JPS6129919A - 電流可変型定電流回路 - Google Patents
電流可変型定電流回路Info
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- JPS6129919A JPS6129919A JP15055284A JP15055284A JPS6129919A JP S6129919 A JPS6129919 A JP S6129919A JP 15055284 A JP15055284 A JP 15055284A JP 15055284 A JP15055284 A JP 15055284A JP S6129919 A JPS6129919 A JP S6129919A
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- JP
- Japan
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- current
- voltage
- constant
- load
- circuit
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
- G05F3/02—Regulating voltage or current
- G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
- G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
- G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
- G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
- G05F3/22—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the bipolar type only
- G05F3/222—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the bipolar type only with compensation for device parameters, e.g. Early effect, gain, manufacturing process, or external variations, e.g. temperature, loading, supply voltage
- G05F3/227—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the bipolar type only with compensation for device parameters, e.g. Early effect, gain, manufacturing process, or external variations, e.g. temperature, loading, supply voltage producing a current or voltage as a predetermined function of the supply voltage
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、各種信号処理回路の出力信号の種別を判断す
る為に発光素子を発光さす発光素子駆動回路の改良に関
する。
る為に発光素子を発光さす発光素子駆動回路の改良に関
する。
発光素子駆動回路において、発光素子を発光さす場合電
源電圧及び負荷インピーダンスの影響を受けず又電流値
を容易に変更出来ることが望ましい。
源電圧及び負荷インピーダンスの影響を受けず又電流値
を容易に変更出来ることが望ましい。
第２図は従来例の発光素子駆動回路の回路図である。
図中１−１〜１−３は発光ダイオード（以下ＬＥＤと称
す）、Ｒ１−１−Ｒ１−３はトランジスタの駆動抵抗、
Ｒ２−１〜Ｒ２−３は電流制限抵抗、Ｔｒｉ−１〜Ｔｒ
ｉ−３はスイッチングトランジスタ、＋Ｖは電源電圧を
示す。
す）、Ｒ１−１−Ｒ１−３はトランジスタの駆動抵抗、
Ｒ２−１〜Ｒ２−３は電流制限抵抗、Ｔｒｉ−１〜Ｔｒ
ｉ−３はスイッチングトランジスタ、＋Ｖは電源電圧を
示す。
第２図の発光素子駆動回路では駆動抵抗Ｒ１−１〜Ｒ１
−３の夫々の一端にルベルの信号が印加されると、夫々
のスイッチングトランジスタＴｒ１−１〜Ｔｒｌ−３は
オンとなり、夫々の電流制限抵抗Ｒ２−１〜Ｒ２−３を
介しＬＥＤＩ−１〜１−３に電流が流れ発光し、信号処
