JPS6130751B2 - - Google Patents
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- JPS6130751B2 JPS6130751B2 JP9091678A JP9091678A JPS6130751B2 JP S6130751 B2 JPS6130751 B2 JP S6130751B2 JP 9091678 A JP9091678 A JP 9091678A JP 9091678 A JP9091678 A JP 9091678A JP S6130751 B2 JPS6130751 B2 JP S6130751B2
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- metal foil
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- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 13
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 3
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 5
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- KMUONIBRACKNSN-UHFFFAOYSA-N potassium dichromate Chemical compound [K+].[K+].[O-][Cr](=O)(=O)O[Cr]([O-])(=O)=O KMUONIBRACKNSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 2
- HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 4-Aminophenyl ether Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010022998 Irritability Diseases 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- ANSXAPJVJOKRDJ-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-f][2]benzofuran-1,3,5,7-tetrone Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC2=C1C(=O)OC2=O ANSXAPJVJOKRDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009998 heat setting Methods 0.000 description 1
- GNOIPBMMFNIUFM-UHFFFAOYSA-N hexamethylphosphoric triamide Chemical compound CN(C)P(=O)(N(C)C)N(C)C GNOIPBMMFNIUFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 1
- 229920003055 poly(ester-imide) Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、テープキヤリヤ方式半導体装置を製
造する際に用いるキヤリヤテープを安価に製造す
る方法に関するものである。
造する際に用いるキヤリヤテープを安価に製造す
る方法に関するものである。
従来のキヤリヤテープの製造方法には大きく分
けて次の二通りがあつた。
けて次の二通りがあつた。
(1) 予め半導体素子に合つた穴を開けたフイルム
に金属箔を接着剤を用いて張り合わせ、金属箔
をエツチングして導体パターンを形成する方
法。
に金属箔を接着剤を用いて張り合わせ、金属箔
をエツチングして導体パターンを形成する方
法。
(2) 金属箔に樹脂ワニスを塗布加熱硬化してフイ
ルムを形成し、金属箔をエツチングしたのち、
フイルムを薬品を用いてエツチングして、半導
体素子用の穴を開ける方法。
ルムを形成し、金属箔をエツチングしたのち、
フイルムを薬品を用いてエツチングして、半導
体素子用の穴を開ける方法。
第１の方法は金型を用いてパンチングするた
め、穴開けの精度が悪く、半導体素子の種類に応
じて高価な金型を多数用意しなければならない。
第２の方法ではテープキヤリヤ方式に通常用いら
れるポリイミド系材料をエツチングするには、ヒ
ドラジン、水酸化ナトリウムなどの危険な薬品を
用いなければならないのみならず、またポリイミ
ドのエツチング液は熱硬化フイルムをも溶解する
ので、精密な穴やパターンの形成ができず、工業
的に使用することは極めて困難である。ポリイミ
