JPS6134204B2 - - Google Patents
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- JPS6134204B2 JPS6134204B2 JP53131946A JP13194678A JPS6134204B2 JP S6134204 B2 JPS6134204 B2 JP S6134204B2 JP 53131946 A JP53131946 A JP 53131946A JP 13194678 A JP13194678 A JP 13194678A JP S6134204 B2 JPS6134204 B2 JP S6134204B2
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/13—Energy storage using capacitors
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Insulating Bodies (AREA)
Description
本発明は、窒化珪素よりなる絶縁基板に関する
ものである。 窒化珪素は耐熱性、耐熱衝撃性及び耐食性等に
おいて優れた特性を有する物質として知られてい
る。窒化珪素の多くの用途の中で、窒化珪素のホ
ツトプレス製品は常温において高強度を有すると
共に高温においても高強度すなわち高破断係数を
有する点で特に重要視されており、ガスタービ
ン、ロータリーエンジン等用の高温構造材とし
て、例えばタービンブレード、ベアリングあるい
はその他の耐摩耗材料としての用途が開発されよ
うとしている。 しかし窒化珪素（以下Si3N4とも記す）は共有
結合性の強い物質であるので、イオン結合性の強
いAl2O3やMgOなどの酸化物にみられるように、
その物質単独で焼結密度の高い焼結体を得ること
は困難である。このためSi粉末成形体をN2中で加
熱し、Siを窒化しながら焼結する反応焼結により
焼結体を製造する方法と、MgO、Al2O3、Y2O3
などを焼結助剤として添加しホツトプレスして焼
結体を製造する方法等が知られている。 しかして前者の方法によれば複雑な形状のもの
及びSi3N4の純度の高いものを作るのには適する
が、気孔率を低下させることが困難であり、一方
後者の方法によれば焼結助剤が含有されているた
め高温における強度や耐クリープ性が劣化し、ま
た歪を発生したりすることが多い。 また上記Si3N4の焼結体を作る方法のほかに化
学蒸着法によりSi3N4をサブストレート（例えば
黒鉛製の板やパイプなど）上に析出させた後、黒
鉛を燃焼させてSi3N4の板またはパイプを作る方
法が知られているが、蒸着の速度が極めて遅くあ
まり肉厚の厚いものを作ることは困難であつた。 本発明者等中の平井敏雄、新原晧一の２人は、
先に特開昭52−96999号公報により公開された超
硬高純度窒化珪素とその製造方法ならびにその製
造装置に関する発明を提案した。同公報記載の発
明のSi3N4はそれ以前に知られていたSi3N4焼結体
あるいは化学蒸着法により析出したSi3N4とは異
なる構造と物性を有する全く新規なSi3N4であ
り、このSi3N4は本発明者等中の前記２人が発明
した新規な化学蒸着法と装置を用いることによつ
て製造することができる。 ところで、Si3N4は本来絶縁抵抗値が高く、誘
電率の高いことが知られているが、前記本発明者
等の中の２人が発明して特開昭52−96999号公報
により開示したSi3N4を除く従来知られたSi3N4は
純度が低く、密度が小さく、マイクロクラツクが
多く、硬度および強度も低く、また電気特性にお
いても末だ十分でなく、従来のSi3N4より絶縁基
板を製作しても、上記欠点により十分に満足すべ
き絶縁基板を得ることはできなかつた。 例えばUS特許3038243号にはチヤンバー中で、
モリブデン基板に気相熱分解によりSi3N4を沈積
したキヤパシターの製造方法が、US特許3095527
号には窒化珪素誘電体を有する電気キヤパシター
が、またUS特許3122450号には窒化珪素誘電体の
薄膜沈積方法が開示されており、前記３つの特許
は何れも同一発明者によるものでそれぞれ同一装
置を用いて窒化珪素誘電体の薄膜が製造されるこ
とが記載されている。しかしながら上記３つの特
許発明による窒化珪素誘電体薄膜は、非晶質窒化
珪素よりなり、かつ本発明の窒化珪素絶縁基板に
比し、硬度が低く、また誘電率及び誘電体損失の
面ではるかに劣るという欠点がある。 本発明は、上記従来のSi3N4よりなる絶縁基板
の有する前記諸欠点を除去・改善したS3N4より
なる絶縁基板を提供することを目的とするもので
あり、下記(A)、(B)の窒化珪素 Ａ 六方晶系よりなり、その結晶面（hko）、
（hol）、或いは（hkl）のうちから選ばれる何れ
か１つの面、或いは２つ以上の面がそれぞれ平
行に配向せられた構造を持ち、マイクロビツカ
ース硬度が荷重100ｇの時の値で3000Kg/mm2以上
であることを特徴とする配向結晶質超硬高純度
窒化珪素。 Ｂ 非晶質よりなりマイクロビツカース硬度が荷
重100ｇの時の値で200Kg/mm2以上であることを
特徴とする非晶質超硬高純度窒化珪素。 が、下記(イ)、(ロ)、(ハ)、(ニ)、(ホ)の群から選ばれ
た何
れか少なくとも１種の少なくとも１層からなる絶
縁基板。 (イ) Ａ、ＢのSi3N4の均一混合相の単一層からな
る絶縁基板。 (ロ) Ａ、ＢのSi3N4のそれぞれの相が接合した２
重層からなる絶縁基板。 (ハ) Ａ、ＢのSi3N4の何れか１種が中心層とな
り、他種が前記中心層を挟む層の３重層からな
る絶縁基板。 (ニ) Ａ、ＢのSi3N4のそれぞれの相とＡ、Ｂの均
一混合相とのなかから選ばれる何れか１相が中
心層となり、他の２種の相が前記中心層を挟む
層の３重層からなる絶縁基板。 (ホ) Ａ、ＢのSi3N4のそれぞれの相とＡ、Ｂの
Si3N4の均一混合相との３種の相が交互に接合
されてなる多重層絶縁基板によつて前記目的を
