JPS61284049A - 螢光体表示板 - Google Patents
螢光体表示板Info
- Publication number
- JPS61284049A JPS61284049A JP12445085A JP12445085A JPS61284049A JP S61284049 A JPS61284049 A JP S61284049A JP 12445085 A JP12445085 A JP 12445085A JP 12445085 A JP12445085 A JP 12445085A JP S61284049 A JPS61284049 A JP S61284049A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phosphor
- layer
- zno
- thin film
- electron beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Discharge Lamps And Accessories Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、螢光体表示板に関するものである。
従来の技術
第２図に従来、螢光表示管等に用いられている螢光体表
示板の断面図を示す。１は基板ガラスで、その表面に導
電体層２が設けられており、更にその上に粒径２〜１０
μφの螢光体粒子３から成る螢光体粉末層が設けられて
いる。螢光体粒子３は結晶体で、螢光体粒子３同志及び
螢光体粒子３と導電体層２とは点接触的な状態で塗着さ
れている。
示板の断面図を示す。１は基板ガラスで、その表面に導
電体層２が設けられており、更にその上に粒径２〜１０
μφの螢光体粒子３から成る螢光体粉末層が設けられて
いる。螢光体粒子３は結晶体で、螢光体粒子３同志及び
螢光体粒子３と導電体層２とは点接触的な状態で塗着さ
れている。
したがって、電子ビームが照射される螢光体部１分と基
板ガラス１との熱伝導は極めて悪く、電子ビームのエネ
ルギー密度を上げて、発光輝度を大きの くしようとすると螢光体′温度が上昇し、発光効率が低
下するだけでなく、発光輝度にも限界がある。
板ガラス１との熱伝導は極めて悪く、電子ビームのエネ
ルギー密度を上げて、発光輝度を大きの くしようとすると螢光体′温度が上昇し、発光効率が低
下するだけでなく、発光輝度にも限界がある。
そこで我々は、ガラス基板上に導電体層を設け、その表
面に螢光体粉末の一部を埋め込んで接触面積を増し熱放
散を良くし発光輝度を増そうと試みた。
面に螢光体粉末の一部を埋め込んで接触面積を増し熱放
散を良くし発光輝度を増そうと試みた。
発明が解決しようとする問題点
基板ガラス１により構成されるフェースプレートを透過
した光を利用する、いわゆるリバースビュータイプの螢
光管においては、前記導電体層２には、電子ビーム照射
によって螢光体に生成される二次電子による螢光体の帯
電が電子ビームの照射のさまたげにならないだけの導電
性と、十分な可視透過率が必要とされる。従来そのよう
な透明導電膜として一般的なのは、工ＴＱ、５ｎｏ２゜
Ｉ ｎ ２０ ａ等である。上記のように螢光体粉末を
埋め込むために、基板ガラスをその軟化点温度まで加熱
して基板ガラスに螢光体粒子を埋め込もうとしても、上
記透明導電膜とＺｎＯ： Ｚｎ螢光体粒子とのぬれ性が
悪く、うまく埋まらない。
した光を利用する、いわゆるリバースビュータイプの螢
光管においては、前記導電体層２には、電子ビーム照射
によって螢光体に生成される二次電子による螢光体の帯
電が電子ビームの照射のさまたげにならないだけの導電
性と、十分な可視透過率が必要とされる。従来そのよう
な透明導電膜として一般的なのは、工ＴＱ、５ｎｏ２゜
Ｉ ｎ ２０ ａ等である。上記のように螢光体粉末を
埋め込むために、基板ガラスをその軟化点温度まで加熱
して基板ガラスに螢光体粒子を埋め込もうとしても、上
記透明導電膜とＺｎＯ： Ｚｎ螢光体粒子とのぬれ性が
悪く、うまく埋まらない。
また、一般に、低速電子線励起螢光体の発光部は、照射
