JPS6362199A - マイクロ波導入装置 - Google Patents

マイクロ波導入装置

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JPS6362199A
JPS6362199A JP61206122A JP20612286A JPS6362199A JP S6362199 A JPS6362199 A JP S6362199A JP 61206122 A JP61206122 A JP 61206122A JP 20612286 A JP20612286 A JP 20612286A JP S6362199 A JPS6362199 A JP S6362199A
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JP
Japan
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coaxial
conductor
coaxial waveguide
microwave
magnetron
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JP61206122A
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Inventor
丹波 護武
雄一 坂本
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RIKEN Institute of Physical and Chemical Research
Original Assignee
RIKEN Institute of Physical and Chemical Research
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、同軸導波管による高電力マイクロ波導入装璽
に関する。
(従来技術) マイクロ波の発振管、例えばマグネトロンから高電力マ
イクロ波を同軸導波管に伝達させて導入する第3図に示
されるようなマイクロ波導入装置が知られている。ここ
で、1は矩形導波管、2は同軸導波管、3はマグネトロ
ン及び単向管等の立体回路である。
(発明が解決しようとする問題点) 第3図に示されたようなマイクロ波導入装置の欠点は、
矩形から同軸への変換部があるため設計およびその構成
が複雑になることである。更に、同軸導波管の内外導体
の間には固体状のaM 8体物質が充填されて軸出しく
中心位置決め)が行われるため正確な位置決めが困難で
ある。
本発明の主な目的は、構造が簡単な高電力マイクロ波電
力導入装百を提供することにある。
(問題点を解決するための手段) 上記目的は、同軸導波管の一端の内部導体にマグネトロ
ンのアンテナ部が取り付けられ、2つ以上のチューニン
グ用同軸ショートプランジャーにて、同軸導波管の内部
導体と外部導体が支持されているマイクロ波導入装置に
より達成される。
(作 用) 発振マイクロ波は、マグネトロンのアンテナ部に直接接
続された同軸導波管の内部導体と外部導体の間を伝送し
、伝送径路に設けられた2つ以上のチューニング用同軸
ショートプランジャーにて負荷とのインピーダンスマツ
チングがなされる。
(発明の効果) 本発明においては、上述のような変換器を使用すること
なくマグネトロンに直接同軸導波管を接続するようにし
たので、構成が極めて簡単である。
更に、同軸導波管の内部導体は、2つ以上のチューニン
グ用同軸ショートプランジャーの中心導体と機械的に接
続されており、中心導体は、同軸ショートプランジャー
の外部導体に機械的に接続されている。このため、同軸
導波管の内部導体は、外部導体に対し比較的簡易に正確
に中心の位置決めを行うことが8来る。
(発明の効果) 本発明によれば、簡便にマイクロ波電力を同軸導波管に
伝送させることができ、また簡単に冷却媒体を同軸導波
管の他端に移送し、他端に設けられたアンテナ部を冷却
できる。
(実施例) 以下、本発明を図面を参照しつつ詳細に説明する。第1
図は本発明のマイクロ波導入装置の一実施例の断面図で
ある。同軸導波管11の一端の外部導体に設けられたマ
グネトロン取付は板12にマグネトロン15設置され、
この一端の内部導体11aにはマグネトロンのアンテナ
13が燐青銅の接手14にて接続されている。マイクロ
波は同軸導波管11を伝送し、同軸導波管11の他端よ
り放射される。この他端の、内部導体21には導入マイ
クロ波のほぼス波長長のアンテナ20が設けられている
。このアンテナ20は外部導体11bに接続されたセラ
ミック16で包囲されており、このセラミックス16に
関してアンテナ20側を大気圧とし反対側を真空状態と
することを可能としている。放射されたマイクロ波のサ
イドローブは少なく、主ローブのビーム幅は大きい。真
空状態の放電管17内に放射されたマイクロ波は、放電
管17を包囲して配置されたパーマネントマグネット1
8により形成される磁場との相互して電子サイクロトロ
ン共鳴を生じ、プラズマが形成される。ここで、19.
19’はチューニング用同軸ショートプランジャーであ
り、伝送マイクロ波と負荷とのインピーダンス、・マツ
チングがなされる。第2図は本発明のマイクロ波導入装
置に適用されている2つのチューニング用同軸ショート
プランジャーの拡大図であり、同軸ショート・プランジ
ャー19.19′の外部導体23が同軸導波管11の外
部導体に溶着され、中心導体24は、内部導体11aに
溶着されている。中心導体24は、外部導体23より棒
立する4本の支持棒22に接合された止め金具25によ
り固定されており、同軸導波管11の内部導体11aを
支持している。
ここで、27は、外部導体23と中心導体24の間を中
心導体24の軸方向に支持棒22に沿ってスライドし、
外部導体と中心導体をショートするショート金具であり
、28は止め金具である。ショート・プランジャー19
の中心導体24には、冷却媒体導入口29より冷却媒体
が圧送される。
冷却媒体は、同軸導波管11の内部導体11aの内部を
通し所望する場所を冷却し、同軸導波管11の内外導体
の間を還流する。
なお、本実施例ではマグネトロンと同軸導波管の結合を
直接導電結合によって行っているが、マグネトロンの種
類により間接放射型結合により行うことが適当な場合も
ある。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明によるマイクロ波導入装置の一実施例
の断面図であり、 第2図は、本発明のマイクロ波導入装置に適用されてい
るチューニング用同軸ショート・プランジャーの説明図
であり、 第3図は、従来のマイクロ波導入装置の説明図である。 11・・・同軸導波管、 11a・・・内部導体、llb・・・外部導体、13・
・・マグネトロンのアンテナ部、15・・ ・マグネト
ロン、 19.19′ ・・・同軸ショートプランジャー、23
・・・同軸ンヨートプランジャーの外部導体24・・・
同軸ショートプランジャーの中心導体。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)同軸導波管の一端の内部導体にマグネトロンのア
    ンテナ部が取り付けられ、2つ以上のチューニング用同
    軸ショートプランジャーにて、同軸導波管の内部導体が
    外部導体に支持されていることを特徴とするマイクロ波
    導入装置。
  2. (2)前記同軸ショートプランジャーの中心導体の内部
    に冷却媒体が流れることを特徴とする特許請求の範囲第
    (1)項記載のマイクロ波導入装置。
JP61206122A 1986-09-02 1986-09-02 マイクロ波導入装置 Expired - Lifetime JPH0673318B2 (ja)

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JP61206122A JPH0673318B2 (ja) 1986-09-02 1986-09-02 マイクロ波導入装置

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JP61206122A JPH0673318B2 (ja) 1986-09-02 1986-09-02 マイクロ波導入装置

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JPS6362199A true JPS6362199A (ja) 1988-03-18
JPH0673318B2 JPH0673318B2 (ja) 1994-09-14

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001307899A (ja) * 2000-04-18 2001-11-02 Daihen Corp プラズマ発生装置
US6893848B1 (en) 1999-04-19 2005-05-17 Kyowa Hakko Kogyo Co., Ltd. Desensitized aspartokinase
JP2007294159A (ja) * 2006-04-21 2007-11-08 Shibaura Mechatronics Corp マイクロ波導入器、プラズマ発生装置及びプラズマ処理装置
CN114222626A (zh) * 2019-04-05 2022-03-22 派罗波有限公司 用于微波热解系统的内部冷却的阻抗调谐器

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JPH0673318B2 (ja) 1994-09-14

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