JPS61293289A - 時分割駆動用液晶素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 備業上の利用分野〕 本発明は、双安定状態下にある強誘電性液晶素子に関し
、詳しくはフレーム又は１フイ一ルド期間の間書込み状
態を保持させるメモリー駆動方式を用いた時分割駆動用
液晶素子に関する。

〔従来の技術〕

従来の液晶素子としては、例えばエム・シャット（Ｍ、
５ｃｈａｄｔ）　　とダブリュー・ヘルフリツヒ（Ｗ、
　Ｈｅ　ｌ　ｆ　ｒ　ｉ　ｃｈ）著　”アプライド・フ
ィジックス拳しダーズ″（”Ａｐｐｌｉｅｄ　　Ｐｈｙ
ｓｉｃｓ　　Ｌｅｔｔｅｒｓ″）第１８巻、第４号（１
９７１年２月１５日発行）。

第１２７頁〜１２Ｂ頁の″ボルテージ・ディペンダント
・オプティカル・アクティビティ−拳オプ争ア争ツィス
テッド・ネマチック・リキッド・クリスタル″（“Ｖｏ
ｌｔａｇｅ　Ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ　０ｐｔｉｃａｌＡｃ
ｔｉｖｉｔｙ　　ｏｆ　　ａ　　Ｔｗｉｓｔｅｄ　　Ｎ
ｅｍａｔｉｃＬｉｑｕｉｄ　　Ｃｒｙｓｔａｌ″）に示
されたツィステッド争ネマチック（ｔｗｉ　ｓｔ　ｅｄ
　ｎｅｍａｔ　ｉｃ）液晶を用いたものが知られている
。このＴＮ液晶は、画素密度を高くしたマトリクス電極
構造を用いた時分割駆動の時、クロストークを発生する
問題点があるため、画素数が制限されていた。

又、各画素に薄膜トランジスタによるスイッチング素子
を接続し、各画素毎をスイッチングする方式の表示素子
が知られているが、基板上に薄膜トランジスタを形成す
る工程が極めて煩雑な上、大面積の表示素子を作成する
ことが難しい問題点がある。

この様な従来型の液晶素子の欠点を改善するものとして
、クラーク（Ｃｌ　ａ　ｒ　ｋ）とラガウｘＡ、ｔ　（
Ｌａｇｅ　ｒｗａ　ｌ　＋）は、強誘電性液晶の膜厚を
、そのらせんピッチの５倍以下とすることによって、強
誘電性液晶のらせん構造をほどくことができ、その結果
、双安定が発現されることを例えば米国特許第４３６７
９２４号公報等で発表している。

この双安定性を有する液晶としては、一般に、カイラル
スメクテイックＣ相（Ｓ　ｍｃ　”）又はＨ相（ＳｍＨ
”を有する強誘電性液晶が用いられる。

この液晶は電界に対して第１の光学的安定状態と第２の
光学的安定状態からなる双安定状態を有し、従って前述
のＴＮ型の液晶で用いられた光学変調素子とは異なり、
例えば一方の電界ベクトルに対して第１の光学的安定状
態に液晶が配向し、他方の電界ベクトルに対しては第２
の光学的安定状態に液晶が配向される。またこの型の液
晶は、加えられる電界に応答して、極めて速やかに上記
２つの安定状態のいずれかを取り、且つ電界の印加のな
いときはその状態を維持する性質を有する。このような
性質を利用することにより、上述した従来のＴＮ型素子
の問題点の多くに対して、かなり本質的な改善が得られ
る。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかしながら、前述した双安定性を有する液晶素子を用
いて後述するメモリー駆動方式の時分割駆動を行なうと
１画面中の情報信号に応じて書込まれた画素のいくつか
が、書込み時の液晶配列方向から他方の液晶配列方向に
安定配向状態を変えることに基づく書込み画素の反転現
象を生じる問題点があった。これは、例えば。