達成することができる。 さて従来知られた電子材料用セラミツク絶縁基
板の代表的なもの及びその誘電体損失を挙げると
下記第１表の如くである。
ものである。 窒化珪素は耐熱性、耐熱衝撃性及び耐食性等に
おいて優れた特性を有する物質として知られてい
る。窒化珪素の多くの用途の中で、窒化珪素のホ
ツトプレス製品は常温において高強度を有すると
共に高温においても高強度すなわち高破断係数を
有する点で特に重要視されており、ガスタービ
ン、ロータリーエンジン等用の高温構造材とし
て、例えばタービンブレード、ベアリングあるい
はその他の耐摩耗材料としての用途が開発されよ
うとしている。 しかし窒化珪素（以下Si3N4とも記す）は共有
結合性の強い物質であるので、イオン結合性の強
いAl2O3やMgOなどの酸化物にみられるように、
その物質単独で焼結密度の高い焼結体を得ること
は困難である。このためSi粉末成形体をN2中で加
熱し、Siを窒化しながら焼結する反応焼結により
焼結体を製造する方法と、MgO、Al2O3、Y2O3
などを焼結助剤として添加しホツトプレスして焼
結体を製造する方法等が知られている。 しかして前者の方法によれば複雑な形状のもの
及びSi3N4の純度の高いものを作るのには適する
が、気孔率を低下させることが困難であり、一方
後者の方法によれば焼結助剤が含有されているた
め高温における強度や耐クリープ性が劣化し、ま
た歪を発生したりすることが多い。 また上記Si3N4の焼結体を作る方法のほかに化
学蒸着法によりSi3N4をサブストレート（例えば
黒鉛製の板やパイプなど）上に析出させた後、黒
鉛を燃焼させてSi3N4の板またはパイプを作る方
法が知られているが、蒸着の速度が極めて遅くあ
まり肉厚の厚いものを作ることは困難であつた。 本発明者等中の平井敏雄、新原晧一の２人は、
先に特開昭52−96999号公報により公開された超
硬高純度窒化珪素とその製造方法ならびにその製
造装置に関する発明を提案した。同公報記載の発
明のSi3N4はそれ以前に知られていたSi3N4焼結体
あるいは化学蒸着法により析出したSi3N4とは異
なる構造と物性を有する全く新規なSi3N4であ
り、このSi3N4は本発明者等中の前記２人が発明
した新規な化学蒸着法と装置を用いることによつ
て製造することができる。 ところで、Si3N4は本来絶縁抵抗値が高く、誘
電率の高いことが知られているが、前記本発明者
等の中の２人が発明して特開昭52−96999号公報
により開示したSi3N4を除く従来知られたSi3N4は
純度が低く、密度が小さく、マイクロクラツクが
多く、硬度および強度も低く、また電気特性にお
いても末だ十分でなく、従来のSi3N4より絶縁基
板を製作しても、上記欠点により十分に満足すべ
き絶縁基板を得ることはできなかつた。 例えばUS特許3038243号にはチヤンバー中で、
モリブデン基板に気相熱分解によりSi3N4を沈積
したキヤパシターの製造方法が、US特許3095527
号には窒化珪素誘電体を有する電気キヤパシター
が、またUS特許3122450号には窒化珪素誘電体の
薄膜沈積方法が開示されており、前記３つの特許
は何れも同一発明者によるものでそれぞれ同一装
置を用いて窒化珪素誘電体の薄膜が製造されるこ
とが記載されている。しかしながら上記３つの特
許発明による窒化珪素誘電体薄膜は、非晶質窒化
珪素よりなり、かつ本発明の窒化珪素絶縁基板に
比し、硬度が低く、また誘電率及び誘電体損失の
面ではるかに劣るという欠点がある。 本発明は、上記従来のSi3N4よりなる絶縁基板
の有する前記諸欠点を除去・改善したS3N4より
なる絶縁基板を提供することを目的とするもので
あり、下記(A)、(B)の窒化珪素 Ａ 六方晶系よりなり、その結晶面（hko）、
（hol）、或いは（hkl）のうちから選ばれる何れ
か１つの面、或いは２つ以上の面がそれぞれ平
行に配向せられた構造を持ち、マイクロビツカ
ース硬度が荷重100ｇの時の値で3000Kg/mm2以上
であることを特徴とする配向結晶質超硬高純度
窒化珪素。 Ｂ 非晶質よりなりマイクロビツカース硬度が荷
重100ｇの時の値で200Kg/mm2以上であることを
特徴とする非晶質超硬高純度窒化珪素。 が、下記(イ)、(ロ)、(ハ)、(ニ)、(ホ)の群から選ばれ
た何
れか少なくとも１種の少なくとも１層からなる絶
縁基板。 (イ) Ａ、ＢのSi3N4の均一混合相の単一層からな
る絶縁基板。 (ロ) Ａ、ＢのSi3N4のそれぞれの相が接合した２
重層からなる絶縁基板。 (ハ) Ａ、ＢのSi3N4の何れか１種が中心層とな
り、他種が前記中心層を挟む層の３重層からな
る絶縁基板。 (ニ) Ａ、ＢのSi3N4のそれぞれの相とＡ、Ｂの均
一混合相とのなかから選ばれる何れか１相が中
心層となり、他の２種の相が前記中心層を挟む
層の３重層からなる絶縁基板。 (ホ) Ａ、ＢのSi3N4のそれぞれの相とＡ、Ｂの
Si3N4の均一混合相との３種の相が交互に接合
されてなる多重層絶縁基板によつて前記目的を
達成することができる。 さて従来知られた電子材料用セラミツク絶縁基
板の代表的なもの及びその誘電体損失を挙げると
下記第１表の如くである。
【表】
これに対し本発明のSi3N4絶縁基板は何れも誘
電損失が周波数106Hz以上ではtanδ≦10-4と極め
て小さく、又30Hzの低周波においてもtanδ
10-3であり、第１表に示す電子材料用セラミツク
スに比し著しく小さく、また温度安定性も極めて
優れており、600℃までは電気特性の変化が認め
られないことを知見した。 一方先に述べた従来の反応焼結Si3N4基板及び
ホツトプレス焼結Si3N4基板は第２表に示す如く
であるが、同表に示す本発明の基板に比してそれ
ぞれの特性において劣つていることが判る。
電損失が周波数106Hz以上ではtanδ≦10-4と極め
て小さく、又30Hzの低周波においてもtanδ
10-3であり、第１表に示す電子材料用セラミツク
スに比し著しく小さく、また温度安定性も極めて
優れており、600℃までは電気特性の変化が認め