理回路の出力が例えばルベルになったことが判るように
なっている。
−３の夫々の一端にルベルの信号が印加されると、夫々
のスイッチングトランジスタＴｒ１−１〜Ｔｒｌ−３は
オンとなり、夫々の電流制限抵抗Ｒ２−１〜Ｒ２−３を
介しＬＥＤＩ−１〜１−３に電流が流れ発光し、信号処
理回路の出力が例えばルベルになったことが判るように
なっている。
しかしながら、上記の従来の発光素子駆動回路には次に
示す問題点がある。
示す問題点がある。
】、電源電圧の変化及び負荷（発光素子）のインピーダ
ンスが物により変わると流れる電流が変化し発光強度が
変化するので電流制限抵抗を調整せねばならない。
ンスが物により変わると流れる電流が変化し発光強度が
変化するので電流制限抵抗を調整せねばならない。
２、負荷が白熱電球の場合は点灯時にラッシュ電流が流
れスイッチングトランジスタを破壊する恐れがある。
れスイッチングトランジスタを破壊する恐れがある。
３、負荷に流れる電流を変更する場合各電波制限抵抗を
変更せねばならず容易に電流値を変更出来ない。
変更せねばならず容易に電流値を変更出来ない。
上記問題点は、トランジスタのエミッタに抵抗を接続し
、該抵抗の他端を電圧可変型定電圧回路に接続し、該電
圧可変型定電圧回路の他端をアースし、更に該トランジ
スタのコレクタに負荷を接続し、該負荷の他端を電源に
接続した回路構成とし、該トランジスタのベースに印加
された電圧により該負荷に定電流を供給し、且つこの定
電流値を該電圧可変型定電圧回路の入力電圧を可変する
ことにより可変出来るようにした本発明の電流可変型定
電流回路により解決される。
、該抵抗の他端を電圧可変型定電圧回路に接続し、該電
圧可変型定電圧回路の他端をアースし、更に該トランジ
スタのコレクタに負荷を接続し、該負荷の他端を電源に
接続した回路構成とし、該トランジスタのベースに印加
された電圧により該負荷に定電流を供給し、且つこの定
電流値を該電圧可変型定電圧回路の入力電圧を可変する
ことにより可変出来るようにした本発明の電流可変型定
電流回路により解決される。
本発明によれば、トランジスタのベースに印加された電
圧により負荷に定電流を供給し、且つこの定電流値を該
電圧可変型定電圧回路の入力電圧を可変することにより
可変出来るので、電源電圧の変化及び負荷（発光素子）
のインピーダンスが物により変わっても負荷に流れる電
流を一定に出来又ラッシュ電流を持つ負荷に対してもラ
ッシュ電流を制限出来尚又負荷に流れる電流を容易に変
化さすことが出来る。
圧により負荷に定電流を供給し、且つこの定電流値を該
電圧可変型定電圧回路の入力電圧を可変することにより
可変出来るので、電源電圧の変化及び負荷（発光素子）
のインピーダンスが物により変わっても負荷に流れる電
流を一定に出来又ラッシュ電流を持つ負荷に対してもラ
ッシュ電流を制限出来尚又負荷に流れる電流を容易に変
化さすことが出来る。
第１図は本発明の実施例の発光素子駆動回路の回路図で
ある。
ある。
図中Ｒ３−１〜Ｒ３−３は電流制限抵抗、Ｔｒ２は定電
圧トランジスタ、ＲＶはポテンショメータ、＋ｖ１は電
圧を示し、全図を通じ同一符号は同一機能のものを示す
。
圧トランジスタ、ＲＶはポテンショメータ、＋ｖ１は電
圧を示し、全図を通じ同一符号は同一機能のものを示す
。
第１図の回路では、定電圧トランジスタＴｒ２のエミ、
り電圧ＶＥＩはベースに掛かる電圧が一定であれば定電
圧であり、ベースに掛かる電圧が変化すればエミッタ電
圧は変化する。
り電圧ＶＥＩはベースに掛かる電圧が一定であれば定電
圧であり、ベースに掛かる電圧が変化すればエミッタ電
圧は変化する。
ここで負荷に流れる電流を、負荷ＬＥＤ １−１に流れ
る電流ｉを代表例として求めると次の（■）式の如くな
る。
る電流ｉを代表例として求めると次の（■）式の如くな
る。
ｉ＃（ＶＢ２−ＶＥＩ）／Ｒ３１・・・ （Ｉ）但しＶ
Ｂ２はスイッチングトランジスタＴｒｉ−１のエミッタ
電圧であり一定値である。
Ｂ２はスイッチングトランジスタＴｒｉ−１のエミッタ
電圧であり一定値である。
即ち、電流ｉは電源電圧＋■の変化やＬＥＤＩ−１の順
方向の抵抗の変化により変化せず、ＬＥＤｌ−１の順方
向の抵抗の異なる物を使用しても電流制限抵抗Ｒ３−１
を変化さす必要はなく、又負荷がラッシュ電流を持つ場
合でも乏ラッシュ電流を制限出来スイッチングトランジ
スタＴｒｌ−１を破壊することはない。
方向の抵抗の変化により変化せず、ＬＥＤｌ−１の順方
向の抵抗の異なる物を使用しても電流制限抵抗Ｒ３−１
を変化さす必要はなく、又負荷がラッシュ電流を持つ場
合でも乏ラッシュ電流を制限出来スイッチングトランジ
スタＴｒｌ−１を破壊することはない。
定電流ｉを変化さす場合は、ポテンショメータＲＶにて
定電圧トランジスタＴｒ２のベースに掛かる電圧を変化
