JPS6131625B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6131625B2 JPS6131625B2 JP52145092A JP14509277A JPS6131625B2 JP S6131625 B2 JPS6131625 B2 JP S6131625B2 JP 52145092 A JP52145092 A JP 52145092A JP 14509277 A JP14509277 A JP 14509277A JP S6131625 B2 JPS6131625 B2 JP S6131625B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- semiconductor device
- outer frame
- frame
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体装置の製造方法にかゝり、特
にリードフレームに形成される半導体装置の製造
方法に関する。
にリードフレームに形成される半導体装置の製造
方法に関する。
半導体装置の一例の第１図に斜視図示する集積
回路装置IC１は金属板に所定形状の打抜きを施
してリードフレームを形成し、これに半導体素子
その他の配設、形成を施したのちエポキシ樹脂の
如きで外囲器１ａを封止形成する。１ｂ，１b′…
…は前記外囲器の側面から突出したリードであ
る。図によつても明らかな如く、ICの高密度化
およびまたは小型化に伴ないリードが細く、かつ
近接して設けられる傾向にある。このため、IC
の電気的特性を測定するさいのソケツトへの装着
時、およびこの前後における取扱いにおいてリー
ドの変型を生じやすい。このためソケツトへの装
着、その他取扱が困難である上、リードの変型に
よりソケツトに装着して施す電気的特性の測定に
失敗を生じ、取扱作業の能率が悪くなるなどの欠
点がある。
回路装置IC１は金属板に所定形状の打抜きを施
してリードフレームを形成し、これに半導体素子
その他の配設、形成を施したのちエポキシ樹脂の
如きで外囲器１ａを封止形成する。１ｂ，１b′…
…は前記外囲器の側面から突出したリードであ
る。図によつても明らかな如く、ICの高密度化
およびまたは小型化に伴ないリードが細く、かつ
近接して設けられる傾向にある。このため、IC
の電気的特性を測定するさいのソケツトへの装着
時、およびこの前後における取扱いにおいてリー
ドの変型を生じやすい。このためソケツトへの装
着、その他取扱が困難である上、リードの変型に
よりソケツトに装着して施す電気的特性の測定に
失敗を生じ、取扱作業の能率が悪くなるなどの欠
点がある。
この発明は上記従来の欠点を除去するために、
半導体装置の改良された製造方法を提供するもの
である。
半導体装置の改良された製造方法を提供するもの
である。
この発明の半導体装置の製造方法はリードフレ
ームに形成される半導体装置の製造にかゝり、半
導体装置の電気的特性を測定するとき、電極と不
接続のリードを設け、これと接地用リードとをリ
ードフレームの外わくに連結のまゝ残すことによ
つて半導体装置を外わくに定位させて形成し、こ
のまゝ（外わくとともに）測定用ソケツトにリー
ドを接続して施し、のち外わくとの連結を解除す
るものである。
ームに形成される半導体装置の製造にかゝり、半
導体装置の電気的特性を測定するとき、電極と不
接続のリードを設け、これと接地用リードとをリ
ードフレームの外わくに連結のまゝ残すことによ
つて半導体装置を外わくに定位させて形成し、こ
のまゝ（外わくとともに）測定用ソケツトにリー
ドを接続して施し、のち外わくとの連結を解除す
るものである。
次にこの発明を一実施例のICの製造方法につ
き詳細に説明する。第２図に正面図示するものは
リードフレームに複数個形成されたICのうちの
１個を示し、図中１１はICで、１１ａは一例の
エポキシ樹脂の如きでモールド形成された外囲器
（特に図中太線をもつて示される）、１１ｂ，１１
b′……は前記外囲器の側面より突出した電極導出
リード、２１はリードフレームの外わくで、この
一部から内側へ伸び前記リードと平行に外囲器内
に一部が封入されかつICの電極とは接続しない
電極と不接続のリード１１ｃ，１１c′……を有す
る。またICの接地リード１１ｄ，１１d′……を外
わくに接続し、ICは外わくに固定される。かゝ
〓〓〓〓
る状態にてICをそのリードでソケツトに接続せ
しめ、ICの電気的特性を測定する。なお、この
測定におけるICとソケツトとの位置合わせ、装
置は外わくに設けられた孔（１１ｅまたは１１
e′……）を測定装置の突起に合わせて達成され
る。測定が完了すれば前記リードと外わくとの連
結部に一例のプレス切断を施し、ICを外わくか
ら遊離せしめる。
き詳細に説明する。第２図に正面図示するものは
リードフレームに複数個形成されたICのうちの
１個を示し、図中１１はICで、１１ａは一例の
エポキシ樹脂の如きでモールド形成された外囲器
（特に図中太線をもつて示される）、１１ｂ，１１
b′……は前記外囲器の側面より突出した電極導出
リード、２１はリードフレームの外わくで、この
一部から内側へ伸び前記リードと平行に外囲器内
に一部が封入されかつICの電極とは接続しない
電極と不接続のリード１１ｃ，１１c′……を有す
る。またICの接地リード１１ｄ，１１d′……を外
わくに接続し、ICは外わくに固定される。かゝ
〓〓〓〓
る状態にてICをそのリードでソケツトに接続せ
しめ、ICの電気的特性を測定する。なお、この
測定におけるICとソケツトとの位置合わせ、装
置は外わくに設けられた孔（１１ｅまたは１１