される電子の運動エネルギーが小さく、せいぜい表層の
深さ１０入ていどの場所である。
される電子の運動エネルギーが小さく、せいぜい表層の
深さ１０入ていどの場所である。
したがって発光効率には、螢光体粒子表層部のコンタミ
ネイションが大きく影響してくる。則ち、高発光効率を
得るには、螢光体粒子表層に不純物吸着子の少ないこと
が必要となる。したがって上記放熱膜には、適当な導電
性と高い可視透過率の上に、製造熱プロセスを通じても
発光部である螢光体粒子表層部を汚染しないものである
ことが要求される。このような条件を兼ね備え、製造熱
プロセスにも安定な放熱膜の材料の選択は難しい。
ネイションが大きく影響してくる。則ち、高発光効率を
得るには、螢光体粒子表層に不純物吸着子の少ないこと
が必要となる。したがって上記放熱膜には、適当な導電
性と高い可視透過率の上に、製造熱プロセスを通じても
発光部である螢光体粒子表層部を汚染しないものである
ことが要求される。このような条件を兼ね備え、製造熱
プロセスにも安定な放熱膜の材料の選択は難しい。
本発明の目的は、前記条件を具備した放熱膜を得ること
にある。
にある。
問題点を解決するための手段
基板ガラス表面に、透明導電膜のかわりに、螢光体粒子
と同一材料であるＺｎＯを薄膜状に形成し、この膜に螢
光体粒子の一部を埋め込んで螢光体粉末層を形成する。
と同一材料であるＺｎＯを薄膜状に形成し、この膜に螢
光体粒子の一部を埋め込んで螢光体粉末層を形成する。
作 用
基板ガラス上にスパッタ法等によって形成したＺｎＯ薄
膜は、基板との界面でジンクシリケート化合物層をつく
って密着すると共に、適当な膜厚であれば、基板ガラス
の軟化温度まで加熱してやることによシ、螢光体粒子の
一部が基板ガラスに埋め込まれ、螢光体粒子と基板ガラ
スが密着し十分な放熱特性が得られる。またＺｎＯ薄膜
は、わづかなから導電性があシ（σ−１０〜１０ Ω−
α。
膜は、基板との界面でジンクシリケート化合物層をつく
って密着すると共に、適当な膜厚であれば、基板ガラス
の軟化温度まで加熱してやることによシ、螢光体粒子の
一部が基板ガラスに埋め込まれ、螢光体粒子と基板ガラ
スが密着し十分な放熱特性が得られる。またＺｎＯ薄膜
は、わづかなから導電性があシ（σ−１０〜１０ Ω−
α。
製膜条件によってはσ＝１ｏＱｃｍ も可能）、帯
電は十分阻止できる。またλ” ３９０ ｎ ｍ以上の
波長の光に対して透明であシ、Ｐ１６螢光体の発光領域
（３９０〜ｓ５ｏｎｍ）をカバーしている。化学的にも
安定で、電子管の製造熱プロセスを通しても、膜は変質
したシ、蒸発したシレない。
電は十分阻止できる。またλ” ３９０ ｎ ｍ以上の
波長の光に対して透明であシ、Ｐ１６螢光体の発光領域
（３９０〜ｓ５ｏｎｍ）をカバーしている。化学的にも
安定で、電子管の製造熱プロセスを通しても、膜は変質
したシ、蒸発したシレない。
したがって螢光体表層の発光部を汚染しない。また、膜
の構成材料が螢光体粒子と同じＺｎＯであり、コンタミ
ネイションの危険が無く膜の信頼性が高い。即ちＺｎＯ
は、前記機能を果すために要求される条件を以上のよう
にすべて満たす良質の放熱薄膜材料である。
の構成材料が螢光体粒子と同じＺｎＯであり、コンタミ
ネイションの危険が無く膜の信頼性が高い。即ちＺｎＯ
は、前記機能を果すために要求される条件を以上のよう
にすべて満たす良質の放熱薄膜材料である。
例ハ、リバースビュータイプの螢光管の応用例として、
螢光管型のプリンター用線光源の螢光体面に本発明を用
いた場合についての例である。第３図は上記線光源のア
ノード部分の斜視図である。
螢光管型のプリンター用線光源の螢光体面に本発明を用
いた場合についての例である。第３図は上記線光源のア
ノード部分の斜視図である。
ｙ方向に架張された線状熱陰極から発せられた電子ビー
ムは、その下部に設けられたグリッド及びフォーカス電
極（図示せず）によシ帯状に収束され、アノードの螢光
体層４上に電子ビーム照射範囲９として図示するように
照射される。アノード面は１２５μｍピッチで分割され
ている。