られないことを知見した。 一方先に述べた従来の反応焼結Si3N4基板及び
ホツトプレス焼結Si3N4基板は第２表に示す如く
であるが、同表に示す本発明の基板に比してそれ
ぞれの特性において劣つていることが判る。
【表】
次に本発明のSi3N4絶縁基板の製造方法につい
て説明する。 本発明の基板は気相分解析出法（以下CVD法
と称す）によつて製造するものである。CVD法
による窒化珪素の製造法は公知であり、例えば
SiF4とNH3の原料を減圧下で1200〜1550℃の温度
範囲内で気相分解して、Al2O3、黒鉛などの上に
Si3N4を沈積させる方法がある。またSiのハロゲ
ン化合物とNH3を反応させた後、真空中で100〜
125℃の温度範囲内で蒸発させ、これをNH3ガス
により搬送し850〜1380℃の温度範囲内で加熱し
た黒鉛などの基板上にSi3N4を析出させる方法も
ある。この他色々の方法が知られているが、それ
らの方法によれば何れもSi3N4の沈着速度が非常
に遅く、沈着速度が最も速い場合でも60μm/hr
止まりであり、実用的でなかつた。 よつて本発明者等中の平井、新原は特願昭51−
2468号（特開昭52−96999号）により前述の如く
新規な超硬高純度窒化珪素とその製造方法ならび
に製造装置を発明したのであり、本発明の基板
は、前記公報記載の超硬高純度窒化珪素よりなる
絶縁基板であり、その製造方法も同公報記載の方
法による。 すなわち本発明の基板を製造するには、1000〜
約1900℃の温度範囲内に加熱した基体上に窒素沈
積源ガスと珪素沈積源ガスとを組合せ管を用いて
それぞれ吹付け、前記基体上に吹付けられる窒化
沈積源ガス流束の周囲を珪素沈積源ガスにより包
囲し、前記両ガスの気相分解反応を基体上で生起
させて窒化珪素を生成させ、かつ前記生成窒化珪
素を基体上に沈積させるのであるが、これだけで
は上述の(A)の配向結晶質超硬高純度窒化珪素の一
層からなる絶縁基板はできても、上述の(B)の非晶
質超硬高純度窒化珪素とが、上述の(イ)(ロ)(ハ)(ニ)(
ホ)の
群から選ばれた何れか少なくとも一種の少なくと
も一層からなる結晶質と非晶質との複合絶縁基板
ができない。 このような結晶質と非結晶質との複合絶縁基板
の製造法は後述の第３図に示すような結晶質と非
晶質とが生成する条件すなわち、反応容器ガス圧
と製造温度（反応温度）との適切な選択により反
応物が結晶質となつたり、非晶となつたりするの
である。 第３図より明らかなように好ましい反応容器ガ
ス圧力は10〜130トールであり、更に好ましい範
囲は20〜90トールである。 また反応温度はガス圧60トールとして1250℃の
臨界温度曲線の上方で黒丸印で示すのが結晶質で
あり、この臨界温度曲線の下方に示す白丸印が非
晶質である。 従つて、気相反応でデポジツトさせる基板温度
（即ち反応温度）を反応容器内ガス圧力と対応さ
せて1000℃ないし1900℃、好ましくは1250℃ない
し1500℃の間で制御すると、気相反応で基板上に
デポジツトした反応生成物を配向結晶質超硬高純
度窒化珪素(A)と非晶質超硬高純度窒化珪素(B)とが
交互に又は同時に複合して生成できるのである。
さらに前記方法を実施するに好適に使用すること
のできる装置としては第１図に示す如き容器と前
記容器内に封入される基体を把持し、かつ加熱す
る手段と、前記基体上に窒素沈積源ガス並びに珪
素沈積源ガスとをそれぞれ吹付ける吹付管とから
なる窒化珪素の製造装置において、前記吹付け管
を組合せ管となし、かつ窒素沈積源ガス吹付け管
を珪素沈積源ガス吹付け管をもつて包囲し、前記
窒素沈積源ガス吹付け管の開口端と基体との距離
を前記珪素沈積源ガス吹付け管の開口端と基体と
の距離より短くしたことを特徴とする超硬高純度
窒化珪素の製造装置がある。 第１図に示す本発明の製造装置において容器１
内に基体２を挿入し、水冷した導電把持棒３をも
つて基体の両側を固定する。吹付け管４を基体の
表面に開口端が指向するように配設する。第１図
において容器１は水冷可能な冷却水導入、排出孔
９を有する２重壁で製作されており、容器１に１
個または２個以上のガス排出孔８を設ける。なお
この容器に真空度を測定するために真空計配置孔
（図示せず）と基体の挿入・排出用扉６を設け、
この扉の一部を透明な石英ガラスとなし、容器内
の様子を観察できるようにする。 容器１内に扉６より基体２を挿入し、把持棒３
でその両側を把持し、容器１を例えば10-3mmHg
の真空にして、容器内の空気を排出した後、把持
棒３に通電して基体を500〜約1900℃の温度範囲
内に加熱して基体中に吸蔵されている気体を排出
させる。 次に基体を1000〜約1900℃の温度範囲内に加熱
保温し、吹付け管４の内管から窒素沈積源ガスを
外管から珪素沈積源ガスまたは必要によりキヤリ
アーガスをも添加して、基体上に吹き出させる。
この際両沈積源ガスは基体上あるいはその近傍で
互に接触、混合され、気相分解し、基体上に本発
明の窒化珪素が沈積する。なお沈積層の厚さを厚
くするためには前記吹付けを長時間行えばよく、
また広範囲の沈積層を得るには既述のように基体
あるいは吹付け管を移動させればよい。 次に前記方法において、第２図に示す内管１０
１の径ａ、外管１０２の径ｂ、内管１０１と基体
２との距離ｙ、内管１０１の開口端と外管１０２
の開口端との水準差をｘとしたとき、これらと生
成される本発明の窒化珪素基板の性状との関係に
ついて次に述べる。 容器の大きさが直径300mm、長さ500mmであり、
また前記容器内に把持された基体が２×12×40mm
の板状のものである場合はａとしては0.1〜４cm
φ、ｂとしては0.3〜10cmφ、ｘとしては0.3〜14
cm、ｙとしては１〜14cmのそれぞれの範囲が好適
である。なおSiCl4を珪素沈積源ガスとし、NH3
を窒素沈積源ガスとする場合SiCl4の流量が液体
状態で0.8c.c./min、NH3の流量が60c.c./min、H2の
流量が700c.c./min、容器内の圧力が１〜300torr.
