JPS61294813A - 液相エピタキシヤル成長用溶液の製造方法 - Google Patents
液相エピタキシヤル成長用溶液の製造方法Info
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 238000004943 liquid phase epitaxy Methods 0.000 title 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 49
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 22
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 2
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13723185A JPS61294813A (ja) | 1985-06-24 | 1985-06-24 | 液相エピタキシヤル成長用溶液の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13723185A JPS61294813A (ja) | 1985-06-24 | 1985-06-24 | 液相エピタキシヤル成長用溶液の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61294813A true JPS61294813A (ja) | 1986-12-25 |
JPH0251249B2 JPH0251249B2 (enrdf_load_html_response) | 1990-11-06 |
Family
ID=15193846
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13723185A Granted JPS61294813A (ja) | 1985-06-24 | 1985-06-24 | 液相エピタキシヤル成長用溶液の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61294813A (enrdf_load_html_response) |
-
1985
- 1985-06-24 JP JP13723185A patent/JPS61294813A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0251249B2 (enrdf_load_html_response) | 1990-11-06 |
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