JPS6232703A - マイクロ波電力導入装置 - Google Patents
マイクロ波電力導入装置Info
- Publication number
- JPS6232703A JPS6232703A JP60172717A JP17271785A JPS6232703A JP S6232703 A JPS6232703 A JP S6232703A JP 60172717 A JP60172717 A JP 60172717A JP 17271785 A JP17271785 A JP 17271785A JP S6232703 A JPS6232703 A JP S6232703A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- microwave
- vacuum
- cavity
- plasma
- vacuum tank
- Prior art date
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- Pending
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- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、大気圧側から真空側に高電力マイクロ波を伝
送する装置に関する。
送する装置に関する。
（従来の技術）
大気圧側から真空側に高電力マイクロ波を伝送するアン
テナ装置を使用する第３図に示される様なプラズマ発生
装置が知られている（工業材料、２９（２］、（１９８
１）、ｐ、５９〜６４）。
テナ装置を使用する第３図に示される様なプラズマ発生
装置が知られている（工業材料、２９（２］、（１９８
１）、ｐ、５９〜６４）。
この装置において、マイクロ波発振装置１から発生され
たマイクロ波は導波管２内を伝達したのちアンテナ４内
によって真空槽６内に放出されるがこのアンテナ装置は
、図示されるように大気側と真空側を隔てる導波管２の
管壁に設けられた開口３゛を突き抜ける管状アンテナ４
と、このアンテナ４を空間を有して包囲する誘電体の真
空シール部５とから構成されている。アンテナ４内には
冷却ガスが流入されてアンテナ装置が冷却されるように
なっている。
たマイクロ波は導波管２内を伝達したのちアンテナ４内
によって真空槽６内に放出されるがこのアンテナ装置は
、図示されるように大気側と真空側を隔てる導波管２の
管壁に設けられた開口３゛を突き抜ける管状アンテナ４
と、このアンテナ４を空間を有して包囲する誘電体の真
空シール部５とから構成されている。アンテナ４内には
冷却ガスが流入されてアンテナ装置が冷却されるように
なっている。
（発明が解決しようとする問題点）
第３図に示されたプラズマ発生装置の欠点は、真空槽６
内の生成プラズマのインピーダンスが封入ガス圧、温度
等のパラメーターにより微妙に変化する点に基づいてい
る。生成プラズマのインピーダンスが変化すると、マイ
クロ波の電力が完全にプラズマに吸収されないでアンテ
ナからマイクロ波発振装置の発振管（マグネトロン）に
向う反射マイクロ波が生じ、これによって発振管が破壊
する恐れが生じる。
内の生成プラズマのインピーダンスが封入ガス圧、温度
等のパラメーターにより微妙に変化する点に基づいてい
る。生成プラズマのインピーダンスが変化すると、マイ
クロ波の電力が完全にプラズマに吸収されないでアンテ
ナからマイクロ波発振装置の発振管（マグネトロン）に
向う反射マイクロ波が生じ、これによって発振管が破壊
する恐れが生じる。
なお、アンテナ装置と発振管との間にアイソレータを設
置することにより、反射マイクロ波による発振管の破壊
を防ぐことも考えられるが、一般に高価であり、経済的
に極めて不利である。
置することにより、反射マイクロ波による発振管の破壊
を防ぐことも考えられるが、一般に高価であり、経済的
に極めて不利である。
本発明の目的は、生成プラズマのインピーダンスが変化
しても強い反射マイクロ波が生じないマイクロ波電力導
入装置を提供することにある。
しても強い反射マイクロ波が生じないマイクロ波電力導
入装置を提供することにある。
（問題点を解決するための手段）
上記目的はマイクロ波を一旦シヨードプランジャーが設
けられた真空共振空洞を介して真空槽に放射することに
よって達成される。
けられた真空共振空洞を介して真空槽に放射することに
よって達成される。
（作 用）
封入ガス圧、温度等のパラメーターが変化しても、真空
共振空洞のショートプランジャーの位置を調整すること
によって真空共振空洞内のマイクロ波を常に共振状態と
することができる。
共振空洞のショートプランジャーの位置を調整すること
によって真空共振空洞内のマイクロ波を常に共振状態と
することができる。
（発明の効果）
プラズマ生成条件が変動しても、常に真空共振空洞内の
マイクロ波を共振状態とすることができるので、強い反
射マイクロ波による発振管の破壊が防止される。また、
プラズマを効率よく発生することができるという利点も
生じる。
マイクロ波を共振状態とすることができるので、強い反
射マイクロ波による発振管の破壊が防止される。また、
プラズマを効率よく発生することができるという利点も
生じる。
（実施例）
以下、本発明を図面を参照しつつ詳細に説明する。第１
図は本発明のマイクロ波電力導入装置の断面図である。
図は本発明のマイクロ波電力導入装置の断面図である。
少なくとも内面が導電性の円筒状の真空共振空洞１０の
上部には、共振空洞１０の内面を摺動するショートプラ
ンジャー１１が設けられている。このショートプランジ
ャー１１と共振空洞１０とはベロー１２によって連結さ
れており、共振空洞１０の気密が保たれている。真空共
振空洞ＩＯの側部に、中心導体１３と外導体１４とから
なる同軸導波管１８が接続されている。外導体１４は共
振空洞１０の内面と電気的に接続されており、中心導体
１３は共振空洞１０の内部を横切って共振空洞１０の反
対側に突き出ている。
上部には、共振空洞１０の内面を摺動するショートプラ
ンジャー１１が設けられている。このショートプランジ
ャー１１と共振空洞１０とはベロー１２によって連結さ
れており、共振空洞１０の気密が保たれている。真空共
振空洞ＩＯの側部に、中心導体１３と外導体１４とから
なる同軸導波管１８が接続されている。外導体１４は共
振空洞１０の内面と電気的に接続されており、中心導体
１３は共振空洞１０の内部を横切って共振空洞１０の反
