JPS61287020A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
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- JPS61287020A JPS61287020A JP12722985A JP12722985A JPS61287020A JP S61287020 A JPS61287020 A JP S61287020A JP 12722985 A JP12722985 A JP 12722985A JP 12722985 A JP12722985 A JP 12722985A JP S61287020 A JPS61287020 A JP S61287020A
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- JP
- Japan
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- magnetic
- film
- thin film
- lower magnetic
- head
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、Ｐ ＣＭ （Ｐｕｌｓｅ Ｃｏｄｅ Ｍｏｄ
ｕｌａｔｉｏｎ）記録再生装置等に用いられる薄膜磁気
ヘッドに関し、詳細には少なくとも２個以上の薄膜ヘッ
ド素子を有してなる、いわゆるマルチトラック型の薄膜
磁気ヘッドに関するものである。
ｕｌａｔｉｏｎ）記録再生装置等に用いられる薄膜磁気
ヘッドに関し、詳細には少なくとも２個以上の薄膜ヘッ
ド素子を有してなる、いわゆるマルチトラック型の薄膜
磁気ヘッドに関するものである。
本発明は、複数の薄膜ヘッド素子を有してなるマルチト
ランク型の薄膜磁気ヘッドにおいて、トランク幅に対応
する部分以外の下部磁性膜を磁気記録媒体対接面方向に
切り欠くことにより、磁気記録媒体対接面で下部磁性膜
がトラック幅を規制する上部磁性膜と略等しくなるよう
に各々独立して形成するようになし、 隣接トラックからのクロストークによる影響を防止しよ
うとしたものである。
ランク型の薄膜磁気ヘッドにおいて、トランク幅に対応
する部分以外の下部磁性膜を磁気記録媒体対接面方向に
切り欠くことにより、磁気記録媒体対接面で下部磁性膜
がトラック幅を規制する上部磁性膜と略等しくなるよう
に各々独立して形成するようになし、 隣接トラックからのクロストークによる影響を防止しよ
うとしたものである。
一般に、薄膜磁気ヘッドは、記録に関与するヘッド磁界
が急峻であるため高記録密度の記録再生が可能であり、
高分解能の記録ができ、さらに小型化が可能である等、
優れた特性を有するとともに、量産性にも優れている。
が急峻であるため高記録密度の記録再生が可能であり、
高分解能の記録ができ、さらに小型化が可能である等、
優れた特性を有するとともに、量産性にも優れている。
この種の磁気ヘッドは、ヘッドを構成する下部磁性膜、
コイル導体、上部磁性膜等がスパッタリング等の真空薄
膜形成技術やフォトエツチング等の手法を用いて製造さ
れており、上記真空薄膜形成技術の進歩と相伴って薄膜
磁気ヘッドが実用化されており、特に、複数の薄膜ヘッ
ド素子を有するマルチトラック薄膜磁気ヘッドが多用さ
れている。
コイル導体、上部磁性膜等がスパッタリング等の真空薄
膜形成技術やフォトエツチング等の手法を用いて製造さ
れており、上記真空薄膜形成技術の進歩と相伴って薄膜
磁気ヘッドが実用化されており、特に、複数の薄膜ヘッ
ド素子を有するマルチトラック薄膜磁気ヘッドが多用さ
れている。
今般、高密度記録に対応して高抗磁力Ｈｅを有する磁気
記録媒体、例えばメタルテープ等を使用しているため、
フェライト構造のヘッドでは記録飽和が生じ易く、充分
な再生出力が得難い。そこで、上記薄膜磁気ヘッドとし
ては基板上に高飽和磁束密度ＵＳを有するセンダスト等
の下部磁性膜を５〜１０μｍ程度被着形成し、この下部