、基体温度が1100〜1500℃の場合はａ＝１cm、ｂ
＝２cm、ｘ＝１cm、ｙ＝２cmとすると、均質で硬
度の大なる本発明の窒化珪素基板を効率よく得る
ことができる。 前記方法・手順を用いて、SiCl4の流量（液体
状態で）が0.8c.c./min、NH3の流量が60c.c./min、
H2の流量が700c.c./min、ａが１cm、ｂが２cm、ｘ
が１cm、ｙが２cmという条件下で窒化珪素を沈積
せしめると、製造温度と容器内ガス圧力によつ
て、第３図にその１例を示すような温度と容器内
ガス圧力とで規定される領域の条件において配向
結晶質窒化珪素あるいは非晶質窒化珪素を沈積さ
せて得ることができる。第３図の領域POは配向
結晶質窒化珪素が製造される領域、領域FGは配
向結晶質と非晶質と均一混合した窒化珪素が製造
される領域、領域AMは非晶質窒化珪素が製造さ
れる領域である。また領域AM″の条件下では非
晶質窒化珪素が沈積するが、その硬度が100ｇ荷
重でMVH200Kg/mm2以下であるような比較的硬度
の低い非晶質窒化珪素が沈積する。 上述の第３図の知見に基づいて、本発明の上記
(イ)(ロ)(ハ)(ニ)(ホ)のようなＡ、ＢのSi3N4の均一混
合相
の単一層又は結晶質窒化珪素と非晶質窒化珪素と
が交互に積層した２重層、３重層又は多重層絶縁
基板を製造する方法は上述したように、製造温度
（反応基板温度）と反応容器ガス圧とを変更する
ことと、反応温度とガス圧との反応条件を短時間
にするか、比較的長い時間間隔で変化させること
により達成される。 第１図の製造装置の２に示す黒鉛基板を例えば
1400℃で一定とし、原料ガスの圧力を10トールに
して、一定として、窒素沈積源ガスと珪素沈積源
ガスとをそれぞれ吹付けると結晶質が析出し、そ
のままの温度でガス圧力を40トールにすると、結
晶質膜の上に非晶質膜が生成する。更にガス圧力
を10トールにすとその上に結晶質膜が生成する。
この二次的に結晶質膜上に沈着した非晶質膜はそ
の反応温度では先に析出した非晶質膜は結晶化し
ないので結晶質−非晶質−結晶質の積層した多層
膜が得られる。 同様に反応ガス圧力を60トールに固定して、基
板温度を1200℃と1300℃とに交互に設定すると、
同様な多層膜が得られる。 上記多層膜は反応温度と反応ガス圧力とをそれ
ぞれ一定条件に固定して、例えば数分あるいは数
10分間その条件を保持することによつて得られ
る。 また上記の(イ)の絶縁基板すなわちＡ、Ｂの
Si3N4の均一混合相の単一相を得るためには、こ
の気相合成条件を短時間に変化させることにより
達成される。これは析出時間が短いために、平面
的な膜を基板上に形成するに至らないで、凹凸の
ある島状に生成物が出来る現象を利用したもので
ある。更に具体的に述べると、例えば島状に(A)の
結晶質の沈積が出来た状態でガス圧力又は基板の
反応温度を短時間で変えると、(B)の非晶質の沈積
がＡの結晶質の島状の又は凹凸状の沈積の間を埋
めるように沈積し、結晶質Ａの沈積物と非晶質Ｂ
の沈積物とが均一に混合した混合相の単一層が得
られるのである。 上述した第２表に本発明Si3N4基板と従来の反
応焼結Si3N4基板と、ホツトプレス焼結Si3N4基板
にその性能が比較てあるが、例えば特公昭49−
40123号公報記載の反応焼結Si3N4の造り方即ち窒
化珪素粉末珪酸、アルミナ、マグネシア等の焼結
助剤を加えて粉末焼結によりSi3N4基板を造る方
法又は特開昭50−161508号公報のホツトプレス焼
結Si3N4の造り方即ち、窒化珪素粉末に焼結助剤
を入れてホツトプレス法等によるものは、原料粉
末より膜体、又は薄帯にするには焼結しなければ
ならないが、Si3N4は焼結が困難であるので、上
述のように焼結助剤を入れて焼結する必要があ
り、このため焼結助剤を入れず、気相沈積法で作
成する本発明のSi3N4基板よりその強度におい
て、劣ること当然である。これはSiとＮ以外の不
純物が焼結助剤より混入するためである。本発明
では気相沈積法によるので得られる膜体が超硬高
純度の結晶質又は非晶質となるのである。 また、粉末焼結法で、圧力を加えて焼結するホ
ツトプレス法であつても、常圧焼結法であつて
も、一般に1800℃以上の高温で焼結する必要があ
る。このように焼結温度が高いと、例えば非晶質
粉末を原料とした場合でも、高温焼結により結晶
化してしまい非晶質状態の膜やバルク体は造るこ
とはできない。まして、結晶質と非晶質とが交互
に積層した多層膜は到底できない。従つて本発明
のような非晶質と結晶質の積層体は常圧粉末焼結
法やホツトプレス法では到底製造し得ないのに対
し、本発明の方法によると基板の反応温度と反応
ガス圧力の制御或いは、条件設定を膜体の生成す
る充分な時間間隔をおいて変更するか、充分な膜
の出来ない短時間のうちに変化させるかの制御だ
けで非晶質と結晶質との交互積層体又は両者の均
一混合層の単一層が出来るのであり、第２表に示
たように不純物が皆無で、気孔率無く、誘電体損
失が約10-4と極めて小さく、誘電率の温度変化が
常温ないし800℃位まで極めて小さい極めて優れ
た超硬高純度の窒化珪素より成る絶縁基板が得ら
れるのであ。 次に本発明を実験データについて説明する。 実験 (1) 第１図に示す装置を用い、1300℃の温度に加熱
した黒鉛基体上に窒素沈積源ガスであるNH3とH2
ガスで搬送する珪素沈積源ガスであるSiCl4とを
組合せ管を用いてそれぞれ吹付け、前記基体上に
吹付けられるNH3ガス流束の周囲を（SiCl4＋
H2）ガスにより包囲し、前記NH3とSiCl4の気相分
解反応を基体上あるいは基体近傍で生起させ
Si3N4を基体上に沈積させた。この場合炉内圧力
は30torr.であり、NH3ガス（内管より）供給量は
60c.c./minであり、搬送用水素ガス700c.c./minに20
〜25℃のSiCl4飽和蒸気を含ませた混合ガスを外
管より流出させて、密度2.77ｇ/cm3の非晶質Si3N4
を基体上に沈積させた。前記Si3N4沈積基体を炉
外に取出し、600℃で空気中加熱して黒鉛を燃焼
消失させて、厚さ0.3mm、1.0mmおよび電極面積
（直径）４mm、10mmの試料となし、誘電率、誘電
体損失を測定した。その結果を第４図Ａ，Ｂに示
す。なお誘電率よび誘電体損失は厚さおよび電極
面積に依存しなかつた。同図から判るように本発
明の非晶質窒化珪素基板の誘電体損失は従来の電
子材料セラミツクスに比し著しく優れた特性を有
