JPS6130294Y2 - - Google Patents

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JPS6130294Y2
JPS6130294Y2 JP16960284U JP16960284U JPS6130294Y2 JP S6130294 Y2 JPS6130294 Y2 JP S6130294Y2 JP 16960284 U JP16960284 U JP 16960284U JP 16960284 U JP16960284 U JP 16960284U JP S6130294 Y2 JPS6130294 Y2 JP S6130294Y2
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JP
Japan
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refrigerant
evaporator
liquid
collection tank
liquid level
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JP16960284U
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JPS6099545U (ja
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Description

【考案の詳細な説明】 この考案は、凝縮性冷媒の相変化を利用して半
導体素子を冷却する半導体装置用沸騰冷却装置に
関し、特に、冷却管で冷却され液相化した冷媒を
収集する収集槽の冷媒液面位置を、液溜冷媒の液
面より高い液面になるよう構成し、且つ収集槽の
下部に一端が蒸発器内部に連通した輸送管を接続
したものであつて、液面差圧力を利用して冷媒循
環速度を高め、冷却性能を向上させようとするも
のである。
従来のこの種冷却装置は、第1図に示すように
蒸発器1にて気化された冷媒6が一対のヘツダー
7間に配置された冷却管8で冷却され液相となつ
た場合、一方のヘツダーに冷媒は集まり、ヘツダ
ー7と液溜5とを接続している輸送管9により液
溜5にもどり、液溜5内の分岐パイプ3により各
蒸発器1に冷媒が充てんされていた。
このような従来装置においては、分岐パイプ3
は液溜5内の冷媒液面より低い位置にあり、した
がつて液相となつて帰つて来た冷媒と気化する前
の冷媒の相関は同一関係上にあり、蒸発器1にて
気化し減少した冷媒の補給は、分岐パイプ3から
ばかりでなく液溜5からも供給され、気液分離が
完全でなく、冷却循環効率の低下という悪影響が
あつた。また、ヘツダー7と液溜5とを輸送管9
により接続しているため、冷却サイクルが長く、
抵抗損失が増え、循環効率を著しく害している。
この考案はこのような従来装置の欠点を除去す
るもので、冷却循環効率を向上させるため液溜と
ヘツダーの一方を直接接続し、あたかも液溜がな
いような構成とする。又、ヘツダー内に、液相化
した冷媒が液溜内冷媒の液面より持上がる位置に
液相化した冷媒を収集する収集槽を設け、この収
集槽から各々の蒸発器に液溜を貫通して、輸送管
を配置する。以上の構成によつて、蒸発器にて気
化した冷媒蒸気が直ちに冷却管に送り込まれるよ
う管路の省略を行ない、また、液溜内冷媒液面と
収集槽内冷媒の液面との間に液面差を生じさせ、
この液面差圧力により液化冷媒を積極的に蒸発器
に押込む。この押込みにより蒸発器内冷媒の流速
が上がり、気化した蒸気泡はこの流れにより従来
の自然上昇に加えスピードアツプされ、冷却効率
を向上させることが出来る。
この考案は以上のべた冷媒循環路の大巾短縮
と、液面差圧力による積極的循環により従来装置
に比べ大巾な冷却性能の向上を計ろうとするもの
である。
以下第2図、第3図のこの考案の一実施例につ
き説明する。第2図はこの考案による冷却装置の
側面図、第3図は同正面図である。図において、
半導体素子2において発生した熱は、その両側に
圧接している蒸発器1の側壁に伝わり、蒸発器1
内に充填している冷媒を沸とう気化させる。気化
した冷媒11は、蒸発器1と蒸発器上部に配置し
ている冷媒液溜5とを連結している連結パイプ内
を上昇して行き、冷媒液溜上部の空間に集まる。
さらに気化した冷媒6は、液溜上部に位置するヘ
ツダー7内に移動し、1対のヘツダー7間に配置
された冷却管8内の1あるいは2の気化冷媒専用
の冷却管を移動して、他方のヘツダー内に送り込
まれる。他方のヘツダー内で、気化冷媒は分散
し、複数個の冷却管8を通過しながら全て液化さ
れ、液溜上部のヘツダー7に液として移動する。
このヘツダー7の所定位置には、液化された冷媒
を集合させる収集槽10が設けてあり、全ての液
化冷媒12はここに集まる。収集槽10の最下面
からは、複数個の蒸発器1の各々へ液化冷媒12
を輸送するための輸送管13が前記連結パイプの
中心に配置されている。前記収集槽に集合した液
化冷媒は12は、この輸送管13内を通り、蒸発
器1に戻り、冷媒の循環は完了する。この収集槽
10に集まつた液化冷媒12の液面は、冷媒の液
溜5の液面より高い位置になり、このために生じ
る液面差圧力は、冷媒の循環効率を高める。すな
わち、この圧力により蒸発器1内の冷媒の循環速
度は、自然対流時の流速より速いものとなり、蒸
発器壁面に発生する気泡の分離上昇は促進され
る。
以上のべたようにこの考案によれば、簡単な構
成によつて、冷媒循環速度を高め、冷却性能の向
上が計れる秀れた半導体装置用沸騰冷却装置を得
ることができるものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来装置の一例を示す概略図、第2図
は本考案による半導体装置用沸騰冷却装置の一実
施々を示す側面図、第3図は第2図の正面図であ
る。 図中1は蒸発器、2は半導体素子、3は分岐パ
イプ、4は凝縮性冷媒、5は液溜、6は気相冷
媒、7はヘツダー、8は冷却管、9は輸送管、1
0は収集槽、11は気泡、12は液化冷媒、13
は輸送管である。尚図中同一符号は同一又は相当
部分を示す。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 半導体素子を圧接した蒸発器と凝縮性冷媒を貯
    溜する液溜とを連続して上記液溜の所定高さまで
    上記冷媒を封入し、上記冷媒の蒸発潜熱で上記半
    導体素子を冷却し、気相の上記冷媒を一対のヘツ
    ダー間に配置された冷却管で液相にして収集する
    収集槽を備え、この収集槽の下部に一端が上記蒸
    発器内部に連通した輸送管を接続して、上記冷却
    管で液相化した上記冷媒を上記蒸発器に移送する
    ものにおいて、上記移送に液面差を利用するため
    に上記収集槽を上記液溜の上記冷媒の液面より高
    い液面となるように配設したことを特徴とする半
    導体装置用沸騰冷却装置。
JP16960284U 1984-11-08 1984-11-08 半導体装置用沸騰冷却装置 Granted JPS6099545U (ja)

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JP16960284U JPS6099545U (ja) 1984-11-08 1984-11-08 半導体装置用沸騰冷却装置

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JP16960284U JPS6099545U (ja) 1984-11-08 1984-11-08 半導体装置用沸騰冷却装置

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Publication Number Publication Date
JPS6099545U JPS6099545U (ja) 1985-07-06
JPS6130294Y2 true JPS6130294Y2 (ja) 1986-09-05

Family

ID=30370483

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JP16960284U Granted JPS6099545U (ja) 1984-11-08 1984-11-08 半導体装置用沸騰冷却装置

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JPS6099545U (ja) 1985-07-06

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