JPS61279141A - 可撓性テ−パリ−ドを有したリ−ドフレ−ムと機械的ダイ支持体の直接接続装置及び方法 - Google Patents
可撓性テ−パリ−ドを有したリ−ドフレ−ムと機械的ダイ支持体の直接接続装置及び方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は一般にリードフレームに関し、特にリードフレ
ームを半導体装置に直接接続する装置と方法に関する。
ームを半導体装置に直接接続する装置と方法に関する。
従来技術
集積マイクロ回路のボンディングパッドと外部パッケー
ジリードとを電気的に接続する多くの方法が提案されて
いる。この接続は従来、半導体装置のボンディングパッ
ドとリードフレームの狭いリードフィンガの間の非常に
微細なワイヤ接点を確立することにより達成されて来て
いる。ここに上記リードフレームフィンガは徐々に拡大
され。
ジリードとを電気的に接続する多くの方法が提案されて
いる。この接続は従来、半導体装置のボンディングパッ
ドとリードフレームの狭いリードフィンガの間の非常に
微細なワイヤ接点を確立することにより達成されて来て
いる。ここに上記リードフレームフィンガは徐々に拡大
され。
外部パッケージリードな形成するのに十分なように構成
されたものである3、このワイヤボンディング法には非
常に微細なワイヤを被接続点に熱圧接する方法がおる。
されたものである3、このワイヤボンディング法には非
常に微細なワイヤを被接続点に熱圧接する方法がおる。
しかしながらこの方法は、64本のリード装置に対して
1例えば、128ステツプもの個々のボンディングが必
要とされ、それ等のステップの各々が、ボンディング装
置内で部分的に組立てられた装置を十分注意して位置決
めする必要がおる場合には、特に、時間がかがυ市価で
ある。
1例えば、128ステツプもの個々のボンディングが必
要とされ、それ等のステップの各々が、ボンディング装
置内で部分的に組立てられた装置を十分注意して位置決
めする必要がおる場合には、特に、時間がかがυ市価で
ある。
パッケージリードの内部部分を拡張した9、半導体装置
のボンディングパッドに直接取付けられる程十分小さな
ボンディングテツフを与えるためにリード端部の幅をテ
ーパ状にする努力がかなり払われている。これまでこの
方法は、マイクロ回路のオーム接触頭載にボンディング
した内部リードに必要な規格と外部パッケージリードに
必安な構造上の規格とが基本的に異なるため、うまく行
かなかった。
のボンディングパッドに直接取付けられる程十分小さな
ボンディングテツフを与えるためにリード端部の幅をテ
ーパ状にする努力がかなり払われている。これまでこの
方法は、マイクロ回路のオーム接触頭載にボンディング
した内部リードに必要な規格と外部パッケージリードに
必安な構造上の規格とが基本的に異なるため、うまく行
かなかった。
例えば、多くの装置では厚みが10ミルkovarの外
部パッケージリードが標準的に用いられるようになって
来ている。しかしながら、集積回路の電極に直接10ミ
ルkovar リードをボンディングする試みがなされ
たが結果は良くなかった。熱圧接や振動圧溶接などの金
或いはアルミニウムワイヤボンディングに対する烏速処
理法は、例えば厚みが10ミル程度の金属リードに適用
した時や、或いは金やアルミニウム或いは銅よシ延性度
の低い金属リードに適用した時は、必らずしも信頼でき
るボンディングを与えるものではない。10ミル厚のり
゛−ドフレームを用いて許容できるボンディングを初め
に形成できても、正常な71ンドリ/グやアセンブリの
偶然の屈曲などにより応力が連続的に加えられると、上
記のリードはダイから不注意な原因によシ非常に分離し
易くなる。
部パッケージリードが標準的に用いられるようになって
来ている。しかしながら、集積回路の電極に直接10ミ
ルkovar リードをボンディングする試みがなされ
たが結果は良くなかった。熱圧接や振動圧溶接などの金
或いはアルミニウムワイヤボンディングに対する烏速処
理法は、例えば厚みが10ミル程度の金属リードに適用
した時や、或いは金やアルミニウム或いは銅よシ延性度
の低い金属リードに適用した時は、必らずしも信頼でき
るボンディングを与えるものではない。10ミル厚のり
゛−ドフレームを用いて許容できるボンディングを初め
に形成できても、正常な71ンドリ/グやアセンブリの
偶然の屈曲などにより応力が連続的に加えられると、上
記のリードはダイから不注意な原因によシ非常に分離し
易くなる。
更に、ボンディングワイヤの代シに剛性の金属製クリッ
プを用いて、半導体回路のボンディングパッドを外部リ
ードに接続する方法も提案されている。この方法は成る
場合には都合が良いが、アセンブリのコストを十分低減
させるものではない□。
プを用いて、半導体回路のボンディングパッドを外部リ
ードに接続する方法も提案されている。この方法は成る
場合には都合が良いが、アセンブリのコストを十分低減
させるものではない□。
上記の欠点を解決する方法かヘルダ(Ha/!da )
による米国特許第4 、028.722号に提案さ
れてお9.これは、半導体集積回路テップのボンディン
グパッドに第1フレーム部材の対応する全てのリードを
同時に接合しようとするものである。この第1のフレー
ム部材は比較的軽量であり、振動圧溶槽に適している。
による米国特許第4 、028.722号に提案さ
れてお9.これは、半導体集積回路テップのボンディン
グパッドに第1フレーム部材の対応する全てのリードを
同時に接合しようとするものである。この第1のフレー
