JPH0236238Y2 - - Google Patents
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- JPH0236238Y2 JPH0236238Y2 JP1983176339U JP17633983U JPH0236238Y2 JP H0236238 Y2 JPH0236238 Y2 JP H0236238Y2 JP 1983176339 U JP1983176339 U JP 1983176339U JP 17633983 U JP17633983 U JP 17633983U JP H0236238 Y2 JPH0236238 Y2 JP H0236238Y2
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- Japan
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- plasma
- electrode
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- gas
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- 239000007789 gas Substances 0.000 description 26
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 7
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
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- Plasma Technology (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔考案の利用分野〕
この考案はマイクロ波プラズマ発生装置に係
り、特に、マイクロ波エネルギーを電子とイオン
のエネルギーに変換して高温プラズマを得るのに
好適なマイクロ波プラズマ発生装置に関するもの
である。
り、特に、マイクロ波エネルギーを電子とイオン
のエネルギーに変換して高温プラズマを得るのに
好適なマイクロ波プラズマ発生装置に関するもの
である。
従来のこの種のマイクロ波プラズマ発生装置
は、マイクロ波を導波管に導き、その導波管内に
て当該マイクロ波エネルギーを電子とイオンのエ
ネルギーに変換して高温プラズマを得ることがで
きる装置として知られている。
は、マイクロ波を導波管に導き、その導波管内に
て当該マイクロ波エネルギーを電子とイオンのエ
ネルギーに変換して高温プラズマを得ることがで
きる装置として知られている。
かかる高温プラズマは、上記電子エネルギーが
主たるものであり、そのエネルギーを温度に換算
すると数万度に相当する。したがつて、前記プラ
ズマ発生装置によれば、当該装置に流入せしめた
気体の化学反応を当該エネルギーをもつて促進で
きるので、例えば悪臭気体の酸化反応による脱臭
などに利用ができるものである。
主たるものであり、そのエネルギーを温度に換算
すると数万度に相当する。したがつて、前記プラ
ズマ発生装置によれば、当該装置に流入せしめた
気体の化学反応を当該エネルギーをもつて促進で
きるので、例えば悪臭気体の酸化反応による脱臭
などに利用ができるものである。
ところで、従来のマイクロ波プラズマ発生装置
は、特開昭57−184832号公報に記載されている如
く、常時発弧状態を維持する必要があることか
ら、プラズマの消弧を光検出手段によつて検出
し、耐熱導電性材料から成るプラズマ発生用接触
棒をプラズマ発生用電極に接せしめ、あるいはフ
ライバツクトランスの電圧を高めてその接触棒の
放電用端子とプラズマ発生電極との間に発弧させ
てマイクロ波プラズマをプラズマ発生電極の先方
部に発生させようとするものである。
は、特開昭57−184832号公報に記載されている如
く、常時発弧状態を維持する必要があることか
ら、プラズマの消弧を光検出手段によつて検出
し、耐熱導電性材料から成るプラズマ発生用接触