する。 実験 (2) 第１図に示す装置を用い、1400℃の温度に加熱
した黒鉛基体上に炉内圧力40torr下でNH3ガスと
H2ガスを前記(1)と同一流量で流出させて、密度
3.18ｇ/cm3の配向結晶質窒化珪素を基体上に沈積
させた。さらに(1)と同様の処理を施して、厚さ
0.3mm、1.0mmおよび電極面積（直径）４mm、10mm
の試料となし、誘電率、誘電体損失を測定した。
この結果を第５図Ａ，Ｂに示す。同図から判るよ
うに本発明の絶縁基板の誘電率および誘電体損失
は従来の電子材料セラミツクスに比し、１桁程度
小さく、著しく優れた特性を有する。なお誘電率
および誘電体損失は基板の厚さおよび電極面積に
依存しなかつた。 実験 (3) 実験(1)と同様の装置を用いて、基体温度1400
℃、炉内圧力40torr.で20分間沈積させ、その後
基板温度を1200℃に下げ、炉内圧を40torrのまま
で30分間沈積させ、結晶質0.3mm、非晶質層0.3mm
の２層構造の基板を作成した。この結果室温で誘
電率8.5tanδ10-4以下（測定周波数1KHz）の基
板を得ることができた。 実施 (4) 実験(1)と同様な装置を用いて基体温度1200℃炉
内圧力40torr.で30分間沈積し、その後基体温度
を1400℃に上げ炉内圧力40torrのままで30分間沈
積させ、続いて基体温度を1200℃に下げ炉内圧力
40torrのままで30分間沈積し、非晶質−結晶質−
非晶質のそれぞれ0.4mm、0.1mm、0.3mmの３重構造
からなる基板を作成した。この基板は室温で誘電
率7.75tanδ10-4以下（測定周波数1KHz）であつ
た。 次に本発明を実施例について説明する。 実施例 １ 前記実験(2)と同様の方法で作成したSi3N4基板
を構成材料としてコンデンサを作つた。第６図ａ
は前記コンデンサの平面図、同図ｂはその垂直縦
断面図である。同図中１は金電極（10mm×10
mm）、２は本発明の厚さ0.3のSi3N4絶縁基板（15
mm×15mm）である。このコンデンサは常温から
500℃まで30pFで500℃まで容量変化は認められ
なかつた。 実施例 ２ 実験(1)と同様な方法でカーボン基体上にSi3N4
を10分間沈積させてSi3N4基板を得、冷却後モリ
ブデンペーストを第７図ａに平面図で示すように
印刷し、再び基板を1400℃に加熱して10分間
Si3N4を沈積させ、冷却後モリブデンペーストを
第７図ｂに平面図で示すように印刷した。さらに
この基板を1400℃に加熱して10分間Si3N4を沈積
させて冷却後モリブデンペーストを第７図ａと同
様に印刷し、さらにこれを1400℃に加熱して10分
間Si3N4を沈積させた。最後にカーボン基体から
外ずして、両面と両側に金ペーストを印刷し、
700℃で焼成した。このようにして製作した多層
構造コンデンサの垂直縦断面図を第７図ｃに示
す。 このコンデンサは4000pFで前のコンデンサと
同様に500℃まで容量の変化は認められなかつ
た。 以上本発明の基板は共有結合性化合物である
Si3N4よりなり、かつそのSi3N4は高純度で緻密で
あり、従来のイオン結合性化合物の焼結体、例え
ばアルミナ、フオルステライト、ステアタイト等
と異なり、極めて優れた絶縁体であり、交流回路
用絶縁基板としてハイブリツトIC、あるいはIC
パツケージ等に広く使用することができ、更にレ
ードーム用絶縁体として優れている。
て説明する。 本発明の基板は気相分解析出法（以下CVD法
と称す）によつて製造するものである。CVD法
による窒化珪素の製造法は公知であり、例えば
SiF4とNH3の原料を減圧下で1200〜1550℃の温度
範囲内で気相分解して、Al2O3、黒鉛などの上に
Si3N4を沈積させる方法がある。またSiのハロゲ
ン化合物とNH3を反応させた後、真空中で100〜
125℃の温度範囲内で蒸発させ、これをNH3ガス
により搬送し850〜1380℃の温度範囲内で加熱し
た黒鉛などの基板上にSi3N4を析出させる方法も
ある。この他色々の方法が知られているが、それ
らの方法によれば何れもSi3N4の沈着速度が非常
に遅く、沈着速度が最も速い場合でも60μm/hr
止まりであり、実用的でなかつた。 よつて本発明者等中の平井、新原は特願昭51−
2468号（特開昭52−96999号）により前述の如く
新規な超硬高純度窒化珪素とその製造方法ならび
に製造装置を発明したのであり、本発明の基板
は、前記公報記載の超硬高純度窒化珪素よりなる
絶縁基板であり、その製造方法も同公報記載の方
法による。 すなわち本発明の基板を製造するには、1000〜
約1900℃の温度範囲内に加熱した基体上に窒素沈
積源ガスと珪素沈積源ガスとを組合せ管を用いて
それぞれ吹付け、前記基体上に吹付けられる窒化
沈積源ガス流束の周囲を珪素沈積源ガスにより包
囲し、前記両ガスの気相分解反応を基体上で生起
させて窒化珪素を生成させ、かつ前記生成窒化珪
素を基体上に沈積させるのであるが、これだけで
は上述の(A)の配向結晶質超硬高純度窒化珪素の一
層からなる絶縁基板はできても、上述の(B)の非晶
質超硬高純度窒化珪素とが、上述の(イ)(ロ)(ハ)(ニ)(
ホ)の
群から選ばれた何れか少なくとも一種の少なくと
も一層からなる結晶質と非晶質との複合絶縁基板
ができない。 このような結晶質と非結晶質との複合絶縁基板
の製造法は後述の第３図に示すような結晶質と非
晶質とが生成する条件すなわち、反応容器ガス圧
と製造温度（反応温度）との適切な選択により反
応物が結晶質となつたり、非晶となつたりするの
である。 第３図より明らかなように好ましい反応容器ガ
ス圧力は10〜130トールであり、更に好ましい範
囲は20〜90トールである。 また反応温度はガス圧60トールとして1250℃の
臨界温度曲線の上方で黒丸印で示すのが結晶質で
あり、この臨界温度曲線の下方に示す白丸印が非
晶質である。 従つて、気相反応でデポジツトさせる基板温度
（即ち反応温度）を反応容器内ガス圧力と対応さ
せて1000℃ないし1900℃、好ましくは1250℃ない
し1500℃の間で制御すると、気相反応で基板上に
デポジツトした反応生成物を配向結晶質超硬高純
度窒化珪素(A)と非晶質超硬高純度窒化珪素(B)とが
交互に又は同時に複合して生成できるのである。
さらに前記方法を実施するに好適に使用すること
のできる装置としては第１図に示す如き容器と前
記容器内に封入される基体を把持し、かつ加熱す
