JPS6137872A - 電界発光素子 - Google Patents
電界発光素子Info
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- JPS6137872A JPS6137872A JP15881584A JP15881584A JPS6137872A JP S6137872 A JPS6137872 A JP S6137872A JP 15881584 A JP15881584 A JP 15881584A JP 15881584 A JP15881584 A JP 15881584A JP S6137872 A JPS6137872 A JP S6137872A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、電界発光を行なう電界発光素子[エレクトロ
ルミネッセンス(E L)素子]に関し、くわしくは有
機化合物からなる電気化学的特性の異なる2種の薄膜を
組合わせたEL機能を持つ層を有し、特に、低電圧駆動
でも効率良い発光が得られ、十分な輝度を有するEL素
子に関する。
ルミネッセンス(E L)素子]に関し、くわしくは有
機化合物からなる電気化学的特性の異なる2種の薄膜を
組合わせたEL機能を持つ層を有し、特に、低電圧駆動
でも効率良い発光が得られ、十分な輝度を有するEL素
子に関する。
EL素子は、EL機能を有する材料、すなわち電界内に
置かれた際に光を発する機能を有する材料を含む発光層
を2つの電極間に配置した構造を有し、これら電極間に
電圧を印加することにより電界を発生させて電気エネル
ギーを直接光に変換して光を発生する発光素子であり1
例えば白熱電球のようにフィラメントを白熱させて発光
させる。あるいは蛍光灯のように電気的に励起した気体
が蛍光体にエネルギーを付与して発光させるなどの従来
の発光方式とは異なり、薄型のパネル状、ベルト状、円
筒状等の種々の形状の例えば、ランプや線、図、画像等
の表示に用いる表示媒体の構成部材として、あるいは大
面積のパネルランプ等の発光体を実現化できる可能性を
有するものとして注目されている。
置かれた際に光を発する機能を有する材料を含む発光層
を2つの電極間に配置した構造を有し、これら電極間に
電圧を印加することにより電界を発生させて電気エネル
ギーを直接光に変換して光を発生する発光素子であり1
例えば白熱電球のようにフィラメントを白熱させて発光
させる。あるいは蛍光灯のように電気的に励起した気体
が蛍光体にエネルギーを付与して発光させるなどの従来
の発光方式とは異なり、薄型のパネル状、ベルト状、円
筒状等の種々の形状の例えば、ランプや線、図、画像等
の表示に用いる表示媒体の構成部材として、あるいは大
面積のパネルランプ等の発光体を実現化できる可能性を
有するものとして注目されている。
このようなEL素子は、その発光方式の違いから、発光
層内部でのキャリアーの異動に伴なう電界励起発光を行
なう真性EL方式と、電極からキャリアーを発光層内に
注入して電界励起発光を行なうキャリアー注入EL方式
との2つに大S〈分けられる。
層内部でのキャリアーの異動に伴なう電界励起発光を行
なう真性EL方式と、電極からキャリアーを発光層内に
注入して電界励起発光を行なうキャリアー注入EL方式
との2つに大S〈分けられる。
更に、EL素子は、該素子の有する発光層の構造の違い
から、EL機能を有する材料からなる薄膜を発光層とし
て有する薄膜型と、EL機能を有する材ネ1をバインダ
ー中に分散して形成した発光層を有する粉末型との2つ
のタイプに大きく分類される。
から、EL機能を有する材料からなる薄膜を発光層とし
て有する薄膜型と、EL機能を有する材ネ1をバインダ
ー中に分散して形成した発光層を有する粉末型との2つ
のタイプに大きく分類される。
なお、上記のEL機能を有する材料としては、従来、M
n、CuまたはReF3 (Reは粘土類を表わす)等
を賦活剤として含むZnS等の無機金属材料が主に使用
されてきた。
n、CuまたはReF3 (Reは粘土類を表わす)等
を賦活剤として含むZnS等の無機金属材料が主に使用
されてきた。
薄膜型のEL素子は、発光層を薄く形成して、電極間の
距離を十分に短かくすることができ、発光層内でより強
い電界を発生させて、低電圧駆動に於いても、輝度の高
い良好な発光を得るために好適な構造を有している。し
かしながら、上記のZnSを主体とする無機金属材料を
用いて蒸着法等の薄膜形成法により薄膜の発光層を形成
し、この型のEL素子を製造した場合、製造コストが非
常に高くなってしまうという問題があり、また大面積の
均一な薄膜からなる発光層の形成が非常に困難であるた
め、品質の良い大面積のEL素子を量産性良く製造する
ことはできなかった。
距離を十分に短かくすることができ、発光層内でより強
い電界を発生させて、低電圧駆動に於いても、輝度の高
い良好な発光を得るために好適な構造を有している。し
かしながら、上記のZnSを主体とする無機金属材料を
用いて蒸着法等の薄膜形成法により薄膜の発光層を形成
し、この型のEL素子を製造した場合、製造コストが非
常に高くなってしまうという問題があり、また大面積の
均一な薄膜からなる発光層の形成が非常に困難であるた
め、品質の良い大面積のEL素子を量産性良く製造する
ことはできなかった。
これに対して、量産性に富み、コスト的に有利であるE
L素子として、上記のZnSを主体とするEL無機材料
を有機バインダー中に分散して発光層を形成した真性E
L方式の有機粉末型EL素子が知られている。
L素子として、上記のZnSを主体とするEL無機材料
を有機バインダー中に分散して発光層を形成した真性E
L方式の有機粉末型EL素子が知られている。
ところが、この粉末型のEL素子に於いては、層厚を薄
く形成すると、その発光層にピンホール等の欠陥が生己
易く、発光特性を十分に高めるために、発光層の層厚を
一定以上薄くするには構造上の限界があり、十分な発光
、特に高い輝度を得ることができず、また層厚が比較的
厚くなるので、より強い電界を発生させるために、電力
消費が多くなるなどの問題点を有していたにの粉末型の
EL素子の有する発光層内に、より強い電界を発生させ
るためにフッ化ビニリデン系重合体からなる中間誘電体
層を設けた改良型の粉末型EL素子が、特開昭58−1
72891公報によって知られているが、輝度、電力消
費等に於いて満足のいく性能が得られていないのが現状
である。 ′一方、最近、種々の薄膜形成法によ
り精度良い薄膜の形成が可能であ颯有機化合物材料の化
学機゛ 造や高次構造を制御して、従来用いられていた
金属、無機材料の代りに、オプティカル及びエレクトロ
ニクス用材料として、ニレクトロクロミック素子、圧電
素子、焦電素子、非線形光学素子、強誘電性液晶等の用
途に適用することが注目されており、更に、これらの材
料のEL素子の発光層を形成する材料としての適用が期
待されている。
く形成すると、その発光層にピンホール等の欠陥が生己
易く、発光特性を十分に高めるために、発光層の層厚を
一定以上薄くするには構造上の限界があり、十分な発光
、特に高い輝度を得ることができず、また層厚が比較的
厚くなるので、より強い電界を発生させるために、電力
消費が多くなるなどの問題点を有していたにの粉末型の
EL素子の有する発光層内に、より強い電界を発生させ
るためにフッ化ビニリデン系重合体からなる中間誘電体
層を設けた改良型の粉末型EL素子が、特開昭58−1
72891公報によって知られているが、輝度、電力消
費等に於いて満足のいく性能が得られていないのが現状
である。 ′一方、最近、種々の薄膜形成法によ
り精度良い薄膜の形成が可能であ颯有機化合物材料の化
学機゛ 造や高次構造を制御して、従来用いられていた
金属、無機材料の代りに、オプティカル及びエレクトロ
ニクス用材料として、ニレクトロクロミック素子、圧電
素子、焦電素子、非線形光学素子、強誘電性液晶等の用
途に適用することが注目されており、更に、これらの材
