JP2001307899A

JP2001307899A - プラズマ発生装置

Info

Publication number: JP2001307899A
Application number: JP2000116642A
Authority: JP
Inventors: Michio Taniguchi; 道夫谷口; Shoichiro Minoke; 正一郎蓑毛; Shigeki Amadate; 茂樹天立; Kazuyoshi Kondo; 一喜近藤
Original assignee: Daihen Corp
Current assignee: Daihen Corp
Priority date: 2000-04-18
Filing date: 2000-04-18
Publication date: 2001-11-02

Abstract

(57)【要約】【課題】簡単な構成で信頼性高く冷却する。【解決手段】矩形導波管２に設けられた開口２ｂに対し
てＴ字型に連通接続された同軸管４と、封止手段２４と
を備える。同軸管４は、開口２ｂにおいて矩形導波管２
を径方向に貫通してその一端側が矩形導波管２から突出
する内導体４１と、内導体４１の一端側の外側に内導体
４１と略同軸に配置された外導体４２とを備えている。
封止手段２４は開口２ｂにおける矩形導波管２と内導体
４１との間の隙間を絶縁体６で閉塞するとともに、外導
体４２と内導体４１との間に形成されるプラズマ発生空
間１９をＯリング２０、２２等を用いて矩形導波管２に
対して真空封止している。このように構成したうえに、
内導体４１の他端側を矩形導波管２に熱的および電気的
に結合している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波放電に
よりプラズマを発生させるプラズマ発生装置に関する。
このプラズマ発生装置は、例えば、処理室内にプラズマ
ガスを導き、この処理室内に配置されている半導体ウエ
ハ上をエッチング，アッシング及びチャンバのクリーニ
ングをする工程など、に利用して好適なものに関する。

【０００２】

【従来の技術】図９を参照して従来のこの種のプラズマ
発生装置について説明する。同図において、１００は、
矩形断面を有した矩形導波管であって、この矩形導波管
１００の一端側開口には不図示のマイクロ波電源が装着
されその内部に該電源よりのマイクロ波が導入される。

【０００３】１０２，１０４は、矩形導波管１００の各
開口管壁それぞれにその管軸方向垂直に接続された円筒
導体であって、一方の円筒導体１０２は、プラズマ用の
ガス導入口１０２ａを有し、他方の円筒導体１０４の開
口１０４ａは、不図示の処理室に接続されている。

【０００４】１０６は、矩形導波管１００をその管軸方
向垂直に貫通するとともに両円筒絶縁体１０２，１０４
内に装着された円筒絶縁体であって、矩形導波管１００
内に位置する部分が、プラズマ発生部分１０６ａとされ
ている。

【０００５】１０８は、円筒絶縁体１０６のプラズマ発
生部分１０６ａ内におけるマイクロ波電界が強くなるよ
うにその管軸方向に可動される可動終端である。

【０００６】このようなプラズマ発生装置において、矩
形導波管１００内部にマイクロ波が導入され、かつ、円
筒導体１０２のガス導入口１０２ａからプラズマ用のガ
スが導入されると、円筒絶縁体１０６のプラズマ発生部
分１０６ａの内部空間にマイクロ波放電によるプラズマ
が発生する。

【０００７】こうして円筒絶縁体１０６で発生したプラ
ズマは、例えば、開口１０４ａに接続された処理室内に
配置された半導体ウエハ上に導かれ、該半導体ウエハ上
をエッチング，アッシング及びチャンバのクリーニング
する際に用いられる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】従来のプラズマ発生装
置には、プラズマに付随して生じる熱の放散が十分でな
いために、大電力のマイクロ波電力を供給することがで
きないという課題があった。

【０００９】従来のプラズマ発生装置においては、矩形
導波管１００の内部に位置する円筒絶縁体１０６の部位
（プラズマ発生部分１０６ａ）において、プラズマが発
生するため、プラズマによる発熱は局部的に生じること
になる。しかも、このようにして局部的に生じる熱が構
造的に外部に放散されにくいために、大電力のマイクロ
波電力を供給してプラズマを発生させると、円筒絶縁体
１０６が局部的に高温となり破損してしまう。このよう
な理由により、大電力のマイクロ波電力を供給すること
は不可能であった。