ム部材は比較的軽量であり、振動圧溶槽に適している。
次にこの第1フレーム部材のリードが外部パッケージリ
ードに適したより重い薄板素材を有する第2の比較的重
いフレーム部材のリードに接合される。続いて、第1フ
レーム部材の支持フレームワークが除去される。
ードに適したより重い薄板素材を有する第2の比較的重
いフレーム部材のリードに接合される。続いて、第1フ
レーム部材の支持フレームワークが除去される。
その他、リードフレームを設計するものとしてフルスコ
(Frusco )による米国特許第4.137 、5
46号およびハヤカワ(Hayakawi )等による
米国特許第4.280.152号がある。前者の方法に
よると長い内部リードが切り目をつけた着脱自在タブに
エリ構造的に削性に保持される。後者によると、従来の
ワイヤボンディングされたリードフレームが、金型が拡
がらないようにする改良式のブロッキング部材を有して
いる。
(Frusco )による米国特許第4.137 、5
46号およびハヤカワ(Hayakawi )等による
米国特許第4.280.152号がある。前者の方法に
よると長い内部リードが切り目をつけた着脱自在タブに
エリ構造的に削性に保持される。後者によると、従来の
ワイヤボンディングされたリードフレームが、金型が拡
がらないようにする改良式のブロッキング部材を有して
いる。
集積回路技術が進歩し、よυ小さなシリコンテツブーヒ
により多くの電子装置が必要になるにつれて、半導体ボ
ンディングパッドにそれ等を接続する多くの方法が提案
されてきた。少なくとも比較的低いリードカウントの半
導体装置に対して、広く認められるようになった1つの
方法としてテープ自動ボンディング、即ちTABが挙げ
られる。この方法は、導電性フレキシブルフォイルのホ
トリソグラフィによシ形成された印刷回路パターンを有
したリードキャリアテープな7レキシプルにするもので
、非常に正確である。リードフレームの厚みとは対照的
に、 TAB 7オイルリードの厚みは通常、約0.5
〜2.0ミル、特に約1.4ミルである。このように大
きさが減少した結果、 TAB 7オイルリードは、密
度が大きくなった集積回路のよシ小さく、より緊密に隔
置されたボンディングパッドに対して使用可能である。
により多くの電子装置が必要になるにつれて、半導体ボ
ンディングパッドにそれ等を接続する多くの方法が提案
されてきた。少なくとも比較的低いリードカウントの半
導体装置に対して、広く認められるようになった1つの
方法としてテープ自動ボンディング、即ちTABが挙げ
られる。この方法は、導電性フレキシブルフォイルのホ
トリソグラフィによシ形成された印刷回路パターンを有
したリードキャリアテープな7レキシプルにするもので
、非常に正確である。リードフレームの厚みとは対照的
に、 TAB 7オイルリードの厚みは通常、約0.5
〜2.0ミル、特に約1.4ミルである。このように大
きさが減少した結果、 TAB 7オイルリードは、密
度が大きくなった集積回路のよシ小さく、より緊密に隔
置されたボンディングパッドに対して使用可能である。
以上のテープ自動化ボンディング法は、T、G、σNm
1lLの「テープ自動化ポンディ/グの現状j + S
em1conductor Intsrnationa
t。
1lLの「テープ自動化ポンディ/グの現状j + S
em1conductor Intsrnationa
t。
February 、 1981 、 pp33−51
に概説されている。
に概説されている。
上記TAB法に関しては一連の特許が出されている。こ
れ等の特許の多くのものは、フレキシブルフォイルTA
BIJ−ドの寸法が非常に小さくされたので2次に脆い
リードを曲げから保−する方法に関心が向けられた。例
えば、バーンズによる米国特許第4,312,926号
には、ノ1ンドリングやボンディング時にリードをブレ
ーナ方向に保持し、その後除去される内部開封ス) I
Jツブの使用法を記載しでいる。史に、バーンズの米国
特許第4,330.790号は、連続するテープの接触
フインガパターンニ連携接合された半導体装置を金属製
パッケージカップを介して封入する方法に関するもので
ある。
れ等の特許の多くのものは、フレキシブルフォイルTA
BIJ−ドの寸法が非常に小さくされたので2次に脆い
リードを曲げから保−する方法に関心が向けられた。例
えば、バーンズによる米国特許第4,312,926号
には、ノ1ンドリングやボンディング時にリードをブレ
ーナ方向に保持し、その後除去される内部開封ス) I
Jツブの使用法を記載しでいる。史に、バーンズの米国
特許第4,330.790号は、連続するテープの接触
フインガパターンニ連携接合された半導体装置を金属製
パッケージカップを介して封入する方法に関するもので
ある。
上記米国特許4,512,926号の内部開封ストリッ
プ保持7レームの改良がアングルツシ(Angeacc
l )による米国特許第4.580.042号に記載さ
れている。
プ保持7レームの改良がアングルツシ(Angeacc
l )による米国特許第4.580.042号に記載さ
れている。
このようなリードをそれ等の外側端部に沿い適切に保護
、保持する他の方法がバーンズに対する米国特許4,4
66.183号に記載されている。実際には、しかしな
がら、−上記フォイルリードパターンを用いて半導体製
品パッドに接合する場合、これ等の一様な厚きのり−ド
は、例えは印刷回路基板にそう人される外部パッケージ
リードとして用いるには薄過ぎることが見出されている
。この問題は通常、外部フォイルパターンを、外部リー
