JPS61284033A - アンテナ装置 - Google Patents
アンテナ装置Info
- Publication number
- JPS61284033A JPS61284033A JP60123953A JP12395385A JPS61284033A JP S61284033 A JPS61284033 A JP S61284033A JP 60123953 A JP60123953 A JP 60123953A JP 12395385 A JP12395385 A JP 12395385A JP S61284033 A JPS61284033 A JP S61284033A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- antenna
- atmospheric pressure
- conductive outer
- pressure side
- vacuum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Plasma Technology (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、大気圧側から真空側に高電力マイクロ波を伝
送するアンテナ装置に関する。
送するアンテナ装置に関する。
（従来の技術）
大気圧側から真空側に高電力マイクロ波を伝送するアン
テナ装置を使用する第３図に示される様なプラズマ発生
装置が知られている（工業材料、２９［：２］、（１９
８１）、Ｐ、５９〜６４）。
テナ装置を使用する第３図に示される様なプラズマ発生
装置が知られている（工業材料、２９［：２］、（１９
８１）、Ｐ、５９〜６４）。
この装置において、マイクロ波発振装置１から発生され
たマイクロ波は導波管２内を伝達したのちアンテナ装置
によって真空［６内に放出されるが、このアンテナ装置
は、図示されるように大気側と真空側を隔てる導波管２
の管壁に設けられた開口３を突き抜ける管状アンテナ４
と、このアンテナ４を空間を有して包囲する誘電体の真
空シール部５とから構成されている。アンテナ４内には
冷却ガスが流入されてアンテナ装置が冷却されるように
なっている。
たマイクロ波は導波管２内を伝達したのちアンテナ装置
によって真空［６内に放出されるが、このアンテナ装置
は、図示されるように大気側と真空側を隔てる導波管２
の管壁に設けられた開口３を突き抜ける管状アンテナ４
と、このアンテナ４を空間を有して包囲する誘電体の真
空シール部５とから構成されている。アンテナ４内には
冷却ガスが流入されてアンテナ装置が冷却されるように
なっている。
（発明が解決しようとする問題点）
第３図に示されたプラズマ発生装置の欠点は、真空槽６
内の生成プラズマのインピーダンスが封入ガス圧、温度
等のパラメーターにより微妙に変化する点に基づいてい
る。生成プラズマのインピーダンスが変化すると、マイ
クロ波の電力が完全にプラズマに吸収されないでアンテ
ナからマイクロ波発振装置の発振管（マグネトロン）に
向う反射マイクロ波が生じ、これによって発振管が破壊
する恐れが生じる。
内の生成プラズマのインピーダンスが封入ガス圧、温度
等のパラメーターにより微妙に変化する点に基づいてい
る。生成プラズマのインピーダンスが変化すると、マイ
クロ波の電力が完全にプラズマに吸収されないでアンテ
ナからマイクロ波発振装置の発振管（マグネトロン）に
向う反射マイクロ波が生じ、これによって発振管が破壊
する恐れが生じる。
なお、アンテナ装置と発振管との間にアイソレータを設
置することにより、反射マイクロ波による発振管の破壊
を防ぐことも考えられるが、一般に高価であり、経済的
に極めて不利である。
置することにより、反射マイクロ波による発振管の破壊
を防ぐことも考えられるが、一般に高価であり、経済的
に極めて不利である。
本発明の目的は、生成プラズマのインピーダンスが変化
しても強い反射マイクロ波が生じないアンテナ装置を提
供することにある。
しても強い反射マイクロ波が生じないアンテナ装置を提
供することにある。
（問題点を解決するための手段）
上述した真空シール部によって包囲されている管状アン
テナを、間隙を有して導電性外管で覆い、この導電性外
管の大気圧側端部を管状アンテナと電気的に接続するこ
とにより上記目的は達成される。
テナを、間隙を有して導電性外管で覆い、この導電性外
管の大気圧側端部を管状アンテナと電気的に接続するこ
とにより上記目的は達成される。
（作 用）
真空側から大気圧側への管状アンテナのインピーダンス
は著し増大するが、大気圧側から真空側へのインピーダ
ンスは従来通りであるので、大気圧側から真空側に高電
力マイクロ波が効率よく伝送される。