【００１０】円筒絶縁体１０６が局部的に高温となるの
を抑えるためには、プラズマ発生部分１０６ａを冷却す
る冷却ファンを設けることも考えられるが、そうする
と、大きな風量を発生させる冷却ファン装置が必要とな
って装置の大型化を招いてしまう。さらに、プラズマ発
生装置が設置される半導体製造用のクリーンルームで
は、冷却ファン装置を使用することによって周囲の雰囲
気が乱れるので問題である。

【００１１】また、円筒絶縁体１０６を二重管構造にし
て、その間に冷却媒体を流通させることで熱を放散させ
ることも考えられるが、通常、円筒絶縁体１０６は、比
較的破損しやすいガラス管から構成されており、しか
も、円筒絶縁体１０６は、高温のプラズマに曝されるう
えに、内部が真空であって外部から大気圧を受けるの
で、熱と圧力とによって破損しやすい状態にある。その
ため、円筒絶縁体１０６が破損した場合を想定せざるを
得ず、その場合、冷却媒体が装置内部に侵入して装置全
体に漏洩被害が広がることが危惧されるため、このよう
な熱放散構造をとることもできなかった。

【００１２】したがって、本発明は、プラズマ発生装置
において、簡単な構成で信頼性高く冷却することを解決
課題としている。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明は、図１に示すよ
うに、マイクロ波が導入される矩形導波管（２）と、矩
形導波管（２）に設けられた開口（２ｂ）に対してＴ字
型に連通接続された同軸管（４）と、封止手段とを備え
ている。同軸管（４）は、開口（２ｂ）において矩形導
波管（２）を同軸管４の管軸方向に貫通してその一端側
が矩形導波管（２）から突出する内導体（４１）と、内
導体（４１）の一端側の外側に内導体（４１）と略同軸
に配置された外導体（４２）とを備えている。封止手段
は、開口（２ｂ）における矩形導波管（２）と内導体
（４１）との間の隙間を真空封じ窓（６）で閉塞すると
ともに、外導体（４２）と内導体（４１）との間に形成
されるプラズマ発生空間（１９）を矩形導波管（２）に
対して真空封止している。さらには、内導体（４１）の
他端側は矩形導波管（２）に熱的および電気的に結合し
ている。

【００１４】したがって、本発明によれば、矩形導波管
（２）の内部には、プラズマは発生せず、矩形導波管
（２）に連通接続された同軸管（４）の内部にプラズマ
発生空間（１９）が形成されることになる。ここで、プ
ラスマ発生空間（１９）で発生した熱は、内導体（４
１）から、この内導体（４１）の他端側に熱的に結合さ
れた矩形導波管（２）を介して外部に放散されるので、
内導体（４１）に蓄熱されることはなく、このような熱
で内導体（４１）が破損することも起きない。したがっ
て、装置内部の蓄熱の影響を考慮することなく大電力の
マイクロ波電力を供給することができる。

【００１５】本発明の場合、好ましくは、内導体（４
１）をその一端側の端部が閉塞された筒体から構成する
とともに、内導体（４１）の内部空間に冷却媒体流通路
を形成してもよい。こうした場合、プラズマ発生空間
（１９）で発生した熱は、冷却媒体流通路に流通させる
冷却媒体により、さらに速やかに外部に放散されること
になる。

【００１６】また、本発明の場合、好ましくは、内導体
（４１）内部に、冷却媒体供給用の筒体（１８）が収納
配置されており、この筒体内部から、この筒体と内導体
（４１）との間の隙間にわたって冷却媒体流通路を形成
してもよい。こうした場合、冷却媒体の流通を効率よく
行うことができ、プラスマ発生空間（１９）で発生した
熱を、さらに速やかに外部に放散させることができるよ
うになる。

【００１７】また、本発明の場合、好ましくは、内導体
（４１）の一端側の外側を覆う絶縁体（図１では図示省
略）をさらに設けてもよい。こうした場合、内導体（４
１）はプラズマに直接曝されることがなくなり、内導体
４１からプラズマ中への汚染物質（金属反応生成物）の
拡散を防止することができる。

【００１８】また、本発明の場合、好ましくは、絶縁体
（１６）を、冷却媒体流通路に流通させる冷却媒体によ
り冷却するのが好ましい。こうした場合、プラズマに付
随して生じる熱による熱歪みで絶縁体（１６）に損傷
（割れ等）が生じることはなくなる。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の詳細を示す実施形
態に基づいて説明する。