棒をプラズマ発生用電極に接せしめ、あるいはフ
ライバツクトランスの電圧を高めてその接触棒の
放電用端子とプラズマ発生電極との間に発弧させ
てマイクロ波プラズマをプラズマ発生電極の先方
部に発生させようとするものである。
したがつて、かかる従来装置によれば、マイク
ロ波プラズマを点弧させる手段として、光検出手
段、プラズマ発生用電極を駆動せしめるための機
械的部分、接触棒の放電用端子に印加する電圧を
高めるためにフライバツクトランスやその電圧を
高める手段を設ける必要があり、装置全体が複雑
になると共に、構成要素が多いことから精度が低
下する等の欠点があつた。
ロ波プラズマを点弧させる手段として、光検出手
段、プラズマ発生用電極を駆動せしめるための機
械的部分、接触棒の放電用端子に印加する電圧を
高めるためにフライバツクトランスやその電圧を
高める手段を設ける必要があり、装置全体が複雑
になると共に、構成要素が多いことから精度が低
下する等の欠点があつた。
この考案の目的は、装置の構成を簡素化し、か
つ信頼性を向上させたマイクロ波プラズマ発生装
置を提供することにある。
つ信頼性を向上させたマイクロ波プラズマ発生装
置を提供することにある。
上記目的を達成するため、この考案は、マイク
ロ波を導入する矩形導波管の終端板からほぼ
nλg/2(λg:マイクロ波の管内波長、n:自然
数)の位置に配置したアイリスと、該矩形導波管
の終端板からλg/4+n′λg/2(n′:0又はnよ
り小さい自然数)ほどの位置に配置し長さをほぼ
λ/4(λ:マイクロ波の空間波長)に形成した
電極と、該電極上部の導波管壁に形成した外筒
と、該外筒の頂部に配置した金網とからなること
を特徴とするものである。
ロ波を導入する矩形導波管の終端板からほぼ
nλg/2(λg:マイクロ波の管内波長、n:自然
数)の位置に配置したアイリスと、該矩形導波管
の終端板からλg/4+n′λg/2(n′:0又はnよ
り小さい自然数)ほどの位置に配置し長さをほぼ
λ/4(λ:マイクロ波の空間波長)に形成した
電極と、該電極上部の導波管壁に形成した外筒
と、該外筒の頂部に配置した金網とからなること
を特徴とするものである。
上記の構成によれば、矩形導波管の終端部とア
イリスとの距離がほぼnλg/2となつているの
で、その部分が共振器となつて導入されたマイク
ロ波の周波数で共振をする。また、電極の位置が
終端板からλg/4+n′λg/2ほどの位置にあり、
長さもほぼλ/4になつているので、電極自体も
共振し、電極先端に高い電圧が生じる。
イリスとの距離がほぼnλg/2となつているの
で、その部分が共振器となつて導入されたマイク
ロ波の周波数で共振をする。また、電極の位置が
終端板からλg/4+n′λg/2ほどの位置にあり、
長さもほぼλ/4になつているので、電極自体も
共振し、電極先端に高い電圧が生じる。
このように電極先端に高いマイクロ波電圧が発
生し、その電圧が気体の耐電圧より高くなれば自
動的に電極先端からプラズマが発生することにな
る。
生し、その電圧が気体の耐電圧より高くなれば自
動的に電極先端からプラズマが発生することにな
る。
以下、この考案の実施例を図面に基づいて説明
するが、その前にこの考案の原理を説明する。
するが、その前にこの考案の原理を説明する。
導波管中を伝送するマイクロ波の電力が一定値
を超えるとマイクロ波放電を生ずることが知られ
ている。
を超えるとマイクロ波放電を生ずることが知られ
ている。
このようにマイクロ波放電を生ずる理由として
は、導波管中に存在する気体の耐電圧が決つてい
ることから、それ以上に高いマイクロ波電圧が印
加されると絶縁破壊を生じてしまうためである。
マイクロ波を用いてプラズマを点弧させるために
は、プラズマを発生させる部分の電界強度が、そ
の周りに存在する気体の耐電圧より大きいこと
と、プラズマを発生させる部分以外の電界強度
が、そこに存在する気体の耐電圧より低いことと
の二つの条件が必要である。
は、導波管中に存在する気体の耐電圧が決つてい
ることから、それ以上に高いマイクロ波電圧が印
加されると絶縁破壊を生じてしまうためである。
マイクロ波を用いてプラズマを点弧させるために