は著し増大するが、大気圧側から真空側へのインピーダ
ンスは従来通りであるので、大気圧側から真空側に高電
力マイクロ波が効率よく伝送される。
（発明の効果）
大気圧側から真空側への管状アンテナのインピーダンス
が高められたことにより、反射マイクロ波による発振管
の破壊が防止された。
が高められたことにより、反射マイクロ波による発振管
の破壊が防止された。
（実施例）
以下、本発明を図面を参照しつつ詳細に説明する。第１
図は本発明のアンテナ装置を使用するプラズマ発生装置
の概略側断面図であり、第２図は第１図の一部拡大図で
ある。マイクロ波発生装置（図示せず）から発生された
マイクロ波は導波管２によって伝達され、本発明による
アンテナ装置により真空槽６内に放出される。本実施例
においては、導波管２の開口３を突き抜ける管状アンテ
ナ４が、間隙を有して導電性外管７によって覆われてい
る。この導電性外管７の大気側端部はアンテナ４と電気
的に接続されている。導電性外管７の真空側端部から大
気圧側端部までの長さは使用するマイクロ波の波長の２
とされており、真空側から大気圧側へアンテナ４のイン
ピーダンスは無限大となる。導電性外管７の電気的接続
部分９の径は真空側から大気圧側へ徐々に小さくされて
おり、この部分９において、マイクロ波が反射波を生じ
ることが防止されている。アンテナ４を空間を有して包
囲するセラミック製の真空シール部５は導波管２にアー
ク溶接された円筒状のコバール材１０にロー付されてい
る。円筒状コバール材ＩＯは、使用するマイクロ波の波
長の２の長さの導電性外筒１１によって覆われている。
図は本発明のアンテナ装置を使用するプラズマ発生装置
の概略側断面図であり、第２図は第１図の一部拡大図で
ある。マイクロ波発生装置（図示せず）から発生された
マイクロ波は導波管２によって伝達され、本発明による
アンテナ装置により真空槽６内に放出される。本実施例
においては、導波管２の開口３を突き抜ける管状アンテ
ナ４が、間隙を有して導電性外管７によって覆われてい
る。この導電性外管７の大気側端部はアンテナ４と電気
的に接続されている。導電性外管７の真空側端部から大
気圧側端部までの長さは使用するマイクロ波の波長の２
とされており、真空側から大気圧側へアンテナ４のイン
ピーダンスは無限大となる。導電性外管７の電気的接続
部分９の径は真空側から大気圧側へ徐々に小さくされて
おり、この部分９において、マイクロ波が反射波を生じ
ることが防止されている。アンテナ４を空間を有して包
囲するセラミック製の真空シール部５は導波管２にアー
ク溶接された円筒状のコバール材１０にロー付されてい
る。円筒状コバール材ＩＯは、使用するマイクロ波の波
長の２の長さの導電性外筒１１によって覆われている。
導電性外筒１１の大気圧側端部はコバール材１０と電気
的に接続されており、真空側から大気圧側への円筒状コ
バール材１０のインピーダンスが無限大となっている。
的に接続されており、真空側から大気圧側への円筒状コ
バール材１０のインピーダンスが無限大となっている。
本実施例のアンテナ装置の真空側から大気圧側へのイン
ピーダンスは無限大となっており、反射波を生じること
なく、効率よくマイクロ波を供給できる。
ピーダンスは無限大となっており、反射波を生じること
なく、効率よくマイクロ波を供給できる。
第１図は本発明のアンテナ装置を使用するプラズマ発生
装置の側断面図、 第２図は第１図の一部拡大図、 第３図は従来のアンテナ装置を使用する従来のプラズマ
発生装置の側断面図である。 １・・・・・・マイクロ波発振装置、 ２・・・・・・
導波管、３・・・・・・開口、 ４・・・・・・管状
アンテナ、５・・・・・・真空シール部、 ６・・・・
・・真空槽、７・・・・・・導電性外管、 ９・・・・
・・電気的接続部分、１０・・・・・・円筒状のコバー
ル材、１１・・・・・・導電性外筒。 第１図 冷却−ｄ俸
装置の側断面図、 第２図は第１図の一部拡大図、 第３図は従来のアンテナ装置を使用する従来のプラズマ
発生装置の側断面図である。 １・・・・・・マイクロ波発振装置、 ２・・・・・・
導波管、３・・・・・・開口、 ４・・・・・・管状
アンテナ、５・・・・・・真空シール部、 ６・・・・
・・真空槽、７・・・・・・導電性外管、 ９・・・・
・・電気的接続部分、１０・・・・・・円筒状のコバー
ル材、１１・・・・・・導電性外筒。 第１図 冷却−ｄ俸
Claims (8)
- （１）大気圧側と真空側を隔てる壁に設けられた開口を
突き抜けて設置され、内部を冷却媒体が流通する管状ア
ンテナ、およびこのアンテナを空間を有して包囲する誘
電体の真空シール部を備え、この真空シール部を通して
大気圧側から真空側に高電力マイクロ波を伝送するアン