磁性膜上にコイル導体や上部磁性膜を形成することによ
り、高抗磁力Ｈｃの媒体に対応する構成をとっている。
記録媒体、例えばメタルテープ等を使用しているため、
フェライト構造のヘッドでは記録飽和が生じ易く、充分
な再生出力が得難い。そこで、上記薄膜磁気ヘッドとし
ては基板上に高飽和磁束密度ＵＳを有するセンダスト等
の下部磁性膜を５〜１０μｍ程度被着形成し、この下部
磁性膜上にコイル導体や上部磁性膜を形成することによ
り、高抗磁力Ｈｃの媒体に対応する構成をとっている。
従来、このような薄膜磁気ヘッドとして、例えば第７図
に示す２チヤンネル構造の薄膜磁気ヘッド（５１）があ
る。
に示す２チヤンネル構造の薄膜磁気ヘッド（５１）があ
る。
この薄膜磁気ヘッド（５１）は、Ｍ ｎ −Ｚ ｎ系フ
ェライトやＮｉ−Ｚｎ系フェライト等よりなる基板（５
２）上に連続的にセンゲスト等の下部磁性膜（５３）が
形成され、この下部磁性膜（５３）上にＳｉｎ、等のギ
ヤ、ツブ膜（５４）を介してコイル導体や絶縁膜が形成
され、さらに上部磁性膜（５５）を所望のトラック幅、
この例ではチャンネル１ （以下ＣＨＩと略す）及びチ
ャンネル２（以下ＣＨ２と略す）となるように形成して
磁気回路を構成している。また、上記上部磁性１１１（
５５）上に保護膜（５６）を介して、セラミック等より
なる保護板（５日）が融着ガラス（５７）により融着接
合されており、磁気記録媒体の走行を安定なものとする
とともに、ヘッドの摩耗を防止するようになっている。
ェライトやＮｉ−Ｚｎ系フェライト等よりなる基板（５
２）上に連続的にセンゲスト等の下部磁性膜（５３）が
形成され、この下部磁性膜（５３）上にＳｉｎ、等のギ
ヤ、ツブ膜（５４）を介してコイル導体や絶縁膜が形成
され、さらに上部磁性膜（５５）を所望のトラック幅、
この例ではチャンネル１ （以下ＣＨＩと略す）及びチ
ャンネル２（以下ＣＨ２と略す）となるように形成して
磁気回路を構成している。また、上記上部磁性１１１（
５５）上に保護膜（５６）を介して、セラミック等より
なる保護板（５日）が融着ガラス（５７）により融着接
合されており、磁気記録媒体の走行を安定なものとする
とともに、ヘッドの摩耗を防止するようになっている。
このように、従来の薄膜磁気ヘッド（５１）にあっては
、上部磁性膜（５５）はトランク幅に対応して分断され
ているのに対し、上記下部磁性膜（５３）は共通な一連
の膜付けで形成されている。したがって、各トランク間
の下部磁性膜（５３）が隣接トラックから洩れてくる磁
束を拾うことによるクロストーク、あるいは下部磁性膜
（５３）のエツジが隣接トラックの再生信号を拾うこと
による疑似信号が生じ易くなっている。
、上部磁性膜（５５）はトランク幅に対応して分断され
ているのに対し、上記下部磁性膜（５３）は共通な一連
の膜付けで形成されている。したがって、各トランク間
の下部磁性膜（５３）が隣接トラックから洩れてくる磁
束を拾うことによるクロストーク、あるいは下部磁性膜
（５３）のエツジが隣接トラックの再生信号を拾うこと
による疑似信号が生じ易くなっている。
例えば、上述の構造を有する薄膜磁気ヘッド（５１）に
おいて、ＣＨＩ及びＣ）（２のトランク幅Ｔｗ’を各々
６０μｍ、ガートバンド幅Ｇ′を４０μｍ、チャンネル
間距離Ｃｗ’を１００μｍ、テープ摺接面幅Ｗ′を３０
０μｍとし、ＣＨｌをオープンにした状態でＣＨ２によ
り１．７−９ ＭＨｚの信号を１回記録し、この記録ト
ラックに対してヘッドを第７図中Ｒ方向あるいはＬ方向
に移動したとき、ＣＨ２での再生出力（クロストーク量
）を測定したところ、第５図中曲線ｇに示すようなりロ
ストーク曲線を得た。
おいて、ＣＨＩ及びＣ）（２のトランク幅Ｔｗ’を各々
６０μｍ、ガートバンド幅Ｇ′を４０μｍ、チャンネル
間距離Ｃｗ’を１００μｍ、テープ摺接面幅Ｗ′を３０
０μｍとし、ＣＨｌをオープンにした状態でＣＨ２によ
り１．７−９ ＭＨｚの信号を１回記録し、この記録ト
ラックに対してヘッドを第７図中Ｒ方向あるいはＬ方向
に移動したとき、ＣＨ２での再生出力（クロストーク量
