JPS622528A - 液相エピタキシヤル成長溶液の製造装置 - Google Patents

液相エピタキシヤル成長溶液の製造装置

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JPS622528A
JPS622528A JP14085085A JP14085085A JPS622528A JP S622528 A JPS622528 A JP S622528A JP 14085085 A JP14085085 A JP 14085085A JP 14085085 A JP14085085 A JP 14085085A JP S622528 A JPS622528 A JP S622528A
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JP
Japan
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solution
growth
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reservoir
growth solution
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JP14085085A
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JPH0322689B2 (ja
Inventor
Noriyuki Hirayama
平山 則行
Masaaki Oshima
大島 正晃
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は半導体レーザ等の化合物半導体素子作成におい
て行なわれる液相エピタキシャル成長の液相エピタキシ
ャル成長溶液の製造装置に関する。
従来の技術 従来、液相エピタキシャル成長は半導体レーザ等の化合
物半導体素子作成において広く行なわれているが、成長
の際には必要な半導体材料を所定の量だけ秤量しなけれ
ばならない。この秤量作業は成長毎に行なうとかなりの
手間となるため、第6図に示すような治具を用いて、半
導体材料から一括して多数の成長溶液を製造することが
行なわれている(特開昭59−89411号公報)。第
6図において11は溶液収納治具、12は溶液収納凹部
、13は補助溶液収納治具、14は補助溶液収納部、1
5は溶液溜め、16は成長溶液、17は補助溶液収納治
具用スライド棒、18は溶液溜め用スライド棒である。
第6図を用いて成長溶液の製造工程を説明すると、まず
必要な半導体材料を所定の量だけ溶液溜め16中に仕込
み、飽和温度以上の温度に昇温しで溶解混合し成長溶液
16とする(第6図(a))。この状態で一定時間保っ
たのち、溶液溜用スライド棒18によって溶液溜め16
を補助溶液収納治具13上でスライドさせ、成長溶液1
6の一部を補助溶液収納部14中に分配する(第5図(
b))。次に補助溶液収納治具用スライド棒17によっ
て補助溶液収納部14が溶液収納凹部12上にくるよう
に補助溶液収納治具13をスライドさせ、前工程におけ
る補助溶液収納部14中の成長溶液16の一部を溶液収
納凹部12中に移動させる(第5図(C))。続いて補
助溶液収納治具用スライド棒17により補助溶液収納部
が溶液収納凹部12上外にくるように補助溶液収納治具
13をスライドさせ前述の工程をくシ返して溶液溜め1
6中の成長溶液16を溶液収納凹部12中に分配する。
発明が解決しようとする問題点 以上説明した製造工程では、飽和温度以上の温度に昇温
して一定時間保った際、溶液溜め15中の成長溶液16
が完全には均一に溶解混合しないため、分配される各成
長溶液間で組成のばらつきが生じないように補助溶液収
納部14を介して少量ずつ分配しているが、成長溶液1
6の一部を溶液収納凹部12中へ分配するのに3回のス
ライド工程を要する。すべて分配するにはこの3図のス
ライド工程を何回も繰返さなければならず、成長溶液1
6の量が増すにつれて繰返しも増え、煩雑になる。また
成長溶液16の分配が終了する最後のスライド工程にお
いては必らずしも各補助溶液収納部14中に等量ずつ分
配されないので、結局分配された各成長溶液間でばらつ
きが出るOこれは、これらの成長溶液を用いて行なって
得られる液相エピタキシャル成長層間で膜厚のばらつき
を大きくするため不具合となる。
本発明は以上のような問題点を解決すべく製造工程にお
けるスライド工程を少なくして煩雑さをなくし、それぞ
れ組成が均一かつ重量のばらつきがなく、したがって、
それらを用いて行なって得られる液相エピタキシャル成
長層間で組成及び膜厚が均一となる液相エピタキシャル
成長溶液の製造方法を提供することを目的とする0 問題点を解決するための手段 本発明は複数の溶液収納貫通孔を有する溶液収納治具と
前記溶液収納治具に対して摺動可能で溶液収納治具を上
下からはさみ、該上部及び下部に前記複数の溶液収納貫
通孔に対応する複数の上部費舎貫通孔及び下部凹部を有
し、また溶液溜め中に仕込んだ半導体材料の成長溶液上
ずみを除去する上ずみ除去部と上ずみ受は凹部を有する
基台と、前記基台上で摺動可能で下部に溶液分配用の貫
通孔を有する溶液溜めとを用いて液相エピタキシャル成
長溶液の製造を行なうことにより上記目的を達成するも
のである。
作   用 本発明は上記構成により、基台上で成長溶液を収納した
溶液溜めをスライドする際、特に組成の不均一となって
いる成長溶液上ずみを基台の上ずみ除去部を介して除去
して成長溶液を溶液収納治具の溶液収納貫通孔に分配す
るために、分配された成長溶液間で組成のばらつきをな
くし、かつ溶液収納治具に対して基台をスライドするこ
とによって成長溶液を溶液収納貫通孔の容積いっばいに
確実に収納できるために分配された各成長溶液の重量を
等しくできるようにしたものである。
実施例 以下に図面を参照して本発明の一実施例を詳細に説明す
る。第1図は本発明の一実施例において用いる治具の断
面図である。21は基台、22は溶液収納治具、23は
溶液溜め、24は成長溶液、26は溶液収納治具支持棒
、26は溶液溜めスライド棒、27は基台スライド棒で
ある・製造工程を説明すると、まず第1図に示すような
各位置関係において、溶液溜め23中に必要な半導体材
料を所定の量だけ仕込み飽和温度以上に昇温して溶解混
合し、成長溶液24とする。ここで一定時間保ち成長溶
液の組成が均一となるようにする。一般に成長溶液を大
量に仕込んだ場合、一定時間中には組成が完全には均一
とならず、位置的に特に溶液上部が不均一になっている
。本実施例では以下の工程において説明するように溶液
溜め中の成長溶液を各溶液収納貫通孔へ分配する前に成
長溶液上ずみを除去することによって解決している。
以下の工程を説明すると溶液溜めスライド溝26により
溶液溜め23を第2図に示すごとくスライドさせて基台
21の上板29の貫通孔30’zへて溶液収納治具21
の溶液収納貫通孔及び基台210基板28に設けた凹部
31へ成長溶液を分配するとともに基台21の上ずみ除
去部27によって上ずみは基台21の上ずみ受は凹部2
7へ除去される。第3図は溶液溜め23のスライドが終
了した状態で、図に示すように成長溶液24が分配され
る。このように分配された個々の成長溶液の重量を調べ
て見ると溶液溜め23のスライドスピードや溶液の粘性
により分配量にばらつきが出て型骨を均等に分配できな
い。しかし、本実施例では第4図に示すごとく基台21
を基台スライド棒2γによってスライドし、第3図で分
配された成長溶液の上下部を除去することにより、溶液
収納貫通孔の容積いっばいに満たされた成長溶液を得る
ことができる。以上のようにして得られた各成長溶液は
一様な重量を持ち、しかも前述のように溶液溜め中にあ
る成長溶液の組成が不均一になっている上ずみを除去し
て分配しているので組成もげらつきがなく、これらの成
長溶液を用いた液相エピタキシャル層では膜厚、組成と
も非常に均一なものが得られた。
発明の効果 以上のように本発明は組成の不均一な部分を除去したの
ち成長溶液を分配し、さらに分配された成長溶液の重量
を均等にすることによってこれらを用いた液相エピタキ
シャル成長層における組成・膜厚のばらつきをなくす効
果を有し、製造工程も2回のスライド工程を必要とする
だけで非常に容易にできるものである。
【図面の簡単な説明】
製造工程を説明する図、第5図は従来用いられていた治
具における製造工程を説明する図である。 21・・・・・・基台、22・・・・・・溶液収納治具
、23・・・・・・溶液溜め、24・・・・・・成長溶
液、26・・・・・・溶液収納治具支持棒、26・・・
・・・溶液溜め用スライド棒、27・・・・・・基台ス
ライド棒、28・・・・・・基板、29・・・、・・上
板、3o・・・・・・貫通孔、31・・・・・・凹部。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名If
 −−− 3−一 第51XJI’/− a−−− /l  /2 適濠II又把法具 溶液収則凹節