テナ装置において、 前記アンテナが、間隙を有して導電性外管によって覆わ
れており、この導電性外管の大気圧側端部が前記アンテ
ナと電気的に接続されていることを特徴とするアンテナ
装置。 - （２）前記導電性外管と前記アンテナとの電気的接続部
分の径が、真空側から大気圧側へ徐々に小さくなってい
ることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載のア
ンテナ装置。 - （３）前記導電性外管の長さが、使用されるマイクロ波
の波長の１／４であることを特徴とする特許請求の範囲
第（１）項記載のアンテナ装置。 - （４）前記壁が前記アンテナまでマイクロ波を伝送する
導波管の管壁であることを特徴とする特許請求の範囲第
（１）項記載のアンテナ装置。 - （５）前記真空シール部が、前記開口から延ばされた金
属性筒体を介して取り付けられていることを特徴とする
特許請求の範囲第（１）項記載のアンテナ装置。 - （６）前記金属性筒体が、コバールからなっていること
を特徴とする特許請求の範囲第（５）項記載のアンテナ
装置。 - （７）前記金属性筒体が、間隙を有して導電性外筒によ
って覆われており、この導電性外筒の大気圧側端部が前
記金属性筒体と電気的に接続されていることを特徴とす
る特許請求の範囲第（５）項または第（６）項記載のア
ンテナ装置。 - （８）前記導電性外筒の長さが、使用されるマイクロ波
の波長の１／４であることを特徴とする特許請求の範囲
第（７）項記載のアンテナ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60123953A JPS61284033A (ja) | 1985-06-07 | 1985-06-07 | アンテナ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60123953A JPS61284033A (ja) | 1985-06-07 | 1985-06-07 | アンテナ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61284033A true JPS61284033A (ja) | 1986-12-15 |
Family
ID=14873429
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60123953A Pending JPS61284033A (ja) | 1985-06-07 | 1985-06-07 | アンテナ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61284033A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8039772B2 (en) | 2005-08-24 | 2011-10-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Microwave resonance plasma generating apparatus and plasma processing system having the same |
| WO2012032596A1 (ja) * | 2010-09-06 | 2012-03-15 | 株式会社イー・エム・ディー | プラズマ処理装置 |
-
1985
- 1985-06-07 JP JP60123953A patent/JPS61284033A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8039772B2 (en) | 2005-08-24 | 2011-10-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Microwave resonance plasma generating apparatus and plasma processing system having the same |
| WO2012032596A1 (ja) * | 2010-09-06 | 2012-03-15 | 株式会社イー・エム・ディー | プラズマ処理装置 |
| CN103155718A (zh) * | 2010-09-06 | 2013-06-12 | Emd株式会社 | 等离子处理装置 |
| JP5462368B2 (ja) * | 2010-09-06 | 2014-04-02 | 株式会社イー・エム・ディー | プラズマ処理装置 |
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