ムは、その下部に設けられたグリッド及びフォーカス電
極（図示せず）によシ帯状に収束され、アノードの螢光
体層４上に電子ビーム照射範囲９として図示するように
照射される。アノード面は１２５μｍピッチで分割され
ている。
光のオン、オフは電子ビームを照射するか否かを螢光体
層４の両側に位置するよう基板ガラス６上に形成された
アノードメタル電極５を通じて螢光体層４に数十Ｖの正
電圧を印加するか否かで行う、。
層４の両側に位置するよう基板ガラス６上に形成された
アノードメタル電極５を通じて螢光体層４に数十Ｖの正
電圧を印加するか否かで行う、。
第１図は、第３図に示すアノード面をｙ軸方向に見た断
面図である。基板ガラス６は肉厚３鵬の真空外囲器を兼
ねたガラスフェースプレートを構成しており、材質は通
常のソーダガラスである。
面図である。基板ガラス６は肉厚３鵬の真空外囲器を兼
ねたガラスフェースプレートを構成しており、材質は通
常のソーダガラスである。
その上に厚さ約１５００人のＺｎＯ薄膜７が形成されて
いる。ＺｎＯ薄膜７にはＺｎＯ： Ｚｎ螢光体粒子８が
一層のみ部分的に埋め込まれて螢光体層４を形成してい
る。アノードメタル電極５は発光部に近接して設けられ
たＣｒ等の金属薄膜よシなシ、ＺｎＯ薄膜７に導通して
いる。図の上部が真空容器中で、上部に設けた電子源（
図示省略）から、低速電子線が数十Ｖの電圧を印加した
螢光体粒子７に衝突、発光する。螢光体面で発光した光
は、ＺｎＯ薄膜７及びフェースプレート６を透過して外
部に放射され、線光源として利用される。アノードメタ
ル電極５は、電子放射によるチャージが逃げ易いように
できるだけ発光螢光体部近くまで近接シて設けられてお
り、左右両電極には等電位を与える。また、アノードメ
タル電極６を発光部に近接して設けることにより、螢光
体の発光が真空容器中の例えばグリッド電極等で乱反射
されて外部の不要な方向に放射されることを防ぐことが
できる。
いる。ＺｎＯ薄膜７にはＺｎＯ： Ｚｎ螢光体粒子８が
一層のみ部分的に埋め込まれて螢光体層４を形成してい
る。アノードメタル電極５は発光部に近接して設けられ
たＣｒ等の金属薄膜よシなシ、ＺｎＯ薄膜７に導通して
いる。図の上部が真空容器中で、上部に設けた電子源（
図示省略）から、低速電子線が数十Ｖの電圧を印加した
螢光体粒子７に衝突、発光する。螢光体面で発光した光
は、ＺｎＯ薄膜７及びフェースプレート６を透過して外
部に放射され、線光源として利用される。アノードメタ
ル電極５は、電子放射によるチャージが逃げ易いように
できるだけ発光螢光体部近くまで近接シて設けられてお
り、左右両電極には等電位を与える。また、アノードメ
タル電極６を発光部に近接して設けることにより、螢光
体の発光が真空容器中の例えばグリッド電極等で乱反射
されて外部の不要な方向に放射されることを防ぐことが
できる。
ＺｎＯ薄膜７を用いて以上のような構成の螢光体面を形
成することによシ、電子ビーム照射による螢光体粒子表
面の発熱は基板ガラスを通じて熱伝導によシ外部へ放熱
されるため、螢光体表層の温度上昇はわずかにとどまる
。例えば本実施例に掲げた線光源の光をセルフォックレ
ンズで集光してプリンタの感光ドラムを露光させよ・う
とした場合、必要な輝度を得るために４Ｗ／７程度のパ
ワー密度の電子ビームを照射しても、螢光体表層部の温
度上昇は、フェースプレート外面の温度に対して高々数
°Ｃのオーダーである。つまり、室温で使用している限
シ、従来の螢光体面で問題となっていた温度消光による
輝度飽和をおこすことなく高輝度の光源が実現できる。
成することによシ、電子ビーム照射による螢光体粒子表
面の発熱は基板ガラスを通じて熱伝導によシ外部へ放熱
されるため、螢光体表層の温度上昇はわずかにとどまる
。例えば本実施例に掲げた線光源の光をセルフォックレ
ンズで集光してプリンタの感光ドラムを露光させよ・う
とした場合、必要な輝度を得るために４Ｗ／７程度のパ
ワー密度の電子ビームを照射しても、螢光体表層部の温
度上昇は、フェースプレート外面の温度に対して高々数
°Ｃのオーダーである。つまり、室温で使用している限