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)複数の溶液収納貫通孔を有する溶液収納治具と、
    前記溶液収納治具に対して摺動可能で溶液収納治具を上
    下部からはさむ上板と基板を有し、前記上板及び基板の
    前記複数の溶液収納貫通孔に対応する位置に各々複数の
    貫通孔と凹部を設けた基台と、前記上板と基板間を摺動
    可能で溶液分配用の貫通孔を有する溶液溜めを有する液
    相エピタキシャル成長溶液の製造装置。
  2. (2)基台は溶液溜め中に仕込んだ半導体材料の成長溶
    液上ずみを除去する上ずみ除去部を有する特許請求の範
    囲第1項記載の液相エピタキシャル成長溶液の製造装置
JP14085085A 1985-06-27 1985-06-27 液相エピタキシヤル成長溶液の製造装置 Granted JPS622528A (ja)

Priority Applications (1)

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JP14085085A JPS622528A (ja) 1985-06-27 1985-06-27 液相エピタキシヤル成長溶液の製造装置

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JP14085085A JPS622528A (ja) 1985-06-27 1985-06-27 液相エピタキシヤル成長溶液の製造装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS622528A true JPS622528A (ja) 1987-01-08
JPH0322689B2 JPH0322689B2 (ja) 1991-03-27

Family

ID=15278184

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JP14085085A Granted JPS622528A (ja) 1985-06-27 1985-06-27 液相エピタキシヤル成長溶液の製造装置

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JP (1) JPS622528A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9370400B2 (en) 2011-10-19 2016-06-21 Ethicon Endo-Surgery, Inc. Clip applier adapted for use with a surgical robot
US9717504B2 (en) 2005-04-14 2017-08-01 Ethicon Llc Clip applier with migrational resistance features
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US10039548B2 (en) 2011-10-19 2018-08-07 Ethicon Llc Clip applier adapted for use with a surgical robot

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Publication number Publication date
JPH0322689B2 (ja) 1991-03-27

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