）を測定したところ、第５図中曲線ｇに示すようなりロ
ストーク曲線を得た。
この結果、ＣＨ２が記録トラックと一致している状態（
いわゆるジャストトラック）から、ヘッド（５１）を第
７図中Ｒ方向に６０μｍ移動した場合、あるいはＬ方向
に６０μｍ移動した場合には、ＣＨ２は記録トラックか
ら外れるために、理論上ＣＨ２によるヘッド出力は−ｏ
ｏｄ’１３となるはずであるが、実際には一３５ｄＢあ
るいは一３６ｄＢの再生出力が現れ、また、オープン状
態のＣＨＩがジャストトラックとなったとき（ヘッドを
Ｒ方向に１００μｍ移動したとき）はチャンネル間クロ
ストークとしては一４５ｄＢの再生出力が現れることが
わかった。
いわゆるジャストトラック）から、ヘッド（５１）を第
７図中Ｒ方向に６０μｍ移動した場合、あるいはＬ方向
に６０μｍ移動した場合には、ＣＨ２は記録トラックか
ら外れるために、理論上ＣＨ２によるヘッド出力は−ｏ
ｏｄ’１３となるはずであるが、実際には一３５ｄＢあ
るいは一３６ｄＢの再生出力が現れ、また、オープン状
態のＣＨＩがジャストトラックとなったとき（ヘッドを
Ｒ方向に１００μｍ移動したとき）はチャンネル間クロ
ストークとしては一４５ｄＢの再生出力が現れることが
わかった。
この原因としては、ＣＨＩ及びＣＨ２に対応する部分以
外にも下部磁性膜（５３）が存在するため、この部分で
記録トラックからの磁束を拾うことによる疑似信号が考
えられる。
外にも下部磁性膜（５３）が存在するため、この部分で
記録トラックからの磁束を拾うことによる疑似信号が考
えられる。
このクロストーク（−３５〜−３６ｄＢ）による疑似信
号は、ビデオ帯域（絵の録再）では画像として現れない
範囲（−３０ｄ Ｂ以下）でありビデオフロッピーとし
て充分に使用に耐えうるが、フロッピーディスク等のデ
ータの記録再生においては、エラーレイトが劣化すると
いう問題がある。
号は、ビデオ帯域（絵の録再）では画像として現れない
範囲（−３０ｄ Ｂ以下）でありビデオフロッピーとし
て充分に使用に耐えうるが、フロッピーディスク等のデ
ータの記録再生においては、エラーレイトが劣化すると
いう問題がある。
一般に、このクコストーク量は一４０ｄＢ以下にすれば
データの記録再生においても疑似信号の影響を受けない
ことが知られており、これを満たす薄膜磁気ヘッドの開
発が要望されている。
データの記録再生においても疑似信号の影響を受けない
ことが知られており、これを満たす薄膜磁気ヘッドの開
発が要望されている。
このように、従来の薄膜磁気ヘッドでは、高抗磁力Ｈｃ
の磁気記録媒体に対応したデータの記録再生及び画像の
記録再生に兼用の薄膜磁気ヘッドを得ようとすると、特
に、データの記録再生にあっては隣接トランクのクロス
トークの影響によりエラーレイトが劣化するという問題
があった。
の磁気記録媒体に対応したデータの記録再生及び画像の
記録再生に兼用の薄膜磁気ヘッドを得ようとすると、特
に、データの記録再生にあっては隣接トランクのクロス
トークの影響によりエラーレイトが劣化するという問題
があった。
そこで、本発明は上記問題点を解決するために提案され
たものであって、隣接トランクのクロストーク量が一４
０ｄＢ以下と少なく、高抗磁力Ｈｃの媒体に対応したデ
ータや画像の記録再生にあっても、良好な記録再生が可
能な薄膜磁気ヘッドを提供することを目的とする。
たものであって、隣接トランクのクロストーク量が一４
０ｄＢ以下と少なく、高抗磁力Ｈｃの媒体に対応したデ
ータや画像の記録再生にあっても、良好な記録再生が可
能な薄膜磁気ヘッドを提供することを目的とする。
上述の目的を達成するために、本発明の薄膜磁気ヘッド
は、基板上に下部磁性膜、コイル導体。
は、基板上に下部磁性膜、コイル導体。
上部磁性膜が形成されており、上記上部磁性膜によりト
ラック幅が規制されてなるマルチトラック型の薄膜磁気
ヘッドにおいて、上記下部磁性膜が磁気記録媒体対接面
方向において切り欠かれ、かつ磁気記録媒体対接面にＨ
ｚむ下部磁性膜の幅が略トラック幅に等しいことを特徴
とするものである。
