JPS61296023A - 半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物 - Google Patents
半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物Info
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- JPS61296023A JPS61296023A JP60136190A JP13619085A JPS61296023A JP S61296023 A JPS61296023 A JP S61296023A JP 60136190 A JP60136190 A JP 60136190A JP 13619085 A JP13619085 A JP 13619085A JP S61296023 A JPS61296023 A JP S61296023A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野１
本発明は半導体装置封ＩＬ用エポキシ樹脂組成物に関し
、更に詳しくは、優れた耐熱衝撃性及び耐湿性を有する
硬化物を与える半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物に
関する。
、更に詳しくは、優れた耐熱衝撃性及び耐湿性を有する
硬化物を与える半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物に
関する。
［発明の技術的背景とその問題点］
近年、半導体装置の封＋ｆ−に関する分野においては、
半導体素子の高集積化に伴って、素子−Ｉ−の各種機能
単位の細密化、素子ペレット自体の大型化が急速に進ん
でいる。これらの素子ペレットの変化により封止用樹脂
も従来の封１１〜用樹脂では耐熱衝撃性等の要求が満足
できなくなってきた。従来、半導体装置の封１に用樹脂
として用いられている、フェノールノボラック樹脂で硬
化させたエポキシ樹脂組成物は吸湿性、高温電気特性、
成形性などが優れ、モールド用樹脂の主流となっている
。
半導体素子の高集積化に伴って、素子−Ｉ−の各種機能
単位の細密化、素子ペレット自体の大型化が急速に進ん
でいる。これらの素子ペレットの変化により封止用樹脂
も従来の封１１〜用樹脂では耐熱衝撃性等の要求が満足
できなくなってきた。従来、半導体装置の封１に用樹脂
として用いられている、フェノールノボラック樹脂で硬
化させたエポキシ樹脂組成物は吸湿性、高温電気特性、
成形性などが優れ、モールド用樹脂の主流となっている
。
しかし、この系統の樹脂組成物を用いて大型で、かつ微
細な表面構造を有する素子ペレットを封１１ニすると、
素子ペレット表面のアルミニウム（Ａ交） ハターンを
保護するための被覆材であるリンケイ酸ガラス（ＰＳＧ
） ＩＩＩや窒化ケイ素（ＳｉＮ）膜に割れを生じたり
、素子ペレットに割れを生じたりする。特に冷熱サイク
ル試験を実施した場合に、その傾向が非常に大きい。そ
の結果、ぺ１／ット割れによる素子特性の不良や保護膜
の割れに起因する ＬＱパターンの腐食による不良など
を生じる。
細な表面構造を有する素子ペレットを封１１ニすると、
素子ペレット表面のアルミニウム（Ａ交） ハターンを
保護するための被覆材であるリンケイ酸ガラス（ＰＳＧ
） ＩＩＩや窒化ケイ素（ＳｉＮ）膜に割れを生じたり
、素子ペレットに割れを生じたりする。特に冷熱サイク
ル試験を実施した場合に、その傾向が非常に大きい。そ
の結果、ぺ１／ット割れによる素子特性の不良や保護膜
の割れに起因する ＬＱパターンの腐食による不良など
を生じる。
その対策としては、封１１〜樹脂の内部封入物に対する
応力を小さくし、かつ」ｅｔ ＋ト樹脂と素−ｒ１゜の
ＰＳＧ膜やＳｉＮ膜などのガラス膜との密着性を犬き
くする必要がある。しかも、硬化物については、素子表
面のＡＭパターンの腐食を極力防１１〜するために、加