画面中に「白」信号として書込まれた画素が、「黒」状
態に反転する現象である。この様な反転現象を生じるこ
とは、実際上、ディスプレイ装置にこの強誘電性液晶素
子を適用することを難しくするものであった。

本発明の目的は、前述の反転現象を防止し、情報信号に
応じて書込まれた画素の書込み状態を１フレーム又はｌ
フィールド期間の間保持しうる時分割駆動用液晶素子を
提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕及び〔作用〕本発明は
、対向電極対と、双安定状態下にある下記一般式（Ｉ）
で示された光学活性基をもつ液晶性化合物又はそれを含
有した液晶組成物とを有している画素を複数行に配列し
、該複数行の画素に行毎に書込み信号を印加し、該書込
み信号・を印加した行における画素の書込み状態を、次
の周期の書込み信号が印加されるまでの間保持させる方
式の時分割駆動を行う時分割駆動用液晶素子としたこと
を特徴とするものである。

ＣＨ３ Ｒ−０−ＣＨ−ＣＨ２−（Ｉ） 零 〔上記一般式中Ｒは炭素原子数１〜２０の直鎖状、分岐
状もしくは環状の飽和または不飽和の炭化水素基を示す
、　本は不斉炭素原子を示す、〕 〔実施例〕 一般式（Ｉ）で表わされた光学活性基をもつ液晶性化合
物の具体例を下記に示すが１本発明はこれらに限定され
るわけではない。

上記式中のＲは炭素原子数１〜２０の直鎖状、分岐状ま
たは環状の飽和もしくは不飽和の炭化水素基である。炭
素原子数が２１以上では最終的な機能材料としたときの
粘度やモル体積が増加するため好ましくない、また、好
ましいＨの炭素原子数は４〜１６である。Ｒの具体例と
し″ては直鎖状アルキル基、分岐状アルキル基、シクロ
アルキル基、直鎖状アルケニル基、分岐状アルケニル基
、シクロアルケニル基、直鎖状アルカブイエニル基。

分岐状アルカブイエニル基、シクロアルカブイエニル基
、直鎖状アルカトリエニル基、分岐状アルカトリエニル
基、直鎖状アルキニル基１分岐状アルキニル基、アラル
キル基がある。又、本は不斉炭素原子を示す。

その他、前記一般式（ｒ）で示された光学活性基を導入
したアゾ−、アゾキシ誘導体、環集合炭化水素誘導体、
ｍ合多環式炭化水素誘導体、複素環誘導体、縮合複素環
誘導体、環集合複素環誘導体等を用いることができ、具
体的には、前記一般式（Ｉ）で示された光学活性基を導
入したアゾベンゼン誘導体、アゾキシベンゼン誘導体、
ビフェニル誘導体、ターフェニル誘導体、フェニルシク
ロヘキサン誘導体、安息香酸誘導体、ピリミジン誘導体
、ピラジン誘導体、ピリジン誘導体、スチルベン話導体
、トラン誘導体、カルコン誘導体。

ビシクロヘキサン誘導体、ケイ皮酸誘導体等を液晶化合
物としても用いることができる。

これらの液晶化合物を合成する際に用いる乳酸誘導体は
、下記の方法で合成することができる。

（ａ） ＲＯ−ＣＨＣＨ２０Ｈ 本 （ｂ） 不 （ｅ） （ｂ）　　　　　　　　　　ＲＯ−ＣＨＣＨ２Ｂｒ木 （ｄ） 本 （ｅ） 上記反応式におけるＲＩは炭素数の広い範囲にわたって
選択することが可能であり、具体的にはヨードブタン、
ヨードペンタン、ヨードヘキサン、ヨードへブタン、ヨ
ードオクタン、ヨードノナン、ヨートチカン、ヨードウ
ンデカン、ヨードドデカン、ヨードトリデカン、ヨード
ブトラブカン、ヨードペンタデカン、ヨードヘキサデカ
ン、ヨードヘプタデカン、ヨードオクタデカン、ヨード
ノナデカン、ヨードエイコサン等の直鎖状飽和炭化水素
ヨウ化物；２−ヨードブタン、ｌ−ヨード−２−メチル
プロパン、ｌ−ヨード−３−メチルブタン等の分岐状飽
和炭化水素ヨウ化物；ヨードベンジン、ヨードフェナシ
ル、３−ヨード−１−シクロヘキセン等の環状不飽和炭
化水素ヨウ化物；ヨードシクロペンタン、ヨードシクロ
ヘキサン。