シ、従来の螢光体面で問題となっていた温度消光による
輝度飽和をおこすことなく高輝度の光源が実現できる。
ＺｎＯ：Ｚｎ螢光体粒子８及びＺｎＯ薄膜７はσ＝１ｏ
−３〜１ｏ−７９−１０−１の導電性をもっており、電
子ビーム照射によって生成する二次電子はＺｎＯ薄膜７
を通じてアノードメタル電極５へ逃げ、螢光体表面のチ
ャージアップはおこらない。
−３〜１ｏ−７９−１０−１の導電性をもっており、電
子ビーム照射によって生成する二次電子はＺｎＯ薄膜７
を通じてアノードメタル電極５へ逃げ、螢光体表面のチ
ャージアップはおこらない。
また螢光体粒子表層部で発光した光（λ：３９０〜６６
０ ｎ ｍ ）は、この波長範囲では透明なＺｎＯ薄膜
７を透過して基板ガラスを経て外部へ放射される。この
際、従来の螢光体の場合幾層にも積み重なった螢光体粒
子の最上部の発光は下部の螢光体粒子で吸収や乱反射さ
れて、発光強度のロスと輝点のボケを生じていたが、本
実施例のような構成の螢光面にすることで、螢光体粒子
層はただ一層であるためこれらを低減することができる
。
０ ｎ ｍ ）は、この波長範囲では透明なＺｎＯ薄膜
７を透過して基板ガラスを経て外部へ放射される。この
際、従来の螢光体の場合幾層にも積み重なった螢光体粒
子の最上部の発光は下部の螢光体粒子で吸収や乱反射さ
れて、発光強度のロスと輝点のボケを生じていたが、本
実施例のような構成の螢光面にすることで、螢光体粒子
層はただ一層であるためこれらを低減することができる
。
製造に際しては、まず基板ガラスθ上にＣｒ等の金属を
蒸着し、フォトエツチング等によって第３図のようにア
ノードメタル電極６と形成する。
蒸着し、フォトエツチング等によって第３図のようにア
ノードメタル電極６と形成する。
次にＺｎＯ薄膜７をスパッタ法等によシ膜厚約１６０ｏ
人程度蒸着し、アノード電極６と位置を合せて第３図の
ように放熱膜として必要な部分のみを残す。その上に螢
光体粒子を沈澱させたあと、基板ガラス６の軟化温度（
ソーダガラスで約７００’Ｃ）程度に加熱し、真空中で
ガラス状カーボン板の面をつかって、沈澱法で形成した
螢光体面を押し螢光体粒子層下層部の螢光体粒子の一部
を、ＺｎＯ薄膜を介して基板ガラス中に埋め込み、密着
させる。低速電子線励起による螢光体発光なので前述の
ように発熱部も螢光体最上層の表面であるため、十分な
放熱特性を得るために、基板ガラス中に埋め込まれてい
ない余分の螢光体粒子はアルコール中で超音波洗浄する
等して除去し、あくま ・でも発光に寄与する螢光体
粒子は基板ガラスに埋め込まれている状態にする。
人程度蒸着し、アノード電極６と位置を合せて第３図の
ように放熱膜として必要な部分のみを残す。その上に螢
光体粒子を沈澱させたあと、基板ガラス６の軟化温度（
ソーダガラスで約７００’Ｃ）程度に加熱し、真空中で
ガラス状カーボン板の面をつかって、沈澱法で形成した
螢光体面を押し螢光体粒子層下層部の螢光体粒子の一部
を、ＺｎＯ薄膜を介して基板ガラス中に埋め込み、密着
させる。低速電子線励起による螢光体発光なので前述の
ように発熱部も螢光体最上層の表面であるため、十分な
放熱特性を得るために、基板ガラス中に埋め込まれてい
ない余分の螢光体粒子はアルコール中で超音波洗浄する
等して除去し、あくま ・でも発光に寄与する螢光体
粒子は基板ガラスに埋め込まれている状態にする。
ＺｎＯ薄膜は化学的に安定で、分解温度が高く、螢光体
粒子の埋め込みプロセスの温度７００°Ｃやその後の真
空容器の封着工程等の熱プロセスを経ても膜質は変化し
ない。また螢光体粒子表面を汚染しない。
粒子の埋め込みプロセスの温度７００°Ｃやその後の真
空容器の封着工程等の熱プロセスを経ても膜質は変化し
ない。また螢光体粒子表面を汚染しない。
上記実施例の螢光体面をプリンター用線光源に用いるこ
とによシ、電子ビームのパワーを上げて、感光体ドラム
を感光させるのに十分な光量を温度消光をおこすことな
く安定に得ることができる。
とによシ、電子ビームのパワーを上げて、感光体ドラム
を感光させるのに十分な光量を温度消光をおこすことな
く安定に得ることができる。
発明の効果