【００２０】図２、図３は、本発明の実施形態に係り、
図２は、本実施の形態のプラズマ発生装置全体の縦断側
面図、図３は、図２のプラズマ発生装置の半断斜視図で
ある。

【００２１】図例のプラズマ発生装置において、２は、
矩形導波管、４は、同軸管、６は、真空封じ窓、８，１
０は、可動終端、１２，１４は操作体、１５は、可動終
端装着用円筒体、１６は、絶縁体、１８は、冷却媒体導
入用の円筒である。冷却媒体としては冷却水が例として
挙げられるが、他の冷却媒体であってもよい。

【００２２】矩形導波管２は、管軸方向一端側が開口さ
れ、管軸方向他端側が閉塞された矩形断面を有し、その
一端側開口２ａに不図示のマイクロ波電源が装着され、
その内部に該電源よりのマイクロ波が導入されるように
なっている。

【００２３】矩形導波管２はまた、管軸方向途中の管壁
上側と下側とに円形開口２ｂ、２ｃを有した取付ボス２
ｄ，２ｅを備え、一方の取付ボス２ｄには後述する同軸
管４の外導体４２が、また、他方の取付ボス２ｅには、
可動終端装着用円筒体１５が、それぞれ、取り付けられ
る。

【００２４】可動終端装着用円筒体１５は、円筒形の導
体で構成されていて可動終端１０がその筒軸方向に向け
て変位可能に取り付けられている。可動終端１０は、操
作体１４の端部に取り付けられるとともに、その操作体
１４の回転操作により筒軸方向に変位可能とされてい
る。

【００２５】同軸管４は、金属等の導体から構成された
内導体４１と外導体４２とを有し、真空封じ窓６より下
側における所定部分において両導体４１，４２による部
分的な二重管構造とされている。そして、内導体４１
は、一端側が閉塞され他端側が開口された筒状構造とさ
れ、一端側における所定部分４１ａが、外導体４２の一
端側における所定部分４２ａと径方向に対向し、その対
向隙間にプラズマ発生空間１９を構成している。

【００２６】内導体４１の他端側は、矩形導波管２を同
軸管４の管径方向に貫通して上方に突出し、その突出端
部は、可動終端装着用円筒体１５の外面に電気的および
機械的に接続されて接地されている。これにより、内導
体４１の他端側は矩形導波管２に熱的に結合されてい
る。

【００２７】内導体４１にはその他端側開口から冷却媒
体導入用の円筒１８が挿入されている。この構造によ
り、円筒１８の一端側からその内部に供給された冷却媒
体は、該円筒１８の他端側から出てくるとともに円筒１
８の外周と内導体４１との間の対向隙間を通して外部に
戻されるようになっている。

【００２８】外導体４２は、一端側が大径とされ、その
大径部分４２ｂに真空封じ窓６の装着用でかつ中央に開
口４２ｃを有した円形凹所４２ｄが形成されている。

【００２９】真空封じ窓６は、石英などの好ましくは耐
熱性の絶縁体が外導体４２の円形凹所４２ｄに装着され
て構成されており、矩形導波管２の一端側開口２ａと内
導体４１との間の隙間を閉塞している。そして、真空封
じ窓６と内導体４１との間、および外導体４２の開口４
２ｃと真空封じ窓６との間には、それぞれＯリング２
２、２２が介装されており、これらＯリング２０、２２
により、同軸管４の内部（プラズマ発生空間１９）は、
矩形導波管２に対して真空遮断されている。なお、本実
施形態では、真空封じ窓６と、Ｏリング２０、２２とに
より封止手段が構成されている。

【００３０】外導体４２は、その所定部分４２ａにおい
てプラズマ用のガス導入口４２ｅを備えている。

【００３１】このようにして同軸管４は、前記した二重
管構造部分が、矩形導波管２に対し開口２ｂを介しＴ字
形に連通接続されている。

【００３２】なお、可動終端８，１０は、プラズマ発生
空間１９におけるマイクロ波電界が強くなるように操作
体１２、１４によって可動されるものである。ただし、
矩形導波管２と可動終端装着用円筒体１５との形状を最
適化すれば、可動終端８，１０および操作体１２、１４
を省略することも可能である。