ラック幅が規制されてなるマルチトラック型の薄膜磁気
ヘッドにおいて、上記下部磁性膜が磁気記録媒体対接面
方向において切り欠かれ、かつ磁気記録媒体対接面にＨ
ｚむ下部磁性膜の幅が略トラック幅に等しいことを特徴
とするものである。
したがって、本発明の薄膜磁気ヘッドによれば、磁気記
録媒体対接面において、下部磁性膜がトラック幅を規制
する上部磁性膜と略等しくなるように各々独立して形成
されているので、隣接トラックから洩れる磁束を拾うこ
とがなくなりクロストークの影響を防止することができ
る。
録媒体対接面において、下部磁性膜がトラック幅を規制
する上部磁性膜と略等しくなるように各々独立して形成
されているので、隣接トラックから洩れる磁束を拾うこ
とがなくなりクロストークの影響を防止することができ
る。
以下、本発明を適用した薄膜磁気ヘッドの一実施例につ
いて図面を参照しながら詳細に説明する。
いて図面を参照しながら詳細に説明する。
なお、本実施例では２チヤンネルのマルチトラックｉｌ
ｌ磁気へ・ノドを例に挙げて説明する。
ｌ磁気へ・ノドを例に挙げて説明する。
本実施例のＦｉｌｌｌｉ磁気ヘッドにおいては、第１図
に示すように、セラミック等の非磁性材よりなる基板！
１１上に、トラック幅Ｔｗと略等しい下部磁性膜（２）
が所定のガートバンド部Ｇを存し互いに独立するように
磁気記録媒体対接面方向に切り欠かれた状態で形成され
ている。そして、これら下部磁性膜（２）上には５ｉＯ
ｚ等のギ牛ツブ膜（３）を介してトラック幅Ｔ−と等し
い上部磁性膜（４）が形成されており、これら下部磁性
膜（２）及び上部磁性膜ｆ４１で各々チャンネル１ （
以下ＣＨＩと略す）とチャンネル２（以下ＣＨ２と略す
）を互いに独立して構成し、２チヤンネルの薄膜磁気へ
ノドとして作動するように形成されている。なお、上記
基板（１）としては非磁性材に限らず、例えばＭ ｎ
−Ｚ ｎ系フェライトやＮｉ−Ｚｎ系フェライト等の強
磁性酸化物を使用しても良いが、非磁性材を使用した方
が隣接トラックのクロストークの影響をより低減できる
。
に示すように、セラミック等の非磁性材よりなる基板！
１１上に、トラック幅Ｔｗと略等しい下部磁性膜（２）
が所定のガートバンド部Ｇを存し互いに独立するように
磁気記録媒体対接面方向に切り欠かれた状態で形成され
ている。そして、これら下部磁性膜（２）上には５ｉＯ
ｚ等のギ牛ツブ膜（３）を介してトラック幅Ｔ−と等し
い上部磁性膜（４）が形成されており、これら下部磁性
膜（２）及び上部磁性膜ｆ４１で各々チャンネル１ （
以下ＣＨＩと略す）とチャンネル２（以下ＣＨ２と略す
）を互いに独立して構成し、２チヤンネルの薄膜磁気へ
ノドとして作動するように形成されている。なお、上記
基板（１）としては非磁性材に限らず、例えばＭ ｎ
−Ｚ ｎ系フェライトやＮｉ−Ｚｎ系フェライト等の強
磁性酸化物を使用しても良いが、非磁性材を使用した方
が隣接トラックのクロストークの影響をより低減できる
。
さらに、上記上部磁性膜（４）上に絶縁膜（５）を介し
て、セラミック等の非磁性材よりなる保護板（７）が接
着材（６）にて融着接合されており、磁気記録媒体の走
行を安定なものとするとともに、ヘッドの摩耗を防止す
ようになっている。
て、セラミック等の非磁性材よりなる保護板（７）が接
着材（６）にて融着接合されており、磁気記録媒体の走
行を安定なものとするとともに、ヘッドの摩耗を防止す
ようになっている。
このように、本実施例の薄膜磁気へ・７ドは、この磁気
記録媒体対接面において、各チャンネルＣＨ１及びＣＨ
２の下部磁性膜（２）が互いに独立する如く形成されて
いるので、隣接トラックから洩れる磁束を拾ったり、あ
るいは下部磁性膜のエツジで隣接トランクからの再生信
号を拾うことはなくなる。
記録媒体対接面において、各チャンネルＣＨ１及びＣＨ
２の下部磁性膜（２）が互いに独立する如く形成されて
いるので、隣接トラックから洩れる磁束を拾ったり、あ
るいは下部磁性膜のエツジで隣接トランクからの再生信
号を拾うことはなくなる。
次に、上述の薄膜磁気ヘッドの構成をより明確なものに