水分解性のハロゲン化合物、特に塩素濃度を低くおさえ
、かつ吸湿時や高温時の電気絶縁性能を高レベルに保つ
必要がある。
応力を小さくし、かつ」ｅｔ ＋ト樹脂と素−ｒ１゜の
ＰＳＧ膜やＳｉＮ膜などのガラス膜との密着性を犬き
くする必要がある。しかも、硬化物については、素子表
面のＡＭパターンの腐食を極力防１１〜するために、加
水分解性のハロゲン化合物、特に塩素濃度を低くおさえ
、かつ吸湿時や高温時の電気絶縁性能を高レベルに保つ
必要がある。
［発明の■的］
本発明の目的は、１〜記した欠点の解消にあり、優れた
ｍｌ熱衝撃性及び耐湿性を有する硬化物を与える半導体
装置側１１〜用エボキシ樹１指組成物を１に供すること
である。
ｍｌ熱衝撃性及び耐湿性を有する硬化物を与える半導体
装置側１１〜用エボキシ樹１指組成物を１に供すること
である。
［発明の概要］
本発明の半導体装置側市川エポキシ樹脂組成物は、
（ａ）エポキシ樹１１旨 １００千
Ｆ、１部（ｈ）ノボラック型フェノール樹脂 １０〜５
０東ｔＩｉ部（ｃ）フェノールアラルギル樹脂 １０
〜５０屯ｌｉｔ部（ｄ）架橋ボリスチＩ／ン
１〜４０屯Ｍ部からなることを特徴とする。
Ｆ、１部（ｈ）ノボラック型フェノール樹脂 １０〜５
０東ｔＩｉ部（ｃ）フェノールアラルギル樹脂 １０
〜５０屯ｌｉｔ部（ｄ）架橋ボリスチＩ／ン
１〜４０屯Ｍ部からなることを特徴とする。
本発明に係る組成物中の一成分であるエポキシ樹脂（ａ
）は、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ノボ
ランク型エポキシ樹脂、脂環型エポキシ樹脂、グリシジ
ルエステルηＩエポキシ樹脂が挙げられ、これらを組み
合わせても良い。これらのエポキシ樹脂の旦体例として
は、ＥＯＣＮ−１０２３（ｒｌ木化薬■、軟化点７４℃
、エポキシ′Ｉ／ｌ１１１２１５）、ＥＣＮ−１２７３
（チパガイキー社、軟化点７３°Ｃ、エポキシ当１ｌｔ
２３ｏ）、ＥＰＰＮ−２０１（１１本化薬■、軟化点６
５℃、エポキシ４％１１８１）、エピコー）ｆｏｏｌ（
シェル化学、軟化点７０℃、エポキシ当ｌ ４７５）、
チッソノンクス２０１（チッソ■、粘度＋９００ｃｐｓ
（２５℃）、エポキシ当￥１５４）、チッソノンクス
２８９（チンソ■、粘度８７０ＣＰｓ（２５°Ｃ）、
エポキシ当量：２１９）などが挙げられる。上記エポキ
シ樹脂の中でも、軟化点６０〜１００℃を有するものが
好ましく、特に好ましくは７０〜８５℃を有するもので
ある。また、エポキシ当量１００〜３００を有するもの
が好ましく、特に好ましくは １７５〜２２０を有する
ものである。
）は、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ノボ
ランク型エポキシ樹脂、脂環型エポキシ樹脂、グリシジ
ルエステルηＩエポキシ樹脂が挙げられ、これらを組み
合わせても良い。これらのエポキシ樹脂の旦体例として
は、ＥＯＣＮ−１０２３（ｒｌ木化薬■、軟化点７４℃
、エポキシ′Ｉ／ｌ１１１２１５）、ＥＣＮ−１２７３
（チパガイキー社、軟化点７３°Ｃ、エポキシ当１ｌｔ
２３ｏ）、ＥＰＰＮ−２０１（１１本化薬■、軟化点６
５℃、エポキシ４％１１８１）、エピコー）ｆｏｏｌ（
シェル化学、軟化点７０℃、エポキシ当ｌ ４７５）、
チッソノンクス２０１（チッソ■、粘度＋９００ｃｐｓ
（２５℃）、エポキシ当￥１５４）、チッソノンクス
２８９（チンソ■、粘度８７０ＣＰｓ（２５°Ｃ）、
エポキシ当量：２１９）などが挙げられる。上記エポキ
シ樹脂の中でも、軟化点６０〜１００℃を有するものが
好ましく、特に好ましくは７０〜８５℃を有するもので
ある。また、エポキシ当量１００〜３００を有するもの
が好ましく、特に好ましくは １７５〜２２０を有する
ものである。
この（ａ）成分には、好ましくは、エポキシ樹脂１００
重は部に対して、３０重！五％までの難燃エポキシ樹脂
を加えることで、構成される。
重は部に対して、３０重！五％までの難燃エポキシ樹脂