る手段と、前記基体上に窒素沈積源ガス並びに珪
素沈積源ガスとをそれぞれ吹付ける吹付管とから
なる窒化珪素の製造装置において、前記吹付け管
を組合せ管となし、かつ窒素沈積源ガス吹付け管
を珪素沈積源ガス吹付け管をもつて包囲し、前記
窒素沈積源ガス吹付け管の開口端と基体との距離
を前記珪素沈積源ガス吹付け管の開口端と基体と
の距離より短くしたことを特徴とする超硬高純度
窒化珪素の製造装置がある。 第１図に示す本発明の製造装置において容器１
内に基体２を挿入し、水冷した導電把持棒３をも
つて基体の両側を固定する。吹付け管４を基体の
表面に開口端が指向するように配設する。第１図
において容器１は水冷可能な冷却水導入、排出孔
９を有する２重壁で製作されており、容器１に１
個または２個以上のガス排出孔８を設ける。なお
この容器に真空度を測定するために真空計配置孔
（図示せず）と基体の挿入・排出用扉６を設け、
この扉の一部を透明な石英ガラスとなし、容器内
の様子を観察できるようにする。 容器１内に扉６より基体２を挿入し、把持棒３
でその両側を把持し、容器１を例えば10-3mmHg
の真空にして、容器内の空気を排出した後、把持
棒３に通電して基体を500〜約1900℃の温度範囲
内に加熱して基体中に吸蔵されている気体を排出
させる。 次に基体を1000〜約1900℃の温度範囲内に加熱
保温し、吹付け管４の内管から窒素沈積源ガスを
外管から珪素沈積源ガスまたは必要によりキヤリ
アーガスをも添加して、基体上に吹き出させる。
この際両沈積源ガスは基体上あるいはその近傍で
互に接触、混合され、気相分解し、基体上に本発
明の窒化珪素が沈積する。なお沈積層の厚さを厚
くするためには前記吹付けを長時間行えばよく、
また広範囲の沈積層を得るには既述のように基体
あるいは吹付け管を移動させればよい。 次に前記方法において、第２図に示す内管１０
１の径ａ、外管１０２の径ｂ、内管１０１と基体
２との距離ｙ、内管１０１の開口端と外管１０２
の開口端との水準差をｘとしたとき、これらと生
成される本発明の窒化珪素基板の性状との関係に
ついて次に述べる。 容器の大きさが直径300mm、長さ500mmであり、
また前記容器内に把持された基体が２×12×40mm
の板状のものである場合はａとしては0.1〜４cm
φ、ｂとしては0.3〜10cmφ、ｘとしては0.3〜14
cm、ｙとしては１〜14cmのそれぞれの範囲が好適
である。なおSiCl4を珪素沈積源ガスとし、NH3
を窒素沈積源ガスとする場合SiCl4の流量が液体
状態で0.8c.c./min、NH3の流量が60c.c./min、H2の
流量が700c.c./min、容器内の圧力が１〜300torr.
、基体温度が1100〜1500℃の場合はａ＝１cm、ｂ
＝２cm、ｘ＝１cm、ｙ＝２cmとすると、均質で硬
度の大なる本発明の窒化珪素基板を効率よく得る
ことができる。 前記方法・手順を用いて、SiCl4の流量（液体
状態で）が0.8c.c./min、NH3の流量が60c.c./min、
H2の流量が700c.c./min、ａが１cm、ｂが２cm、ｘ
が１cm、ｙが２cmという条件下で窒化珪素を沈積
せしめると、製造温度と容器内ガス圧力によつ
て、第３図にその１例を示すような温度と容器内
ガス圧力とで規定される領域の条件において配向
結晶質窒化珪素あるいは非晶質窒化珪素を沈積さ
せて得ることができる。第３図の領域POは配向
結晶質窒化珪素が製造される領域、領域FGは配
向結晶質と非晶質と均一混合した窒化珪素が製造
される領域、領域AMは非晶質窒化珪素が製造さ
れる領域である。また領域AM″の条件下では非
晶質窒化珪素が沈積するが、その硬度が100ｇ荷
重でMVH200Kg/mm2以下であるような比較的硬度
の低い非晶質窒化珪素が沈積する。 上述の第３図の知見に基づいて、本発明の上記
(イ)(ロ)(ハ)(ニ)(ホ)のようなＡ、ＢのSi3N4の均一混
合相
の単一層又は結晶質窒化珪素と非晶質窒化珪素と
が交互に積層した２重層、３重層又は多重層絶縁
基板を製造する方法は上述したように、製造温度
（反応基板温度）と反応容器ガス圧とを変更する
ことと、反応温度とガス圧との反応条件を短時間
にするか、比較的長い時間間隔で変化させること
により達成される。 第１図の製造装置の２に示す黒鉛基板を例えば
1400℃で一定とし、原料ガスの圧力を10トールに
して、一定として、窒素沈積源ガスと珪素沈積源
ガスとをそれぞれ吹付けると結晶質が析出し、そ
のままの温度でガス圧力を40トールにすると、結
晶質膜の上に非晶質膜が生成する。更にガス圧力
を10トールにすとその上に結晶質膜が生成する。
この二次的に結晶質膜上に沈着した非晶質膜はそ
の反応温度では先に析出した非晶質膜は結晶化し
ないので結晶質−非晶質−結晶質の積層した多層
膜が得られる。 同様に反応ガス圧力を60トールに固定して、基
板温度を1200℃と1300℃とに交互に設定すると、
同様な多層膜が得られる。 上記多層膜は反応温度と反応ガス圧力とをそれ
ぞれ一定条件に固定して、例えば数分あるいは数
10分間その条件を保持することによつて得られ
る。 また上記の(イ)の絶縁基板すなわちＡ、Ｂの
Si3N4の均一混合相の単一相を得るためには、こ
の気相合成条件を短時間に変化させることにより
達成される。これは析出時間が短いために、平面
的な膜を基板上に形成するに至らないで、凹凸の
ある島状に生成物が出来る現象を利用したもので
ある。更に具体的に述べると、例えば島状に(A)の
結晶質の沈積が出来た状態でガス圧力又は基板の
反応温度を短時間で変えると、(B)の非晶質の沈積
がＡの結晶質の島状の又は凹凸状の沈積の間を埋
めるように沈積し、結晶質Ａの沈積物と非晶質Ｂ
の沈積物とが均一に混合した混合相の単一層が得
られるのである。 上述した第２表に本発明Si3N4基板と従来の反
応焼結Si3N4基板と、ホツトプレス焼結Si3N4基板
にその性能が比較てあるが、例えば特公昭49−
40123号公報記載の反応焼結Si3N4の造り方即ち窒
化珪素粉末珪酸、アルミナ、マグネシア等の焼結
助剤を加えて粉末焼結によりSi3N4基板を造る方
法又は特開昭50−161508号公報のホツトプレス焼
結Si3N4の造り方即ち、窒化珪素粉末に焼結助剤
を入れてホツトプレス法等によるものは、原料粉
末より膜体、又は薄帯にするには焼結しなければ
ならないが、Si3N4は焼結が困難であるので、上
述のように焼結助剤を入れて焼結する必要があ