料のEL素子の発光層を形成する材料としての適用が期
待されている。
これらのなかで、EL素子の発光層用の有機材料として
は、アントラセン、ピレン若しくはペリレンまたはこれ
らの調導体等が知られており、□これらの材料の雫分子
累積膜を発光層として用いた、キャリアー注入EL方式
の素子が、特開昭52−3s’ssy号公報により知ら
れている。
は、アントラセン、ピレン若しくはペリレンまたはこれ
らの調導体等が知られており、□これらの材料の雫分子
累積膜を発光層として用いた、キャリアー注入EL方式
の素子が、特開昭52−3s’ssy号公報により知ら
れている。
しかしながら、このEL素子に於いては、発光層が精度
良い薄膜として形成されているものの、キャリアーであ
る電子あるいはホールの密度が非常に小さく、キャリア
ーの移動や再結合等による機能分子の励起確率が低く、
効率の良い発光が得られず、特に電力消費や輝度の点で
満足できるものとなっていないのが現状である。
良い薄膜として形成されているものの、キャリアーであ
る電子あるいはホールの密度が非常に小さく、キャリア
ーの移動や再結合等による機能分子の励起確率が低く、
効率の良い発光が得られず、特に電力消費や輝度の点で
満足できるものとなっていないのが現状である。
本発明の目的は、発光効率が良好であり、低電圧駆動で
も十分な輝度が得られ、安価でかつ製造容易な構造を有
する新規なEL素子を提供することにある。
も十分な輝度が得られ、安価でかつ製造容易な構造を有
する新規なEL素子を提供することにある。
本発明の他の目的は、EL素子用の種々の有機化合物材
料を適宜選択し、その材料に最適な薄膜形成状を組合わ
せて形成することができ、所望の発光特性を容易に付与
することが可能な構造を有するEL素子を提供すること
にある。
料を適宜選択し、その材料に最適な薄膜形成状を組合わ
せて形成することができ、所望の発光特性を容易に付与
することが可能な構造を有するEL素子を提供すること
にある。
すなわち1本発明の電界発光素子は、少なくとも一方が
透明である2つの電極層と、これら電極層間に設けられ
た発光層とを有する電界発光素子に於いて、前記発光層
が、相対的に電子受容性を示す有機化合物を含む第1の
層と、相対的に電子供与性を示す有1機化合物を含む第
2の層と、電気絶縁性を有する第3の層とを有し、更に
前記第1の層に前記相対的に電子受容性を示す有機化合
物に対して電子供与体となり(ワる他の化合物が含有さ
れ、かつ前記第2の層に前記相対的に電子供与性を示す
有機化合物に対して電子受容体となり得る他の化合物が
含有Sれてなり、これらの層が、前記電極層の一方から
他方に向かって前記第3の層上に、前記第1の層、第2
の層及び第3の層がこの順に2回以上繰り返されて積層
されてなり、更に前記第3の層が、該層を形成できる化
合物の中分子膜または中分子累積膜からなるものである
ことを特徴とする。
透明である2つの電極層と、これら電極層間に設けられ
た発光層とを有する電界発光素子に於いて、前記発光層
が、相対的に電子受容性を示す有機化合物を含む第1の
層と、相対的に電子供与性を示す有1機化合物を含む第
2の層と、電気絶縁性を有する第3の層とを有し、更に
前記第1の層に前記相対的に電子受容性を示す有機化合
物に対して電子供与体となり(ワる他の化合物が含有さ
れ、かつ前記第2の層に前記相対的に電子供与性を示す
有機化合物に対して電子受容体となり得る他の化合物が
含有Sれてなり、これらの層が、前記電極層の一方から
他方に向かって前記第3の層上に、前記第1の層、第2
の層及び第3の層がこの順に2回以上繰り返されて積層
されてなり、更に前記第3の層が、該層を形成できる化
合物の中分子膜または中分子累積膜からなるものである
ことを特徴とする。
本発明の発光素子は、基本的に、少なくとも一方が透明
である2つの電極層と、これら電極層間に絶縁層を介し
て設けられたEL機能を持つ発光層とを有する、いわゆ
る真性EL方式の薄膜型EL素子であり、前記発光層の
構造にその特徴を有する。
である2つの電極層と、これら電極層間に絶縁層を介し
て設けられたEL機能を持つ発光層とを有する、いわゆ
る真性EL方式の薄膜型EL素子であり、前記発光層の
構造にその特徴を有する。
本発明のEL素子の有する発光層は、相対的に電子受容
性を示す有機化合物(以後EA化合物と略称する)と、
相対的に電子供与性を示す有機化合物(以後ED化合物
と略称する)が互いに接触する位置に、かつ前記EA化
合物周辺に、該化合物に対して電子供与体となり得る化
合物(以後EA−d化合物と略称する)が、更に前記E
D化合物周辺に、該化合物に対して電子受容体となり得
る化合物(以後ED−a化合物と略称する)がそれぞれ
配置された構造を有し、これら化合物が電界中に置かれ
た時のこれら化合物間の相互作用による、なかでも前記
ED・化合物とEA化合物間の電子の授受に伴なう励起
錯体の形成に基づく発光作用を主な発光源として有する
ものであり、しかもこのような励起錯体が電界の発生と
ともに効率良く形成されるのに好適な構造を有すること
に特徴がある。
性を示す有機化合物(以後EA化合物と略称する)と、
相対的に電子供与性を示す有機化合物(以後ED化合物
と略称する)が互いに接触する位置に、かつ前記EA化
合物周辺に、該化合物に対して電子供与体となり得る化
合物(以後EA−d化合物と略称する)が、更に前記E
D化合物周辺に、該化合物に対して電子受容体となり得
る化合物(以後ED−a化合物と略称する)がそれぞれ
配置された構造を有し、これら化合物が電界中に置かれ
た時のこれら化合物間の相互作用による、なかでも前記
ED・化合物とEA化合物間の電子の授受に伴なう励起
錯体の形成に基づく発光作用を主な発光源として有する
ものであり、しかもこのような励起錯体が電界の発生と
ともに効率良く形成されるのに好適な構造を有すること
に特徴がある。
以下1図面を用いて本発明のEL素子を更に詳細に説明
する。
する。
第1図は本発明のEL素子の一例の模式的断面図である
。
。
1.2は電圧が印加されることによって電界を発生させ
るための電極であり、lは発生した光を取り出すための
透明な電極である。3は、EL機能を有する発光層であ
り、上下両端に積層された絶縁層として機能する第3の
層4−1.4−3の間に、第1の層5−1.5−2 、
第2の層6−1.6−2及び第3の層4−2が交互に繰
返されて積層された多層構造となっており、第3の層4
−1,4−2 、4−3は、これらのそれぞれの層を形
成することのできる化合物の中分子膜または中分子累積
膜から形成されている。
るための電極であり、lは発生した光を取り出すための
透明な電極である。3は、EL機能を有する発光層であ
り、上下両端に積層された絶縁層として機能する第3の
層4−1.4−3の間に、第1の層5−1.5−2 、
第2の層6−1.6−2及び第3の層4−2が交互に繰
返されて積層された多層構造となっており、第3の層4
−1,4−2 、4−3は、これらのそれぞれの層を形
成することのできる化合物の中分子膜または中分子累積
膜から形成されている。
発光層3の有する第1の層5−1は、第2の層6−1に
含まれる前述′したED化合物に対してEA化合物とな
り得る化合物を主成分として含み、この第1の層5−1
に直接接して積層された第2の層6−1は、第1の層5
−1に含まれたEA化合物に対してED化合物となり得
る化合物を主成分として含み、これら第1の層5−1と
第2層6−1の界面7−1がEA化合物とED化合物と
の接触面となっている。第1の層5−2と第2の層6−
2の関係もこれと同様であり、これらの層によって界面
7−2が独自に形成されている。
含まれる前述′したED化合物に対してEA化合物とな
り得る化合物を主成分として含み、この第1の層5−1
に直接接して積層された第2の層6−1は、第1の層5
−1に含まれたEA化合物に対してED化合物となり得
る化合物を主成分として含み、これら第1の層5−1と
第2層6−1の界面7−1がEA化合物とED化合物と