するために、その製造方法について説明する。
するために、その製造方法について説明する。
上記薄膜磁気ヘッドを作製するには、まず、例えばＭ
ｎ −Ｚ ｎ系フェライトやＮ １−Ｚｎ系フェライト
等の強磁性酸化物、あるいはセラミック等の非磁性材よ
りなる基板αΦ上にＦｅ−Ｎｉ系合金Ｃパーマロイ）や
Ｆｅ−ＡＩＶ、−３ｉ系合金（センダスト）等の高い飽
和磁束密度Ｂｓを有する下部磁性膜をマスクスパッタリ
ングにより被着形成し、さらに、フォトエツチング技術
を用いて第２図（Ａ）及び第２図（Ｂ）に示すような磁
気記録媒体対接面方向（第２図（Ａ）中矢印Ｘ方向）に
対し凹凸を有する下部磁性膜ＯＤを形成する。したがっ
て、下部磁性膜０υは、第２図（Ｂ）に示すように、そ
れぞれ凸部（ｌｌａ）が独立して形成される。
ｎ −Ｚ ｎ系フェライトやＮ １−Ｚｎ系フェライト
等の強磁性酸化物、あるいはセラミック等の非磁性材よ
りなる基板αΦ上にＦｅ−Ｎｉ系合金Ｃパーマロイ）や
Ｆｅ−ＡＩＶ、−３ｉ系合金（センダスト）等の高い飽
和磁束密度Ｂｓを有する下部磁性膜をマスクスパッタリ
ングにより被着形成し、さらに、フォトエツチング技術
を用いて第２図（Ａ）及び第２図（Ｂ）に示すような磁
気記録媒体対接面方向（第２図（Ａ）中矢印Ｘ方向）に
対し凹凸を有する下部磁性膜ＯＤを形成する。したがっ
て、下部磁性膜０υは、第２図（Ｂ）に示すように、そ
れぞれ凸部（ｌｌａ）が独立して形成される。
また、この下部磁性膜αυの凸部（ｌｌａ）は後述の上
部磁性膜の形状と略一致する形状であることが好ましい
。
部磁性膜の形状と略一致する形状であることが好ましい
。
なお、上記下部磁性膜ａυは、第５図に示すように、ガ
ートバンド部Ｇで分断する方法も考えられるが、高密度
記録に伴うヘッドの小型化により、。
ートバンド部Ｇで分断する方法も考えられるが、高密度
記録に伴うヘッドの小型化により、。
後述のコイル導体に段差を生じ導体切れの原因となった
り（詳細は後述する）、あるいは下部磁性膜（ｌｌｃ）
の分断により、磁性体のドメーン構造が変り磁気特性が
変化する虞れがあるので、下部磁性膜ａυのパターニン
グは第２図（Ａ）のような部分エツチングが好ましい、
但し、各チャンネルＣＨ１及びＣＨ２が大きい場合ある
いはガートバンド部Ｇが広い場合には、上述の導体切れ
や磁気特性の劣化の虞れが極めて小さいので、第５図に
示す如く下部磁性膜（ｌｌｃ）を分断形成しても差し支
えない。
り（詳細は後述する）、あるいは下部磁性膜（ｌｌｃ）
の分断により、磁性体のドメーン構造が変り磁気特性が
変化する虞れがあるので、下部磁性膜ａυのパターニン
グは第２図（Ａ）のような部分エツチングが好ましい、
但し、各チャンネルＣＨ１及びＣＨ２が大きい場合ある
いはガートバンド部Ｇが広い場合には、上述の導体切れ
や磁気特性の劣化の虞れが極めて小さいので、第５図に
示す如く下部磁性膜（ｌｌｃ）を分断形成しても差し支
えない。
次に、上記基板α・の上面にＳｉｎ、等よりなるギャッ
プ膜Ｏ１を形成した後、ＣｕあるいはＡ１等の導体をス
パッタリング等で形成し、第３図（Ａ）及び第３図（Ｂ
）に示すように、この導体に対してフォトリソグラフィ
技術によりパターンエツチングを施し、渦巻状の第１コ
イル導体ｔｉＢを形成し、さらに、この第１コイル導体
口を被覆するようにＳｉｎｇ等よりなる第１絶縁膜ａ湯
を形成した後、上記第１コイル導体叩と同様の手法で第
２コイル導体■を形成する。上記第１コイル導体（２）
はコンタクト窓部（至）を介して第２コイル導体Ｑａと
導通されており、２ターンの巻線構造のコイル導体とな
っている。この場合、第２コイル導体ＯＯの頭部（磁気
記録媒体対接面側の最外巻線）と上記下部磁性膜αＤの
凹部（ｌｌｂ）との位置関係は、第３図中Ｙが０〜２０
ＩＩｍとなる程度、好ましくはｌＯ〜２０βｍとなる範
囲が良い、Ｙが０よりも小さいと充分な記録再生磁界が
得難くなり、逆にＹが２０μｍ以上になるゝとコイル導
体（ロ）に段差を生じ導体切れの原因となる。すなわち
、通常、コイル導体Ｏ，ａａの巻線形状はｉ＠綿密度を