ｌ−ヨード−３−メチルシクロヘキサン、ヨードシクロ
へブタン、ヨードシクロオクタン等の環状飽和炭化水素
ヨウ化物がある。

このような方法により得られた種々の乳酸誘導体より次
に示す合成経路によって下記一般式（ＩＩ）〜（ＩＶ）
に示される液晶性化合物を得た。

−−−−（ＩＩ） 〔但し、上記一般式（ＩＩ　）において、Ｒは炭素原子
数１〜２０の直鎖状、分岐状または環状の飽和もしくは
不飽和の炭化水素基を示し、Ｒ１′は炭素原子数１〜２
０のアルキル基を示す−ＣＲ口ま炭素原８数１〜２０の
アルキル基又はアルコキシ＆ａ示可。）〕 リ −−−−（ｍ） 〔但し、上記一般式（ｍ）において、Ｒは炭素原子数１
〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状の飽和または不飽
和の炭化水素基を示し、Ｒ２は炭素原子数１〜２０のア
ルキル基またはアルコキシ基を示す、〕 す 一一−−（ＩＶ） 〔但し、上記一般式（ＩＶ）において、Ｒは炭素原子数
１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状の飽和または不
飽和の炭化水素基を示し、Ｒ３は炭素原子数１〜２０の
アルキル基またはアルコキシ基を示す、〕 後述する特定の液晶化合物又はそれを含有する液晶組成
物は１強誘電性液晶として良好な閾値特性をもつもので
あり、液晶素子に適用することによって、前述した反転
現象を有効に防止することができる。

以下、図面とともに１本発明を更に詳細に説明する。

本発明で用いる液晶は、強誘電性を有するものであって
、具体的にはカイラルスメクテイックＣ相（ＳｍＣ＊）
、Ｈ相（ＳｍＨ＊）。

Ｉ相（ＳｍＩ）ｋ）、Ｊ相（ＳｍＪ）ｋ）、に相（Ｓｍ
Ｋ＊）、Ｇ相（ＳｍＧ＊）またはＦ相（ＳｍＦ＊）を有
する液晶を用いることができる。

本発明の液晶素子で用いる液晶化合物の代表例は、下記
のとおりである。

（１）へブチルオキシプロピル−４′−オクチルオオキ
シビ２エニルー４−カルボキシレート（２）ブトキシプ
ロピル−４′−オクチルオキシビフェニル−４−カルボ
キシレート （３）４−　（５−（４’−ブチルフェニル）ピリジン
−２−イル〕ベンゾイックアシッド−２′−ドデシルオ
キシプロピルエステル （４）４−　（５−へブチルピリジン−２−イル）安息
２醸−２′−デシルオキシプロピルエステル （５）α−プロピルオキシプロビル−４′−ヘプチル−
ターフェニルカルボキシレート （６）（５−　（４’−ペンチルシクロヘキシル）ピリ
ミジン−２−イル〕安息香癩２′−エトキシプロピルエ
ステル （７）α−オクタデシルオキシプロビル−４′−へブチ
ルビフェニル−４−カルボキシレートこれらの液晶化合
物は、特願昭５９−２３３２６９号明細書に記載された
合成法によって得ることができる。