の接触面となっている。第1の層5−2と第2の層6−
2の関係もこれと同様であり、これらの層によって界面
7−2が独自に形成されている。
これらの界面?−1,7−2に於いて、電極1.2に電
圧が印加されて発光層3に電界がかけられたときに、E
A化合物とED化合物が励起状態にある錯体を形成し、
この励起錯体が基底状態に戻る際に、励起状態にある錯
体、EA化合物及び/またはED化合物から励起エネル
ギーが光として発生される。このように、本発明のEL
素子に於ける発光は、この界面7−1、?−2に於ける
発光を主な発光源とするものである。
圧が印加されて発光層3に電界がかけられたときに、E
A化合物とED化合物が励起状態にある錯体を形成し、
この励起錯体が基底状態に戻る際に、励起状態にある錯
体、EA化合物及び/またはED化合物から励起エネル
ギーが光として発生される。このように、本発明のEL
素子に於ける発光は、この界面7−1、?−2に於ける
発光を主な発光源とするものである。
更に、第1の層5−1.5−2には、これら層の主成分
であるEA化合物に対して電子供与体となり得るEA−
d化合物が混合されており、このEA−d化合物は、E
A化合物に電子を供与するなどのEA化合物との相互作
用によって、該EA化合物の電界励起効率を高める機能
を主に有するものである。
であるEA化合物に対して電子供与体となり得るEA−
d化合物が混合されており、このEA−d化合物は、E
A化合物に電子を供与するなどのEA化合物との相互作
用によって、該EA化合物の電界励起効率を高める機能
を主に有するものである。
また、第2の層6−1.8−2には、これら層の主成分
であるED化合物に対して電子受容体となり得るED−
a化合物が混合されており、このEO−a化合物もまた
、ED化合物から電子を受取るなどのED化合物との相
互作用によって、該ED化合物の電界励起効率を高める
機能を主に有するものである。
であるED化合物に対して電子受容体となり得るED−
a化合物が混合されており、このEO−a化合物もまた
、ED化合物から電子を受取るなどのED化合物との相
互作用によって、該ED化合物の電界励起効率を高める
機能を主に有するものである。
なお、−上記ED−a及びEA−d化合物は、EA化合
物及びED化合物との相互作用により1例えば発光色を
制御する等、第Iの層及び第2の層の電気化学的性質を
所望に応じて制御する機能を上記の機能に加えて有して
いるものであっても良い。
物及びED化合物との相互作用により1例えば発光色を
制御する等、第Iの層及び第2の層の電気化学的性質を
所望に応じて制御する機能を上記の機能に加えて有して
いるものであっても良い。
本発明のEL素子の有する発光層を構成する第1の層5
−1.5−2及び第2の層8−1.8−2は、以下に示
すような電界励起錯体の形成に直接関与する化合物分子
を、または該化合物の少なくとも1つを機能性部分とし
て有する化合物分子を主成分として含有している。
−1.5−2及び第2の層8−1.8−2は、以下に示
すような電界励起錯体の形成に直接関与する化合物分子
を、または該化合物の少なくとも1つを機能性部分とし
て有する化合物分子を主成分として含有している。
更に、第1の層5−1.5−2には、これら層の主成分
であるEA化合物に対し電子供与体となり得るEA−d
化合物が副成分として含まれており、第2の層6−1.
6−2には、これら層の主成分であるED化合物に対し
電子受容体となり得るED−a化合物が副成分として含
まれている。
であるEA化合物に対し電子供与体となり得るEA−d
化合物が副成分として含まれており、第2の層6−1.
6−2には、これら層の主成分であるED化合物に対し
電子受容体となり得るED−a化合物が副成分として含
まれている。
上記の第1の層及び第2の層に主成分として含まれる電
界励起錯体の形成に直接関与する化各物分子の発光層3
内の配置としては、以下のような組み合わせを代表的な
ものとして挙げることができる。
界励起錯体の形成に直接関与する化各物分子の発光層3
内の配置としては、以下のような組み合わせを代表的な
ものとして挙げることができる。
(a)第1の層5−1.5−2と第2の層6−1.6−
2のそれぞれに励起錯体形成に基づ<EL機能を有する
(主に発光を行なう)化合物分子が配置されている。
2のそれぞれに励起錯体形成に基づ<EL機能を有する
(主に発光を行なう)化合物分子が配置されている。
(b)第1の層5−1.5−2に励起錯体形成に基づ<
81機能を有する化合物分子が配置され。
81機能を有する化合物分子が配置され。
これら化合物分子に対して電子供与体となり得る化合物
(ED化合物)分子がそれぞれ第2の層e−t、8−2
に配置されている。
(ED化合物)分子がそれぞれ第2の層e−t、8−2
に配置されている。
(C)第2の層8−1.8−2に励起錯体形成に基づく
81機能を有する化合物分子が配置され。
81機能を有する化合物分子が配置され。
これら化合物に対して電子受容体となり得る化合物(E
A化合物)分子がそれぞれ第1の層5−1.5−2に配
置されている。
A化合物)分子がそれぞれ第1の層5−1.5−2に配
置されている。
上記の励起錯体形成に基づ<81機能を有する化合物と
しては、高い発光量子効率を持ち、外部摂動を受は易い
π電子系を有し、容易に電界励起する有機化合物が好適
に用いられる。
しては、高い発光量子効率を持ち、外部摂動を受は易い
π電子系を有し、容易に電界励起する有機化合物が好適
に用いられる。
このような化合物としては、例えば縮合多環芳香!炭化
水素、p−ターフェニル、2,5−ジフェニルオキサゾ
ール、1.4−bis−(2−メチルスチリル)−ベン
ゼン、キサンチン、クマリン、アクリジエ2 ン、シアニン色素、ベンゾフェノン、フタロシアニン、
フタロシアニンの金属錯体、ポルフィリン、ポルフィリ
ンの金属錯体、8−ヒドロキシキノリン、8−ヒドロキ
シキノリンの金属錯体、ルテニウム錯体、稀土類錯体及
びこれらの化合物の誘導体、並びに上記以外の複素環式
化合物及びその誘導体、芳香族アミン、芳香族ポリアミ
ン及びキノン構造を有する化合物のなかで励起錯体形成
に基づく81機能を有する化合物を挙げることができ、
これら化合物の中から、相対的にEA化合物となり得る
もの1種以上と、ED化合物となり得るもの1種以−ヒ
とを適宜選択して組み合わせ、前記した第1の層と第2
の層の構成(a)を有する発光層を、蒸着法、CVD法
等の薄膜形成法により形成することができる。
水素、p−ターフェニル、2,5−ジフェニルオキサゾ
ール、1.4−bis−(2−メチルスチリル)−ベン
ゼン、キサンチン、クマリン、アクリジエ2 ン、シアニン色素、ベンゾフェノン、フタロシアニン、
フタロシアニンの金属錯体、ポルフィリン、ポルフィリ
ンの金属錯体、8−ヒドロキシキノリン、8−ヒドロキ
シキノリンの金属錯体、ルテニウム錯体、稀土類錯体及
びこれらの化合物の誘導体、並びに上記以外の複素環式
化合物及びその誘導体、芳香族アミン、芳香族ポリアミ
ン及びキノン構造を有する化合物のなかで励起錯体形成
に基づく81機能を有する化合物を挙げることができ、
これら化合物の中から、相対的にEA化合物となり得る
もの1種以上と、ED化合物となり得るもの1種以−ヒ
とを適宜選択して組み合わせ、前記した第1の層と第2
の層の構成(a)を有する発光層を、蒸着法、CVD法
等の薄膜形成法により形成することができる。
更に、上記の励起錯体形成に基づ<81機能を有する化
合物に対して電子受容体または電子供与体となり得る化
合物としては、上記した化合物以外の複素環式化合物及
びその誘導体、芳香族アミン、芳香族ポリアミン、キノ
ン構造を有する化合物、テトラシアノキメジメタン並び
にテトラシアノエチレン等を挙げることができ、先に挙
げた化合−物とこれら化合物とを適宜選択して組み合わ
せて、前記した第1の層と第2の層の構成(b)または
(c)を有する発光層を形成することができる。
