JPS6341017A - 気相成長方法 - Google Patents
気相成長方法Info
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- JPS6341017A JPS6341017A JP18574286A JP18574286A JPS6341017A JP S6341017 A JPS6341017 A JP S6341017A JP 18574286 A JP18574286 A JP 18574286A JP 18574286 A JP18574286 A JP 18574286A JP S6341017 A JPS6341017 A JP S6341017A
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- reaction
- gas
- reaction gas
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- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、効率のよい気相成長方法に関するものであ
る。
る。
第２図は、例えばＵ、 Ｓ、 Ｐａｔｅｎｔ４．３６８
゜０９８号明細書に示された有機金属化学成長方法での
結晶成長に用いられる気相結晶成長装置の反応管付近を
示す図である。この図において、１は反応ガスの入口、
３は反応管、４はその上に結晶を成長させるための基板
、５は前記基板４の保持台、６は前記基板４を加熱する
ための高周波コイルまたはヒータ、７は反応後の反応ガ
スの出口である。
゜０９８号明細書に示された有機金属化学成長方法での
結晶成長に用いられる気相結晶成長装置の反応管付近を
示す図である。この図において、１は反応ガスの入口、
３は反応管、４はその上に結晶を成長させるための基板
、５は前記基板４の保持台、６は前記基板４を加熱する
ための高周波コイルまたはヒータ、７は反応後の反応ガ
スの出口である。
次に動作について説明する。
反応ガスの入口１から反応管３内に導入された反応ガス
は、熱分解、化学反応して、高周波コイルまたはヒータ
６により加熱された基板４の上に固体として析出する。
は、熱分解、化学反応して、高周波コイルまたはヒータ
６により加熱された基板４の上に固体として析出する。
この際、必要な反応ガスは反応ガスの入口１から常に供
給されるとともに、過剰な反応ガスは反応ガスの出ロア
より排出されている。この時、反応管３内の圧力は大気
圧もしくは減圧状態に保たれている。
給されるとともに、過剰な反応ガスは反応ガスの出ロア
より排出されている。この時、反応管３内の圧力は大気
圧もしくは減圧状態に保たれている。
上記のような従来の気相成長方法では、反応管３に開管
を用いており、例えばＧａＡｓを有機金属法で１μｍ成
長させる場合、反応ガスとしてトリメチルガリウム２０
ｅｅ／ｍａｎ、アルシン７０ ｅｅ／ｍ１ｎｐを１５
分間流していたたため、その総使用量は１３５０ｃｃに
なっていた。そして、猛毒な反応ガスを大量に流すため
に公害防止および安全上の問題から、これらの反応ガス
の処理装置に多額の投資が必要であり、製品のコスト高
につながっていた。
を用いており、例えばＧａＡｓを有機金属法で１μｍ成
長させる場合、反応ガスとしてトリメチルガリウム２０
ｅｅ／ｍａｎ、アルシン７０ ｅｅ／ｍ１ｎｐを１５
分間流していたたため、その総使用量は１３５０ｃｃに
なっていた。そして、猛毒な反応ガスを大量に流すため
に公害防止および安全上の問題から、これらの反応ガス
の処理装置に多額の投資が必要であり、製品のコスト高
につながっていた。
また、これらの反応ガスには高価なものが多く、この点
からも製品のコスト高につながるという問題点があった
。
からも製品のコスト高につながるという問題点があった
。
この発明は、かかる問題点を解決するためになされたも
ので、使用する反応ガスの量を極力減らすことによって
、排気ガスの処理を容易にするとともに、ガスの材料費
の低減を図って製品のコストを下げろことが可能な気相
成長方法を得ることを目的とする。
ので、使用する反応ガスの量を極力減らすことによって
、排気ガスの処理を容易にするとともに、ガスの材料費
の低減を図って製品のコストを下げろことが可能な気相
成長方法を得ることを目的とする。
この発明に係る気相成長方法は、反応管からの反応ガス
の排気量をその供給量より少なくするか、または反応管
を密閉した状態で成長を行うものである。
の排気量をその供給量より少なくするか、または反応管
を密閉した状態で成長を行うものである。
この発明においては、反応管からの反応ガスの排気量が
その供給量より少ないか、または排気を行わない状態で
成長を行い、反応ガスをほぼ完全に分解する。
その供給量より少ないか、または排気を行わない状態で
成長を行い、反応ガスをほぼ完全に分解する。
第１図はこの発明の気相成長方法の一実施例を説明する
ための図である。この図において、第２図と同一符号は
同一部分を示し、２は吸気弁、８は排気弁である。
ための図である。この図において、第２図と同一符号は
同一部分を示し、２は吸気弁、８は排気弁である。
次に動作について説明する。
吸気弁２を開いたま１で一定量の反応ガスを反応管３内
に供給（７、一方、排気弁３を少し開いて反応管３から
の反応ガスの排気量をその供給量より少なくした場合、
反応管３内の圧力は、通常の気相成長を行う場合に比べ
て高く、例えば７８０〜７９０ｎｕｓＨｇとなる。次に
、この状態に保ったままで基板４を高周波コイルまたは
ヒータ６により加熱すれば、反応ガスの熱分解、化学反
応によって基板４上に結晶を成長させることができる。
に供給（７、一方、排気弁３を少し開いて反応管３から
の反応ガスの排気量をその供給量より少なくした場合、
反応管３内の圧力は、通常の気相成長を行う場合に比べ
て高く、例えば７８０〜７９０ｎｕｓＨｇとなる。次に
、この状態に保ったままで基板４を高周波コイルまたは
ヒータ６により加熱すれば、反応ガスの熱分解、化学反
応によって基板４上に結晶を成長させることができる。
そして、この方法によってＧａＡｓを１μｍ成長させた
場合、トリメチルガリウム１ ｅｅ／＋＋＋＋ｎｐアル
シン５ ｅｅ／ｍａｔ。の条件で１５分間で成長させる
ことができ、その総使用量を９０ｃｃと大幅に少なくす
ることができた。
場合、トリメチルガリウム１ ｅｅ／＋＋＋＋ｎｐアル
シン５ ｅｅ／ｍａｔ。の条件で１５分間で成長させる
ことができ、その総使用量を９０ｃｃと大幅に少なくす
ることができた。
また、吸気弁２．排気弁８を開けて反応ガスを所定量流
した後、排気弁８．吸気弁２を閉じて反応管３を密閉す
る場合にも、反応ガスの熱分解。