ドが外部パッケージリードとして用いるのに十分なより
犬キ<、より厚いリードフレームのリードの内部端部に
ワイヤボンティングすることにより解決されている。例
えば、バーンズの米国特許第4.551 、740号に
よると、上記のようなテープリードを2次リードフレー
ムに接続しなければならない理由が記載されている。こ
のようにしてよ如小さく、よ勺密接して隔置された集積
回路ボンディングパッドに接続する問題が上MaTAB
フォイルリードによシ解決されるが、フレキシブルフォ
イルリードが小さいので、ワイヤボンディングの高価で
時間がかかる作業を回避できる程の多様性はない。
、保持する他の方法がバーンズに対する米国特許4,4
66.183号に記載されている。実際には、しかしな
がら、−上記フォイルリードパターンを用いて半導体製
品パッドに接合する場合、これ等の一様な厚きのり−ド
は、例えは印刷回路基板にそう人される外部パッケージ
リードとして用いるには薄過ぎることが見出されている
。この問題は通常、外部フォイルパターンを、外部リー
ドが外部パッケージリードとして用いるのに十分なより
犬キ<、より厚いリードフレームのリードの内部端部に
ワイヤボンティングすることにより解決されている。例
えば、バーンズの米国特許第4.551 、740号に
よると、上記のようなテープリードを2次リードフレー
ムに接続しなければならない理由が記載されている。こ
のようにしてよ如小さく、よ勺密接して隔置された集積
回路ボンディングパッドに接続する問題が上MaTAB
フォイルリードによシ解決されるが、フレキシブルフォ
イルリードが小さいので、ワイヤボンディングの高価で
時間がかかる作業を回避できる程の多様性はない。
集積回路のボンディングパッドに接続されるリードの厚
みを低減させる、非常にわずかではあるが、方法を示す
特許が2〜3見出されている。例えばバー/ズの米国特
許4,531.740号には、リードをボンディングし
た後出いるように設計された非常に小さく狭い部分を有
したTABテープを開示している。同様に、ガースキー
(Guraky)の米国特許4,234.666のS−
C図には、テープリードの厚みがピンチされて偶然の破
壊を促進するように構成したテープリードが記載されて
いる。これ等のいずれも、破壊が望まれる点を越えてリ
ードの薄い部分が延在する工うには構成されていない。
みを低減させる、非常にわずかではあるが、方法を示す
特許が2〜3見出されている。例えばバー/ズの米国特
許4,531.740号には、リードをボンディングし
た後出いるように設計された非常に小さく狭い部分を有
したTABテープを開示している。同様に、ガースキー
(Guraky)の米国特許4,234.666のS−
C図には、テープリードの厚みがピンチされて偶然の破
壊を促進するように構成したテープリードが記載されて
いる。これ等のいずれも、破壊が望まれる点を越えてリ
ードの薄い部分が延在する工うには構成されていない。
更に、リンドバーグ(L indberg )の米国特
許4,411.719にはその第5図で、集積回路のボ
ンディングパッド上でなくむしろテープリード上にボン
ディングバンブを形成し、且つ小形の物理的アラインメ
ント装置によりボンディングパッド上にバンブを持つリ
ードの位置合わせを促進するように、孔或いはトラフを
形成する非常に特定の部位で厚みが変化するリードを開
示している。パー/ズの米国特許4 、152 、92
6号にはバンブ付きテープを用いた他の構造が記載され
ており、これは、実際にはバンブな1つだけリードフィ
ンガの端部に配置した時。
許4,411.719にはその第5図で、集積回路のボ
ンディングパッド上でなくむしろテープリード上にボン
ディングバンブを形成し、且つ小形の物理的アラインメ
ント装置によりボンディングパッド上にバンブを持つリ
ードの位置合わせを促進するように、孔或いはトラフを
形成する非常に特定の部位で厚みが変化するリードを開
示している。パー/ズの米国特許4 、152 、92
6号にはバンブ付きテープを用いた他の構造が記載され
ており、これは、実際にはバンブな1つだけリードフィ
ンガの端部に配置した時。
リードの残りの部分が狭くなるようにくぼみを与えて構
成されたものである。
成されたものである。
同様に、バンブ(Hupp )の米国特許3 、627
、901号には、その第5.5図および7図で、リー
ドフレーム内に空隙を設けて反転半導体装置を収容する
ために厚さが低減され九リードフレームの内部リードが
開示されている。
、901号には、その第5.5図および7図で、リー
ドフレーム内に空隙を設けて反転半導体装置を収容する
ために厚さが低減され九リードフレームの内部リードが
開示されている。
以上の他、集積回路の実装に関する他の問題としては、
非常に小さなチップ或いはダイスを注意深くハンドリン
グする問題がおり、これは、これ等のテップ或いはダイ
スを接続しようとするリードフレームに正確に対応させ
て位置決めする場合に特に問題になるものである。
非常に小さなチップ或いはダイスを注意深くハンドリン
グする問題がおり、これは、これ等のテップ或いはダイ
スを接続しようとするリードフレームに正確に対応させ
て位置決めする場合に特に問題になるものである。
以上より、本発明の目的は、パッケージングやリード接
続工程の任意の段階における多重ステップで時間がかか
り、高価な要件を有するワイヤボンディングを完全に使
用しなくて済むようにすることにある。
続工程の任意の段階における多重ステップで時間がかか
り、高価な要件を有するワイヤボンディングを完全に使
