JPS5916132U - 気相成長装置の加熱機構 - Google Patents

気相成長装置の加熱機構

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Publication number
JPS5916132U
JPS5916132U JP11147682U JP11147682U JPS5916132U JP S5916132 U JPS5916132 U JP S5916132U JP 11147682 U JP11147682 U JP 11147682U JP 11147682 U JP11147682 U JP 11147682U JP S5916132 U JPS5916132 U JP S5916132U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
vapor phase
heating mechanism
phase growth
growth equipment
growth apparatus
Prior art date
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Pending
Application number
JP11147682U
Other languages
English (en)
Inventor
松永　重次
江畑　均
Original Assignee
東芝機械株式会社
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Publication date
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Publication of JPS5916132U publication Critical patent/JPS5916132U/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図はウェハ上にシリコン膜を成長させるプロセスの
説明用線図、第２図は本考案の一実施例の機構図、第３
図はＨＥＡＴ　　ＵＰ　　時それに続（ＥＴＣＨｉｎｇ
時におけるウェハ温度と高周波出力の関係線図、第４図
および第５図はそれぞれ従来例と本考案の一実施例にお
ける高周波発振器と、温度コントローラの接続図である
。 ８・・・・・・高周波発振器、１０・・・・・・温度コ
ントローラ、２１．３２・・・・・・可変抵抗器、３１
．３３・・・・・・リレー。

Claims (2)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. （１）　　高周波発振器の出力を温度コントローラによ
    り調整するようにした気相成長装置の加熱機構において
    、プロセスをＨＥＡＴ　　ＵＰ　　のシーケンスとそれ
    以降のシーケンスに分割し、温度コントローラと高周波
    発信機との間に前者のシーケンスと後者のシーケンスと
    でそれぞれ別個の制御手段を設置した気相成長装置の加
    熱機構。
  2. （２）制御手段として可変抵抗器とリレーを使用し吹こ
    とを特徴とする実用新案登録請求の範囲第１項記載の気
    相成長装置の加熱機構。
JP11147682U 1982-07-22 1982-07-22 気相成長装置の加熱機構 Pending JPS5916132U (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6132511A (ja) * 1984-07-25 1986-02-15 Toshiba Mach Co Ltd 気相成長などの処理装置
JPS61150321A (ja) * 1984-12-25 1986-07-09 Toshiba Mach Co Ltd 気相成長などの処理方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6132511A (ja) * 1984-07-25 1986-02-15 Toshiba Mach Co Ltd 気相成長などの処理装置
JPS61150321A (ja) * 1984-12-25 1986-07-09 Toshiba Mach Co Ltd 気相成長などの処理方法

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