合物に対して電子受容体または電子供与体となり得る化
合物としては、上記した化合物以外の複素環式化合物及
びその誘導体、芳香族アミン、芳香族ポリアミン、キノ
ン構造を有する化合物、テトラシアノキメジメタン並び
にテトラシアノエチレン等を挙げることができ、先に挙
げた化合−物とこれら化合物とを適宜選択して組み合わ
せて、前記した第1の層と第2の層の構成(b)または
(c)を有する発光層を形成することができる。
一方、第1の層に含まれる第1の層の主成分であるEA
化合物に対して電子供ケ体となり得るEA−d化合物、
及び第2の層に含まれる第2の層の主成分であるED化
合物に対して電子受容体となり得るED−a化合物とし
ては、上記した励起錯体形成に基づ< E LWt能を
有する(主に発光を行なう)化合物、該化合物に対して
電子供与体若しくは電子受容体となり得る化合物、励起
エネルギーの移動により発光体となり得・、る化合物及
びこれら化合物分子を機能性部分として少なくとも1つ
有する化合物等を挙げることができる。第1の層及び第
2の層を形成する時には、これらの中から、第1の層及
び第2の層の主成分として使用される化合物に応じて、
これらEA−d及びEll−a化合物が前記したような
機能を有するように適宜選択して用いれば良い。EA化
合物に対するEA−d化合物の量及びED化合物に対す
るED−a化合物の量は、第1の層及び第2の層に使用
される化合物に応じて異なり、−概には規定できないが
、通常EA−d化合物については、EA化合物の10モ
ル%〜0.1モル%程度、EII−a化合物については
、ED化合物のlθモル%〜0.1モル重量%程度とさ
れる。
化合物に対して電子供ケ体となり得るEA−d化合物、
及び第2の層に含まれる第2の層の主成分であるED化
合物に対して電子受容体となり得るED−a化合物とし
ては、上記した励起錯体形成に基づ< E LWt能を
有する(主に発光を行なう)化合物、該化合物に対して
電子供与体若しくは電子受容体となり得る化合物、励起
エネルギーの移動により発光体となり得・、る化合物及
びこれら化合物分子を機能性部分として少なくとも1つ
有する化合物等を挙げることができる。第1の層及び第
2の層を形成する時には、これらの中から、第1の層及
び第2の層の主成分として使用される化合物に応じて、
これらEA−d及びEll−a化合物が前記したような
機能を有するように適宜選択して用いれば良い。EA化
合物に対するEA−d化合物の量及びED化合物に対す
るED−a化合物の量は、第1の層及び第2の層に使用
される化合物に応じて異なり、−概には規定できないが
、通常EA−d化合物については、EA化合物の10モ
ル%〜0.1モル%程度、EII−a化合物については
、ED化合物のlθモル%〜0.1モル重量%程度とさ
れる。
更に、上記の第1の層及び第2の層の形成に使用できる
化合物の誘導体としては、以下のような構造式で示され
た化合物を挙げることができる。
化合物の誘導体としては、以下のような構造式で示され
た化合物を挙げることができる。
なお、以下に示す構造式に於いて、X及びYは、先に挙
げたような親木基を表すが、1分子内にこれらが両方存
在する時は、どちらか一方が親木基であれば良く、その
ような場合は他の一方は水素となる。また、Rは炭素数
4〜30程度、好ましくは10〜25程度の直鎖状若し
くは側鎖を有するアルキル基を表わす。
げたような親木基を表すが、1分子内にこれらが両方存
在する時は、どちらか一方が親木基であれば良く、その
ような場合は他の一方は水素となる。また、Rは炭素数
4〜30程度、好ましくは10〜25程度の直鎖状若し
くは側鎖を有するアルキル基を表わす。
5.6・
6≦m+n
7.8゜
g、 10゜13
゜ 21、 22゜(cn
z)nX 6≦n≦20 23゜ H3 24゜ 0≦n≦2 25゜ 26゜ 27゜ M=H2、Be 、Mg 、 Oa 、 Cd 、 5
rA10/、ybcl [ M =Er 、 Sm、Eu 、Gd 、Tb 、Dy
、Tm、Yb◎浄、−喝、−t−Bu ’fJl=Er、Sm+Eu、Gd、Tb、Dy+T’
m、YbM −Er 、 Sm、Eu 、Gd +Tb
、Dy +’l’m、YbRl−H+−’−rH3+
CF3+C36、37,3B。
゜ 21、 22゜(cn
z)nX 6≦n≦20 23゜ H3 24゜ 0≦n≦2 25゜ 26゜ 27゜ M=H2、Be 、Mg 、 Oa 、 Cd 、 5
rA10/、ybcl [ M =Er 、 Sm、Eu 、Gd 、Tb 、Dy
、Tm、Yb◎浄、−喝、−t−Bu ’fJl=Er、Sm+Eu、Gd、Tb、Dy+T’
m、YbM −Er 、 Sm、Eu 、Gd +Tb
、Dy +’l’m、YbRl−H+−’−rH3+
CF3+C36、37,3B。
39、 40゜4&
44゜H0■、、)
x RR 69、70゜ −R 78゜ 77゛R 88゜ ■ 89゜ …2 )n X これらの化合物の中で、/FLl ” A 35の構造
式の化合物は、先に挙げた機能性部分を形成できる化合
物のうち励起錯体の形成に基づ<ELM能を有する化合
物を疎水基及び/または親木基によって修飾したもので
ある。なお、逅42〜逅54及び正85〜N686の構
造式の化合物は、機能性部分にアルキル鎖が直接結合し
た構造を有するものであるが、アルキル鎖の機能性部分
への結合は、例えばエーテル結合、カルボニル基を介し
た結合等によるものであっても良い。
44゜H0■、、)
x RR 69、70゜ −R 78゜ 77゛R 88゜ ■ 89゜ …2 )n X これらの化合物の中で、/FLl ” A 35の構造
式の化合物は、先に挙げた機能性部分を形成できる化合
物のうち励起錯体の形成に基づ<ELM能を有する化合
物を疎水基及び/または親木基によって修飾したもので
ある。なお、逅42〜逅54及び正85〜N686の構
造式の化合物は、機能性部分にアルキル鎖が直接結合し
た構造を有するものであるが、アルキル鎖の機能性部分
への結合は、例えばエーテル結合、カルボニル基を介し
た結合等によるものであっても良い。
なお1本発明の発光層を構成する第1の層は、主成分で
あるEA化合物分子を機能性部分として有する化合物の
1種以上と、副成分であるEA−d化合物分子を機能性
部分として有する化合物の1種以上以外のその他の化合
物を1種以上含んだものでも良く、第2の層についても
これと同様である。そのような場合、その他の化合物と
しては。
あるEA化合物分子を機能性部分として有する化合物の
1種以上と、副成分であるEA−d化合物分子を機能性
部分として有する化合物の1種以上以外のその他の化合
物を1種以上含んだものでも良く、第2の層についても
これと同様である。そのような場合、その他の化合物と
しては。
機能性部分を有するものではないが機能性部分を有する
化合物との相互作用により発光層の電気化学的特性を制
御できるような化合物、更には第1の層及び第2の層の
強度を増したり、これらの層と他の層との接着性を向上
することのできる化合物等を挙げることができる。
化合物との相互作用により発光層の電気化学的特性を制
御できるような化合物、更には第1の層及び第2の層の
強度を増したり、これらの層と他の層との接着性を向上
することのできる化合物等を挙げることができる。
更に、これまで挙げたED及びEA化合物になり得る化
合物は、励起錯体の形成に基づかない発光を行なう機能
を備えた化合物であっても良く、またEA−d及びED
−a化合物となり得る化合物もEL機能を有するもので
あっても良く、本発明のEL素子に於ける発光は、第1
の層と第2の層の界面?−1,7−2に於ける発光のみ
に限定されるものではなく、第1の層5−1,5−2及
び/または第2の層8−1 、6−2内に於いて発光が
行なわれる場合をも含むものであっても良い。
合物は、励起錯体の形成に基づかない発光を行なう機能
を備えた化合物であっても良く、またEA−d及びED
−a化合物となり得る化合物もEL機能を有するもので
あっても良く、本発明のEL素子に於ける発光は、第1