本発明において一般式（Ｉ）で表わされた光学活性基を
もつ強誘電性カイラルスメクテイツク液晶は，エヌ・ニ
ー０クラーク（Ｎ．Ａ。

Ｃｌａｒｋ）らによって示されたような表示素子として
使用する場合に電界応答に対する閾値特性にすぐれてい
るため、強誘電性カイラルスメクテイツク液晶を単純マ
トリックス電極に駆動するディスプレイに使用した場合
にクロストークを防止し良好なコントラストを与えるこ
とが可能となる。このような特徴は本発明の液晶化合物
を含む液晶組成物についても同様であり、強誘電性力イ
ラルスメクティック液晶を高精細・大画面表示素子とし
て使用する場合に本発明の液晶性化合物は特に優れてい
る。

又、本発明では、カイラルスメクティック相を示さない
液晶化合物であっても１表−４に示される様なカイラル
スメクティック相をもつ液晶化合物を混合することによ
って得た強誘電性液晶についても、その使用は可能であ
る０強誘電性カイラルスメクテイツク相を持つ液晶性化
合物を混合するかわりに、表−５に示されるような光学
活性基を含むがカイラルスメクテイック相を示さない液
晶性化合物、もしくは単に光学活性基を含む液晶性化合
物を混合した液晶組成物もまた強誘電性カイラルスメク
テイツク液晶として使用することができる。そのように
して調製された強誘電性カイラルスメクテイツク液晶組
成物は、本発明に示される基本骨格により付与されるす
ぐれた閾値特性を示した。

上記のように本発明で用いる液晶性化合物は、それ単独
でも強誘電性液晶素子材料として使用し得るが、他の成
分との混合により強誘電性液晶素子の性能改善した組成
物とする場合は、該組成物中における一般式（Ｉ）で示
される光学活性基を導入した液晶化合物の含有量は１重
量％〜９９重量％が好ましく、５重量％〜９５重量％が
より好ましい。

この際、本発明で用いる液晶化合物との間で混合強誘電
性液晶組成物を形成することができる他の液晶化合物を
１表−４と表−５に示す。

表−４ カイラルスメクテイック相を示す液晶の具体例（化合物
基、構造式及び相転移点） −メチルブチルシンナメー）　（ＤＯＢＡＭＢＣ）−ク
ロルプロピルシンナメート（ＨＯＢＡＣＰＣ）−メチル
ブチル−α−クロロシンナメート（ＯＯＢＡＭＢＣＣ）
−メチルブチル−α−メチルシンナメート９１．５℃　
　　　　９３℃ 結晶　；！：　８ｍ０本　；＝　ＳｍＡ表−５ コレステリック相を示す液晶の具体例 （化合物名、構造式及び相転移点） （Ａ）　　　コレステリルプロピオネート（Ｂ）　　　
　コレステリルノナネート７８℃　　　　　　　　　　
９２℃ 結晶　；＝　コレステリック相　＝＝　等吉相（Ｃ）　
　　コレステリルパルミテート７７℃　　　　　　　　
　８３℃ 結晶　；＝　コレステリック相　；−等吉相（Ｄ）　　
　　コレステリルノナネート結晶　；＝　コレステリッ
ク相　＝　等吉相４−（２”−メチルブチル）−４’−
シアノビフェニル−−５４℃ ＳｍＡ　　　□　ついテリツク相　′−３０℃４−（２
″−メチルブチルオキシ）−４’−シアノビフェニル−
（４−β−メチルブチルベンゾイルオキシ）ベンゾエー
ト結晶　；＝　コレステリック相　；−等吉相４−シア
ノベンジリデン−４’−（２−メチルブチル）アニリン
４−（２−メチルブチル）−４′−ヘキシルオキシアゾ
ベンゼン３５．９℃　　　　　　　　５８．２℃結晶　
；＝　コレステリック相　；＝　等吉相４−　（２−メ
チルブチル）フェニル−４′−デシロキシベンゾエート
４−へキシルオキシ−４’−（２−メチルブチル）ベン
ゾエートこれらの材料を用いて素子をａ成する場合、液
晶化合物がＳｍＣ”相やＳｍＨ”相となるような温度状
態に保持する為、必要に応じて素子をヒーターが埋め込
まれた銅ブロック等により支持することができる。