用しなくて済むようにすることにある。
本発明の他の目的は、半導体製品の小さく緊密に隔置さ
れたボンディングパッドにリードを接続する方法を提供
することにある。
れたボンディングパッドにリードを接続する方法を提供
することにある。
更に本発明の目的は、集積回路ダイボンディングパッド
な唯1点の接触で外部パッケージリードに直接接続する
手段を提供することにある。
な唯1点の接触で外部パッケージリードに直接接続する
手段を提供することにある。
本発明の更に他の目的は、半導体ダイへの接合前の処理
が最小で済む直接リードフレームを提供することにある
。
が最小で済む直接リードフレームを提供することにある
。
更に1本発明の他の目的は、ダイに対して機械的支持体
を用いることにより半導体ダイボンディングパッドパタ
ーンがリードフレームの内&li IJ −ド端部のパ
ターンと正確に整合されるようにIJ−ド7レームと半
導体ダイな相互接続する方法を提供することにおる。
を用いることにより半導体ダイボンディングパッドパタ
ーンがリードフレームの内&li IJ −ド端部のパ
ターンと正確に整合されるようにIJ−ド7レームと半
導体ダイな相互接続する方法を提供することにおる。
問題点を解決するだめの手段
以上に示した本発明の目的およびその他の目的を実施す
るために、機械的ダイ支持体を用いて半導体装置或いは
ダイを直接リードフレームに接続する方法が提供される
。先ず、機械的ダイ支持体に半導体ダイか装着される。
るために、機械的ダイ支持体を用いて半導体装置或いは
ダイを直接リードフレームに接続する方法が提供される
。先ず、機械的ダイ支持体に半導体ダイか装着される。
次に、ボンディングパッドのパターンが複数個のテーパ
状フレキシブル内部電気リードチップに対応するよりに
上記機械的ダイ支持体を操作して、上記半導体ダイか直
接リードフレームの下に位置付けされる。以上の説明で
、[テーパ状にした−1の用語は1厚さ並びに幅を減ら
したり、狭くすることを意味する。最後に、上記フレキ
シブル内mt気リードカップが半導体装置の複数のボン
ディングパッドに連携接合される。
状フレキシブル内部電気リードチップに対応するよりに
上記機械的ダイ支持体を操作して、上記半導体ダイか直
接リードフレームの下に位置付けされる。以上の説明で
、[テーパ状にした−1の用語は1厚さ並びに幅を減ら
したり、狭くすることを意味する。最後に、上記フレキ
シブル内mt気リードカップが半導体装置の複数のボン
ディングパッドに連携接合される。
発明の詳細説明
第1図は、複数の割出しく1nd*xing)スプロケ
ット12を備えた連続剛性リードフレームストリップ1
0のセグメントを示し、このストリップ10はまた連続
的に配列した複数のリードフレーム14を備えている。
ット12を備えた連続剛性リードフレームストリップ1
0のセグメントを示し、このストリップ10はまた連続
的に配列した複数のリードフレーム14を備えている。
第1図には単一の直接リードフレーム14が図示しであ
る。各リードフレーム14内には詳細なり一ド7レーム
導電性ノ(ターン16が配置゛され、このパターンは半
導体ダイ24と電気的に接触し、最終的な外部パッケー
ジリード端36になる複数のフィンガ状リード20の幾
何学的な構成を与えるものである。上記フィンガ状リー
ド20は半導体ダイ24を受ける開口18からダイレク
トリードフレーム14の外部エツジに到っている。
る。各リードフレーム14内には詳細なり一ド7レーム
導電性ノ(ターン16が配置゛され、このパターンは半
導体ダイ24と電気的に接触し、最終的な外部パッケー
ジリード端36になる複数のフィンガ状リード20の幾
何学的な構成を与えるものである。上記フィンガ状リー
ド20は半導体ダイ24を受ける開口18からダイレク
トリードフレーム14の外部エツジに到っている。
上d己開口18は、通常、リードフレーム導電性パター
ン16の中央或いはその近傍に配置しである。
ン16の中央或いはその近傍に配置しである。
第1図では簡単のために2〜6本のフィンガ状リード2
0だけが図示されている。リードフレーム14内のり一
ド200本数は100本以上でおる。これ等のり一ド2
0の初期製法は本発明には重要ではない。それ等は公知
のプロセスによシ化学的にエツチングし、81械的にス
タンプして製造される。
0だけが図示されている。リードフレーム14内のり一
ド200本数は100本以上でおる。これ等のり一ド2
0の初期製法は本発明には重要ではない。それ等は公知
のプロセスによシ化学的にエツチングし、81械的にス
タンプして製造される。
半導体ダイか、先ず、リード20に接合或いは接続され
る前に機械的ダイ支持体22に装着される。集積回路の
マウントとして機械的ダイ支持体22を用いると、小さ
なICチップのハンドリングとアライメントが非常に容
易になる。更に、この機械的ダイ支持体22は半導体ダ
イ24とそのIJ−ドの接続を成る程度まで保護する。
る前に機械的ダイ支持体22に装着される。集積回路の
マウントとして機械的ダイ支持体22を用いると、小さ
なICチップのハンドリングとアライメントが非常に容
易になる。更に、この機械的ダイ支持体22は半導体ダ
イ24とそのIJ−ドの接続を成る程度まで保護する。
もしこれがないと、半導体ダイ24は支承されず、リー
ド20からぶらぶらした状態になる。
ド20からぶらぶらした状態になる。
機械的ダイ支持体22は成る種の後部電気接点、機械的
に接合されたアーマチュア或いは熱拡散装置として機能
し得るものでおる。第1図および2図は機械的ダイ支持