向上させる等の理由からバック側が広がった形状をして
いるため、Ｙが大きすぎるとコイル導体（２）、 （１
４１が下部磁性膜ａυの凸部（ｌｌａ）から外れて形成
され、コイル導体Ｕ、ａａに段差を生じてしまうことに
なる。
プ膜Ｏ１を形成した後、ＣｕあるいはＡ１等の導体をス
パッタリング等で形成し、第３図（Ａ）及び第３図（Ｂ
）に示すように、この導体に対してフォトリソグラフィ
技術によりパターンエツチングを施し、渦巻状の第１コ
イル導体ｔｉＢを形成し、さらに、この第１コイル導体
口を被覆するようにＳｉｎｇ等よりなる第１絶縁膜ａ湯
を形成した後、上記第１コイル導体叩と同様の手法で第
２コイル導体■を形成する。上記第１コイル導体（２）
はコンタクト窓部（至）を介して第２コイル導体Ｑａと
導通されており、２ターンの巻線構造のコイル導体とな
っている。この場合、第２コイル導体ＯＯの頭部（磁気
記録媒体対接面側の最外巻線）と上記下部磁性膜αＤの
凹部（ｌｌｂ）との位置関係は、第３図中Ｙが０〜２０
ＩＩｍとなる程度、好ましくはｌＯ〜２０βｍとなる範
囲が良い、Ｙが０よりも小さいと充分な記録再生磁界が
得難くなり、逆にＹが２０μｍ以上になるゝとコイル導
体（ロ）に段差を生じ導体切れの原因となる。すなわち
、通常、コイル導体Ｏ，ａａの巻線形状はｉ＠綿密度を
向上させる等の理由からバック側が広がった形状をして
いるため、Ｙが大きすぎるとコイル導体（２）、 （１
４１が下部磁性膜ａυの凸部（ｌｌａ）から外れて形成
され、コイル導体Ｕ、ａａに段差を生じてしまうことに
なる。
また、この段差を解消するためにはコイル導体帳を形成
する直前に基板α・を平坦化する工程が必要となり、製
造コストが高くなってしまう、なお、本実施例ではコイ
ル導体ａ、ａａとして各々１タ一ン巻線構造のスパイラ
ル多層型としたが、コイル導体の巻線構造はスパイラル
型に限らずヘリカル型、ジグザグ型環如何なる構造であ
っても良い。
する直前に基板α・を平坦化する工程が必要となり、製
造コストが高くなってしまう、なお、本実施例ではコイ
ル導体ａ、ａａとして各々１タ一ン巻線構造のスパイラ
ル多層型としたが、コイル導体の巻線構造はスパイラル
型に限らずヘリカル型、ジグザグ型環如何なる構造であ
っても良い。
続いて、以上で形成された第２コイル導体（ロ）上に、
第２絶縁膜（図示せず）を形成し、バックギヤツブ部α
ｎをエツチングにより取り除いた後、センダストやパー
マロイ等よりなる磁性体を被着形成し、第４図（Ａ）及
び第４図（Ｂ）に示すように、エツチングを施し上部磁
性ＩＩａ（２）を形成し、トラック幅Ｔｗを規制する。
第２絶縁膜（図示せず）を形成し、バックギヤツブ部α
ｎをエツチングにより取り除いた後、センダストやパー
マロイ等よりなる磁性体を被着形成し、第４図（Ａ）及
び第４図（Ｂ）に示すように、エツチングを施し上部磁
性ＩＩａ（２）を形成し、トラック幅Ｔｗを規制する。
この場合、上記上部磁性膜ａ嚇は各チャンネルＣＨ１及
びＣＨ２毎に独立して形成すれば、上部磁性膜α呻によ
る隣接トラック間のクロストークの影響を防止できる。
びＣＨ２毎に独立して形成すれば、上部磁性膜α呻によ
る隣接トラック間のクロストークの影響を防止できる。
次に、以上で得られた基板Ｑ１上に、例えば５ｉＯｔ等
よりなる保護１ｉＱＩを形成した後、各磁性膜αＩｎ、
（１ｍの透磁率μを確保するために、この基板ａ鳴に
対して６５０℃以下の温度でアニール処理を施す。
よりなる保護１ｉＱＩを形成した後、各磁性膜αＩｎ、
（１ｍの透磁率μを確保するために、この基板ａ鳴に
対して６５０℃以下の温度でアニール処理を施す。
最後に、上記保護膜ａ鴫上にガラス等の接着材（至）を
溶融充填し平坦化した後、摩耗対策としてセラミック等
の非磁性材よりなる保護板を上記接着材（２）に融着接
合し、さらに、所定のデプス幅となるように切削研磨す
ることにより第１図に示す薄膜磁気ヘッドを完成する。
溶融充填し平坦化した後、摩耗対策としてセラミック等
の非磁性材よりなる保護板を上記接着材（２）に融着接
合し、さらに、所定のデプス幅となるように切削研磨す
