JPS6133867U - 気相成長成膜装置 - Google Patents

気相成長成膜装置

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JPS6133867U
JPS6133867U JP11861584U JP11861584U JPS6133867U JP S6133867 U JPS6133867 U JP S6133867U JP 11861584 U JP11861584 U JP 11861584U JP 11861584 U JP11861584 U JP 11861584U JP S6133867 U JPS6133867 U JP S6133867U
Authority
JP
Japan
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gas
vapor phase
phase deposition
deposition equipment
phase growth
Prior art date
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Pending
Application number
JP11861584U
Other languages
English (en)
Inventor
襄 江原
尚志 早川
Original Assignee
シャープ株式会社
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Publication date
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  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
図は本考案による一実施例を示すブロック図で″マ：．
．ウ＃，７，；ｆ，、７、、菖３．．．エ簀４．ータ、
３・・・流通コントローラ、４・・・反応槽、８・・・
ガス分溜器、９・・・排ガス処理装置、１ｏ・・・ガス
蒸発器、、１２・・・〃′ス溜、２１・・・ガス供給系
、２２・・・甚［ガス流路、２３・・・二循環流路。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 アモルファスシリコン膜等の膜を気相成長法により成膜
    する気相成長膜装置にお（〜）で、排気ガス流蕗中に設
    けられた分溜装置と、該分溜装置により取出された排気
    ガス中の有効ガス成分を再び原料ガス中に再循環せしめ
    るガス系と、 を備えてなることを特徴とする気相成長成膜轡置。
JP11861584U 1984-07-30 1984-07-30 気相成長成膜装置 Pending JPS6133867U (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63163707U (ja) * 1987-04-15 1988-10-25
JPS63196945U (ja) * 1987-06-05 1988-12-19
JPH02236278A (ja) * 1986-07-14 1990-09-19 Res Dev Corp Of Japan 超微紛体の超薄膜被覆法
JP2004071970A (ja) * 2002-08-08 2004-03-04 Shin Etsu Chem Co Ltd 太陽電池用シリコン基板の製造方法およびその製造システム

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02236278A (ja) * 1986-07-14 1990-09-19 Res Dev Corp Of Japan 超微紛体の超薄膜被覆法
JPS63163707U (ja) * 1987-04-15 1988-10-25
JPS63196945U (ja) * 1987-06-05 1988-12-19
JPH0545164Y2 (ja) * 1987-06-05 1993-11-17
JP2004071970A (ja) * 2002-08-08 2004-03-04 Shin Etsu Chem Co Ltd 太陽電池用シリコン基板の製造方法およびその製造システム

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