e′……）を測定装置の突起に合わせて達成され
る。測定が完了すれば前記リードと外わくとの連
結部に一例のプレス切断を施し、ICを外わくか
ら遊離せしめる。
上記の如くなるこの発明方法によれば、ICの
リードを変型することなく電気的特性の測定を行
なうことができる。しかも測定、その前後の取扱
いが容易で能率がよい利点がある。さらにソケツ
トとの位置合わせが容易で、長尺の金属板にて多
数のICを形成し、これらを同時に測定しうるの
で製造能率の向上が著るしい。
リードを変型することなく電気的特性の測定を行
なうことができる。しかも測定、その前後の取扱
いが容易で能率がよい利点がある。さらにソケツ
トとの位置合わせが容易で、長尺の金属板にて多
数のICを形成し、これらを同時に測定しうるの
で製造能率の向上が著るしい。
なお実施例のICに限られず、リードフレーム
により形成される半導体装置の製造に広く適用で
きる。
により形成される半導体装置の製造に広く適用で
きる。
第１図はICの斜視図、第２図はこの発明に
かゝる一実施例のICを電気的特性を測定する状
態にて一部を示す正面図である。 １１……IC、１１ｂ，１１b′……電極リード、
１１ｃ，１１c′……電極と不接続のリード、１１
ｄ，１１d′……接地用リード、２１……外わく。 〓〓〓〓
かゝる一実施例のICを電気的特性を測定する状
態にて一部を示す正面図である。 １１……IC、１１ｂ，１１b′……電極リード、
１１ｃ，１１c′……電極と不接続のリード、１１
ｄ，１１d′……接地用リード、２１……外わく。 〓〓〓〓
Claims (1)
- １ リードフレームに形成される半導体装置の製
造において、電極と不接続のリードを設けこれと
接地用リードとをリードフレームの外わくに連結
のまゝ残し半導体装置を外わくに定位せしめて形
成する工程と、電極リードをソケツトに接続し半
導体装置の特性測定を施す工程と、外わくとの前
記連結部に切断を施し個々の半導体装置に分離す
る工程とを備えた半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14509277A JPS5478087A (en) | 1977-12-05 | 1977-12-05 | Manufacture of semiconductor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14509277A JPS5478087A (en) | 1977-12-05 | 1977-12-05 | Manufacture of semiconductor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5478087A JPS5478087A (en) | 1979-06-21 |
| JPS6131625B2 true JPS6131625B2 (ja) | 1986-07-21 |
Family
ID=15377185
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14509277A Granted JPS5478087A (en) | 1977-12-05 | 1977-12-05 | Manufacture of semiconductor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5478087A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63105847A (ja) * | 1986-10-23 | 1988-05-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光コネクタ組立て装置 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57170233A (en) * | 1981-04-15 | 1982-10-20 | Japan Radio Ueda Co Ltd | Ultrasonic probe for ultrasonic diagnosis |
| DE10202257B4 (de) * | 2002-01-21 | 2005-12-01 | W.C. Heraeus Gmbh | Verfahren zum Fixieren von Chipträgern |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53108368A (en) * | 1977-03-04 | 1978-09-21 | Hitachi Ltd | Manufacture for resin seal type semiconductor device and its lead frame for its manufacture |
-
1977
- 1977-12-05 JP JP14509277A patent/JPS5478087A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63105847A (ja) * | 1986-10-23 | 1988-05-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光コネクタ組立て装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5478087A (en) | 1979-06-21 |
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