ることにより第１図に示す薄膜磁気ヘッドを完成する。
したがって、本実施例の１１！磁気ヘツドは、磁気記録
媒体対接面において、下部磁性膜ｒ１Ｄが独立して形成
されてなるので、隣接トラックから洩れた磁束や下部磁
性膜のエツジによる疑似信号を拾うことなく、下部磁性
１１！ＱＩ）と上部磁性膜αｅで磁路を形成し、磁気ヘ
ッドとして作動するように構成されている。
媒体対接面において、下部磁性膜ｒ１Ｄが独立して形成
されてなるので、隣接トラックから洩れた磁束や下部磁
性膜のエツジによる疑似信号を拾うことなく、下部磁性
１１！ＱＩ）と上部磁性膜αｅで磁路を形成し、磁気ヘ
ッドとして作動するように構成されている。
以上で得られたｆｉｌｌ磁気ヘッドにおいて、ＣＨ１及
びＣＨ２のトラック幅Ｔ−を各々６０μｍ、ガートバン
ド幅Ｇを４０μｍ、チャンネル間距離Ｃ−を１００．Ｉ
ｊｍ、テープ摺接面幅Ｗを３００．ｕｍとし、ＣＨＩを
オーブンにした状態でＣＨ２により１．７９ＭＨｚの信
号を１回記録し、この記録トラックに対してヘッドを第
１図中Ｒ方向あるいはＬ方向に移動したときのＣＨ２で
の再生出力（クロスト−外１を測定した。結果を第６図
中曲線ｆに示す。
びＣＨ２のトラック幅Ｔ−を各々６０μｍ、ガートバン
ド幅Ｇを４０μｍ、チャンネル間距離Ｃ−を１００．Ｉ
ｊｍ、テープ摺接面幅Ｗを３００．ｕｍとし、ＣＨＩを
オーブンにした状態でＣＨ２により１．７９ＭＨｚの信
号を１回記録し、この記録トラックに対してヘッドを第
１図中Ｒ方向あるいはＬ方向に移動したときのＣＨ２で
の再生出力（クロスト−外１を測定した。結果を第６図
中曲線ｆに示す。
この第６図より、本実施例の薄膜磁気ヘッドのクロスト
ーク量は、従来のクロストーク量に比べ−１０〜−１５
ｄＢ程度低減できた。すなわち、記録パターンがＣＨ２
の記録トラックと一致している状Ｂ（いわゆるジャスト
トラック）から、ヘッドを第１図中Ｒ方向に６０μｍ移
動した場合、あるいはＬ方向に６０μｍ移動した場合に
は、それぞれクロストーク量は一５１ｄＢあるいは一５
２ｄＢであり、またチャンネル間クロストーク量は一５
５ｄＢであった。
ーク量は、従来のクロストーク量に比べ−１０〜−１５
ｄＢ程度低減できた。すなわち、記録パターンがＣＨ２
の記録トラックと一致している状Ｂ（いわゆるジャスト
トラック）から、ヘッドを第１図中Ｒ方向に６０μｍ移
動した場合、あるいはＬ方向に６０μｍ移動した場合に
は、それぞれクロストーク量は一５１ｄＢあるいは一５
２ｄＢであり、またチャンネル間クロストーク量は一５
５ｄＢであった。
したがって、本実施例によれば、隣接トラック間のクロ
ストーク量を一４０ｄＢ以下に抑えることができ、画像
の記録再生はもちろんのことデータの記録再生において
も疑似信月の影響を無視できる。
ストーク量を一４０ｄＢ以下に抑えることができ、画像
の記録再生はもちろんのことデータの記録再生において
も疑似信月の影響を無視できる。
以上の説明からも明らかなように、本発明の薄膜磁気ヘ
ッドは、磁気記録媒体対接面において、下部磁性膜がト
ラック幅を規制する上部磁性膜と略等しくなるように磁
気記録媒体対接面方向において切り欠かれ、各々独立し
て形成されているので、高抗磁力Ｈｃの磁気記録媒体に
対応だデータや画像の記録再生にあっても、隣接トラッ
クのクロストーク量を一４０ｄＢ以下に抑えるられ、良
好な記録再生が可能となる。
ッドは、磁気記録媒体対接面において、下部磁性膜がト
ラック幅を規制する上部磁性膜と略等しくなるように磁
気記録媒体対接面方向において切り欠かれ、各々独立し
て形成されているので、高抗磁力Ｈｃの磁気記録媒体に
対応だデータや画像の記録再生にあっても、隣接トラッ
クのクロストーク量を一４０ｄＢ以下に抑えるられ、良
好な記録再生が可能となる。
第１図は本発明に係るＦｉｔ膜磁気ヘッドの磁気記録媒
体対接面を示す平面図である。 第２図ないし第４図は本発明の薄膜磁気ヘッドの製法を
その製造工程に従って示すものであり、第２図（Ａ）は
下部磁性膜の形成工程を示す平面図、第２図（Ｂ）は第