を加えることで、構成される。
本発明に係るノボラック型フェノール樹脂（ｂ）は （
ａ）成分のエポキシ樹脂の硬化剤として作用するもので
あり、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレツール
ノポラック樹脂などのフェノール性水酸基を２側型−１
〜有するものが挙げられる。前記ノボラック型フェノー
ル樹脂の中でも、軟化点６０〜１２０℃を有するものが
好ましく、特に好ましくは９０〜１００℃を有するもの
であり、水酸基当φ １００〜１５０を有するものが好
ましく、特に好ましくは １００〜１１０を有するもの
である。
ａ）成分のエポキシ樹脂の硬化剤として作用するもので
あり、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレツール
ノポラック樹脂などのフェノール性水酸基を２側型−１
〜有するものが挙げられる。前記ノボラック型フェノー
ル樹脂の中でも、軟化点６０〜１２０℃を有するものが
好ましく、特に好ましくは９０〜１００℃を有するもの
であり、水酸基当φ １００〜１５０を有するものが好
ましく、特に好ましくは １００〜１１０を有するもの
である。
この （ｂ）成分の配合割合が１０重量部未満では１〜
分な成形品の硬さが得られず、５０重量部を超えると十
分な耐湿性が得られない。好ましくは２０〜４０重埴部
である。
分な成形品の硬さが得られず、５０重量部を超えると十
分な耐湿性が得られない。好ましくは２０〜４０重埴部
である。
本発明に係るフェノールアラルキル樹脂（ｃ）はアラル
キルエーテルとフェノールとをフリーデル−クラフッ触
媒で反応させた樹脂で、フリーデルクラフッ型樹脂とも
呼ばれる。α、α′−ジメトキシーｐ−キシレンとフェ
ノールの縮合重合化合物が良く知られている （プラス
チックス３４巻、 ２号、８５頁）。旦体的には、ＸＬ
−２２５（アミ井東圧化学■、軟化点＝８５〜１０５℃
） 、 ＸＹＬＯＫ−２２５（アルブライトアンドウィ
ルンン林、軟化点＝８５℃〜＋０５’Ｏ）などが挙げら
れる。これらフェノールアラルキル樹脂の中でも軟化点
９０℃〜１２０°Ｃを有するものが好ましく、特に好ま
しくは８５℃〜１０５℃を有するものであり、水酸基当
酸は １９５〜２３５を有するものが々了ましい。
キルエーテルとフェノールとをフリーデル−クラフッ触
媒で反応させた樹脂で、フリーデルクラフッ型樹脂とも
呼ばれる。α、α′−ジメトキシーｐ−キシレンとフェ
ノールの縮合重合化合物が良く知られている （プラス
チックス３４巻、 ２号、８５頁）。旦体的には、ＸＬ
−２２５（アミ井東圧化学■、軟化点＝８５〜１０５℃
） 、 ＸＹＬＯＫ−２２５（アルブライトアンドウィ
ルンン林、軟化点＝８５℃〜＋０５’Ｏ）などが挙げら
れる。これらフェノールアラルキル樹脂の中でも軟化点
９０℃〜１２０°Ｃを有するものが好ましく、特に好ま
しくは８５℃〜１０５℃を有するものであり、水酸基当
酸は １９５〜２３５を有するものが々了ましい。
この（ｃ）成分の配合割合が１０重縫部未満では十分な
耐熱衝撃性が得にくく、５０重品部を超えると粘度が高
くなり成形性が悪くなる。好ましくは２０〜４０重量部
である。また、 （ｂ）成分及び（ｃ）成分の配合割合
は、（ｂ）及び（ｃ）の合計量が（ａ）成分 １００重
醍部に対し、５０〜９０重量部の範囲で加えることが好
ましい。この合計酸の配合割合が５０重間部未満の場合
には、樹脂硬化物の強度が弱くなり、９０重縫部を超え
ると月１１〜樹脂の耐湿性が低下する。
耐熱衝撃性が得にくく、５０重品部を超えると粘度が高
くなり成形性が悪くなる。好ましくは２０〜４０重量部
である。また、 （ｂ）成分及び（ｃ）成分の配合割合
は、（ｂ）及び（ｃ）の合計量が（ａ）成分 １００重
醍部に対し、５０〜９０重量部の範囲で加えることが好
ましい。この合計酸の配合割合が５０重間部未満の場合
には、樹脂硬化物の強度が弱くなり、９０重縫部を超え