【００３３】また、内導体４１からプラズマ中への汚染
物質（金属反応生成物）の拡散を防止するするための絶
縁体１６は、真空封じ窓６に連接した状態で内導体４１
の所定部分４１ａの外周に設けられており、その外径面
は、真空封じ窓６と反対側方向に縮径した円錐面形状
（コーン状）とされている。

【００３４】絶縁体１６は、例えば、セラミック、石
英、サファイヤ、アルミナ、窒化アルミなどの化学的に
安定で、かつ耐熱性及び耐腐食性に優れた絶縁材料で構
成されている。

【００３５】なお、図４に示すように内導体４１の下側
を絶縁体１６が落下しないように段差を付けた形状にす
れば、絶縁体１６を真空封じ窓６または内導体４１にネ
ジ等で固定する必要がなくなり、構造を簡単にできるの
で好ましい。

【００３６】以上の構成を備えた本実施の形態の作用効
果について説明する。

【００３７】、同軸管４内に設けたプラズマ発生空間
１９でプラズマが発生するので、プラズマ発生熱で内導
体４１は高温状態にさらされる。この場合、内導体４１
の他端側が矩形導波管２に熱的に結合されているので、
プラズマ発生熱は、内導体４１の一端側からその他端側
にまで伝導されたうえ可動終端装着用円筒体１５および
矩形導波管２に放熱される結果、同軸管４は放熱される
ので、プラズマ発生熱が装置内部（特に、内導体４１）
に蓄熱されて、この熱により装置が破損することがなく
なる。したがって、このような熱破損を危惧して、マイ
クロ波電力供給量を制限する必要がなくなり、大電力の
マイクロ波電力をプラズマ発生装置に供給することがで
きる。

【００３８】、同軸管４の内導体４１の他端側開口に
おいては、円筒１８から冷却媒体を入れて、内導体４１
及びＯリング２２をさらに効率よく冷却することができ
る。特に、円筒１８を設けることで、円筒１８の内部か
ら、円筒１８と内導体４１との間の隙間にかけて、冷却
媒体流通路を形成できるので、この流通路により冷却媒
体を効率よく流通させることができ、冷却効率がさらに
向上する。

【００３９】、冷却媒体とプラズマ発生空間１９との
間の隔壁を構成する内導体４１は金属等の破損しにくい
導体から構成されているので、プラズマ発生空間１９
（真空）と内導体４１の内部圧（大気圧）との圧力差の
影響や、高熱のプラズマの影響で内部導体４１が破損す
ることも生じない。そのため、冷却媒体が、その流通路
の破損によりプラズマ発生空間１９に漏洩することも起
きず、装置破損を危惧することなく装置内部の冷却を行
うことができ、信頼性が増す。

【００４０】、内導体４１の周囲は、絶縁体１６に覆
われているので、内導体４１はプラズマに直接曝される
ことがなくなり、内導体４１からプラズマ中への汚染物
質（金属粒子）の拡散を防止することができる。

【００４１】また、内導体４１の内部に設けた冷却媒体
流通路に流通させた冷却媒体によって、絶縁体１６も冷
却される。そのために、絶縁体１６が熱歪みによって割
れる等の損傷を防止することができる。

【００４２】、内導体４１は、その他端側が可動終端
装着用円筒体１５および矩形導波管２に電気的に接続さ
れて接地されているから、マイクロ波が外部に漏洩する
ことが防止される。

【００４３】、従来技術ではプラズマとマイクロ波の
境界部分において、プラズマに対しマイクロ波の電界方
向は平行であるため、マイクロ波の反射波電力は非常に
大きかった。

【００４４】本発明では、プラズマとマイクロ波との境
界部分を絶縁体１６にすることで、プラズマに対し、マ
イクロ波の電界方向は平行でなくなる。そのため、マイ
クロ波がプラズマに、より吸収されやすくなり、反射波
電力を低減できる。さらに、絶縁体１６の形状を調整す
ることにより、プラズマの着火前後やプロセスの変更等
によるプラズマインピーダンスの大きな変動に対しても
負荷全体としてのインピーダンスをほぼ一定に保つこと
が可能になる。そのため、従来のように整合器を用いた
整合作用でマイクロ波の反射波電力を抑制する必要がな
くなり、プラズマを利用した各種作業を容易かつ能率的
なものにできる。なお、絶縁体１６内における電界の向
きは、図５の点線矢印で示すように径方向となってい
る。なお、マイクロ波は交流なので、電界の向きは時間
と場所とによって径方向外向きになったり、径方向内向
きになったりする。