第１図は、強誘電性液晶セルの例を模式的に描いたもの
である。１１とｌ　ｌ’は、Ｉ　ｎ２０３゜５ｎ０２や
ＩＴＯ（Ｉ　ｎｄｉ　ｕｎ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｃｉｅ）等
の透明電極がコートされた基板（ガラス板）であり、そ
の間に液晶分子層１２がガラス面に垂直になるよう配向
したＳｍＣ”相の液晶が封入されている。太線で示した
線１３が液晶分子を表わしており、この液晶分子１３は
その分子に直交した方向に双極子モーメント（Ｐ上）１
４を有している。基板１１と１１’上の電極間に一定の
閾値以上の電圧を印加すると、液晶分子１３のらせん構
造がほどけ、双極子モーメン）　（Ｐ上）１４がすべて
電界方向に向くよう、液晶分子１３は配向方向を変える
ことができる。液晶分子１３は、細長い形状を有してお
り、その長軸方向と’ａｍ方向で屈折率異方性を示し、
従って例えばガラス面の上下に互いにクロスニコルの位
置関係に配置した偏光子を置けば、電圧印加極性によっ
て光学特性が変わる液晶光学変調素子となることは、容
易に理解される。

さらに液晶セルの厚さを充分に薄くした場合（例えばＩ
ＪＬ）には、第２図に示すように電界を印加していない
状態でも液晶分子のらせん構造がほどけ、非らせん構造
となり２その双極子モーメン）Ｐまたはｙは上向き（２
４）又は下向き（２４’）のどちらかの状態をとる。こ
のようなセルに、第２図に示す如く一定の閾値以上の極
性の異る電界Ｅ又はＥ′を付与すると、双極子モーメン
ト電界Ｅ又はＥ′は電界ベクトルに対応して上向き２４
又は下向き２４′と向きを変え、それに応じて液晶分子
は、第１の安定状態２３か或いは第２の安定状態２３′
の何れか一方に配向する。

このような強誘電性液晶を光学変調素子として用いるこ
との利点は２つある。

第１に、応答速度が極めて速いこと、第２に液晶分子の
配向が双安定性を有することである。

第２の点を１例えば第２図によって説明すると、電界Ｅ
を印加すると液晶分子は第１の安定状態２３に配向する
が、この状態は電界を切っても安定である。又、逆向き
の電界Ｅ′を印加すると、液晶分子は第２の安定状態２
３′に配向してその分子の向きを変えるが、やはり電界
を切ってもこの状態に留まっている。また、与える電界
Ｅが一定の閾値を越えない限り、それぞれの配向状態に
やはり維持されている。このような応答速度の速さと、
双安定性が有効に実現されるにはセルとしては出来るだ
け薄い方が好ましく、一般的には０．５μ〜２０μ、特
にＩｐＬ〜５＃Ｌが適している。

次に強誘電性液晶の駆動法の具体例を、第３図〜第５図
を用いて説明する。

第３図は、中間に強誘電性液晶化合物（図示せず）が挟
まれたマトリクス電極構造を有するセル３１の模式図で
ある。３２は、走査電極群でおり、３３は信号電極群で
ある。最初に走査電極Ｓ１が選択された場合について述
べる。

第４図（ａ）と第４図（ｂ）は走査信号であって、それ
ぞれ選択された走査電極ＳＬに印加される電気信号とそ
れ以外の走査電極（選択されない走査電極）５２，５３
，５４−−−−に印加される電気信号を示している。第
４図（Ｃ）と第４図（ｄ）は、情報信号であってそれぞ
れ選択された信号電極１１．Ｉ３．Ｉ５と選択されない
信号電極Ｉ２．Ｉ４に午えられる電気信号を示している
。