は、プラズマを発生させる部分の電界強度が、そ
の周りに存在する気体の耐電圧より大きいこと
と、プラズマを発生させる部分以外の電界強度
が、そこに存在する気体の耐電圧より低いことと
の二つの条件が必要である。
上記二つの条件を満足させることができれば、
マイクロ波電力を印加するだけで、マイクロ波プ
ラズマを得ることができる。
マイクロ波電力を印加するだけで、マイクロ波プ
ラズマを得ることができる。
上記した原理に基づいてこの考案はなされたも
のであり、第1図以下の図面を用いて説明する。
のであり、第1図以下の図面を用いて説明する。
第1図及び第2図はこの考案に係るマイクロ波
プラズマ発生装置の実施例を示す斜視図及び断面
図である。
プラズマ発生装置の実施例を示す斜視図及び断面
図である。
これらの図において、符号1はマイクロ波を伝
送する矩形の導波管であり、導波管1は図示しな
いマイクロ波発生装置に接続されている。また、
2はアイリス、3はマイクロ波を遮断し、かつ空
気を通過させる金網、4は共振器、5はマイクロ
波プラズマ、6はプラズマ発生用電極である。ま
た、7は熱ピンチ用気体流入口であり、この熱ピ
ンチ用気体流入口7は使用するマイクロ波におい
てカツトオフになるような径にしてある。8は終
端板、9は外筒である。10は窓であり、この窓
10はマイクロ波を通過させるが熱ピンチ用気体
を通過させないような誘電体からなる窓である。
送する矩形の導波管であり、導波管1は図示しな
いマイクロ波発生装置に接続されている。また、
2はアイリス、3はマイクロ波を遮断し、かつ空
気を通過させる金網、4は共振器、5はマイクロ
波プラズマ、6はプラズマ発生用電極である。ま
た、7は熱ピンチ用気体流入口であり、この熱ピ
ンチ用気体流入口7は使用するマイクロ波におい
てカツトオフになるような径にしてある。8は終
端板、9は外筒である。10は窓であり、この窓
10はマイクロ波を通過させるが熱ピンチ用気体
を通過させないような誘電体からなる窓である。
このような構成要素を有するマイクロ波プラズ
マ発生装置は、前記マイクロ波を伝送する導波管
1中に共振器4を形成させ、かつ当該共振器4の
電界最大部をブラズマ発生器50となし、該プラ
ズマ発生部50を、その電界強度が周辺気体の耐
圧以上となるように、共振器4の所定の位置(l1
及びI4)に当該プラズマ発生用電極6を配設する
と共に、該電極6の長さl3を、 l3=λ/4+nλ/2 ただし、λ;マイクロ波の波長 n;0,1,2,3,…… として構成されたものである。
マ発生装置は、前記マイクロ波を伝送する導波管
1中に共振器4を形成させ、かつ当該共振器4の
電界最大部をブラズマ発生器50となし、該プラ
ズマ発生部50を、その電界強度が周辺気体の耐
圧以上となるように、共振器4の所定の位置(l1
及びI4)に当該プラズマ発生用電極6を配設する
と共に、該電極6の長さl3を、 l3=λ/4+nλ/2 ただし、λ;マイクロ波の波長 n;0,1,2,3,…… として構成されたものである。
尚、外筒9は、長さl2の筒状となし、その頂部
に金網3を設けて構成されており、円形導波管に
することもできるし、マイクロ波をカツトオフす
る円筒とすることもできるが、以下の実施例では
円形導波管として利用する例で説明する。
に金網3を設けて構成されており、円形導波管に
することもできるし、マイクロ波をカツトオフす
る円筒とすることもできるが、以下の実施例では
円形導波管として利用する例で説明する。
上記の如き実施例の作用を説明する。
まず、寸法等の調整作業について説明する。
プラズマ発生用電極6の電極寸法l3を、大略
λ/4+nλ/2(λ:使用するマイクロ波の波
長、n:0,1,2,…の整数)に調整する。次
に、l1及びl4を、大略λg/4+nλg/2(λg:管内
波長)になるように該電極6を位置せしめるよう
に調整する。
λ/4+nλ/2(λ:使用するマイクロ波の波
長、n:0,1,2,…の整数)に調整する。次
に、l1及びl4を、大略λg/4+nλg/2(λg:管内
波長)になるように該電極6を位置せしめるよう
に調整する。
さらに、導波管1よりマイクロ波を導入し、l2
を大略nλg/2に調整することにより、プラズマ
