JPS61294836A - 集積回路の製造方法 - Google Patents
集積回路の製造方法Info
- Publication number
- JPS61294836A JPS61294836A JP13563285A JP13563285A JPS61294836A JP S61294836 A JPS61294836 A JP S61294836A JP 13563285 A JP13563285 A JP 13563285A JP 13563285 A JP13563285 A JP 13563285A JP S61294836 A JPS61294836 A JP S61294836A
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- JP
- Japan
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- wiring
- wiring conductor
- conductor
- conductors
- contact hole
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- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は集積回路の製造方法に関し、特に１つの配線に
対して、複数の配線から選択して接続する構造を有する
集積回路の製造方法に関する。
対して、複数の配線から選択して接続する構造を有する
集積回路の製造方法に関する。
従来、几Ｑ Ｍ （ｒｅａｄ ｏｎｌｙ ｍａｎｏｒｙ
）等では最終段階で一つの配線に対して複数の配線か
ら選択した配線を接続し希望の特性を有するＲＯＭを形
成する方法が採用されている。
）等では最終段階で一つの配線に対して複数の配線か
ら選択した配線を接続し希望の特性を有するＲＯＭを形
成する方法が採用されている。
この種の集積回路の製造にあたっては、通常選択される
複数の導体の上に絶縁物を置き、その選択される導体全
てにコンタクトホールを設ケ、ソのコンタクトホールに
一つの配線から選択する配線導体を伸ばし接続する方法
がとられている。
複数の導体の上に絶縁物を置き、その選択される導体全
てにコンタクトホールを設ケ、ソのコンタクトホールに
一つの配線から選択する配線導体を伸ばし接続する方法
がとられている。
ｍ２図（ａ）、 （ｂ）は従来の製造方法による集積回
路の一例の要部マスクパターンを示す平面図及び断面図
である。
路の一例の要部マスクパターンを示す平面図及び断面図
である。
第２図（ａ）、 （ｂ）において、一つの選択する側の
配線導体１３は配線幅が１０μｍとなっており、一方、
三つの選択される側の配線導体７，８．９は配線幅が１
２μｍでそれぞれに縦×横が６μｍのコンタクトホール
領域１０，１１．１２を有している。従来の製造方法で
は、三つの選択される側の配線導体の全てにコンタクト
ホール’ｌしているので１つの選択する側の配線導体１
３を三つの選択される側の配線導体より選択した配線導
体８に接続する場合、前記コンタクトホール領域１０゜
１２をさけて配置し、前記コンタクトホール領域１１ま
で配線導体１３の一部を延長し、接続する構造になって
いる。なお１４は配線導体の上に設けられた絶縁物であ
る。
配線導体１３は配線幅が１０μｍとなっており、一方、
三つの選択される側の配線導体７，８．９は配線幅が１
２μｍでそれぞれに縦×横が６μｍのコンタクトホール
領域１０，１１．１２を有している。従来の製造方法で
は、三つの選択される側の配線導体の全てにコンタクト
ホール’ｌしているので１つの選択する側の配線導体１
３を三つの選択される側の配線導体より選択した配線導
体８に接続する場合、前記コンタクトホール領域１０゜
１２をさけて配置し、前記コンタクトホール領域１１ま
で配線導体１３の一部を延長し、接続する構造になって
いる。なお１４は配線導体の上に設けられた絶縁物であ
る。
上述した従来の製造方法では、前記配線導体１３は、前
記コンタクトホール１０，１１．１２とは、絶対にある
距離をおいて、設置しなければならず、面積のムダであ
り、集積度が上がらないという欠点があった。
記コンタクトホール１０，１１．１２とは、絶対にある
距離をおいて、設置しなければならず、面積のムダであ
り、集積度が上がらないという欠点があった。
このことは、小型化をめざす集積回路を実現させる場合
の一つの障害となっている。
の一つの障害となっている。
本発明は、上記の如き従来方法における面積のムダを排
除し、高集積度が得られる集積回路の製造方法を提供す
ることを目的とする。
除し、高集積度が得られる集積回路の製造方法を提供す
ることを目的とする。
本発明の集積回路の製造方法は、一つの配線導体に対し
て離間して設けられた複数の配線導体から選択された配
線導体が接続される構造を有する集積回路の製造方法に
おいて、前記選択されるべく設けられた複数の配線導体
上に絶縁物を被覆する工程と、前記複数の導体から一つ
の配線導体に接続すべく選択された導体上にコンタクト
ホールを設ける工程と、前記一つの配線導体を前記コン
タクトホールを縫い前記ｍ数の配線導体を横切って配置
する工程どを含んで構成される。
て離間して設けられた複数の配線導体から選択された配
線導体が接続される構造を有する集積回路の製造方法に
おいて、前記選択されるべく設けられた複数の配線導体
上に絶縁物を被覆する工程と、前記複数の導体から一つ
の配線導体に接続すべく選択された導体上にコンタクト
ホールを設ける工程と、前記一つの配線導体を前記コン
タクトホールを縫い前記ｍ数の配線導体を横切って配置
する工程どを含んで構成される。
次に、本発明の実施例を図面を参照して説明する。第１
図（ａ）、 （ｂ）は本発明の一実施例を説明するため
のマスクパターンの平面図及び断面図である。
図（ａ）、 （ｂ）は本発明の一実施例を説明するため
のマスクパターンの平面図及び断面図である。
第１図（ａ）、 （ｂ）に示すように、１つの配線導体
５に対し、三つの選択される配線導体１，２．３からな
っている。１つの選択する側の配、＊導体５は、第２図
（ａ）に示したものと同様に配線幅が１０μｍとなって
いる。配線導体５が配線導体２を選択し接続する場合、
配線導体１，２．３上に絶縁膜を形成し、選択される配
線導体２にのみにコンタクトホール４を設けておき、そ
の上に配線導体５を複数の配線導体を横切って形成する
ことにより達成することができる。
５に対し、三つの選択される配線導体１，２．３からな
っている。１つの選択する側の配、＊導体５は、第２図
（ａ）に示したものと同様に配線幅が１０μｍとなって