ると月１１〜樹脂の耐湿性が低下する。
本発明に係る架橋ポリスチレン（ｄ）は、ポリスチレン
であって、架橋したものとして一般に知られているもの
であればいかなるものであってもよく、例えば、ジビニ
ルベンゼンとスチレン、α−メチルスチレン、ビニルト
ルエン、ｔ−ブチルスチレン等とのスチレン系共重合体
：これらスチレン系共重合体の鎖中にブタジェン、イソ
プレン、エチレン、ブチレン、アクリロニトリル等の重
合体鎖な有するブロック共重合体が挙げられる。この具
体例としては、ミクロパールＳＰ （積木化学■）ダイ
ヤイオン（三菱化成■、スチレン、ジビニルベンゼン架
橋重合体）、ファインパール３０００Ｐ（住友化学■、
スチレン、ジビニルベンゼン架橋重合体）、フィンパー
ル３０００Ｆ（住友化学■、スチレン、ジビニルベンゼ
ン架橋重合体）が挙げられる。この（ｄ）成分は成形性
の面から平均粒径０．２〜３０戸のものが好ましく、更
に好ましくは １．０〜１２戸のものである。
であって、架橋したものとして一般に知られているもの
であればいかなるものであってもよく、例えば、ジビニ
ルベンゼンとスチレン、α−メチルスチレン、ビニルト
ルエン、ｔ−ブチルスチレン等とのスチレン系共重合体
：これらスチレン系共重合体の鎖中にブタジェン、イソ
プレン、エチレン、ブチレン、アクリロニトリル等の重
合体鎖な有するブロック共重合体が挙げられる。この具
体例としては、ミクロパールＳＰ （積木化学■）ダイ
ヤイオン（三菱化成■、スチレン、ジビニルベンゼン架
橋重合体）、ファインパール３０００Ｐ（住友化学■、
スチレン、ジビニルベンゼン架橋重合体）、フィンパー
ル３０００Ｆ（住友化学■、スチレン、ジビニルベンゼ
ン架橋重合体）が挙げられる。この（ｄ）成分は成形性
の面から平均粒径０．２〜３０戸のものが好ましく、更
に好ましくは １．０〜１２戸のものである。
この （ｄ）成分の配合割合が１電融部未渦の場合にＬ
］、充分な耐熱衝撃性が得られず、４０重量部を超える
と粘度の著しい上Ａを招いて成形性が低下する。
］、充分な耐熱衝撃性が得られず、４０重量部を超える
と粘度の著しい上Ａを招いて成形性が低下する。
なお、本発明の組成物は、必要に応じて、イミダゾール
もしくはその誘導体、第三アミン系誘導体、ホスフィン
誘導体、シクロアミジン誘導体などの硬化促進剤；ジル
コン、シリカ、溶融石英ガラス、アルミナ、水酸化アル
ミニウム、ガラス、石英ガラス、ケイ酸カルシウム、石
ロウ、炭酸カルシウム、マグネサイト、クレー、カオリ
ン、タルク、鉄粉、銅粉、マイカ、アスベスト、炭化珪
素、窒化ホウ素、二酪化モリブデン、鉛化合物、鉛酸化
物、亜鉛華、チタン白、カーボンブラックなどの充填剤
；高級脂肪酸、ワックス類などの離型剤；エポキシシラ
ン、ビニルシラン、アミノシラン、ポラン系化合物、ア
ルコキシチタネート系化合物、アルミキレート系化合物
などのカップリング剤；アンチモン、燐化合物、臭素や
塩素を含む公知の難燃化剤が配合されてもよい。又、耐
熱衝撃性等の改良目的でシリコーンオイルなど各種の改
良剤を添加してもよい。
もしくはその誘導体、第三アミン系誘導体、ホスフィン
誘導体、シクロアミジン誘導体などの硬化促進剤；ジル
コン、シリカ、溶融石英ガラス、アルミナ、水酸化アル
ミニウム、ガラス、石英ガラス、ケイ酸カルシウム、石
ロウ、炭酸カルシウム、マグネサイト、クレー、カオリ
ン、タルク、鉄粉、銅粉、マイカ、アスベスト、炭化珪
素、窒化ホウ素、二酪化モリブデン、鉛化合物、鉛酸化
物、亜鉛華、チタン白、カーボンブラックなどの充填剤
；高級脂肪酸、ワックス類などの離型剤；エポキシシラ
ン、ビニルシラン、アミノシラン、ポラン系化合物、ア
ルコキシチタネート系化合物、アルミキレート系化合物
などのカップリング剤；アンチモン、燐化合物、臭素や
塩素を含む公知の難燃化剤が配合されてもよい。又、耐
熱衝撃性等の改良目的でシリコーンオイルなど各種の改
良剤を添加してもよい。