した後、排気弁８．吸気弁２を閉じて反応管３を密閉す
る場合にも、反応ガスの熱分解。
化学反応によって同様に基板４上に結晶が析出する。し
かし、この場合その分だけ反応管３内の圧力が減少する
ので、吸気弁２を開けて反応ガスを供給して反応管３内
の圧力が所定の値に達した後、吸気弁２を閉じて再び結
晶成長を行う必要がある。
かし、この場合その分だけ反応管３内の圧力が減少する
ので、吸気弁２を開けて反応ガスを供給して反応管３内
の圧力が所定の値に達した後、吸気弁２を閉じて再び結
晶成長を行う必要がある。
この工程を繰り返し行うことによって、所望の結晶成長
を行うことができる。
を行うことができる。
なお、上記実施例では、結晶を成長させる場合について
述べたが、基板４の上にアモルファス材を生成すること
も可能である。
述べたが、基板４の上にアモルファス材を生成すること
も可能である。
この発明は以上説明したとおり、反応管からの反応ガス
の排気量をその供給量より少なくするか、または反応管
を密閉した状態で成長を行うので、使用する反応ガスの
量を非常に少なくすることができ、排気された反応ガス
の処理が容易となるうえ、使用ガスの材料費が少なくな
り、製品のコストを下げろことが可能になるという効果
がある。
の排気量をその供給量より少なくするか、または反応管
を密閉した状態で成長を行うので、使用する反応ガスの
量を非常に少なくすることができ、排気された反応ガス
の処理が容易となるうえ、使用ガスの材料費が少なくな
り、製品のコストを下げろことが可能になるという効果
がある。
第１図はこの発明の気相成長方法の一実施例を説明する
ための図、第２図は従来の気相結晶成長装置の反応管付
近を示す図である。 図において、１は反応ガスの入口、２は吸気弁、３は反
応管、４は基板、５は保持台、６は高周波コイルまたは
ヒータ、７は反応ガスの出口、８は排気弁である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 第２図 手続補正書（自発） 昭和 ６毎 ３月２０日 特許庁長官数 昏Σ１、事件
の表示 特願昭６１−１８５７４２号２、発明の名
称 気相成長方法 ３、補正をする者 代表者志岐守哉 ４、代理人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号三
菱電機株式会社内 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 （１） 明細書第４頁９行の「排気弁３」を、「排気
弁８」と補正する。 （２）同じ〈第４頁１７行〜第５頁１行の「そして、・
・・・・・ることができた。」の箇所を削除する。 （３）同じ〈第５頁１１行と１２行の間に下記を挿入す
る。 「そして、この方法によってＧａＡｓをｌｐｍ成長させ
た場合、トリメチルガリウムＩＯＣ／ｓｉｎ＋アルシン
５ｃｃ／ａＢｎの条件で１５分間で成長させることがで
き、その総使用量を９０ｃｃと大幅に少なくすることが
できた。」 以上
ための図、第２図は従来の気相結晶成長装置の反応管付
近を示す図である。 図において、１は反応ガスの入口、２は吸気弁、３は反
応管、４は基板、５は保持台、６は高周波コイルまたは
ヒータ、７は反応ガスの出口、８は排気弁である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 第２図 手続補正書（自発） 昭和 ６毎 ３月２０日 特許庁長官数 昏Σ１、事件
の表示 特願昭６１−１８５７４２号２、発明の名
称 気相成長方法 ３、補正をする者 代表者志岐守哉 ４、代理人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号三
菱電機株式会社内 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 （１） 明細書第４頁９行の「排気弁３」を、「排気
弁８」と補正する。 （２）同じ〈第４頁１７行〜第５頁１行の「そして、・
・・・・・ることができた。」の箇所を削除する。 （３）同じ〈第５頁１１行と１２行の間に下記を挿入す
る。 「そして、この方法によってＧａＡｓをｌｐｍ成長させ
た場合、トリメチルガリウムＩＯＣ／ｓｉｎ＋アルシン
５ｃｃ／ａＢｎの条件で１５分間で成長させることがで
き、その総使用量を９０ｃｃと大幅に少なくすることが
できた。」 以上
Claims (1)
- 反応管内で成長を行う気相成長方法において、前記反応
管からの反応ガスの排気量をその供給量より少なくする
か、または前記反応管を密閉した状態で前記成長を行う
ことを特徴とする気相成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18574286A JPS6341017A (ja) | 1986-08-06 | 1986-08-06 | 気相成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18574286A JPS6341017A (ja) | 1986-08-06 | 1986-08-06 | 気相成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6341017A true JPS6341017A (ja) | 1988-02-22 |
Family
ID=16176065
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18574286A Pending JPS6341017A (ja) | 1986-08-06 | 1986-08-06 | 気相成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6341017A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017005016A (ja) * | 2015-06-05 | 2017-01-05 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
-
1986
- 1986-08-06 JP JP18574286A patent/JPS6341017A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017005016A (ja) * | 2015-06-05 | 2017-01-05 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
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