体22に対する熱拡散体を実際に示したものである。勿
論、熱拡散支持体22のその他の主要な機能は、動作時
に集積回路が生成する熱を消散させるヒートシンクとし
て用いられることにある。
に接合されたアーマチュア或いは熱拡散装置として機能
し得るものでおる。第1図および2図は機械的ダイ支持
体22に対する熱拡散体を実際に示したものである。勿
論、熱拡散支持体22のその他の主要な機能は、動作時
に集積回路が生成する熱を消散させるヒートシンクとし
て用いられることにある。
本発明の主要な特徴の1つを第1図から見出すことが出
来る。即ち、半導体ダイ24がら外部リード端部36に
到るには唯1本のリードだけが必要とされる。従って、
集積回路から外部パッケージプラグに到る任意の点でワ
イヤボンディングが不要となり、これにより処理ステッ
プ数が大きく減少し、各半導体製品を相互接続する際に
必要な時間と費用が大幅に低減される。上記の半導体ダ
イ24と熱拡散体22.リードフレーム14からなる全
アセンブリを半導体ダイ/ダイレクトリードフレームア
センブリと名付ける。
来る。即ち、半導体ダイ24がら外部リード端部36に
到るには唯1本のリードだけが必要とされる。従って、
集積回路から外部パッケージプラグに到る任意の点でワ
イヤボンディングが不要となり、これにより処理ステッ
プ数が大きく減少し、各半導体製品を相互接続する際に
必要な時間と費用が大幅に低減される。上記の半導体ダ
イ24と熱拡散体22.リードフレーム14からなる全
アセンブリを半導体ダイ/ダイレクトリードフレームア
センブリと名付ける。
第2図には、はぼ第1図のライン2−2上で取ったダイ
レクトリードフレーム14.半導体ダイ24゜および熱
拡散支持体22の断面図が示しである。
レクトリードフレーム14.半導体ダイ24゜および熱
拡散支持体22の断面図が示しである。
機械的ダイ支持体22の支承位置が図に明らかにしであ
る。図においては、リードフレーム14.半導体24.
および支持体22の厚みは、簡単のために、それ等の幅
に対して大きく誇張して図示しておる。
る。図においては、リードフレーム14.半導体24.
および支持体22の厚みは、簡単のために、それ等の幅
に対して大きく誇張して図示しておる。
第3図は第2図と同様の部分断面図を与えるが。
熱拡散体或いは機械的ダイ支持体22上に装着した半導
体ダイ24にリード20を接続する方法がより詳細に示
しである。半導体ダイ24が、複数の端子或いはボッデ
ィングバッド26と共にダイの最上層に設けられ、上d
Cの端子或いはボンディングパッドは半導体ダイ24に
埋封した集積回路に電気的に接続して必る。これ等のボ
ンディングパッドは厳密には技術的に公知のように−h
紀埋封集積回路にわたって形成された。各種金属化j−
をなしている。半縛体製品製造時によく行われるように
。
体ダイ24にリード20を接続する方法がより詳細に示
しである。半導体ダイ24が、複数の端子或いはボッデ
ィングバッド26と共にダイの最上層に設けられ、上d
Cの端子或いはボンディングパッドは半導体ダイ24に
埋封した集積回路に電気的に接続して必る。これ等のボ
ンディングパッドは厳密には技術的に公知のように−h
紀埋封集積回路にわたって形成された。各種金属化j−
をなしている。半縛体製品製造時によく行われるように
。
リード20との4目互接続を容易にするためにポンプイ
ングツ5ツド26上には1ボール」或いは「バング」2
8が配置される。TAB法による場合は、金および銅の
バンブがよく用いられ、好ましくは金が用いられる。金
のバンブな用いるとTABプロセスはり一ド20をボン
ディングパッド24に熱圧縮接合に適したものになる。
ングツ5ツド26上には1ボール」或いは「バング」2
8が配置される。TAB法による場合は、金および銅の
バンブがよく用いられ、好ましくは金が用いられる。金
のバンブな用いるとTABプロセスはり一ド20をボン
ディングパッド24に熱圧縮接合に適したものになる。
時にeよ、上ddボンディングパッドの代りにリードナ
ツプ而が「バンブ」化されることもある。熱圧縮ボンデ
ィングは低温時の過剰はんだ逆流動などの成る利点は有
するが。
ツプ而が「バンブ」化されることもある。熱圧縮ボンデ
ィングは低温時の過剰はんだ逆流動などの成る利点は有
するが。
金などの柔軟で延性に富む(従って高価で不経済)金属
を必要とする欠点も有している。当然のことながら、半
導体製品のコストを減らしたい場合は高価な金属の使用
は最小限にされるべきである。
を必要とする欠点も有している。当然のことながら、半
導体製品のコストを減らしたい場合は高価な金属の使用
は最小限にされるべきである。
更に、熱圧縮ボンディングはボンディングパッドや金バ
ンブな能動装置を形成するシリコンペース基板内に圧搾
する危険性がある。従って、多くの場合に、熱圧縮法は
避けてはんだ逆流法により接合を形成する方法が好まし
いとされている。その場合、有害な圧縮力は同等用いら
れず、溶融はんだの表面張力によりリード20の端部が
ボンディングパッドにわたって正確に整合される。従っ
て。
ンブな能動装置を形成するシリコンペース基板内に圧搾
する危険性がある。従って、多くの場合に、熱圧縮法は
避けてはんだ逆流法により接合を形成する方法が好まし
いとされている。その場合、有害な圧縮力は同等用いら
れず、溶融はんだの表面張力によりリード20の端部が
ボンディングパッドにわたって正確に整合される。従っ
て。
ここでははんだ逆流方法の使用が好ましく、これは、よ
り高価な金属から得られるTABフォイルの代りにリー