り、このため焼結助剤を入れず、気相沈積法で作
成する本発明のSi3N4基板よりその強度におい
て、劣ること当然である。これはSiとＮ以外の不
純物が焼結助剤より混入するためである。本発明
では気相沈積法によるので得られる膜体が超硬高
純度の結晶質又は非晶質となるのである。 また、粉末焼結法で、圧力を加えて焼結するホ
ツトプレス法であつても、常圧焼結法であつて
も、一般に1800℃以上の高温で焼結する必要があ
る。このように焼結温度が高いと、例えば非晶質
粉末を原料とした場合でも、高温焼結により結晶
化してしまい非晶質状態の膜やバルク体は造るこ
とはできない。まして、結晶質と非晶質とが交互
に積層した多層膜は到底できない。従つて本発明
のような非晶質と結晶質の積層体は常圧粉末焼結
法やホツトプレス法では到底製造し得ないのに対
し、本発明の方法によると基板の反応温度と反応
ガス圧力の制御或いは、条件設定を膜体の生成す
る充分な時間間隔をおいて変更するか、充分な膜
の出来ない短時間のうちに変化させるかの制御だ
けで非晶質と結晶質との交互積層体又は両者の均
一混合層の単一層が出来るのであり、第２表に示
たように不純物が皆無で、気孔率無く、誘電体損
失が約10-4と極めて小さく、誘電率の温度変化が
常温ないし800℃位まで極めて小さい極めて優れ
た超硬高純度の窒化珪素より成る絶縁基板が得ら
れるのであ。 次に本発明を実験データについて説明する。 実験 (1) 第１図に示す装置を用い、1300℃の温度に加熱
した黒鉛基体上に窒素沈積源ガスであるNH3とH2
ガスで搬送する珪素沈積源ガスであるSiCl4とを
組合せ管を用いてそれぞれ吹付け、前記基体上に
吹付けられるNH3ガス流束の周囲を（SiCl4＋
H2）ガスにより包囲し、前記NH3とSiCl4の気相分
解反応を基体上あるいは基体近傍で生起させ
Si3N4を基体上に沈積させた。この場合炉内圧力
は30torr.であり、NH3ガス（内管より）供給量は
60c.c./minであり、搬送用水素ガス700c.c./minに20
〜25℃のSiCl4飽和蒸気を含ませた混合ガスを外
管より流出させて、密度2.77ｇ/cm3の非晶質Si3N4
を基体上に沈積させた。前記Si3N4沈積基体を炉
外に取出し、600℃で空気中加熱して黒鉛を燃焼
消失させて、厚さ0.3mm、1.0mmおよび電極面積
（直径）４mm、10mmの試料となし、誘電率、誘電
体損失を測定した。その結果を第４図Ａ，Ｂに示
す。なお誘電率よび誘電体損失は厚さおよび電極
面積に依存しなかつた。同図から判るように本発
明の非晶質窒化珪素基板の誘電体損失は従来の電
子材料セラミツクスに比し著しく優れた特性を有
する。 実験 (2) 第１図に示す装置を用い、1400℃の温度に加熱
した黒鉛基体上に炉内圧力40torr下でNH3ガスと
H2ガスを前記(1)と同一流量で流出させて、密度
3.18ｇ/cm3の配向結晶質窒化珪素を基体上に沈積
させた。さらに(1)と同様の処理を施して、厚さ
0.3mm、1.0mmおよび電極面積（直径）４mm、10mm
の試料となし、誘電率、誘電体損失を測定した。
この結果を第５図Ａ，Ｂに示す。同図から判るよ
うに本発明の絶縁基板の誘電率および誘電体損失
は従来の電子材料セラミツクスに比し、１桁程度
小さく、著しく優れた特性を有する。なお誘電率
および誘電体損失は基板の厚さおよび電極面積に
依存しなかつた。 実験 (3) 実験(1)と同様の装置を用いて、基体温度1400
℃、炉内圧力40torr.で20分間沈積させ、その後
基板温度を1200℃に下げ、炉内圧を40torrのまま
で30分間沈積させ、結晶質0.3mm、非晶質層0.3mm
の２層構造の基板を作成した。この結果室温で誘
電率8.5tanδ10-4以下（測定周波数1KHz）の基
板を得ることができた。 実施 (4) 実験(1)と同様な装置を用いて基体温度1200℃炉
内圧力40torr.で30分間沈積し、その後基体温度
を1400℃に上げ炉内圧力40torrのままで30分間沈
積させ、続いて基体温度を1200℃に下げ炉内圧力
40torrのままで30分間沈積し、非晶質−結晶質−
非晶質のそれぞれ0.4mm、0.1mm、0.3mmの３重構造
からなる基板を作成した。この基板は室温で誘電
率7.75tanδ10-4以下（測定周波数1KHz）であつ
た。 次に本発明を実施例について説明する。 実施例 １ 前記実験(2)と同様の方法で作成したSi3N4基板
を構成材料としてコンデンサを作つた。第６図ａ
は前記コンデンサの平面図、同図ｂはその垂直縦
断面図である。同図中１は金電極（10mm×10
mm）、２は本発明の厚さ0.3のSi3N4絶縁基板（15
mm×15mm）である。このコンデンサは常温から
500℃まで30pFで500℃まで容量変化は認められ
なかつた。 実施例 ２ 実験(1)と同様な方法でカーボン基体上にSi3N4
を10分間沈積させてSi3N4基板を得、冷却後モリ
ブデンペーストを第７図ａに平面図で示すように
印刷し、再び基板を1400℃に加熱して10分間
Si3N4を沈積させ、冷却後モリブデンペーストを
第７図ｂに平面図で示すように印刷した。さらに
この基板を1400℃に加熱して10分間Si3N4を沈積
させて冷却後モリブデンペーストを第７図ａと同
様に印刷し、さらにこれを1400℃に加熱して10分
間Si3N4を沈積させた。最後にカーボン基体から
外ずして、両面と両側に金ペーストを印刷し、
700℃で焼成した。このようにして製作した多層
構造コンデンサの垂直縦断面図を第７図ｃに示
す。 このコンデンサは4000pFで前のコンデンサと
同様に500℃まで容量の変化は認められなかつ
た。 以上本発明の基板は共有結合性化合物である
Si3N4よりなり、かつそのSi3N4は高純度で緻密で
あり、従来のイオン結合性化合物の焼結体、例え
ばアルミナ、フオルステライト、ステアタイト等
と異なり、極めて優れた絶縁体であり、交流回路
用絶縁基板としてハイブリツトIC、あるいはIC
パツケージ等に広く使用することができ、更にレ
ードーム用絶縁体として優れている。
第１図は本発明の絶縁基板の製造装置の１つの
実施態様を示す縦断面図、第２図は本発明の基板
製造用内管・外管の配置を示す斜視図、第３図は
本発明の基板を製造する温度と容器内ガス圧力と
の関係を示す図、第４図Ａ，Ｂはそれぞれ本発明
の非晶質CVD−Si3N4基板の周波数と誘電率及び
誘電体損失との関係を示す図、第５図Ａ，Ｂはそ