【００４５】、絶縁体１６の外径面は円錐面形状であ
るが、この外径面を円錐面形状とした場合についての作
用効果について、図６を参照して説明する。

【００４６】図６は、負荷側の反射係数の大きさ｜Γ｜
および負荷位相θのガス圧力依存性を示している。な
お、絶縁体１６の管軸方向長さは、この例の場合、１０
５ｍｍであるが、この長さに限定されるものではない。
図６において、横軸は、ガス圧力（Ｐａ）、左縦軸は負
荷側の反射係数の大きさ｜Γ｜、右側縦軸は負荷位相θ
である。また、特性線Ａは、反射係数の大きさ｜Γ｜、
特性線Ｂは負荷位相θをそれぞれあらわしている。図６
において、横軸で示されるように外導体４２のガス導入
口４２ｅからプラズマ発生空間１９に供給されるガスの
圧力を変えた場合を示す。

【００４７】負荷側の反射係数の大きさ｜Γ｜は、進行
波電圧に対して反射波電圧がどれ位あるかということを
割合であらわした係数であり、負荷位相θは、進行波電
圧に対する反射波電圧の位相のことである。反射係数が
「１」とは電力が全部、反射されることを意味するか
ら、反射係数の特性線Ａが小さい程、よいことになる。

【００４８】ガス導入口４２ｅから導入されるガスの種
類や圧力は、半導体プロセスによって異なるので、それ
ぞれに応じて最適化したプロセス条件を設定する必要が
ある。本実施の形態では、絶縁体１６の外径面を円錐面
形状としているので、ガス圧力が変化しても、広い圧力
範囲において前記反射係数の大きさ｜Γ｜や負荷位相θ
の変化が小さくなり、前記最適化の設定が正確にかつ容
易なものとなる。

【００４９】したがって、上述の実施形態では、絶縁体
１６の外径面を、真空封じ窓６と反対側方向に縮径形状
としているから、半導体プロセスに応じてプラズマ発生
空間１９に供給するガスの圧力を変化させてもそのプロ
セスに対する最適化設定が正確かつ容易なものとなり好
ましい。

【００５０】（１）上述の実施形態では、絶縁体１６の
外径面が円錐面形状とされているが、これに限定される
ものではなく、上述のような管軸方向に同一径のままと
か、湾曲形状とか、その他の形状でも構わない。また、
熱歪みによって割れることを防止するために、周囲に溝
を設けても構わない。

【００５１】図７は、絶縁体１６の他の形状例図であ
り、この図を用いて他の形状の一例を説明する。

【００５２】図７（ａ）は、段階的に縮径し、かつ周囲
に溝を設けた例である。なお、溝はなくても構わない。
図７（ｂ）は、周囲に溝を設けた例である。図７（ｃ）
は、長さの異なる環状の絶縁体を組み合わせた例であ
り、それぞれの絶縁体の一部に落下防止用の段差を設け
た例である。

【００５３】（２）上述の実施形態におけるプラズマ発
生装置を保守に便利とするように、例えば、同軸管４の
外導体４２に対して、他の構成要素（同軸管４の内導体
４１、冷却媒体導入用の円筒１８、真空封じ窓６、絶縁
体１６、可動終端１０、操作体１４、可動終端装着用円
筒体１５）を一体のユニット化として嵌着可能に取り外
せるようにすると、絶縁体１６に対しての保守交換が容
易となる。

【００５４】（３）上述の実施形態では、内導体４１の
外周を覆う絶縁体１６を設けていた。これは、内導体４
１が高温のプラズマに直接曝されないようにして、内導
体４１からプラズマ中への汚染物質（金属粒子）の拡散
を防止するために設けたものである。また、内導体４１
の外周を覆う絶縁体１６を設けることによって、外導体
４２のガス導入口４２ｅからプラズマ発生空間１９に供
給されるガス圧力が変化しても、広い圧力範囲において
前記反射係数の大きさ｜Γ｜や負荷位相θの変化を小さ
くできる。