ドフレームを用いることにより可能になる。このリード
フレームはすずめつきを用いた。
り高価な金属から得られるTABフォイルの代りにリー
ドフレームを用いることにより可能になる。このリード
フレームはすずめつきを用いた。
或いは用いなくてもよいが8合金42.即ち銅合金から
形成されるが、これの経費は比較的安価でおる。熱圧縮
や、はんだ逆流動ボンディング法は技術的には公知のも
のでオシ、ここでは詳述しない。
形成されるが、これの経費は比較的安価でおる。熱圧縮
や、はんだ逆流動ボンディング法は技術的には公知のも
のでオシ、ここでは詳述しない。
また、ボンディングを促進するために銅や金成いはすず
などの金属でリード20の下側をめっきする方法も公知
である。更に、実際のボンディングパッド26を(通常
はアルミニウム)各種の拡散障壁金属或いは粘着金属1
−で不活性化したり、セして/または保護したすする方
法も当業者には公知でおる。
などの金属でリード20の下側をめっきする方法も公知
である。更に、実際のボンディングパッド26を(通常
はアルミニウム)各種の拡散障壁金属或いは粘着金属1
−で不活性化したり、セして/または保護したすする方
法も当業者には公知でおる。
第3図は本発明の重要な特徴部分をなすり一ド20の可
変厚みについて図示したものである。
変厚みについて図示したものである。
既に着目したように、リードフレーム金属は遍切な外部
リード端部66のための要件を満たすために通常は剛性
であり、厚くしである。リード20が、第1図に示した
ように、ダイレクトリードフレーム14のエツジから開
口1Bに接近する時の、それ等の幅の収縮或いは狭幅化
は、はんだ逆流法或いは熱圧縮法のいずれかによりボン
ティングパッド26に直接数り付けられる程リードをフ
レキシブル或いは延性にするものではない。しかしなが
ら、もしリード2Ωの厚みが低減される場合は。
リード端部66のための要件を満たすために通常は剛性
であり、厚くしである。リード20が、第1図に示した
ように、ダイレクトリードフレーム14のエツジから開
口1Bに接近する時の、それ等の幅の収縮或いは狭幅化
は、はんだ逆流法或いは熱圧縮法のいずれかによりボン
ティングパッド26に直接数り付けられる程リードをフ
レキシブル或いは延性にするものではない。しかしなが
ら、もしリード2Ωの厚みが低減される場合は。
その片持フレキシブル内部電気リードチップ30は上記
の直接接続に適したものになることが見出されている。
の直接接続に適したものになることが見出されている。
いずれにしても、比較的剛性の主要リード部分62はそ
の初めの厚みよシ余分に低減される。これに対して9片
持ちの、およびテーパ状の7レキシプル内部電気リード
チップ60の厚みはかなシ低減されている。この片持フ
レキシブル内部電気リードチップ60の厚みは剛性の主
要リード部分32の厚みの少なくとも50チでおること
が好まれる。ここで用いた「剛性の」および「可撓性の
」は相対的な意味で用いられている。上記の「剛性の」
主要リード部分32は人間の感覚に対しては非常に薄く
、フレキシブルであるが。
の初めの厚みよシ余分に低減される。これに対して9片
持ちの、およびテーパ状の7レキシプル内部電気リード
チップ60の厚みはかなシ低減されている。この片持フ
レキシブル内部電気リードチップ60の厚みは剛性の主
要リード部分32の厚みの少なくとも50チでおること
が好まれる。ここで用いた「剛性の」および「可撓性の
」は相対的な意味で用いられている。上記の「剛性の」
主要リード部分32は人間の感覚に対しては非常に薄く
、フレキシブルであるが。
実際には、適切な接合を得るには剛性過ぎるものである
。リードが1フレキシブル−1な場合は適切な接合を与
えるのに十分な垂直方向の移動性が与えられる。
。リードが1フレキシブル−1な場合は適切な接合を与
えるのに十分な垂直方向の移動性が与えられる。
第3図および4図には、第3図の側面および第4図の底
面から見たフィンガ状リード20のセグ、メントが示し
である。前記した片持フレキシブル内部電気リードチッ
プ60がリード20の底部内にステップ状にエツチング
しである。このリードチップ60の製造法は本発明には
重要ではない。即ちそれは機械加工、化学マスクエツチ
ング或いはその他の技術的に公知の方法で形成される。
面から見たフィンガ状リード20のセグ、メントが示し
である。前記した片持フレキシブル内部電気リードチッ
プ60がリード20の底部内にステップ状にエツチング
しである。このリードチップ60の製造法は本発明には
重要ではない。即ちそれは機械加工、化学マスクエツチ
ング或いはその他の技術的に公知の方法で形成される。
第1図および6図かられかるように、内部電気リードチ
ップ6(+は、バンブ28とボンディングパッド26を
適切に接触させるように開口18にわたって。
ップ6(+は、バンブ28とボンディングパッド26を
適切に接触させるように開口18にわたって。
或いはその内部に片持ち支持されている。
9A5図には1本発明のフィンガ状リード20の他の実
施例の遠近法による7分身図が示しである。
施例の遠近法による7分身図が示しである。
リード20は、これが次第に柔軟性を増し1開118に
向う時次第に狭くなるリードを与えるように6つの厚み
の異なる部分を有している。これ等のうち最も厚い部分
は剛性の主翼リード部分52として示したリードフレー
ム14のリード20の無変形部分である。化学マスクエ
ツチングなどの適切な処理の後、厚みが中間の中間リー
ド部分64が形成ちれる。j[を後に、リード20は、
既に記載したように、引さ続いてステップ状にエツチン