れぞれ本発明の結晶質CVD−Si3N4基体の周波数
と誘電率及び誘電体損失との関係を示す図、第６
図ａ，ｂはそれぞれ本発明の基板より構成される
コンデンサの平面図及び縦断面図、第７図ａ，ｂ
はそれぞれ本発明の基板を用いた１つの実施態様
によるコンデンサの平面図、第７図ｃは前記コン
デンサの縦断面図である。 １……容器、２……基体、３……導電把持棒、
４……吹付管、６……基体の挿入・排出用扉、８
……ガス排出孔。
実施態様を示す縦断面図、第２図は本発明の基板
製造用内管・外管の配置を示す斜視図、第３図は
本発明の基板を製造する温度と容器内ガス圧力と
の関係を示す図、第４図Ａ，Ｂはそれぞれ本発明
の非晶質CVD−Si3N4基板の周波数と誘電率及び
誘電体損失との関係を示す図、第５図Ａ，Ｂはそ
れぞれ本発明の結晶質CVD−Si3N4基体の周波数
と誘電率及び誘電体損失との関係を示す図、第６
図ａ，ｂはそれぞれ本発明の基板より構成される
コンデンサの平面図及び縦断面図、第７図ａ，ｂ
はそれぞれ本発明の基板を用いた１つの実施態様
によるコンデンサの平面図、第７図ｃは前記コン
デンサの縦断面図である。 １……容器、２……基体、３……導電把持棒、
４……吹付管、６……基体の挿入・排出用扉、８
……ガス排出孔。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 下記(A)、(B)の窒化珪素 (A) 六方晶系よりなり、その結晶面（hko）、
（hol）、或いは（hkl）のうちから選ばれる何れ
か１つの面、或いは２つ以上の面がそれぞれ平
行に配向せられた構造を持ち、マイクロビツカ
ース硬度が荷重100ｇの時の値で3000Kg/mm2以上
であることを特徴とする配向結晶質超硬高純度
窒化珪素。 (B) 非晶質よりなりマイクロビツカース硬度が荷
重100ｇの時の値で200Kg/mm2以上であることを
特徴とする非晶質超硬高純度窒化珪素。 が、下記(イ)、(ロ)、(ハ)、(ニ)、(ホ)の群から選ばれ
た何
れか少なくとも１種の少なくとも１層からなる絶
縁基板。 (イ) Ａ、ＢのSi3N4の均一混合相の単一層からな
る絶縁基板。 (ロ) Ａ、ＢのSi3N4のそれぞれの相が接合した２
重層からなる絶縁基板。 (ハ) Ａ、ＢのSi3N4の何れか１種が中心層とな
り、他種が前記中心層を挟む層の３重層からな
る絶縁基板。 (ニ) Ａ、ＢのSi3N4のそれぞれの相とＡ、Ｂの均
一混合相とのなかから選ばれる何れか１相が中
心層となり、他の２種の相が前記中心層を挟む
層の３重層からなる絶縁基板。 (ホ) Ａ、ＢのSi3N4のそれぞれの相とＡ、Ｂの
Si3N4の均一混合相との３種の相が交互に接合
されてなる多重層絶縁基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13194678A JPS5559603A (en) | 1978-10-26 | 1978-10-26 | Insulating substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13194678A JPS5559603A (en) | 1978-10-26 | 1978-10-26 | Insulating substrate |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5559603A JPS5559603A (en) | 1980-05-06 |
| JPS6134204B2 true JPS6134204B2 (ja) | 1986-08-06 |
Family
ID=15069897
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13194678A Granted JPS5559603A (en) | 1978-10-26 | 1978-10-26 | Insulating substrate |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5559603A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61224210A (ja) * | 1985-03-28 | 1986-10-04 | 株式会社東芝 | 耐熱衝携性に優れた穴あき絶縁基板 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4940123A (ja) * | 1972-08-17 | 1974-04-15 | ||
| JPS50161508A (ja) * | 1974-06-20 | 1975-12-27 | ||
| JPS5296999A (en) * | 1976-01-13 | 1977-08-15 | Tohoku Daigaku Kinzoku Zairyo | Silicon nitride having ultraahigh hardness and high purity process for peparing same and apparatus therefore |
-
1978
- 1978-10-26 JP JP13194678A patent/JPS5559603A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4940123A (ja) * | 1972-08-17 | 1974-04-15 | ||
| JPS50161508A (ja) * | 1974-06-20 | 1975-12-27 | ||
| JPS5296999A (en) * | 1976-01-13 | 1977-08-15 | Tohoku Daigaku Kinzoku Zairyo | Silicon nitride having ultraahigh hardness and high purity process for peparing same and apparatus therefore |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5559603A (en) | 1980-05-06 |
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