本発明の半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物は、例え
ば、集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、サイリ
スタ、ダイオードの封正に適用して優れた効果を発揮す
るものである。
ば、集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、サイリ
スタ、ダイオードの封正に適用して優れた効果を発揮す
るものである。
つぎに１本発明の半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物
の製造方法について述べる。
の製造方法について述べる。
本発明の組成物は、上記した各成分を、加熱ロールによ
る溶融混線、ニーダ−による溶融混練、押出機による溶
融混線、微粉砕後の特殊混合機による混合及びこれらの
各方法の適宜な組合せによって容易に製造することがで
きる。
る溶融混線、ニーダ−による溶融混練、押出機による溶
融混線、微粉砕後の特殊混合機による混合及びこれらの
各方法の適宜な組合せによって容易に製造することがで
きる。
なお、本発明の組成物を用いて封止した樹脂側止型半導
体装置は、常用の方法を用いて容易に製造することがで
きる。この封１Ｆの最も一般的な方法としては、低圧ト
ランスファー成形法があるが、インジェクション成形、
圧縮成形、注型などによる封止も可能である。エポキシ
樹脂組成物は封止の際に加熱して硬化させ、最終的には
この組成物の硬化物によって封止された樹脂封１に型半
導体装置を得ることができる。硬化に際しては、 １５
０℃以上に加熱することが望ましい。
体装置は、常用の方法を用いて容易に製造することがで
きる。この封１Ｆの最も一般的な方法としては、低圧ト
ランスファー成形法があるが、インジェクション成形、
圧縮成形、注型などによる封止も可能である。エポキシ
樹脂組成物は封止の際に加熱して硬化させ、最終的には
この組成物の硬化物によって封止された樹脂封１に型半
導体装置を得ることができる。硬化に際しては、 １５
０℃以上に加熱することが望ましい。
以下において、実施例及び比較例を掲げ、本発明を更に
詳しく説明する。
詳しく説明する。
なお、実施例及び比較例中、「部」は全て「重量部」を
示す。
示す。
［発明の実施例１
）Ｌ権−例１
オルトクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（軟化点７
１”Ｃ，エポキシ当量２１０） １００部、ブロム化フ
ェノールノポラックエボキシ樹脂（臭素含有量３０％、
軟化点８７℃、エポキシ当量２９０）１５部、フェノー
ルノボラック樹脂（軟化点９０℃、水酸基当Ｍ１０４）
５０部、フェノールアラルキル樹脂としてＸＬ−２２５
（三井東圧化学■、軟化点９０℃、水酸基当量１１１８
）２２部、架橋ポリスチレンとしてファインパール３０
００Ｆ（住友化学株）１０部、更に硬化促進剤としてカ
ルナバワックス １．２部、着色剤としてカーボン粉末
１．８部、充填剤と］７て溶融シリカ粉４５０部、難
燃助剤として三酸化アンチモン粉末１１部、充填剤と樹
脂とのカップリング剤２．５部を配合し、７０〜１００
℃の一輔ロールで混練し、冷却粉砕し、タブレット化し
て本発明の半導体装置用１Ｆ用エポキシ樹脂組成物を得
た。
１”Ｃ，エポキシ当量２１０） １００部、ブロム化フ
ェノールノポラックエボキシ樹脂（臭素含有量３０％、
軟化点８７℃、エポキシ当量２９０）１５部、フェノー
ルノボラック樹脂（軟化点９０℃、水酸基当Ｍ１０４）
５０部、フェノールアラルキル樹脂としてＸＬ−２２５
（三井東圧化学■、軟化点９０℃、水酸基当量１１１８
）２２部、架橋ポリスチレンとしてファインパール３０
００Ｆ（住友化学株）１０部、更に硬化促進剤としてカ
ルナバワックス １．２部、着色剤としてカーボン粉末
１．８部、充填剤と］７て溶融シリカ粉４５０部、難
燃助剤として三酸化アンチモン粉末１１部、充填剤と樹