２図（Ａ）のａ−ａ線における断面図、第３図（Ａ）は
コイル導体の形成工程を示す平面図、第３図（Ｂ）は第
３図（Ａ）のｂ−ｂ線における断面図、第４図（Ａ＞は
上部磁性膜の形成工程を示す平面図、第４図（Ｂ）は第
４図（Ａ）のｃ−ｃ線における断面図である。第５図は
他の下部磁性膜の形成工程を示す平面図、第６図は薄膜
磁気ヘッドの移動量とクロストーク量の関係を示す特性
図である。 第１図は従来の薄膜磁気へ・・ドの磁気記録媒体対接面
を示す平面図である。 １．１０・・・・基板 ２．１１・・・・下部磁性膜 １１．１２・・・コイル導体 ４．１８・・・・上部磁性膜
体対接面を示す平面図である。 第２図ないし第４図は本発明の薄膜磁気ヘッドの製法を
その製造工程に従って示すものであり、第２図（Ａ）は
下部磁性膜の形成工程を示す平面図、第２図（Ｂ）は第
２図（Ａ）のａ−ａ線における断面図、第３図（Ａ）は
コイル導体の形成工程を示す平面図、第３図（Ｂ）は第
３図（Ａ）のｂ−ｂ線における断面図、第４図（Ａ＞は
上部磁性膜の形成工程を示す平面図、第４図（Ｂ）は第
４図（Ａ）のｃ−ｃ線における断面図である。第５図は
他の下部磁性膜の形成工程を示す平面図、第６図は薄膜
磁気ヘッドの移動量とクロストーク量の関係を示す特性
図である。 第１図は従来の薄膜磁気へ・・ドの磁気記録媒体対接面
を示す平面図である。 １．１０・・・・基板 ２．１１・・・・下部磁性膜 １１．１２・・・コイル導体 ４．１８・・・・上部磁性膜
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板上に下部磁性膜、コイル導体、上部磁性膜が形成さ
れており、上記上部磁性膜によりトラック幅が規制され
てなるマルチトラック型の薄膜磁気ヘッドにおいて、 上記下部磁性膜が磁気記録媒体対接面方向において切り
欠かれ、かつ磁気記録媒体対接面に臨む下部磁性膜の幅
が略トラック幅に等しいことを特徴とする薄膜磁気ヘッ
ド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12722985A JPS61287020A (ja) | 1985-06-13 | 1985-06-13 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12722985A JPS61287020A (ja) | 1985-06-13 | 1985-06-13 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61287020A true JPS61287020A (ja) | 1986-12-17 |
Family
ID=14954922
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12722985A Pending JPS61287020A (ja) | 1985-06-13 | 1985-06-13 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61287020A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59221821A (ja) * | 1983-05-31 | 1984-12-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
-
1985
- 1985-06-13 JP JP12722985A patent/JPS61287020A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59221821A (ja) * | 1983-05-31 | 1984-12-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
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