第４図および第５図においては、それぞれ横軸が時間を
、縦軸が電圧を表す０例えば、動画を表示するような場
合には、走査電極群３２は逐次、周期的に選択される。

今、所定の電圧印加時間ｔ１、又はｔ２に対して双安定
性を有する液晶セルの、第１の安定状態を与えるための
閾値電圧をを−ｖｔ　ｈｌとし、第２の安定状態を与え
るための閾値電圧を＋ｖｔ　ｈ２とすると、選択された
走査電極３２（Ｓｌ）に与えられる電極信号は、第４図
（ａ）に示される如く位相（時間）ｔｒでは、２ｖを、
位相（時間）ｔ２では、−２ｖとなるような交番する電
圧である。このように選択された走査電極に瓦いに電圧
の異なる複数の位相間隔を有する電気信号を印加すると
、光学的「暗」あるいは「明」状態に相当する液晶の第
１あるいは第２の安定状態間での状態変化を、速やかに
起こさせることができるという重要な効果が得られる。

一方、それ以外の走査電極Ｓ２〜５５−−−−は第４図
（ｂ）に示す如くアース状態となっており、電気信号Ｏ
である。また１選択された信号電極１１．Ｉ３．Ｉ５に
与えられる電気信号は、第４図（Ｃ）に示される如くｖ
であり。

また選択されない信号電極ｒ２．ｒ４に与えられる電気
信号は、第４図（ｄ）に示される如く一■である６以上
に於て各々の電圧値は、以下の関係を満足する所望の値
に設定される。

ｖ＜ｖｔ　ｈ２＜３Ｖ −３ｖ＜−ｖｔ　ｈｌ＜−Ｖ この様な電気信号が与えられたときの各画素のうち、例
えば第３図中の画素ＡとＢにそれぞれ印加される電圧波
形を第５図（ａ）と（ｂ）に示す、すなわち、第５図（
ａ）と（ｂ）より明らかな如く、選択された走査線上に
ある画素Ａでは、位相ｔ２に於て、閾値ｖｔ　ｈ２を越
える電圧３ｖが印加される。又、同一走査線上に存在す
る画素Ｂでは位相Ｅ１に於て閾値−Ｖｔｈｌを越える電
圧−３ｖが印加される。

従って１選択された走査電極線上に於て、信号電極が選
択されたか否かに応じて、選択された場合には、液晶分
子は第１．の安定状態に配向を揃え１選択されない場合
には第２の安定状態に配向を揃える。

一方、第５図（Ｃ）と（ｄ）に示される如く１選択され
ない走査線上では、すべての画素に印加される電圧はＶ
又は−■であって、いずれも閾値電圧を越えない、従っ
て、選択された走査線上以外の各画素における液晶分子
は、配向状態を変えることなく前回走査されたときの信
号状態に対応した配向を、そのまま保持している。即ち
、走査電極が選択されたときにその１９４７分の信号の
書き込みが行われ、ｌフレームが終了して次回選択され
るまでの間は、その信号状態を保持し得るわけである。

従って、走査電極数が増えても、実質的なデユーティ比
はかわらず、コントラストの低下は全く生じない。

次に、ディスプレイ装置として駆動を行った場合の実際
に生じ得る問題点について考えてみる。第３図に於て、
走査電極Ｓ１〜５５−−−−と信号電極工１〜ｌ５−−
−一の交点で形成する画素のうち、斜線部の画素は「明
ｊ状態に、白地で示した画素は、「暗」状態に対応する
ものとする。今、第３図中の信号電極■１上の表示に注
目すると、走査電極Ｓ１に対応する画素（Ａ）では「明
」状態であり、それ以外の画素ＣＢ）はすべて「暗」状
態である。この場合の駆動法の一例として、走査信号と
信号電極１１に与えられる情報信号及び画素Ａに印加さ
れる電圧を時系列的に表したものが第６図である。