脂とのカップリング剤２．５部を配合し、７０〜１００
℃の一輔ロールで混練し、冷却粉砕し、タブレット化し
て本発明の半導体装置用１Ｆ用エポキシ樹脂組成物を得
た。
得られた組成物を用いて、低圧トランスファー成形機（
１７５℃、 ９０ｋｇ／謳１９０秒）により表面にＰＳ
Ｇ膜を有する大型ペレット評価用試ネ１素子（８ｍｍＸ
８ｍｍ）を封１にした。また合わせてパッシベーショ
ン膜が無い表面にＡＪ配線層が出た。同一べ１／ツトサ
イズの素子を用いて月１トを行なった。
１７５℃、 ９０ｋｇ／謳１９０秒）により表面にＰＳ
Ｇ膜を有する大型ペレット評価用試ネ１素子（８ｍｍＸ
８ｍｍ）を封１にした。また合わせてパッシベーショ
ン膜が無い表面にＡＪ配線層が出た。同一べ１／ツトサ
イズの素子を用いて月１トを行なった。
得られた試料素子について耐熱衝撃性及び耐温性を評価
するために下記の各試験を行った。結果な表に示す。
するために下記の各試験を行った。結果な表に示す。
耐熱衝撃性試験：試料を一６５℃〜１５０℃の冷熱サイ
クルにかけ、特性不良を測定した。測定後ＰＳＧ層を有
する素子及び表面Ａｎ配線層素Ｔ−成形品を発煙硝酸を
用いて成形した樹脂を溶かし去り、れぞれＰＳＧ膜のク
ラックの有無及びＡｎ配線層のｌ移動μをＩＡ微鏡で観
察した。
クルにかけ、特性不良を測定した。測定後ＰＳＧ層を有
する素子及び表面Ａｎ配線層素Ｔ−成形品を発煙硝酸を
用いて成形した樹脂を溶かし去り、れぞれＰＳＧ膜のク
ラックの有無及びＡｎ配線層のｌ移動μをＩＡ微鏡で観
察した。
耐湿劣化試験： Ａ文配線腐食測定用素子の月１１〜品
を２．５気圧の飽和水蒸気中に各試験時間さらし、Ａ文
腐食による断線不良にて良否を判定した。
を２．５気圧の飽和水蒸気中に各試験時間さらし、Ａ文
腐食による断線不良にて良否を判定した。
又、その他構造の諸性性として、体積抵抗率、ガラス転
移点及び曲げ弾性率の試験を行った。
移点及び曲げ弾性率の試験を行った。
体積抵抗率： ＪＩＳ Ｋ−６９１１に準じて １７５
℃で３分のトランスファー成形後、アフターキュアー（
１７５℃、 ８時間）処理したサンプルを用いて行った
。測定条件は、ｎｃ５００Ｖ印加、 １分値で測定温度
１５０℃での体積抵抗率の値を示した。
℃で３分のトランスファー成形後、アフターキュアー（
１７５℃、 ８時間）処理したサンプルを用いて行った
。測定条件は、ｎｃ５００Ｖ印加、 １分値で測定温度
１５０℃での体積抵抗率の値を示した。
ガラス転移点：前記した同様の成形〜処理を行ったサン
プルを ５璽＠Ｘ ２０部腸の角柱を切り出し、熱膨張
測定機を用いて、宵温５℃でガラス転移点の測定を行っ
た。
プルを ５璽＠Ｘ ２０部腸の角柱を切り出し、熱膨張
測定機を用いて、宵温５℃でガラス転移点の測定を行っ
た。
曲げ弾性率： ＪＩＳ Ｋ−６９１１に準じて、前記し
た同様の成形〜処理サンプルを用いて行った。
た同様の成形〜処理サンプルを用いて行った。
１０口
架橋ポリスチレンとしてファインパール３０００Ｆ１０
部に代えてファインパール３０００Ｆ ５部及び充填
剤として溶融シリカ粉４５０部に代えて溶融シリカ粉４
５５部を用いた以外は、実施例１と同様にして本発明の
組成物を調製し、評価試験を行った。結果を表に示す。
部に代えてファインパール３０００Ｆ ５部及び充填
剤として溶融シリカ粉４５０部に代えて溶融シリカ粉４
５５部を用いた以外は、実施例１と同様にして本発明の
組成物を調製し、評価試験を行った。結果を表に示す。
支ｉ涜」
架橋ポリスチレンとしてファインパール３０００Ｆ１０
部に代えてミクロパール５Ｐ２０８１０部を用いた以外
は、実施例１と同様にして本発明の組成物を調製し、同
様に評価した。結果を表に示す。
部に代えてミクロパール５Ｐ２０８１０部を用いた以外
は、実施例１と同様にして本発明の組成物を調製し、同
様に評価した。結果を表に示す。
１呈１」
架橋ポリスチレンとしてファインパール３０００Ｆ１０
部に代えてエポキシ基を有するダイヤイオン１０部を用