ド系材料以外のその他のワニス材料でもエツチン
グは極めて困難である。
め、穴開けの精度が悪く、半導体素子の種類に応
じて高価な金型を多数用意しなければならない。
第２の方法ではテープキヤリヤ方式に通常用いら
れるポリイミド系材料をエツチングするには、ヒ
ドラジン、水酸化ナトリウムなどの危険な薬品を
用いなければならないのみならず、またポリイミ
ドのエツチング液は熱硬化フイルムをも溶解する
ので、精密な穴やパターンの形成ができず、工業
的に使用することは極めて困難である。ポリイミ
ド系材料以外のその他のワニス材料でもエツチン
グは極めて困難である。
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点をな
くし、半導体装置用キヤリヤテープに必要な半導
体素子用穴およびテープ送り位置制御用スプロケ
ツト穴を容易に精度良く形成し、安価にキヤリヤ
テープを製造する方法を提供するものである。
くし、半導体装置用キヤリヤテープに必要な半導
体素子用穴およびテープ送り位置制御用スプロケ
ツト穴を容易に精度良く形成し、安価にキヤリヤ
テープを製造する方法を提供するものである。
本発明の特徴は感光性樹脂材料を用いることに
より、半導体素子用の穴などを容易に形成するこ
とにある。以下図面を参照して本発明の実施例を
説明する。厚さ35μｍ、巾35mmの銅箔テープ１に
光硬化型ワニス２をロールコータにより厚さ50μ
ｍに塗布する（第１図ａ）。ワニス中の溶剤を100
℃の熱風で蒸発させたのち予めパターンを形成し
たマスク３を通して紫外線を照射し（同図ｂ）、
ヘキサメチルホスホルアミドとジメチルスルホキ
サイドの５対１混合溶剤に浸し、紫外線の照射さ
れなかつた部分を溶解しワニスに所定の穴４Ａ，
４Ｂをあける（同図ｃ）。その後、250℃、20分の
熱処理を行なうことによりワニスを完全に硬化さ
せれば、第２，３図のキヤリヤテープが得られ
る。ここで用いたワニスは、無水ピロメリト酸と
４・４′−ジアミノジフエニルエーテルとをＮ−
メチル−２−ピロリドン溶液中で低温縮合反応さ
せて得られたポリイミドワニスに、感光剤として
重クロム酸カリウムのジメチルスルホキサイド溶
液を添加したものである。しかるのち通常の方法
により銅箔をエツチングして導体パターン５（第
４図）を形成する。
より、半導体素子用の穴などを容易に形成するこ
とにある。以下図面を参照して本発明の実施例を
説明する。厚さ35μｍ、巾35mmの銅箔テープ１に
光硬化型ワニス２をロールコータにより厚さ50μ
ｍに塗布する（第１図ａ）。ワニス中の溶剤を100
℃の熱風で蒸発させたのち予めパターンを形成し
たマスク３を通して紫外線を照射し（同図ｂ）、
ヘキサメチルホスホルアミドとジメチルスルホキ
サイドの５対１混合溶剤に浸し、紫外線の照射さ
れなかつた部分を溶解しワニスに所定の穴４Ａ，
４Ｂをあける（同図ｃ）。その後、250℃、20分の
熱処理を行なうことによりワニスを完全に硬化さ
せれば、第２，３図のキヤリヤテープが得られ
る。ここで用いたワニスは、無水ピロメリト酸と
４・４′−ジアミノジフエニルエーテルとをＮ−
メチル−２−ピロリドン溶液中で低温縮合反応さ
せて得られたポリイミドワニスに、感光剤として
重クロム酸カリウムのジメチルスルホキサイド溶
液を添加したものである。しかるのち通常の方法
により銅箔をエツチングして導体パターン５（第
４図）を形成する。
本発明によれば従来機械的にあけていたキヤリ
ヤテープの半導体素子用穴４Ａおよびテープ送り
位置制御用スプロケツト穴４Ｂを高精度にかつ容
易に、しかも危険性のある薬品やホトレジスト、
精密加工された金属マスクを用いること無しに形
成することができる。先の例で用いたワニスはポ
リイミド系であるため硬化後の機械的強度や耐熱
性が優れ、テープキヤリヤ方式で一般的に行なわ
れている半導体素子と銅箔との金、錫共晶を用い
た接続、または鉛、錫はんだを用いた接続時の熱
履歴にも十分耐える。光硬化ワニスには先の例に
示したもの以外にも各種あり、キヤリヤテープと
しての必要な強度を有し、かつ光照射後、光の当
たつた部分あるいは当たらなかつた部分のいずれ
か一方を溶剤などで容易に除去できる感光性樹脂
であれば使用できる。
ヤテープの半導体素子用穴４Ａおよびテープ送り
位置制御用スプロケツト穴４Ｂを高精度にかつ容
易に、しかも危険性のある薬品やホトレジスト、
精密加工された金属マスクを用いること無しに形
成することができる。先の例で用いたワニスはポ
リイミド系であるため硬化後の機械的強度や耐熱
性が優れ、テープキヤリヤ方式で一般的に行なわ
れている半導体素子と銅箔との金、錫共晶を用い
た接続、または鉛、錫はんだを用いた接続時の熱
履歴にも十分耐える。光硬化ワニスには先の例に
示したもの以外にも各種あり、キヤリヤテープと
しての必要な強度を有し、かつ光照射後、光の当
たつた部分あるいは当たらなかつた部分のいずれ
か一方を溶剤などで容易に除去できる感光性樹脂
であれば使用できる。
このような感光性樹脂材料としては、例えば、
シーメンス研究開発報告（Siemens Forsch.u.