の層と第2の層の界面?−1,7−2に於ける発光のみ
に限定されるものではなく、第1の層5−1,5−2及
び/または第2の層8−1 、6−2内に於いて発光が
行なわれる場合をも含むものであっても良い。
本発明のEL素子の有する発光層のもう1つの層である
第3の層4−1.4−2 、4−3は、絶縁性を有する
層であり、特に第3の層4−1、ト3は本発明のEL素
子のコンデンサー構造の絶縁性を高める機能を有し、第
3の層4−2は、電子の移動を必要最小限の領域内に閉
じ込め、効率良い電子の授受による発光を行なわせる機
能を有する。
第3の層4−1.4−2 、4−3は、絶縁性を有する
層であり、特に第3の層4−1、ト3は本発明のEL素
子のコンデンサー構造の絶縁性を高める機能を有し、第
3の層4−2は、電子の移動を必要最小限の領域内に閉
じ込め、効率良い電子の授受による発光を行なわせる機
能を有する。
この第3の層は、電気絶縁性を有する単分子膜または中
分子累積膜から形成されている。
分子累積膜から形成されている。
この第3の層を形成するには、超薄膜をほぼ常温、常圧
で簡易に形成することのできる単分子累積法が好適に適
用される。
で簡易に形成することのできる単分子累積法が好適に適
用される。
この中分子累積法は、以下のような原理に基づくもので
ある。すなわち1例えば分子内に親木性部分と疎水性部
分を有する分子に於いて、両者のバランス(両親媒性の
バランス)が適度に保たれているとき、このような分子
の多数が水面上で親木性部分を下に向けて単分子の層を
形成する。この単分子層は二次元系の特徴を有し、これ
ら分子がまばらに散開しているときは、−・分子当たり
の面積Aと表面圧nとの間に二次元理想気体の式:nA
=kT (k ;ポルツマン定数、T;絶対温度)が成
り立ち、これら分子は“気体膜”を形成するが、Aを十
分に小さくすると分子間相互作用が強まりこれら分子は
二次元固体の“凝縮膜(または固体膜)゛を形成する。
ある。すなわち1例えば分子内に親木性部分と疎水性部
分を有する分子に於いて、両者のバランス(両親媒性の
バランス)が適度に保たれているとき、このような分子
の多数が水面上で親木性部分を下に向けて単分子の層を
形成する。この単分子層は二次元系の特徴を有し、これ
ら分子がまばらに散開しているときは、−・分子当たり
の面積Aと表面圧nとの間に二次元理想気体の式:nA
=kT (k ;ポルツマン定数、T;絶対温度)が成
り立ち、これら分子は“気体膜”を形成するが、Aを十
分に小さくすると分子間相互作用が強まりこれら分子は
二次元固体の“凝縮膜(または固体膜)゛を形成する。
この凝縮膜はガラス等の基板の表面に移し取ることがで
き、基板上に超薄膜の単分子膜またはその累積膜を形成
することができる。
き、基板上に超薄膜の単分子膜またはその累積膜を形成
することができる。
この単分子累積法に於ける単分子膜形成用の溶液として
は、種々の溶液を使用することができ、この使用される
溶液に応じて、該溶液に対する親媒性の異なる部分をバ
ランス良く有する単分子膜形成用化合物を適宜選択して
単分子膜を形成することができる。このような単分子膜
形成用の溶液の中では、安価であり、取り扱いも容易で
あり、安全である等の点から水または水を主成分とした
溶液が好適に用いられている。
は、種々の溶液を使用することができ、この使用される
溶液に応じて、該溶液に対する親媒性の異なる部分をバ
ランス良く有する単分子膜形成用化合物を適宜選択して
単分子膜を形成することができる。このような単分子膜
形成用の溶液の中では、安価であり、取り扱いも容易で
あり、安全である等の点から水または水を主成分とした
溶液が好適に用いられている。
このような水または水を主成分とした溶液を用いた単分
子累積法を適用した場合に使用できる第3の層形成用材
料としては、一般式; %式%) (上記式中に於いてnは、10≦n≦30であり、Xは
−CDDH,−CON)12.−CDOR,−N+(G
)+3)3−Cド 。
子累積法を適用した場合に使用できる第3の層形成用材
料としては、一般式; %式%) (上記式中に於いてnは、10≦n≦30であり、Xは
−CDDH,−CON)12.−CDOR,−N+(G
)+3)3−Cド 。
等の基を表わす)で示される化合物等を挙げることがで
る。
る。
なお、第3の層4−1.4−2 、4−3が単分子累積
膜からなる場合には、累積膜を構成する各単分子膜は、
それぞれが同一のものであっても良く、また単分子膜の
1つ以−Lが他の中分子膜と異なるものであっても良い
。更に、単分子累積膜の各単分子膜を形成する分子の配
向状態による構造は、いわゆるY型(各膜間に於いて親
木性部分と親木性部分または疎水性部分と疎水性部分と
が互いに向きあった構造)、x型(各層の基板側に疎水
性部分が向いた構造)、Z型(各層の基板側に親木性部
分が向いた構造)及びこれらの変形構造等の種々の構造
とすることができる。
膜からなる場合には、累積膜を構成する各単分子膜は、
それぞれが同一のものであっても良く、また単分子膜の
1つ以−Lが他の中分子膜と異なるものであっても良い
。更に、単分子累積膜の各単分子膜を形成する分子の配
向状態による構造は、いわゆるY型(各膜間に於いて親
木性部分と親木性部分または疎水性部分と疎水性部分と
が互いに向きあった構造)、x型(各層の基板側に疎水
性部分が向いた構造)、Z型(各層の基板側に親木性部
分が向いた構造)及びこれらの変形構造等の種々の構造
とすることができる。
以下、本発明の発光層の第3の層の形成に適用するラン
グミューア・ブロジェッ)l CLB法)に代表される
中分子累積法の代表的な操作を説明する。
グミューア・ブロジェッ)l CLB法)に代表される
中分子累積法の代表的な操作を説明する。
中分子膜を形成させるための水相を水槽中に設け、該水
相内に清浄な基板を浸漬さておく。次に、中分子膜形成
用化合物の適当な溶剤に溶解または分散した溶液の所定
量を、水相中に展開し、この化合物を水相表面に膜状に
析出させる。この時、この析出物が水相上を自由に拡散
して広がりすぎないように、仕切り板(または浮子)を
設けて展開面積を制限して膜物質の集合状態を制御し、
その集合状態に比例した表面圧■を得る。そして、仕切
り板を作動させ、展開面積を縮少し、表面圧■を徐々に
−L昇させ、中分子膜の形成に適した表面圧nに設定す
る。ここで、この表面圧■を維持させながら静かにすで
に浸漬しておいた基板を、水相面に垂直な方向に上下さ
せると、基板の上方への移動と下方への移動ごとに単分
子膜が基板上に移し取られ、単分子累積膜が形成される
。
相内に清浄な基板を浸漬さておく。次に、中分子膜形成
用化合物の適当な溶剤に溶解または分散した溶液の所定
量を、水相中に展開し、この化合物を水相表面に膜状に
析出させる。この時、この析出物が水相上を自由に拡散
して広がりすぎないように、仕切り板(または浮子)を
設けて展開面積を制限して膜物質の集合状態を制御し、
その集合状態に比例した表面圧■を得る。そして、仕切
り板を作動させ、展開面積を縮少し、表面圧■を徐々に
−L昇させ、中分子膜の形成に適した表面圧nに設定す
る。ここで、この表面圧■を維持させながら静かにすで
に浸漬しておいた基板を、水相面に垂直な方向に上下さ
せると、基板の上方への移動と下方への移動ごとに単分
子膜が基板上に移し取られ、単分子累積膜が形成される
。
単分子膜を基板上に移し取るには、上述した垂直浸漬法
の他に、基板を水相面とを平行に保ちながら水平に接触
させる水平付着法、円筒型の基体を水面上誉回転させて
単分子膜を基体表面に移し取る回転円筒法、あるいは基
板ロールから水相中に基板を押し出してゆく方法などの
種々の方法が適用できる。上記垂直浸漬法では、通常基
板の引上げ工程と浸漬工程とで成膜分子の配向が逆にな
るので、いわゆるY型膜が形成される。また、水平付着
法によれば、疎水基が基板側に向いた中分子膜が形成さ
れ、累積膜とした場合、いわゆるX型膜が形成される。
