって透明電極層を形成し、発光層の
形成が終了した後に透明電極層を更に積層すれば良い。
しくは電極層を有する基板を用いた場合には、最後にr
、T−0等の透明な電極層を形成するための材料を蒸着
法等により発光層上に積層すれば良い、また、2つの電
極がともに透明である場合には、発光層形成用の透明基
板に上述の材料によって透明電極層を形成し、発光層の
形成が終了した後に透明電極層を更に積層すれば良い。
なお、本発明のEL素子の発光層の有する複数の第1の
層は、それぞれが同一の構成を有するものでも良く、複
数の第1の層のうち1つ以上の第1の層の構成が他の第
1の層の構成と異なるものであっても良く、これは第2
の層及び第3の層についても同様である。また、本発明
のEL素子を構成する各層間には、各層の接着性を高め
るために、接着層を設けることもできる。更に本発明の
EL素子には、空気中の湿気や酸素による影響から素子
を保護するための保護構造を設けることが望ましい。
層は、それぞれが同一の構成を有するものでも良く、複
数の第1の層のうち1つ以上の第1の層の構成が他の第
1の層の構成と異なるものであっても良く、これは第2
の層及び第3の層についても同様である。また、本発明
のEL素子を構成する各層間には、各層の接着性を高め
るために、接着層を設けることもできる。更に本発明の
EL素子には、空気中の湿気や酸素による影響から素子
を保護するための保護構造を設けることが望ましい。
以上のような本発明のEL素子は、電気化学的性質の異
なる2つの層の界面で主に発光を行ない、しかもそのよ
うな界面がEL素子の光の取り出し方向に対して複数設
けられた構造を有し、光の取り出し面の単位あたりの発
光層が従来のEL素子に比べて非常に増大したものとな
った。
なる2つの層の界面で主に発光を行ない、しかもそのよ
うな界面がEL素子の光の取り出し方向に対して複数設
けられた構造を有し、光の取り出し面の単位あたりの発
光層が従来のEL素子に比べて非常に増大したものとな
った。
更に、本発明のEL素子に於いては、主に発光を行なう
複数の界面について、該界面を構成する2つの層の構成
を界面ごとに変え、これらを組合わせて、発光色等を所
望に応じて制御することが可能となった。
複数の界面について、該界面を構成する2つの層の構成
を界面ごとに変え、これらを組合わせて、発光色等を所
望に応じて制御することが可能となった。
また、本発明のEL素子の有する発光層は、主に有機化
合物材料と、その材料に適した薄膜形成とが組み合わせ
て形成され、特に発光層を構成する各層のうち第2の層
が単分子膜または単分子累積膜から形成されていること
によって、上記のように発光を行なう界面を複数力した
多層構造となっているにもかかわらず5発光層全体の層
厚が薄く形成されており、低電圧駆動でも効率良い発光
状態が得られ、十分な輝度が得られるものとなった。
合物材料と、その材料に適した薄膜形成とが組み合わせ
て形成され、特に発光層を構成する各層のうち第2の層
が単分子膜または単分子累積膜から形成されていること
によって、上記のように発光を行なう界面を複数力した
多層構造となっているにもかかわらず5発光層全体の層
厚が薄く形成されており、低電圧駆動でも効率良い発光
状態が得られ、十分な輝度が得られるものとなった。
しかも・、本発明のEL素子に於いては、単分子膜また
は単分子累積膜によって発光層の直接発光に関与する第
2の層が形成されているので、発光に直接関与する化合
物の機能性部分が、高い秩序を持って精度良く界面に向
いて配向、配列され。
は単分子累積膜によって発光層の直接発光に関与する第
2の層が形成されているので、発光に直接関与する化合
物の機能性部分が、高い秩序を持って精度良く界面に向
いて配向、配列され。
かつ発光に直接関与する化合物に対して電子受容体とな
り得る化合物及び電子供与体となり得る化合物がそれぞ
れ発光層に含まれていることによって、より効率良い電
子の授受に伴なう励起錯体の形成に基づく発光が可能と
なった。
り得る化合物及び電子供与体となり得る化合物がそれぞ
れ発光層に含まれていることによって、より効率良い電
子の授受に伴なう励起錯体の形成に基づく発光が可能と
なった。
これに加えて単分子膜は、はぼ常温、常圧に於いて形成