グされた片持支持フレキシブル内部電気リードナツプ6
0になる。中間のリード部分64は、リード20が、厚
みの変化および相対的可撓性の、破壊を伴うような急激
な変化が生じないように、その幅を狭くする時に望まし
いものである。厚みを減らすステップ数、また可撓性を
与えるステップ数は任意でアシ、その場の状況による。
向う時次第に狭くなるリードを与えるように6つの厚み
の異なる部分を有している。これ等のうち最も厚い部分
は剛性の主翼リード部分52として示したリードフレー
ム14のリード20の無変形部分である。化学マスクエ
ツチングなどの適切な処理の後、厚みが中間の中間リー
ド部分64が形成ちれる。j[を後に、リード20は、
既に記載したように、引さ続いてステップ状にエツチン
グされた片持支持フレキシブル内部電気リードナツプ6
0になる。中間のリード部分64は、リード20が、厚
みの変化および相対的可撓性の、破壊を伴うような急激
な変化が生じないように、その幅を狭くする時に望まし
いものである。厚みを減らすステップ数、また可撓性を
与えるステップ数は任意でアシ、その場の状況による。
テーパ状にする必要がアシ、また薄くする必要のあるリ
ード20の長さも成る程度任意であり、可撓性が増加す
ればよい。
ード20の長さも成る程度任意であり、可撓性が増加す
ればよい。
容易にわかるように、リード20の厚みは、ここで説明
し友もの以外の側面を与える他の方法により低減させる
ことができる。例えば、厚みをステップ状に減らす代り
に、滑らかで或いは徐々に厚みを減らして薄いウェッジ
状のものを得ることもできる。化学マスクエツチングは
半導体分野ではよく用いられる方法なので、ステップエ
ツチングによるリード20は機械加工による必要のある
厚みを徐々に低減させるものに比して、より容易であろ
うと予測される。以上により得られた全接合半導体装置
は1組付けの後、塑性射出成形により技術的に公知の方
法で必要に応じて封入される。
し友もの以外の側面を与える他の方法により低減させる
ことができる。例えば、厚みをステップ状に減らす代り
に、滑らかで或いは徐々に厚みを減らして薄いウェッジ
状のものを得ることもできる。化学マスクエツチングは
半導体分野ではよく用いられる方法なので、ステップエ
ツチングによるリード20は機械加工による必要のある
厚みを徐々に低減させるものに比して、より容易であろ
うと予測される。以上により得られた全接合半導体装置
は1組付けの後、塑性射出成形により技術的に公知の方
法で必要に応じて封入される。
外部リード端部は必要に応じて整形成いは曲げ加工され
、設計仕様に従った所望のデュアルインラインパッケー
ジ(DIP)或いはプラスチックリード付きデツプキャ
リア(PLCC)が形成される。
、設計仕様に従った所望のデュアルインラインパッケー
ジ(DIP)或いはプラスチックリード付きデツプキャ
リア(PLCC)が形成される。
第6図は本発明によるリード20を用い九「スマート」
なりレジットカード38の概略平面図でおる。この実施
例によると、2本のり一ド20がダイレクトリードフレ
ーム14 とリードフレーム導電性パターン16の全体
を代表して形成される。
なりレジットカード38の概略平面図でおる。この実施
例によると、2本のり一ド20がダイレクトリードフレ
ーム14 とリードフレーム導電性パターン16の全体
を代表して形成される。
開口18は、片持支持のフレキシブル内部電気リードチ
ップ30の間およびそれ等の下方の空間として規定され
る。一般的には、半導体ダイ24は半導体ダイ支持体4
2上に装着される。この半導体ダイ支持体42は機械的
ダイ支持体22と同じ、および類似の支持機能を有して
いる。このダイ支持体42は更に、必要に応じて、ヒー
トシンクとしても用いられる。次に、半導体ダイ24を
搭載した上記ダイ支持体42がクレジットカード本体4
0内に装着される。上記のように、半導体ダイ24は端
子バンブ28を備えており、このバンブは最後にフィン
ガ状リード20の7レキシプル内部電気リードチップ3
0に接合される。外部装置との接続は、薄いフレキシブ
ル内部リードチップ30より比較的厚みのある外部リー
ド端部36により行われる。最後に、上記半導体ダイ2
4とリード20は材料44と技術的に公知の方法により
封入される。
ップ30の間およびそれ等の下方の空間として規定され
る。一般的には、半導体ダイ24は半導体ダイ支持体4
2上に装着される。この半導体ダイ支持体42は機械的
ダイ支持体22と同じ、および類似の支持機能を有して
いる。このダイ支持体42は更に、必要に応じて、ヒー
トシンクとしても用いられる。次に、半導体ダイ24を
搭載した上記ダイ支持体42がクレジットカード本体4
0内に装着される。上記のように、半導体ダイ24は端
子バンブ28を備えており、このバンブは最後にフィン
ガ状リード20の7レキシプル内部電気リードチップ3
0に接合される。外部装置との接続は、薄いフレキシブ
ル内部リードチップ30より比較的厚みのある外部リー
ド端部36により行われる。最後に、上記半導体ダイ2
4とリード20は材料44と技術的に公知の方法により
封入される。
第6図かられかるように、リード20は真直ぐよりむし
ろ曲げた状態で構成され、更に、185図に示したステ
ップ状形態とは異なり、比較的厚い外部リード端部36
から非常に薄い内部リードチップ60へ、それ等の長さ
方向に沿って次第に厚みが先細に形成されている。本発
明の他の利点を第6図の実施例に見出すことができる。
ろ曲げた状態で構成され、更に、185図に示したステ