例えば第６図のようにして、駆動した場合、走査信号Ｓ
１が走査されたとき、時間ｔ２に於て画素Ａには、閾値
ｖｔ　ｈ２を越える電圧３ｖが印加されるため、前歴に
関係なく、画素Ａは一方向の安定状態、即ち「明」状態
に転移（スイッチ）する、その後は、Ｓ２〜５５−一一
一が走査される間は第６図に示される如＜−Ｖの電圧が
印加され続けるが、これは閾値−Ｖｔｈｌを越えないた
め、画素Ａは「明」状態を保ち得るはずであるが、実際
にはこのように１つの信号電極上で一方の信号（今の場
合「暗」に対応）が与えられ続けるような情報の表示を
行う場合には、走査線数が極めて多く、シかも高速駆動
が求められるときには反転現象を生じるが、前述した特
定の液晶化合物又はそれを含有した液晶組成物を用いる
ことによって、この様な反転現象は完全に防止される。

さらに、本発明では、前述の反転現象を防止する上で液
晶セルを構成している対向電極のうち少なくとも一方の
電極に絶縁物質により形成した絶縁膜を設けることが好
ましい。

この際に使用する絶縁物質としては、特に制限されるも
のではないが、シリコン窒化物、水素を含有するシリコ
ン窒化物、シリコン炭化物、水素を含有するシリコン窒
化物、シリコン酸化物、硼素窒化物、水素を含有する硼
素窒化物、セリウム酸化物、アルミニウム酸化物。

ジルコニウム酸化物、チタン酸化物やフッ化マグネシウ
ムなどの無機絶縁物質、あるいはポリビニルアルコール
、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエステルイミド
、ポリパラキシレン、ポリエステル、ポリカーボネート
、ポリビニルアセタール、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビ
ニル、ポリアミド、ポリスチレン、セルロース樹脂、メ
ラミン樹脂、ユリャ樹脂、アクリル樹脂やフォトレジス
ト樹脂などの有機絶縁物質が絶縁膜として使用される。

これらの絶縁膜の膜厚は５０００Å以下、好ましくは１
００人〜ｔｏｏｏ人、特に５００人〜３０００人が適し
ている。

〔実施例〕

以下１本発明を実施例に従って説明する。

実施例１ 交差した帯状のＩＴＯで形成した対向マトリクス電極の
それぞれに１０００人の膜厚を有するポリイミド膜（ピ
ロメリット酸無水物と４゜４′−ジアミノジフェニルエ
ーテルとの結合物からポリアミック酸樹脂の５ｗｔ％、
Ｎ−メチルピロリドン溶液を塗布し、２５０℃の温度で
加熱閉環反応により形成した）を設け、このポリイミド
膜の表面を互いに平行になる様にラビングし、セル厚を
ｌＩＬしたセルを作成した。

次いで、下記組成物Ａを当方相下で前述のセル中に真空
注入法によって注入し、封口した。

しかる後に、徐冷（５℃／時間）によってＳｍＣ＊の液
晶セルを作成した。

この液晶セルの両側にクロスニコルの偏光子と検光子を
配置し、対向マトリクス電極間に第４図及び第５図に示
す波形の信号を印加した。

この際、走査信号は第４図（ａ）に示す＋８ボルトと一
８ボルトの交番波形とし、書込み情報は、それぞれ＋４
ボルトと一４ボルトとした。

又、ｌフレーム期間を３０ｍ＊ｓｅｃとした。

この結果、この液晶素子は前述のメモリー駆動型時分割
駆動を行なっても、書込み状態は、何ら反転することな
く正常な動画表示が得られた。

実施例２〜４ 実施例１で用いた液晶に代えて、下記の液晶組成物Ｂ（
実施例２）、Ｃ（実施例３）及びＤ（実施例４）を用い
たほかは、実施例１と同様の方法で液晶素子を作成し、
それぞれの液晶素子について実施例１で用いた方法と同
様の駆動法により動画表示を行なった結果、何れの例で
も画面中に反転現象は見られなかった。