可能であり、発光層を構成する第2の層には従来、蒸着
法等に用いることのできなかった熱に弱い有機化合物を
も構成材料として使用することができるようになった。
可能であり、発光層を構成する第2の層には従来、蒸着
法等に用いることのできなかった熱に弱い有機化合物を
も構成材料として使用することができるようになった。
更に、本発明のEL素子の発光層は各層は、種々の有機
化合物材料によって精度良い薄膜として簡易に形成可能
であり、大面積のEL素子として形成した場合でも、発
光層が精度良く形成されたものとなり、良好な機能を有
し、かつ本発明のEL素子は安価で量産性のあるEL素
子となった。
化合物材料によって精度良い薄膜として簡易に形成可能
であり、大面積のEL素子として形成した場合でも、発
光層が精度良く形成されたものとなり、良好な機能を有
し、かつ本発明のEL素子は安価で量産性のあるEL素
子となった。
以下、実施例に従って本発明のEL素子を更に詳細に説
明する。
明する。
実施例1
50■■角のガラス表面−ヒにスパッタリング法により
膜厚1500Aの1.7.0層を形成し、透明電極板と
した。
膜厚1500Aの1.7.0層を形成し、透明電極板と
した。
この電極板を抵抗加熱蒸着装置の蒸着槽内の所定の位置
にセットし、更に抵抗加熱ポート内にステアリン酸メチ
ル(mp、 38℃)を入れ、該槽内をまず104To
rrの真空度まで減圧した後、蒸着速度が2人/sec
となるように抵抗加熱ポートに流れる電流を調整し、2
00人のステアリン酸メチル層からなる蒸着層を第3の
層として前記電極板の透明電極層上に形成した。なお、
蒸着時に於ける槽内の真空度を9 X 10(1丁or
rに維持し、基板ホルダーの温度は、20℃とした。
にセットし、更に抵抗加熱ポート内にステアリン酸メチ
ル(mp、 38℃)を入れ、該槽内をまず104To
rrの真空度まで減圧した後、蒸着速度が2人/sec
となるように抵抗加熱ポートに流れる電流を調整し、2
00人のステアリン酸メチル層からなる蒸着層を第3の
層として前記電極板の透明電極層上に形成した。なお、
蒸着時に於ける槽内の真空度を9 X 10(1丁or
rに維持し、基板ホルダーの温度は、20℃とした。
次に、この電極板を抵抗加熱蒸着装置の蒸着槽内の所定
の位置にそのままセットしておき、更に抵抗加熱ポート
の1つにアントラセン(mp、 218℃)を入れ、他
の1つにアントラキノン(鵬p。
の位置にそのままセットしておき、更に抵抗加熱ポート
の1つにアントラセン(mp、 218℃)を入れ、他
の1つにアントラキノン(鵬p。
28B ’O)を入れ、該槽内をまず104Torrの
真空度まで減圧した後、アントラキノンの蒸着速度が0
.11(/sec程度になるようにアントラキノンの入
った抵抗加熱ポートに流れる電流を一定とし、かつアン
トラセンとアントラキノンの混合物からなる蒸着層全体
の蒸着速度が2人/seeとなるようにアントラセンの
入ったポートに流れる電流を調整し、200Aのアント
ラセンとアントラキノンの混合物からなる蒸着層を第1
の層として先に形成した第3の層としての絶縁層上に形
成した。なお、蒸着時に於ける槽内の真空度を9 X
10’ Torrに維持し、基板ホルダーの温度は、2
0℃とした。
真空度まで減圧した後、アントラキノンの蒸着速度が0
.11(/sec程度になるようにアントラキノンの入
った抵抗加熱ポートに流れる電流を一定とし、かつアン
トラセンとアントラキノンの混合物からなる蒸着層全体
の蒸着速度が2人/seeとなるようにアントラセンの
入ったポートに流れる電流を調整し、200Aのアント
ラセンとアントラキノンの混合物からなる蒸着層を第1
の層として先に形成した第3の層としての絶縁層上に形
成した。なお、蒸着時に於ける槽内の真空度を9 X
10’ Torrに維持し、基板ホルダーの温度は、2
0℃とした。
この電極板をJoyce−Loebe1社製のLang
muir−Trough 4内の、4X 10’ ma
l/41のCdCl2を含有することによりpHが8.
5に調整された水相中に浸漬した。
muir−Trough 4内の、4X 10’ ma
l/41のCdCl2を含有することによりpHが8.