さすことによりエミッタ電圧ＶＥ■は変化するのでＬＥ
ＤＩ−１〜１−３に流れる定電流を一度に容易に変化さ
すことが出来る。
定電圧トランジスタＴｒ２のベースに掛かる電圧を変化
さすことによりエミッタ電圧ＶＥ■は変化するのでＬＥ
ＤＩ−１〜１−３に流れる定電流を一度に容易に変化さ
すことが出来る。
以上詳細に説明せる如く本発明によれば、電源電圧の変
化及び負荷（発光素子）のインピーダンスが物により変
わっても負荷に流れる電流を一定に出来又ラッシュ電流
を持つ負荷に対してもラッシュ電流を制限出来尚又負荷
に流れる電流を容易に変化さすことが出来る効果がある
。
化及び負荷（発光素子）のインピーダンスが物により変
わっても負荷に流れる電流を一定に出来又ラッシュ電流
を持つ負荷に対してもラッシュ電流を制限出来尚又負荷
に流れる電流を容易に変化さすことが出来る効果がある
。
第１図は本発明の実施例の発光素子駆動回路の回路図、
第２図は従来例の発光素子駆動回路の回路図である。
図において、
Ｒ１−１〜Ｒ１−３は駆動抵抗、
Ｒ２−ＩＡ−３，Ｒ３−１〜Ｒ３−３は電流制限抵抗、
１−１〜１−３は発光ダイオード
Ｔｒｉ−１〜Ｔｒｉ−３はスイソチングトランジスタ、
Ｔｒ２は定電圧トランジスタ、
ＲＶはポテンショメータ、
十Ｖは電源電圧を示す。
Claims (1)
- トランジスタのエミッタに抵抗を接続し、該抵抗の他端
を電圧可変型定電圧回路に接続し、該電圧可変型定電圧
回路の他端をアースし、更に該トランジスタのコレクタ
に負荷を接続し、該負荷の他端を電源に接続した回路構
成とし、該トランジスタのベースに印加された電圧によ
り該負荷に定電流を供給し、且つこの定電流値を該電圧
可変型定電圧回路の入力電圧を可変することにより可変
出来るようにしたことを特徴とする電流可変型定電流回
路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15055284A JPS6129919A (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | 電流可変型定電流回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15055284A JPS6129919A (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | 電流可変型定電流回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6129919A true JPS6129919A (ja) | 1986-02-12 |
Family
ID=15499368
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15055284A Pending JPS6129919A (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | 電流可変型定電流回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6129919A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01290587A (ja) * | 1988-05-16 | 1989-11-22 | Nippon Mining Co Ltd | 化合物半導体単結晶の製造方法 |
| EP1116937A1 (en) * | 2000-01-10 | 2001-07-18 | Phone-Or Limited | Optical microphone/sensor |
-
1984
- 1984-07-20 JP JP15055284A patent/JPS6129919A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01290587A (ja) * | 1988-05-16 | 1989-11-22 | Nippon Mining Co Ltd | 化合物半導体単結晶の製造方法 |
| EP1116937A1 (en) * | 2000-01-10 | 2001-07-18 | Phone-Or Limited | Optical microphone/sensor |
| US6603105B2 (en) | 2000-01-10 | 2003-08-05 | Phone-Or Ltd. | Smart optical microphone/sensor |
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