液ＵＪＡ−藍」ＬＡ ＣＨ＝ＣＨ−Ｃ００ＣＨ２ＣＨＣ２Ｈ５＊ ５ｗｔ％ 液ＵＪｉＪ−慮」ＬＳ ６４ｗｔ％ 比較例１及び２ 実施例３と４の液晶素子を作成する際に用いた液晶組成
物ＣとＤ中の、前述の一般式（Ｉ）で示された光学活性
基をもつ化合物に相当する液晶化合物を省略した比較用
液晶Ｃ′（比較例１）とＤ’Ｑｔ較例２）を調製し、そ
れぞれの比較用液晶を用いて液晶素子を作成した。これ
らの液晶素子を前述と同様の方法で駆動させたが、反転
現象を生じているために、正常な動画が表示されなかっ
た。

２６ｗｔ％ 〔発明の効果〕 本発明の強誘電性液晶素子は、前述したー、般式（１）
によって表わされた光学活性基をもつ液晶化合物又はそ
れを含有した液晶組成物を用いることによって、メモリ
ー駆動型の時分割駆動法によってスイッチングやディス
プレを行なう時に表われていた反転現象を、有効に防止
することができる利点を有している。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は、本発明で用いる時分割駆動用液
晶素子を模式的に表わす斜視図、第３図は、本発明で用
いるマトリクス電極構造の平面図、第４図（ａ）〜（ｄ
）は、マトリクス電極に印加する電気信号を表わす説明
図、第５図（＆）〜（ｄ）は、マトリクス電極間に付与
された電圧の波形を表わす説明図、第６図は、本発明の
液晶素子に印加される信号を表わしたタイムチャートの
説明図である。 １１．１１’−＝一基板、 １２−−−一液晶分子層、 １３−−−一液晶分子、 １４−−−一双極子モーメント（Ｐｌ）、２３−＝−第
１の安定状態、 ２３’−−−一第２の安定状態。 ２４−＝−上向き双極子モーメント、 ２４’−−−一下向き双極子モーメント、３ｌ−＝−セ
　ル、 ３２−−−−　（Ｓｔ、　３２．３３−−−−）　＝−
走査電極群、３３−−−−　（Ｉｔ、　１２．１３−−
−−−−）　−−一信号電極群。 把４０ 第５図

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）対向電極対と双安定状態下にある下記一般式（
   I ）で示される光学活性基をもつ液晶性化合物又はそれ
   を含有した液晶組成物とを有している画素を複数行に配
   列し、該複数行の画素に行毎に書込み信号を印加し、該
   書込み信号を印加した行における画素の書込み状態を、
   次の周期の書込み信号が印加されるまでの間保持させる
   方式の時分割駆動を行うことを特徴とする時分割駆動用
   液晶素子。 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） 〔式中Ｒは炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環
   状の飽和または不飽和の炭化水素基を示す。＊は不斉炭
   素原子を示す。〕
2. （２）前記液晶性化合物が下記一般式（１）で表わされ
   る化合物である特許請求の範囲第１項記載の時分割駆動
   用液晶素子。 一般式（１） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｒ＿１は炭素原子数１〜２０のアルキル基又は
   アルコキシ基である。Ｒは、炭素原子数１〜２０の直鎖
   状、分岐状もしくは環状の飽和または不飽和の炭化水素
   基である。 ＊は不斉炭素原子である。〕
3. （３）前記液晶性化合物が下記一般式（２）で表わされ
   る化合物である特許請求の範囲第１項記載の時分割駆動
   用液晶素子。 一般式（２） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｒ＿２は炭素原子数１〜２０のアルキル基又は
   アルコキシ基である。Ｒは、炭素原子数１〜２０の直鎖
   状、分岐状もしくは環状の飽和または不飽和の炭化水素
   基である。＊は不斉炭素原子である。〕
4. （４）前記液晶性化合物が下記一般式（３）で表わされ
   る化合物である特許請求の範囲第１項記載の時分割駆動
   用液晶素子。 一般式（３） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｒ＿３は炭素原子数１〜２０のアルキル基又は
   アルコキシ基である。Ｒは、炭素原子数１〜２０の直鎖
   状、分岐状もしくは環状の飽和または不飽和の炭化水素
   基である。＊は不斉炭素原子である。〕