Entwickl.Ber.）第５巻（1976年）第２号第92〜
97頁に記載されている (1) 感光性 ポリエステルイミド
（Polyesterimides） (2) 感光性 ポリアミドイミド
（Polyamidoimides） (3) 感光性 ポリヒダントインイミド（Poly−
hydantoin−imides） (4) 感光性 ポリキナゾリノジオンイミド（Poly
−quinazolinodione−imides） (5) 感光性 ポリベンゾキサジノジオン（Poly−
benzoxazinodiones） (6) 感光性 ポリキナゾリノジオン（Poly−
quinazolinodiones） (7) 感光性 ポリノソインドロキナゾリノジオン
（Poly−isoindoloquinazolinodiones） などがある。
シーメンス研究開発報告（Siemens Forsch.u.
Entwickl.Ber.）第５巻（1976年）第２号第92〜
97頁に記載されている (1) 感光性 ポリエステルイミド
（Polyesterimides） (2) 感光性 ポリアミドイミド
（Polyamidoimides） (3) 感光性 ポリヒダントインイミド（Poly−
hydantoin−imides） (4) 感光性 ポリキナゾリノジオンイミド（Poly
−quinazolinodione−imides） (5) 感光性 ポリベンゾキサジノジオン（Poly−
benzoxazinodiones） (6) 感光性 ポリキナゾリノジオン（Poly−
quinazolinodiones） (7) 感光性 ポリノソインドロキナゾリノジオン
（Poly−isoindoloquinazolinodiones） などがある。
なお、以上においては半導体素子用穴４Ａが大
きくあけられ、導体パターン５が片持梁式に感光
性樹脂２に支持されたが、前記穴を接続用に必要
な部分だけに形成して、第４図の穴４Ａの中央部
分に樹脂２を残すことにより導体パターンを両持
梁式に支持するようにすることもできることは容
易に了解されるであろう。
きくあけられ、導体パターン５が片持梁式に感光
性樹脂２に支持されたが、前記穴を接続用に必要
な部分だけに形成して、第４図の穴４Ａの中央部
分に樹脂２を残すことにより導体パターンを両持
梁式に支持するようにすることもできることは容
易に了解されるであろう。
すなわち、本発明では感光性樹脂材料を金属箔
と一体化した後に、前記感光性樹脂材料への穴形
成を行なうので、例えば第４図において、片持梁
式に残された銅箔パターン５の各先端部を支持す
るように前記感光性樹脂材料を残すことにより、
両持梁式とすることも容易であり、このようにす
れば銅箔パターンの位置精度や姿勢形状の保持が
より一層改善されるので、半導体装置製造の能率
と効果を高めることができる。
と一体化した後に、前記感光性樹脂材料への穴形
成を行なうので、例えば第４図において、片持梁
式に残された銅箔パターン５の各先端部を支持す
るように前記感光性樹脂材料を残すことにより、
両持梁式とすることも容易であり、このようにす
れば銅箔パターンの位置精度や姿勢形状の保持が
より一層改善されるので、半導体装置製造の能率
と効果を高めることができる。
第１図は本発明の方法を段階に示す図、第２図
は第１図ｃの平面図、第３図はその斜視図、第４
図は完成したキヤリヤテープの平面図である。 １……金属箔、２……感光性樹脂、３……予め
パターンを形成したマスク、４Ａ，４Ｂ……エツ
チングにより形成した穴。
は第１図ｃの平面図、第３図はその斜視図、第４
図は完成したキヤリヤテープの平面図である。 １……金属箔、２……感光性樹脂、３……予め
パターンを形成したマスク、４Ａ，４Ｂ……エツ
チングにより形成した穴。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 硬化後に所要の強度を呈する感光性樹脂材料
を、連続した金属箔上に塗布し、 予め形成したマスクを通して光を照射し、溶剤
を用いて樹脂材料の所望部分を除去することによ
り、所定のスプロケツト穴および半導体素子接続
用穴を形成した樹脂テープを金属箔上につくり、 しかるのち金属箔をエツチングして所要の導体
パターンを形成することを特徴とする半導体装置
用キヤリヤテープの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9091678A JPS5518045A (en) | 1978-07-27 | 1978-07-27 | Method of fabricating carrier tape for semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9091678A JPS5518045A (en) | 1978-07-27 | 1978-07-27 | Method of fabricating carrier tape for semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5518045A JPS5518045A (en) | 1980-02-07 |
| JPS6130751B2 true JPS6130751B2 (ja) | 1986-07-15 |
Family
ID=14011737
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9091678A Granted JPS5518045A (en) | 1978-07-27 | 1978-07-27 | Method of fabricating carrier tape for semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5518045A (ja) |
-
1978
- 1978-07-27 JP JP9091678A patent/JPS5518045A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5518045A (en) | 1980-02-07 |
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