の他に、基板を水相面とを平行に保ちながら水平に接触
させる水平付着法、円筒型の基体を水面上誉回転させて
単分子膜を基体表面に移し取る回転円筒法、あるいは基
板ロールから水相中に基板を押し出してゆく方法などの
種々の方法が適用できる。上記垂直浸漬法では、通常基
板の引上げ工程と浸漬工程とで成膜分子の配向が逆にな
るので、いわゆるY型膜が形成される。また、水平付着
法によれば、疎水基が基板側に向いた中分子膜が形成さ
れ、累積膜とした場合、いわゆるX型膜が形成される。
しかしながら、このような親木基や疎水基の向きは、基
板の表面処理等によって変化させることも可能である。
板の表面処理等によって変化させることも可能である。
更に単分子累積法によって本発明のEL素子の有する発
光層の第3の層を形成する際の水相のpH1水相のpH
等を調整するための添加剤の種類及びその量、水相の温
度、基板の上げ下げ速度または表面圧等の操作条件は、
使用される中分子膜形成用化合物の種類、形成しようと
する膜の特性等に応じて適宜選択すれば良い。
光層の第3の層を形成する際の水相のpH1水相のpH
等を調整するための添加剤の種類及びその量、水相の温
度、基板の上げ下げ速度または表面圧等の操作条件は、
使用される中分子膜形成用化合物の種類、形成しようと
する膜の特性等に応じて適宜選択すれば良い。
なお、これまで第1図を用いて第1の層と第2の層によ
って形成された界面を2つ有する本発明のEL素子につ
いて説明してきたが、本発明のEL素子の有する界面の
数は、これに限定されることなく、3つ以−ヒであって
も良い。
って形成された界面を2つ有する本発明のEL素子につ
いて説明してきたが、本発明のEL素子の有する界面の
数は、これに限定されることなく、3つ以−ヒであって
も良い。
以上のような構成の本発明のEL素子の発光層を構成す
る各層の層厚は、EL素子の有する界面の数や各層自身
の構成によっても各々異なるが、第1の層については、
50OA以下、好ましくは200A以下、第2の層につ
いては、 500 A以下。
る各層の層厚は、EL素子の有する界面の数や各層自身
の構成によっても各々異なるが、第1の層については、
50OA以下、好ましくは200A以下、第2の層につ
いては、 500 A以下。
好ましくは200A以下、第3の層については、30O
A以下、好ましくはloo A以下、更に発光層全体の
層厚としては、lu以下、好ましくは3000A以下と
するのが低電圧駆動に於いても良好な発光状態を得るた
めに望ましい。
A以下、好ましくはloo A以下、更に発光層全体の
層厚としては、lu以下、好ましくは3000A以下と
するのが低電圧駆動に於いても良好な発光状態を得るた
めに望ましい。
本発明のEL素子の有する2つの電極層l、2は、少な
くともどちらか一方が、光を取り出すために透明電極と
して設けられる。
くともどちらか一方が、光を取り出すために透明電極と
して設けられる。
透明電極として電′極層を形成する場合には、PMMA
、ポリエステル等のフィルムまたはシート、あるいはガ
ラス板等の透明な基板上にInO2,5n02、インシ
ュウムティンオキサイド(1,T、O)等を蒸着法等に
よって積層して、あるいはこれらの材料を発光層に直接
積層して形成することができる。
、ポリエステル等のフィルムまたはシート、あるいはガ
ラス板等の透明な基板上にInO2,5n02、インシ
ュウムティンオキサイド(1,T、O)等を蒸着法等に
よって積層して、あるいはこれらの材料を発光層に直接
積層して形成することができる。
また、透明でない電極層は、十分な導電性を有する通常
の電極を形成することのできる材料からなる薄板や、適
当な基板上に若しくは形成された発光層上に直接AI
、 Ag、 Au等を蒸着法等によって積層して形成す
ることができる。
の電極を形成することのできる材料からなる薄板や、適
当な基板上に若しくは形成された発光層上に直接AI
、 Ag、 Au等を蒸着法等によって積層して形成す
ることができる。
これら電極層の厚さは、 0.01u〜0.3u程度、
好ましくは0.05〜0.2μ程度とされる。
好ましくは0.05〜0.2μ程度とされる。
なお、本発明のEL素子の形状及び大きさは、所望によ
り種々の形状とすることができ1例えば透明電極を形成
するときの基板を発光層形成用基板とし、この基板とし
て板状、ベルト状、円筒状のものを用いる等して所望の
形状及び大きさとすることができる。また、2つの電極
層は、所望により1種々の形状にパターンニングされた
ものであっても良い。
り種々の形状とすることができ1例えば透明電極を形成
するときの基板を発光層形成用基板とし、この基板とし
て板状、ベルト状、円筒状のものを用いる等して所望の
形状及び大きさとすることができる。また、2つの電極
層は、所望により1種々の形状にパターンニングされた
ものであっても良い。
以上のような構成の本発明EL素子に於いては、該EL
素子の2つの電極l、2間に、例えば発光層3にtxt
o5〜3 X 106程度の電界がかかるように、直流
または交流、あるいはパルス電圧を印加することにより
、良好な発光が発光層3より透明電極を通じて得ること
ができる。
素子の2つの電極l、2間に、例えば発光層3にtxt
o5〜3 X 106程度の電界がかかるように、直流
または交流、あるいはパルス電圧を印加することにより
、良好な発光が発光層3より透明電極を通じて得ること
ができる。
以上のような構成の本発明の発光層は、例えば以下のよ
うにして形成することができる。
うにして形成することができる。
まず、前述したような透明電極層の設けられている基板
−Lに前記した第3の層形成用材料を用いて所望の構成
の中分子膜または単分子累積膜からなるS3の層を形成
させ1次にこの第3の層上に前記した第1の層及び第2
の層を形成することのできる材料を用いて所望の構成の
第1の層、第2の層をこの順に、蒸着法等によって形成
する。
−Lに前記した第3の層形成用材料を用いて所望の構成
の中分子膜または単分子累積膜からなるS3の層を形成
させ1次にこの第3の層上に前記した第1の層及び第2
の層を形成することのできる材料を用いて所望の構成の
第1の層、第2の層をこの順に、蒸着法等によって形成
する。
更に第2の層上に第3の層を積層し、所望とする第1の
層と第2の層の界面の数に応じて、この第1の層〜第3
の層の形成操作を2回以上繰返す。
層と第2の層の界面の数に応じて、この第1の層〜第3
の層の形成操作を2回以上繰返す。
最後に、この第3の層上に、A1.Ag、Au等の金属
を蒸着法等によって積層して、本発明のEL素子を形成
することができる。
を蒸着法等によって積層して、本発明のEL素子を形成
することができる。
最初の発光層形成用の基板として、透明でない電極板若
しくは電極層を有する基板を用いた場合には、最後に1
.T、O等の透明な電極層を形成するための材料を蒸着
法等により発光層上に積層すれば良い。また52つの電
極がともに透明である場合には、発光層形成用の透明基
板に上述の材料によって透明電極層を形成し、発光層の
形成が終了した後に透明電極層を更に積層すれば良い。
しくは電極層を有する基板を用いた場合には、最後に1
.T、O等の透明な電極層を形成するための材料を蒸着
法等により発光層上に積層すれば良い。また52つの電
極がともに透明である場合には、発光層形成用の透明基
板に上述の材料によって透明電極層を形成し、発光層の
形成が終了した後に透明電極層を更に積層すれば良い。
なお1本発明のEL素子の発光層の有する複数の第1の
層は、それぞれが同一の構成を有するものでも良く、複
数の第1の層のうち1つ以上の第1の層の構成が他の第
1の層の構成と異なるものであっても良く、これは第2
の層及び第3の層についても同様である。また1本発明
のEL素子を構成する各層間には、各層の接着性を高め
るために、接着層を設けることもできる。更に本発明の
EL素子には、空気中の湿気や酸素による影響から素子
を保護するための保護構造を設けることが望ましい。