対側に突き出ている。
この中心導体１３はまた共振空洞１０内で、セラミック
等の誘電体物質の窓１５によって空間を有して囲まれて
いる。この窓１５は真空を破ることなくマイクロ波を共
振空洞１０内に放出するための窓として機能する。マイ
クロ波発生部（図示せず）から発生されたマイクロ波は
導波管１２の端部から入力される。導波管１８の中心導
体１３を伝播したマイクロ波はショートプランジャー１
６によって反射される。このショートプランジャー１６
は共振空洞１０の内面に電気的に接続した外導体１４′
と接触されており、同軸導波管にショートプランジャー
１６が設けられた形態とされている。ショートプランジ
ャー１１の位置が調整されていて、共振空洞３が共振状
態とされていると、マイクロ波がンヨートプランジャ−
１６によって反射されても、マイクロ波が導波管１８を
伝わってマイクロ波発生部へ送り返されることはなく、
空洞１０は高効率に一イク・波を吸収する。共振
１空洞１０内のマイクロ波は開口１７から真空槽６
′へ放射される。真空Ｆｇ６内でこの放射されたマイ
□クロ波により直接あるいは電子サイクロトロン
共鳴によりプラズマが発生される。なお、本実施例
・人 においては、導波管１８の中心導体１７は管状で、
・□その内部に冷却流体を導入できる。
１
等の誘電体物質の窓１５によって空間を有して囲まれて
いる。この窓１５は真空を破ることなくマイクロ波を共
振空洞１０内に放出するための窓として機能する。マイ
クロ波発生部（図示せず）から発生されたマイクロ波は
導波管１２の端部から入力される。導波管１８の中心導
体１３を伝播したマイクロ波はショートプランジャー１
６によって反射される。このショートプランジャー１６
は共振空洞１０の内面に電気的に接続した外導体１４′
と接触されており、同軸導波管にショートプランジャー
１６が設けられた形態とされている。ショートプランジ
ャー１１の位置が調整されていて、共振空洞３が共振状
態とされていると、マイクロ波がンヨートプランジャ−
１６によって反射されても、マイクロ波が導波管１８を
伝わってマイクロ波発生部へ送り返されることはなく、
空洞１０は高効率に一イク・波を吸収する。共振
１空洞１０内のマイクロ波は開口１７から真空槽６
′へ放射される。真空Ｆｇ６内でこの放射されたマイ
□クロ波により直接あるいは電子サイクロトロン
共鳴によりプラズマが発生される。なお、本実施例
・人 においては、導波管１８の中心導体１７は管状で、
・□その内部に冷却流体を導入できる。
１
第１図は本発明のマイクロ波電力導入装置の側 □
断面図、 第２図は従来のアンテナ装置を使用するプラズマ発生装
置の側断面図である。 １・・・マイクロ波発生装置、２・・・導波管、３・・
・開口、４・・・管状アンテナ、５・・・真空シール部
、６・・・真空 □槽、１０・・・真空共振空洞、
１１・・・ショートプラン □ジャー、１２・・・
ベロー、１３・・・中心導体、′１４・・・外導体、１
６・・・誘電体物質の窓、１７・・・開口、１８・・導
波管 第１図
断面図、 第２図は従来のアンテナ装置を使用するプラズマ発生装
置の側断面図である。 １・・・マイクロ波発生装置、２・・・導波管、３・・
・開口、４・・・管状アンテナ、５・・・真空シール部
、６・・・真空 □槽、１０・・・真空共振空洞、
１１・・・ショートプラン □ジャー、１２・・・
ベロー、１３・・・中心導体、′１４・・・外導体、１
６・・・誘電体物質の窓、１７・・・開口、１８・・導
波管 第１図
Claims (1)
- 真空槽、およびこの真空槽に通じる開口と、電磁波を透
過する誘電体物質の窓と、ショートプランジャーとを備
える真空共振空洞からなるマイクロ波電力導入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60172717A JPS6232703A (ja) | 1985-08-06 | 1985-08-06 | マイクロ波電力導入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60172717A JPS6232703A (ja) | 1985-08-06 | 1985-08-06 | マイクロ波電力導入装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6232703A true JPS6232703A (ja) | 1987-02-12 |
Family
ID=15947023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60172717A Pending JPS6232703A (ja) | 1985-08-06 | 1985-08-06 | マイクロ波電力導入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6232703A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001307899A (ja) * | 2000-04-18 | 2001-11-02 | Daihen Corp | プラズマ発生装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS491191A (ja) * | 1972-03-06 | 1974-01-08 | ||
| JPS5164351A (ja) * | 1974-12-02 | 1976-06-03 | Fujitsu Ltd | Kudokyoshinki |
-
1985
- 1985-08-06 JP JP60172717A patent/JPS6232703A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS491191A (ja) * | 1972-03-06 | 1974-01-08 | ||
| JPS5164351A (ja) * | 1974-12-02 | 1976-06-03 | Fujitsu Ltd | Kudokyoshinki |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001307899A (ja) * | 2000-04-18 | 2001-11-02 | Daihen Corp | プラズマ発生装置 |
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