発生用電極6の電極先端よりマイクロ波プラズマ
が発生する。
を大略nλg/2に調整することにより、プラズマ
発生用電極6の電極先端よりマイクロ波プラズマ
が発生する。
マイクロ波プラズマが電極6の先端から発生し
たら、気体流入口7より熱ピンチ用ガスを入れ
る。
たら、気体流入口7より熱ピンチ用ガスを入れ
る。
次に、アイリス2を調整し、マイクロ波プラズ
マが最大になるようにする。
マが最大になるようにする。
以上述べたような調整を1度しておけば、2度
目からは導波管1よりマイクロ波を導入するだけ
でマイクロ波プラズマが当該プラズマ発生部50
より発生する。
目からは導波管1よりマイクロ波を導入するだけ
でマイクロ波プラズマが当該プラズマ発生部50
より発生する。
導波管1より導入されたマイクロ波が、共振器
4の内に入ると終端板8とアイリス2の長さが大
略nλg/2になつており、外筒9の長さがnλg/
2になつているから共振器4は導入された周波数
で共振をする。
4の内に入ると終端板8とアイリス2の長さが大
略nλg/2になつており、外筒9の長さがnλg/
2になつているから共振器4は導入された周波数
で共振をする。
さらに、該電極6の寸法が、λ/4+nλ/2
になつているので、棒自体でも共振し、プラズマ
発生部50の該電極6の先端に高い電圧が生じ
る。
になつているので、棒自体でも共振し、プラズマ
発生部50の該電極6の先端に高い電圧が生じ
る。
電極6の先端に高いマイクロ波電圧が発生し、
その電圧が気体の耐電圧より高くなれば自動的に
電極先端から、プラズマが発生することになる。
その電圧が気体の耐電圧より高くなれば自動的に
電極先端から、プラズマが発生することになる。
本実施例によれば、共振器4は、金網3の部分
や終端板8等の金属で囲まれているから、Qは高
く取れるので、導波管1から導入されるマイクロ
波が小さくても、自動的にプラズマを発生できる
し、何かの事故でプラズマが消えたとしても自動
的に再点弧が可能であり、安定に動作する利点が
ある。
や終端板8等の金属で囲まれているから、Qは高
く取れるので、導波管1から導入されるマイクロ
波が小さくても、自動的にプラズマを発生できる
し、何かの事故でプラズマが消えたとしても自動
的に再点弧が可能であり、安定に動作する利点が
ある。
上記実施例では外筒9を円筒導波管の例で説明
したが、この外筒はマイクロ波をカツトオフする
円筒とすることもでき、この場合マイクロ波は外
筒9には伝播しないため、l2の長さはカツトオフ
寸法、即ち内径の2倍以上あれば長さに制約され
ない。また、この場合電極の長さはλ/4より長
くすることはできない。
したが、この外筒はマイクロ波をカツトオフする
円筒とすることもでき、この場合マイクロ波は外
筒9には伝播しないため、l2の長さはカツトオフ
寸法、即ち内径の2倍以上あれば長さに制約され
ない。また、この場合電極の長さはλ/4より長
くすることはできない。
第3図乃至第5図は熱ピンチ用気体流入口7取
付け位置の変形例を示す断面図である。これらの
図において、第1図及び第2図に示す実施例と同
一の構成要素のものには同一の符号を付して説明
を省略する。
付け位置の変形例を示す断面図である。これらの
図において、第1図及び第2図に示す実施例と同
一の構成要素のものには同一の符号を付して説明
を省略する。
この変形例は、第3図に示すように、プラズマ
発生用電極6の中心に熱ピンチ用気体流出口7を
付けたものである。このように構成しても前述と
同様の作用効果を得ることができる。
発生用電極6の中心に熱ピンチ用気体流出口7を
付けたものである。このように構成しても前述と
同様の作用効果を得ることができる。
第2の変形例は、第4図に示すように、プラズ
マ発生用電極6の外側に熱ピンチ用気体流出口7
を付け、孔70を設けてなるものである。
マ発生用電極6の外側に熱ピンチ用気体流出口7
を付け、孔70を設けてなるものである。
第3の変形例は、第5図に示すように、プラズ
マ発生用電極6の下に熱ピンチ用気体流入口7を
つけ、かつ空気孔70を設けたものである。
マ発生用電極6の下に熱ピンチ用気体流入口7を
つけ、かつ空気孔70を設けたものである。