層は、それぞれが同一の構成を有するものでも良く、複
数の第1の層のうち1つ以上の第1の層の構成が他の第
1の層の構成と異なるものであっても良く、これは第2
の層及び第3の層についても同様である。また1本発明
のEL素子を構成する各層間には、各層の接着性を高め
るために、接着層を設けることもできる。更に本発明の
EL素子には、空気中の湿気や酸素による影響から素子
を保護するための保護構造を設けることが望ましい。
以上のような本発明のEL素子は、電気化学的性質の異
なる2つの層の界面で主に発光を行ない、しかもそのよ
うな界面がEL素子の光の取り出し方向に対して複数設
けられた構造を有し、光の取り出し面の単位あたりの発
光量が従来のEL素子に比べて非常に増大したものとな
った。
なる2つの層の界面で主に発光を行ない、しかもそのよ
うな界面がEL素子の光の取り出し方向に対して複数設
けられた構造を有し、光の取り出し面の単位あたりの発
光量が従来のEL素子に比べて非常に増大したものとな
った。
更に、本発明のEL素子に於いては、主に発光を行なう
複数の界面について、該界面を構成する2つの層の構成
を界面ごとに変え、これらを組合わせて、発光色等を所
望に応じて制御することが可能となった。
複数の界面について、該界面を構成する2つの層の構成
を界面ごとに変え、これらを組合わせて、発光色等を所
望に応じて制御することが可能となった。
また、本発明のEL素子の有する発光層は、主に有機化
合物材料と、その材料に適した薄膜形成とが組み合わせ
て形成され、特に発光層を構成する各層のうち第3の層
が単分子膜または単分子累積膜から形成されていること
によって、上記のように発光を行なう界面を複数力した
多層構造となっているにもかかわらず、発光層全体の層
厚が薄く形成されており、低電圧駆動でも効率良い発光
状態が得られ、十分な輝度が得られるものとなった。
合物材料と、その材料に適した薄膜形成とが組み合わせ
て形成され、特に発光層を構成する各層のうち第3の層
が単分子膜または単分子累積膜から形成されていること
によって、上記のように発光を行なう界面を複数力した
多層構造となっているにもかかわらず、発光層全体の層
厚が薄く形成されており、低電圧駆動でも効率良い発光
状態が得られ、十分な輝度が得られるものとなった。
しかも、本発明のEL素子に於いては、発光に直接関与
する化合物に対して電子受容体となり得る化合物及び電
子供与体となり得る化合物がそれぞれ発光層に含まれて
いることによって、より効率良い電子の授受に伴なう励
起錯体の形成に基づく発光が可能となった。
する化合物に対して電子受容体となり得る化合物及び電
子供与体となり得る化合物がそれぞれ発光層に含まれて
いることによって、より効率良い電子の授受に伴なう励
起錯体の形成に基づく発光が可能となった。
これに加えて単分子膜は、はぼ常温、常圧に於いて形成
可能であり、発光層に含まれる第3の層には従来、蒸着
法等に用いることのできなかった熱に弱い有機化合物を
も構成材料として使用することができるようになった。
可能であり、発光層に含まれる第3の層には従来、蒸着
法等に用いることのできなかった熱に弱い有機化合物を
も構成材料として使用することができるようになった。
更に、本発明のEL素子の発光層は各層は、種々の有機
化合物材料によって精度良い薄膜として簡易に形成可能
であり、大面積のEL素子として形成した場合でも、発
光層が精度良く形成されたものとなり、良好な機能を有
し、かつ本発明のEL素子は安価で量産性のあるEL素
子となった。
化合物材料によって精度良い薄膜として簡易に形成可能
であり、大面積のEL素子として形成した場合でも、発
光層が精度良く形成されたものとなり、良好な機能を有
し、かつ本発明のEL素子は安価で量産性のあるEL素
子となった。
以下、実施例に従って本発明のEL素子を更に詳細に説
明する。
明する。
実施例1
50mm角のガラス表面上にスパッタリング法により膜
厚150OAの1.7.0層を形成し、透明電極板とし
た。この電極板をJoyce−Loebe1社製のLa
ngffluir−Trough 4内の、 4X
10’ mol/j! ノcaci2を含有することに
よりpHが6.5に調整された水相中に浸漬した。
厚150OAの1.7.0層を形成し、透明電極板とし
た。この電極板をJoyce−Loebe1社製のLa
ngffluir−Trough 4内の、 4X
10’ mol/j! ノcaci2を含有することに
よりpHが6.5に調整された水相中に浸漬した。
次に、ステアリン酸をクロロホルム溶液に lX10’
mol/j!の濃度で溶解した溶液の0.5mj!を、
前記水相上に展開させた。クロロホルムを水相表面から
蒸発除去した後、水相表面圧を30dyne/cI11
に調整し、膜状のステアリン酸を水相面に析出させた。
mol/j!の濃度で溶解した溶液の0.5mj!を、
前記水相上に展開させた。クロロホルムを水相表面から
蒸発除去した後、水相表面圧を30dyne/cI11
に調整し、膜状のステアリン酸を水相面に析出させた。
更に、表面圧を一定に保ちながら、電極板を水面を横切
る方向に2cm/winの速度で静かに引上げ、第3の
層としてのステアリン酸分子からなる単分子膜を電極板
の前記電極層上に形成し、これを水相外へ引−ヒげ、3
0分以上室温で放置して乾燥させた。更に、この操作を
もう一度繰返して、前記電極板の電極層上にステアリン
酸分子からなる単分子膜が2層に積層された中分子累積
膜を第3の層として形成させた。なお、水相表面に残っ
たステアリン酸は、該水相表面から完全に取り除いた。
る方向に2cm/winの速度で静かに引上げ、第3の
層としてのステアリン酸分子からなる単分子膜を電極板
の前記電極層上に形成し、これを水相外へ引−ヒげ、3
0分以上室温で放置して乾燥させた。更に、この操作を
もう一度繰返して、前記電極板の電極層上にステアリン
酸分子からなる単分子膜が2層に積層された中分子累積
膜を第3の層として形成させた。なお、水相表面に残っ
たステアリン酸は、該水相表面から完全に取り除いた。
次に、この電極板を抵抗加熱蒸着装置の蒸着槽内の所定
の位置にセットし、更に抵抗加熱ポートの1つにアント
ラセン(mp、 216°C)を入れ、他の1つにアン
トラキノン(mp、 288°C)を入れ、該槽内をま
ず10“6Torrの真空度まで減圧した後、アントラ
キノンの蒸着速度が0.111./sec程度になるよ
うにアントラキノンの入った抵抗加熱ポートに流れる電
流を一定とし、かつアントラセンとアントラキノンの混
合物からなる蒸着層全体の蒸着速度が2g/secとな
るようにアントラセンの入ったポートに流れる電流を調
整し、200 Aのアントラセンとアントラキノンの混
合物からなる蒸着層を第1の層として先に形成した第3
の層としての絶縁層−Fに形成した。なお、蒸着時に於
ける槽内の真空度を9 X 10’ Tartに維持し
、基板ホルダーの温度は、20°Cとした。
の位置にセットし、更に抵抗加熱ポートの1つにアント
ラセン(mp、 216°C)を入れ、他の1つにアン
トラキノン(mp、 288°C)を入れ、該槽内をま
ず10“6Torrの真空度まで減圧した後、アントラ
キノンの蒸着速度が0.111./sec程度になるよ
うにアントラキノンの入った抵抗加熱ポートに流れる電
流を一定とし、かつアントラセンとアントラキノンの混
合物からなる蒸着層全体の蒸着速度が2g/secとな
るようにアントラセンの入ったポートに流れる電流を調
整し、200 Aのアントラセンとアントラキノンの混
合物からなる蒸着層を第1の層として先に形成した第3
の層としての絶縁層−Fに形成した。なお、蒸着時に於
ける槽内の真空度を9 X 10’ Tartに維持し
、基板ホルダーの温度は、20°Cとした。
このようにして第1の層を形成した後、電極基板を、そ
のまま蒸着槽内にセットでおき、抵抗加熱蒸着装置の蒸
着槽内の所定の位置にセットし、更に抵抗加熱ポートの
1つをカルバゾール(mp、 245℃)の入ったもの