いる。配線導体５が配線導体２を選択し接続する場合、
配線導体１，２．３上に絶縁膜を形成し、選択される配
線導体２にのみにコンタクトホール４を設けておき、そ
の上に配線導体５を複数の配線導体を横切って形成する
ことにより達成することができる。
本実施例により形成された配線導体は、従来配置されて
いた領域１３を侵略することなく配置することができ、
従来では利用できなかった配線導体１３の形成領域を有
効に利用することができる。
いた領域１３を侵略することなく配置することができ、
従来では利用できなかった配線導体１３の形成領域を有
効に利用することができる。
なおこれまでの説明は、一つの配線に対して三つの配線
から選択する場合について行なったけれ ｄども、本発
明はそれに限定されることなく、任意の複数の選択の場
合にも適用できることはいうまでもない。
から選択する場合について行なったけれ ｄども、本発
明はそれに限定されることなく、任意の複数の選択の場
合にも適用できることはいうまでもない。
以上説明したように、本発明によれば、コンタクトホー
ルを選択された配線導体のみに用意し、一つの配線導体
はそのコンタクトホールを覆って複数の配線導体の上に
その配線導体を横切って形成され、選択はコンタクトホ
ールの有無により決定される構成になっているので、従
来例のように複数の配線導体と離して一つの配線導体を
形成しておく必要はなく、一つの配線導体の占有領域分
だけ面積を縮小させることができる。また選択される配
線導体のみにコンタクト孔かめけられているので絶縁性
も良好に保つことができ、また一つの配線導体の形成と
選択された配線導体との接続が同時に形成できるのでプ
ロセスの増加も起らないという効果が得られる。
ルを選択された配線導体のみに用意し、一つの配線導体
はそのコンタクトホールを覆って複数の配線導体の上に
その配線導体を横切って形成され、選択はコンタクトホ
ールの有無により決定される構成になっているので、従
来例のように複数の配線導体と離して一つの配線導体を
形成しておく必要はなく、一つの配線導体の占有領域分
だけ面積を縮小させることができる。また選択される配
線導体のみにコンタクト孔かめけられているので絶縁性
も良好に保つことができ、また一つの配線導体の形成と
選択された配線導体との接続が同時に形成できるのでプ
ロセスの増加も起らないという効果が得られる。
第１図（ａ）、 （ｂ）は、本発明の一実施例を説明す
るための要部マスクパターンの平面図及び断面図、第２
図（ａ）、 （ｂ）は従来の製造方法を説明するための
集積回路の一例の要部マスクパターンの平面図及び断面
図である。 １．２，３，７，８．９・・・・・・選択される配線導
体、４，１０，１１．１２・・・・・・コンタクトホー
ル、５．１３・・・・・・選択する配線導体、６，１４
・・・・・・絶縁物。 盪択σれ３配梓繕４ 躬 Ｉ 図 Ｉ択ａ収樋叩噂葎 Ｌｂ） 第 ２図
るための要部マスクパターンの平面図及び断面図、第２
図（ａ）、 （ｂ）は従来の製造方法を説明するための
集積回路の一例の要部マスクパターンの平面図及び断面
図である。 １．２，３，７，８．９・・・・・・選択される配線導
体、４，１０，１１．１２・・・・・・コンタクトホー
ル、５．１３・・・・・・選択する配線導体、６，１４
・・・・・・絶縁物。 盪択σれ３配梓繕４ 躬 Ｉ 図 Ｉ択ａ収樋叩噂葎 Ｌｂ） 第 ２図
Claims (1)
- 一つの配線導体に対して離間して設けられた複数の配線
導体から選択された配線導体が接続される構造を有する
集積回路の製造方法において、前記選択されるべく設け
られた複数の配線導体上に絶縁物を被覆する工程と、前
記複数の導体から一つの配線導体に接続すべく選択され
た導体上にコンタクトホールを設ける工程と、前記一つ
の配線導体を前記コンタクトホールを覆い前記複数の配
線導体を横切って配置する工程とを含むことを特徴とす
る集積回路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13563285A JPS61294836A (ja) | 1985-06-21 | 1985-06-21 | 集積回路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13563285A JPS61294836A (ja) | 1985-06-21 | 1985-06-21 | 集積回路の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61294836A true JPS61294836A (ja) | 1986-12-25 |
Family
ID=15156343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13563285A Pending JPS61294836A (ja) | 1985-06-21 | 1985-06-21 | 集積回路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61294836A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5146084A (ja) * | 1974-10-18 | 1976-04-20 | Hitachi Ltd | Handotaisochi |
| JPS5563843A (en) * | 1978-11-06 | 1980-05-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Formation of wiring conductive layer in semiconductor i.c. device |
-
1985
- 1985-06-21 JP JP13563285A patent/JPS61294836A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5146084A (ja) * | 1974-10-18 | 1976-04-20 | Hitachi Ltd | Handotaisochi |
| JPS5563843A (en) * | 1978-11-06 | 1980-05-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Formation of wiring conductive layer in semiconductor i.c. device |
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