尚、上記第1図及び第2図に示す実施例におい
て、種々の他の変形例が考えられる。
て、種々の他の変形例が考えられる。
他の実施例として、金網3を導波管1の管面に
対して同一面まで下げて小型化を図ることもでき
るし、アイリス2をスリースタブやEHチユーナ
で代用するようにしてもよい。
対して同一面まで下げて小型化を図ることもでき
るし、アイリス2をスリースタブやEHチユーナ
で代用するようにしてもよい。
第6図及び第7図は本考案に係るマイクロ波プ
ラズマ発生装置の他の実施例を示す斜視図及び断
面図である。
ラズマ発生装置の他の実施例を示す斜視図及び断
面図である。
これらの図において、1はマイクロ波を伝送す
る導波管、5はマイクロ波プラズマ、7は熱ピン
チ用気体流入口、10は誘導体窓、11は共振
窓、12は気体排出口である。
る導波管、5はマイクロ波プラズマ、7は熱ピン
チ用気体流入口、10は誘導体窓、11は共振
窓、12は気体排出口である。
このような構成要素を有する実施例において、
導波管1に共振器としての共振窓11を形成さ
せ、かつ共振器としての共振窓11の電界最大部
分をプラズマ発生部50となし、当該プラズマ発
生部50を、その電界強度が周辺気体の耐電圧以
上となるように、共振窓11に設けたスリツトl5
を大略nλ/2に定めたものであり、このように
したので、スリツト長さl5の中心部に最大電圧を
生ずることになる。このように、スリツトの中心
部の電圧が気体の絶縁耐圧以上にすれば、マイク
ロ波プラズマを生ずるのは前述の通りである。
導波管1に共振器としての共振窓11を形成さ
せ、かつ共振器としての共振窓11の電界最大部
分をプラズマ発生部50となし、当該プラズマ発
生部50を、その電界強度が周辺気体の耐電圧以
上となるように、共振窓11に設けたスリツトl5
を大略nλ/2に定めたものであり、このように
したので、スリツト長さl5の中心部に最大電圧を
生ずることになる。このように、スリツトの中心
部の電圧が気体の絶縁耐圧以上にすれば、マイク
ロ波プラズマを生ずるのは前述の通りである。
また、共振窓11から気体排出口12までの寸
法は、マイクロ波が外部に輻射しないように金属
で作成しておき、マイクロ波プラズマ5がもつと
も効率よく生成されるように一度調整しておけ
ば、2度目からは、無調整で運転可能となるもの
である。当然のことであるが、上記各実施例にお
いて、導波管はどのような形状であつてもよく、
例えば円形であつてもよいのはもちろんである。
法は、マイクロ波が外部に輻射しないように金属
で作成しておき、マイクロ波プラズマ5がもつと
も効率よく生成されるように一度調整しておけ
ば、2度目からは、無調整で運転可能となるもの
である。当然のことであるが、上記各実施例にお
いて、導波管はどのような形状であつてもよく、
例えば円形であつてもよいのはもちろんである。
以上説明したように、この考案によれば、導波
管の終端板からほぼnλg/2の位置にアイリスを
配置して、アイリスと終端板で囲まれた部分を共
振器とし、その共振器内で終端板からλg/4+
n′λg/2ほどの位置に電極を配置し、その電極
の長さをほぼλ/4とした結果、共振効果によつ
てQが高くなり、電極部で電界が非常に強くな
る。
管の終端板からほぼnλg/2の位置にアイリスを
配置して、アイリスと終端板で囲まれた部分を共
振器とし、その共振器内で終端板からλg/4+
n′λg/2ほどの位置に電極を配置し、その電極
の長さをほぼλ/4とした結果、共振効果によつ
てQが高くなり、電極部で電界が非常に強くな
る。
そのため電界強度が周辺気体の耐電圧以上とな
り、機械的手段を用いることなく、マイクロ波プ
ラズマが自動的に点弧でき、装置が簡単になり、
かつ信頼性の高まる効果がある。
り、機械的手段を用いることなく、マイクロ波プ
ラズマが自動的に点弧でき、装置が簡単になり、
かつ信頼性の高まる効果がある。
第1図及び第2図はこの考案に係るマイクロ波
プラズマ発生装置の実施例を示す図であつて、第
1図は斜視図、第2図は断面図、第3乃至第5図
は熱ピンチ用気体流入口の取付け位置の変形例を
それぞれ示す断面図、第6図及び第7図はこの考