と交換し、他の1つの1つも2,5−ジフェニルオキサ
ゾールの入ったものと交換したところで、該槽内をまず
1(1−6Torrの真空度まで減圧した後、カルバゾ
ールの蒸着速度がQ、4 A /sec程度に、かつカ
ルバゾールと2,5−ジフェこルオキサゾールの混合物
からなる蒸着層全体の蒸着速度が2 A /setとな
るように2,5−ジフェニルオキサゾールの入ったポー
トに流れる電流を調整し、200 Aのカルバゾールと
2,5−ジフェニルオキサゾールの混合物からなる蒸着
層を第2の層として先に形成した第3の層としての絶縁
層上に形成した。なお、蒸着時に於ける槽内の真空度を
9 X 10’ Torrに維持し、この場合の基板ホ
ルダーの温度も20℃とした。
のまま蒸着槽内にセットでおき、抵抗加熱蒸着装置の蒸
着槽内の所定の位置にセットし、更に抵抗加熱ポートの
1つをカルバゾール(mp、 245℃)の入ったもの
と交換し、他の1つの1つも2,5−ジフェニルオキサ
ゾールの入ったものと交換したところで、該槽内をまず
1(1−6Torrの真空度まで減圧した後、カルバゾ
ールの蒸着速度がQ、4 A /sec程度に、かつカ
ルバゾールと2,5−ジフェこルオキサゾールの混合物
からなる蒸着層全体の蒸着速度が2 A /setとな
るように2,5−ジフェニルオキサゾールの入ったポー
トに流れる電流を調整し、200 Aのカルバゾールと
2,5−ジフェニルオキサゾールの混合物からなる蒸着
層を第2の層として先に形成した第3の層としての絶縁
層上に形成した。なお、蒸着時に於ける槽内の真空度を
9 X 10’ Torrに維持し、この場合の基板ホ
ルダーの温度も20℃とした。
以後、前述した方法と同様にして、ステアリン酸からな
る単分子膜が2層累積した第3の層を第2の層上に積層
し、上記した第1の層から第3の層までの形成操作を4
回繰返して第1の層と第2の層の界面を4つ有する発光
層(層厚;約1800人)を形成した。
る単分子膜が2層累積した第3の層を第2の層上に積層
し、上記した第1の層から第3の層までの形成操作を4
回繰返して第1の層と第2の層の界面を4つ有する発光
層(層厚;約1800人)を形成した。
このようにして発光層の形成された電極板を。
蒸着槽内に再び入れ、該槽内をまず1O−6Tartの
真空度まで減圧した後、更に真空度を10″5Torr
に調整し、 20A/seeの蒸着速度で、1500A
のA1層を最後に形成した第3の層上に蒸着して背面電
極として本発明のEL素子を形成した。このEL素子を
第2図に示すように、シールガラス21でシールした後
、常法に従って精製、脱気及び脱水処理されたシリコン
オイル22をシール中に注入して、ELナセル3を形成
した。
真空度まで減圧した後、更に真空度を10″5Torr
に調整し、 20A/seeの蒸着速度で、1500A
のA1層を最後に形成した第3の層上に蒸着して背面電
極として本発明のEL素子を形成した。このEL素子を
第2図に示すように、シールガラス21でシールした後
、常法に従って精製、脱気及び脱水処理されたシリコン
オイル22をシール中に注入して、ELナセル3を形成
した。
このようなELナセル電極24.25に、20V、40
0 Hzの交流電圧を印加して、発光させ、発光に於け
る輝度及び電流密度を測定したところ、電流密度0.1
4mA/cm 2で38 Ft−Lの輝度が測定された
。
0 Hzの交流電圧を印加して、発光させ、発光に於け
る輝度及び電流密度を測定したところ、電流密度0.1
4mA/cm 2で38 Ft−Lの輝度が測定された
。
第1図は本発明のEL素子の一例の模式的断面図、第2
図は本発明EL素子の組み込まれたELナセル模式的断
面図である。 1.24:透明電極層 2.25:電極層 3:発光層 4−1.4−2.4−3:第3の層 5−1.5−2.5−3:第1の層 El−1,B−2,B−3:第2の層 ?−1.7−2:界面 2Q:EL素子 21ニガラスシール 22:シリコンオイル ′ 23:ELナセ ル許出願人 キャノン株式会社 第1図 第 2 図
図は本発明EL素子の組み込まれたELナセル模式的断
面図である。 1.24:透明電極層 2.25:電極層 3:発光層 4−1.4−2.4−3:第3の層 5−1.5−2.5−3:第1の層 El−1,B−2,B−3:第2の層 ?−1.7−2:界面 2Q:EL素子 21ニガラスシール 22:シリコンオイル ′ 23:ELナセ ル許出願人 キャノン株式会社 第1図 第 2 図
Claims (1)
- 1)少なくとも一方が透明である2つの電極層と、こ
れら電極層間に設けられた発光層とを有する電界発光素
子に於いて、前記発光層が、相対的に電子受容性を示す
有機化合物を含む第1の層と、相対的に電子供与性を示
す有機化合物を含む第2の層と、電気絶縁性を有する第
3の層とを有し、更に前記第1の層に前記相対的に電子
受容性を示す有機化合物に対して電子供与体となり得る
他の化合物が含有され、かつ前記第2の層に前記相対的
に電子供与性を示す有機化合物に対して電子受容体とな
り得る他の化合物が含有されてなり、これらの層が、前
記電極層の一方から他方に向かって前記第3の層上に、
前記第1の層、第2の層及び第3の層がこの順に2回以
上繰り返されて積層されてなり、更に前記第3の層が、
該層を形成できる化合物の単分子膜または単分子累積膜
からなるものであることを特徴とする電界発光素子。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15881584A JPS6137872A (ja) | 1984-07-31 | 1984-07-31 | 電界発光素子 |
US07/020,172 US4734338A (en) | 1984-07-31 | 1987-02-27 | Electroluminescent device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15881584A JPS6137872A (ja) | 1984-07-31 | 1984-07-31 | 電界発光素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6137872A true JPS6137872A (ja) | 1986-02-22 |
Family
ID=15679964
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15881584A Pending JPS6137872A (ja) | 1984-07-31 | 1984-07-31 | 電界発光素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6137872A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02149967A (ja) * | 1988-11-30 | 1990-06-08 | Akai Electric Co Ltd | 同期運転装置 |
JPH04217887A (ja) * | 1990-08-28 | 1992-08-07 | Sanyo Electric Co Ltd | テープ駆動装置 |
-
1984
- 1984-07-31 JP JP15881584A patent/JPS6137872A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02149967A (ja) * | 1988-11-30 | 1990-06-08 | Akai Electric Co Ltd | 同期運転装置 |
JPH04217887A (ja) * | 1990-08-28 | 1992-08-07 | Sanyo Electric Co Ltd | テープ駆動装置 |
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