いた以外は、実施例１と同様にして本発明の組成物を調
製し、同様に評価した。結果を表に示す。
部に代えてエポキシ基を有するダイヤイオン１０部を用
いた以外は、実施例１と同様にして本発明の組成物を調
製し、同様に評価した。結果を表に示す。
夫】ｄ殊Ｊ
フェノールノボラック樹脂を４０部と、フェノールアル
キル樹脂を４０部とした以外は、実施例１と同様にして
本発明の組成物を調製し、同様に評価した。結果を表に
示す。
キル樹脂を４０部とした以外は、実施例１と同様にして
本発明の組成物を調製し、同様に評価した。結果を表に
示す。
↓ｆＪＬｌｆｆｉ口
架橋ポリスチレン及びフェノールアラルキル樹脂ヲ用い
ず、フェノールノボラック樹脂を５８部に増量した以外
は、実施例１と同様にして比較用の組成物を調製し、同
様に評価した。結果を表に示す。
ず、フェノールノボラック樹脂を５８部に増量した以外
は、実施例１と同様にして比較用の組成物を調製し、同
様に評価した。結果を表に示す。
ル１ｄ汁ヱ
架橋ポリスチレンを用いなかった以外は、実施例１と同
様にして比較用の組成物を調製し、同様に評価した。結
果を表に示す。
様にして比較用の組成物を調製し、同様に評価した。結
果を表に示す。
肪較１」
フェノールアラルキル樹脂２２部を用いず、フェノール
ノボラック樹脂を５６部に増量した以外は、実施例１と
同様にして比較用の組成物を調製し、同様に評価した。
ノボラック樹脂を５６部に増量した以外は、実施例１と
同様にして比較用の組成物を調製し、同様に評価した。
結果を表に示す。
［発明の効果］
以上に詳述した通り、本発明の半導体装Ｍ月１に用エポ
キシ樹脂組成物は、得られる硬化物の一般特性を決める
体積抵抗率、曲げ弾性率及びガラス転移点を損なうこと
なく、優れた耐熱輯撃性及び耐熱性を有するものであり
、そのＴ業的価値は極めて大である。
キシ樹脂組成物は、得られる硬化物の一般特性を決める
体積抵抗率、曲げ弾性率及びガラス転移点を損なうこと
なく、優れた耐熱輯撃性及び耐熱性を有するものであり
、そのＴ業的価値は極めて大である。
Claims (2)
- （１）（ａ）エポキシ樹脂１００重量部 （ｂ）ノボラック型フェノール樹脂 １０〜５０重量部 （ｃ）フェノールアラルキル樹脂 １０〜５０重量部 （ｄ）架橋ポリスチレン１〜４０重量部 からなることを特徴とする半導体装置封止用エポキシ樹
脂組成物。 - （２）（ｂ）と（ｃ）の配合割合が、その合計量で５０
〜９０重量部である特許請求の範囲第１項記載の組成物
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60136190A JPS61296023A (ja) | 1985-06-24 | 1985-06-24 | 半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60136190A JPS61296023A (ja) | 1985-06-24 | 1985-06-24 | 半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61296023A true JPS61296023A (ja) | 1986-12-26 |
Family
ID=15169447
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60136190A Pending JPS61296023A (ja) | 1985-06-24 | 1985-06-24 | 半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61296023A (ja) |
-
1985
- 1985-06-24 JP JP60136190A patent/JPS61296023A/ja active Pending
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