案に係る他の実施例を示す図であつて、第6図は
斜視図、第7図は断面図である。 1……導波管、2……アイリス、3……金網、
4……共振器、5……マイクロ波プラズマ、6…
…電極、7……熱ピンチ用気体流入口、8……終
端板、9……外筒、10……誘電体窓、11……
共振窓、12……気体排出口、50……プラズマ
発生部。
プラズマ発生装置の実施例を示す図であつて、第
1図は斜視図、第2図は断面図、第3乃至第5図
は熱ピンチ用気体流入口の取付け位置の変形例を
それぞれ示す断面図、第6図及び第7図はこの考
案に係る他の実施例を示す図であつて、第6図は
斜視図、第7図は断面図である。 1……導波管、2……アイリス、3……金網、
4……共振器、5……マイクロ波プラズマ、6…
…電極、7……熱ピンチ用気体流入口、8……終
端板、9……外筒、10……誘電体窓、11……
共振窓、12……気体排出口、50……プラズマ
発生部。
Claims (1)
- マイクロ波を導入する矩形導波管の終端板から
ほぼnλg/2(λg:マイクロ波の管内波長、n:
自然数)の位置に配置したアイリスと、該矩形導
波管の終端板からλg/4+n′λg/2(n′:0又は
nより小さい自然数)ほどの位置に配置し長さを
ほぼλ/4(λ:マイクロ波の空間波長)に形成
した電極と、該電極上部の導波管壁に形成した外
筒と、該外筒の頂部に配置した金網とからなるこ
とを特徴とするマイクロ波プラズマ発生装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17633983U JPS6087200U (ja) | 1983-11-15 | 1983-11-15 | マイクロ波プラズマ発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17633983U JPS6087200U (ja) | 1983-11-15 | 1983-11-15 | マイクロ波プラズマ発生装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6087200U JPS6087200U (ja) | 1985-06-15 |
JPH0236238Y2 true JPH0236238Y2 (ja) | 1990-10-02 |
Family
ID=30383412
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17633983U Granted JPS6087200U (ja) | 1983-11-15 | 1983-11-15 | マイクロ波プラズマ発生装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6087200U (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004502958A (ja) * | 2000-07-06 | 2004-01-29 | ヴァリアン オーストラリア ピーティーワイ.エルティーディー. | プラズマ発生方法、分光測定用プラズマ源および導波路 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB0126419D0 (en) * | 2001-11-03 | 2002-01-02 | Accentus Plc | Microwave plasma generator |
JP4531451B2 (ja) * | 2004-06-10 | 2010-08-25 | 多津男 庄司 | 大気圧中でのプラズマ生成装置及び大気圧中でのプラズマ生成支援装置 |
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DE102007020419A1 (de) * | 2007-04-27 | 2008-11-06 | Forschungsverbund Berlin E.V. | Elektrode für Plasmaerzeuger |
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