本発明は、ＺｎＯ： Ｚｎ螢光体粒子の一部をＺｎＯ薄
膜を介して基板ガラス中に埋め込んだもので、基板ガラ
スとＺｎＯ螢光体とが密着し、十分な放熱作用を得ると
共に、ＺｎＯ薄膜自体が透明導電膜の機能を果す。した
がって、電子ビームのパワー密度を上げて発光輝度を大
幅に向上させることができる。
膜を介して基板ガラス中に埋め込んだもので、基板ガラ
スとＺｎＯ螢光体とが密着し、十分な放熱作用を得ると
共に、ＺｎＯ薄膜自体が透明導電膜の機能を果す。した
がって、電子ビームのパワー密度を上げて発光輝度を大
幅に向上させることができる。
第１図は本発明の一実施例における螢光体表示板の断面
図、第２図は従来例の断面図、第３図は本発明の第１図
に示した実施例の斜視図である。 ４・・・・・・発光体層、５・・・・・・アノードメタ
ル電極、６・・・・・・基板ガラス、７・・・・・・Ｚ
ｎＯ薄膜、８・・・・・・ＺｎＯ：Ｚｎ螢光体粒子。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 電子ビーム 第２図 電′：ｊ−辷゛−ム
図、第２図は従来例の断面図、第３図は本発明の第１図
に示した実施例の斜視図である。 ４・・・・・・発光体層、５・・・・・・アノードメタ
ル電極、６・・・・・・基板ガラス、７・・・・・・Ｚ
ｎＯ薄膜、８・・・・・・ＺｎＯ：Ｚｎ螢光体粒子。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 電子ビーム 第２図 電′：ｊ−辷゛−ム
Claims (2)
- （１）基板ガラス上にＺｎＯ層を設け、そのＺｎＯ層上
から前記基板ガラス中にＺｎＯ：Ｚｎ螢光体粒子が部分
的に埋め込まれるようにＺｎＯ：Ｚｎ螢光体層を形成し
たことを特徴とする螢光体表示板。 - （２）基板ガラス表面に除去部を有する電極を設け、前
記除去部にＺｎＯ層を設け、前記ＺｎＯ層表面にＺｎＯ
：Ｚｎ螢光体層を設けたことを特徴とする特許請求の範
囲第１項に記載の螢光体表示板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12445085A JPS61284049A (ja) | 1985-06-07 | 1985-06-07 | 螢光体表示板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12445085A JPS61284049A (ja) | 1985-06-07 | 1985-06-07 | 螢光体表示板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61284049A true JPS61284049A (ja) | 1986-12-15 |
Family
ID=14885816
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12445085A Pending JPS61284049A (ja) | 1985-06-07 | 1985-06-07 | 螢光体表示板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61284049A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008251569A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体装置とその製造方法、及びテンプレート基板 |
-
1985
- 1985-06-07 JP JP12445085A patent/JPS61284049A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008251569A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体装置とその製造方法、及びテンプレート基板 |
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