5に調整された水相中に浸漬した。
次に、
■
10−3腸al/j!の濃度でクロロホルムに溶解した
溶液の0.5■lをこの水相−Lに展開させ、表面圧を
30dyne/c■に調整し、−上記化合物の単分子膜
を水相上に形成させたところで電極板を水面を横切る方
向に20■/winの速度で静かに上下に2往復させ。
溶液の0.5■lをこの水相−Lに展開させ、表面圧を
30dyne/c■に調整し、−上記化合物の単分子膜
を水相上に形成させたところで電極板を水面を横切る方
向に20■/winの速度で静かに上下に2往復させ。
上記化合物分子からなる単分子膜が4層累積された単分
子累積膜i第2の層として先に形成した第1の層上に形
成した。次に、この電極板を水相外に引出し、再び30
分以−ヒ室温で放置して乾燥させた。
子累積膜i第2の層として先に形成した第1の層上に形
成した。次に、この電極板を水相外に引出し、再び30
分以−ヒ室温で放置して乾燥させた。
以後、前述した方法と同様にして、ステアリン酸からな
る単分子膜が2層累積した第3の層を第2の層上に積層
し、上記した第1の層から第3の層までの形成操作を4
回繰返して第1の層と第2の層の界面を4つ有する発光
層(層厚;約220OA)を形成した。
る単分子膜が2層累積した第3の層を第2の層上に積層
し、上記した第1の層から第3の層までの形成操作を4
回繰返して第1の層と第2の層の界面を4つ有する発光
層(層厚;約220OA)を形成した。
このようにして発光層の形成された電極板を、蒸着槽内
に再び入れ、該槽内をまず10″8Tartの真空度ま
で減圧した後、更に真空度を10′5Torrに調整し
、20A/secの蒸着速度で、1500JJA1層を
最後に形成した第3の層上に蒸着して背面電極として本
発明のEL素子を形成した。このEL素子を第4図に示
すように、シールガラス41でシールした後、常法に従
って精製、脱気及び脱水処理されたシリコンオイル42
をシール中に注入して、ELナセル3を形成した。
に再び入れ、該槽内をまず10″8Tartの真空度ま
で減圧した後、更に真空度を10′5Torrに調整し
、20A/secの蒸着速度で、1500JJA1層を
最後に形成した第3の層上に蒸着して背面電極として本
発明のEL素子を形成した。このEL素子を第4図に示
すように、シールガラス41でシールした後、常法に従
って精製、脱気及び脱水処理されたシリコンオイル42
をシール中に注入して、ELナセル3を形成した。
このようなELナセル電極44.45ニ、20V、40
0 Hzの交流電圧を印加して、発光させ、発光に於け
る輝度及び電流密度を測定したところ、電流密度0.1
3mA/cm 2で24 Ft−Lの輝度が測定された
。
0 Hzの交流電圧を印加して、発光させ、発光に於け
る輝度及び電流密度を測定したところ、電流密度0.1
3mA/cm 2で24 Ft−Lの輝度が測定された
。
第1図は本発明のEL素子の一例の模式的断面図、第2
図は単分子膜形成用化合物の分子構造の模式図、第3図
は本発明のEL素子の有する第1の層と第2の層の界面
に於ける分子の配列の代表例を示す模式図、第4図は本
発明EL素子の組み込まれたELナセル模式的断面図で
ある。 1.44:透明電極層 2.45:電極層 3:発光層 4−1.4−2.4−3:第3の層 5−1.5−2.5−3:第1の層 6−1.θ〜2 、8−3 :第2の層?−1.?−2
:界面 21.31 :機能性部分 22.32 :親水性部分 23.33 :疎水性部分 35 : ED−a化合物を機能性部分として有する化
合物分子 40:EL素子 41ニガラスシール 42:シリコンオイル 43:ELセル 第 1 区 第 2 図 第 3 図
図は単分子膜形成用化合物の分子構造の模式図、第3図
は本発明のEL素子の有する第1の層と第2の層の界面
に於ける分子の配列の代表例を示す模式図、第4図は本
発明EL素子の組み込まれたELナセル模式的断面図で
ある。 1.44:透明電極層 2.45:電極層 3:発光層 4−1.4−2.4−3:第3の層 5−1.5−2.5−3:第1の層 6−1.θ〜2 、8−3 :第2の層?−1.?−2
:界面 21.31 :機能性部分 22.32 :親水性部分 23.33 :疎水性部分 35 : ED−a化合物を機能性部分として有する化
合物分子 40:EL素子 41ニガラスシール 42:シリコンオイル 43:ELセル 第 1 区 第 2 図 第 3 図
Claims (1)
- 1)少なくとも一方が透明である2つの電極層と、これ
ら電極層間に設けられた発光層とを有する電界発光素子
に於いて、前記発光層が、相対的に電子受容性を示す有
機化合物を含む第1の層と、相対的に電子供与性を示す
有機化合物を含む第2の層と、電気絶縁性を有する第3
の層とを有し、更に前記第1の層に前記相対的に電子受
容性を示す有機化合物に対して電子供与体となり得る他
の化合物が含有され、かつ前記第2の層に前記相対的に
電子供与性を示す有機化合物に対して電子受容体となり
得る他の化合物が含有されてなり、これらの層が、前記
電極層の一方から他方に向かって前記第3の層上に、前
記第1の層、第2の層及び第3の層がこの順に2回以上
繰り返されて積層されてなり、更に前記第2の層が、該
層を形成できる化合物の単分子膜または単分子累積膜か
らなるものであることを特徴とする電界発光素子。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15881484A JPS6137871A (ja) | 1984-07-31 | 1984-07-31 | 電界発光素子 |
US07/020,172 US4734338A (en) | 1984-07-31 | 1987-02-27 | Electroluminescent device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15881484A JPS6137871A (ja) | 1984-07-31 | 1984-07-31 | 電界発光素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6137871A true JPS6137871A (ja) | 1986-02-22 |
Family
ID=15679942
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15881484A Pending JPS6137871A (ja) | 1984-07-31 | 1984-07-31 | 電界発光素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6137871A (ja) |
-
1984
- 1984-07-31 JP JP15881484A patent/JPS6137871A/ja active Pending
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