【００５５】そのために、内導体４１からプラズマ中へ
の汚染物質（金属粒子）の拡散が無視できるほど少ない
場合、または絶縁体１６を設けない状態で、前記反射係
数の大きさ｜Γ｜や負荷位相θの変化が小さい場合に
は、図８に示すように、絶縁体１６をなくしてもよい。

【００５６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
プラスマで発生した熱を、内導体から矩形導波管を介し
て外部に放散したり、内導体の内部に流通される冷却媒
体を介して外部に放散させることができるので、熱によ
り内導体が破損することも起きにくくなった。これによ
り、装置内部での蓄熱の影響をあまり考慮することなく
大電力のマイクロ波電力を供給することができ、その
分、プラズマ発生装置の出力強度を高めることができ
た。

【００５７】また、冷却媒体により装置内部を冷却する
場合であっても、冷却媒体が装置内部に漏洩しにくく、
装置信頼性は高い。

【００５８】また、内導体の一端側の外側を覆う絶縁体
をさらに設けることで、内導体の耐久性をさらに高める
ことができた。

【００５９】また、内導体の内部に設けた冷却媒体流通
路に流通させる冷却媒体によって、絶縁体を冷却するこ
とで、絶縁体が熱歪みによって割れる等の損傷が絶縁体
に生じることを防止でき、その分、絶縁体の耐久性を向
上させることができた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のプラズマ発生装置の要点の説明に供す
る図

【図２】実施の形態のプラズマ発生装置全体の縦断側面
図

【図３】図２のプラズマ発生装置を半断面にした斜視図

【図４】絶縁体１６の落下を防止するための内導体４１
の形状例図

【図５】図２の要部拡大図

【図６】本実施形態の作用の説明に供する図

【図７】絶縁体１６の他の形状例図

【図８】本発明の変形例のプラズマ発生装置の縦断側面
図

【図９】従来のプラスマ発生装置の全体の縦断側面図

【符号の説明】

２矩形導波管４同軸管６真空封じ窓１６絶縁体１９プラズマ発生空間２０、２２Ｏリング４１内導体４２外導体

フロントページの続き (72)発明者天立茂樹大阪府大阪市淀川区田川２丁目１番11号株式会社ダイヘン内 (72)発明者近藤一喜大阪府大阪市淀川区田川２丁目１番11号株式会社ダイヘン内Ｆターム(参考） 4G075 AA24 BC10 CA26 CA48 FC15 5F004 AA16 BA20 BB14 BB32 BD01

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】マイクロ波が導入される矩形導波管と、
前記矩形導波管に設けられた開口に対してＴ字型に連通
接続された同軸管と、封止手段とを備え、前記同軸管は、前記開口において前記矩形導波管を同軸
管の管軸方向に貫通してその一端側が矩形導波管から突
出する内導体と、前記内導体の一端側の外側に内導体と
略同軸に配置された外導体とを有し、前記封止手段は、前記開口における前記矩形導波管と前
記内導体との間の隙間を絶縁体で閉塞するとともに、前
記外導体と前記内導体との間に形成されるプラズマ発生
空間を前記矩形導波管に対して真空封止するものであ
り、かつ、前記内導体の他端側を前記矩形導波管に熱的およ
び電気的に結合した、ことを特徴とするプラズマ発生装
置。
【請求項２】請求項１に記載のプラズマ発生装置であ
って、前記内導体をその一端側の端部が閉塞された筒体から構
成するとともに、内導体の内部空間に冷却媒体流通路を
形成することを特徴とするプラズマ発生装置。
【請求項３】請求項２に記載のプラズマ発生装置であ
って、前記内導体内部に、冷却媒体供給用の筒体が収納配置さ
れており、この筒体内部から、この筒体と前記内導体と
の間の隙間にわたって冷却媒体流通路を形成することを
特徴とするプラズマ発生装置。
【請求項４】請求項１ないし３のいずれかに記載のプ
ラズマ発生装置であって、前記内導体の一端側の外側を覆う絶縁体を有することを
特徴とするプラズマ発生装置。
【請求項５】請求項２または３に記載のプラスマ発生
装置であって、前記内導体の一端側の外側を覆う絶縁体を有し、この絶
縁体を、前記冷却媒体流通路を流通させる冷却媒体によ
り冷却することを特徴とするプラズマ発生装置。