ップ状形態とは異なり、比較的厚い外部リード端部36
から非常に薄い内部リードチップ60へ、それ等の長さ
方向に沿って次第に厚みが先細に形成されている。本発
明の他の利点を第6図の実施例に見出すことができる。
例えば、ワイヤボンドを用いた前記の方法に比べてリー
ド当υ唯1つの接点で済み、更に外部パッケージリード
に達する前に少なくとも1つの外部リードボンドで済む
。
ド当υ唯1つの接点で済み、更に外部パッケージリード
に達する前に少なくとも1つの外部リードボンドで済む
。
実際には1本発明による方法は、機械的ダイ支持体22
上に、或いは「スフート」クレジットカード58の場合
には半導体ダイ支持体42上に半導体ダイ24を先ず装
着する。次に上記機械的ダイ支持体22或いはダイ支持
体42が、半導体ダイ240面上の複数のボンディング
パッド26のパターンが複数のテーパ状7レキシプル内
部リードチップ30のパターン16と整合或いは位置合
わせされるまで操作される。最後に、内部リードデツプ
50の全てが適切に位置合わせされて半導体ダイ24ボ
ンデイングバツト26に同時に、或いは連携(gang
)して接合される。上記のように内部リードデツプ60
の、特にその厚みの、テーパ性のためニ、ホンディング
中にバッド26に対してそれ等のフレキシブルな曲げが
可能になる。
上に、或いは「スフート」クレジットカード58の場合
には半導体ダイ支持体42上に半導体ダイ24を先ず装
着する。次に上記機械的ダイ支持体22或いはダイ支持
体42が、半導体ダイ240面上の複数のボンディング
パッド26のパターンが複数のテーパ状7レキシプル内
部リードチップ30のパターン16と整合或いは位置合
わせされるまで操作される。最後に、内部リードデツプ
50の全てが適切に位置合わせされて半導体ダイ24ボ
ンデイングバツト26に同時に、或いは連携(gang
)して接合される。上記のように内部リードデツプ60
の、特にその厚みの、テーパ性のためニ、ホンディング
中にバッド26に対してそれ等のフレキシブルな曲げが
可能になる。
なお、本発明による方法は連続するシーケンスとして実
施可能である。事実1個々のリードフレーム14は連続
する剛性リードフレームストリップ10から必ら−ずし
も分離される必要はない。相互接続されたり一ド7レー
ム14と半導体ダイ24゜および保護としての熱拡散支
持体22のグループを一緒に処理し、或いは連続する剛
性リードフレームストリップ10部分にまとめて出荷す
ることも可能である。
施可能である。事実1個々のリードフレーム14は連続
する剛性リードフレームストリップ10から必ら−ずし
も分離される必要はない。相互接続されたり一ド7レー
ム14と半導体ダイ24゜および保護としての熱拡散支
持体22のグループを一緒に処理し、或いは連続する剛
性リードフレームストリップ10部分にまとめて出荷す
ることも可能である。
第1図は、熱拡散支持体に装着し九半導体ダイにわたっ
て位置付けされ、本発明により構成された半導体ダイ/
ダイレクトリードクレームアセンブリの上部平面図であ
り。 第2図は第1図のライン2−2上で取られた熱拡散支持
体に装着したダイに接続されたリードフレームの断面図
であり。 第5図は、本発明により構成したフィンガ状リードが半
導体ダイボンディングパッド上のバンブと接触する方法
を示した詳細断面図であり。 第4図は第3図のフィンガ状リードの底部平面図であ勺
。 第5図は本発明の他の実施例によるフィンガ状リードの
底部の7分身図であり、更に。 第6図は本発明によるリードクレームに接続した半導体
ダイを有するクレジットカードの概略平面図でおる。 図面参照番号 10 リードフレームストリップ12 割
出しスプロケット 14 リードフレーム 16 リードフレーム導電性パターン18
開口 20 フィンガ状リード 22 機械的ダイ支持体 24 半導体ダイ 30 リードデツプ 38 クレジットカード 42 半導体ダイ支持体
て位置付けされ、本発明により構成された半導体ダイ/
ダイレクトリードクレームアセンブリの上部平面図であ
り。 第2図は第1図のライン2−2上で取られた熱拡散支持
体に装着したダイに接続されたリードフレームの断面図
であり。 第5図は、本発明により構成したフィンガ状リードが半
導体ダイボンディングパッド上のバンブと接触する方法
を示した詳細断面図であり。 第4図は第3図のフィンガ状リードの底部平面図であ勺
。 第5図は本発明の他の実施例によるフィンガ状リードの
底部の7分身図であり、更に。 第6図は本発明によるリードクレームに接続した半導体
ダイを有するクレジットカードの概略平面図でおる。 図面参照番号 10 リードフレームストリップ12 割
出しスプロケット 14 リードフレーム 16 リードフレーム導電性パターン18
開口 20 フィンガ状リード 22 機械的ダイ支持体 24 半導体ダイ 30 リードデツプ 38 クレジットカード 42 半導体ダイ支持体
Claims (3)
- (1)半導体ダイ/ダイレクトリードフレームアセンブ
リであつて、該アセンブリは、 半導体ダイを熱拡散機械的ダイ支持体に装着し、前記半
導体ダイがその露出面に複数のボンディングパッドを有
してなるステップと、 前記複数のボンディングパッドが前記リードフレームの
複数個のテーパ状可撓性内部電気リードチップに対応し
、且つその下方に位置合わされるように熱拡散機械的ダ
イ支持体を操作することにより前記ダイレクトリードフ
レームの下方に半導体ダイを位置付けるステップと、更
に、 前記複数のテーパ状可撓性内部電気リードチップを前記
複数のボンディングパッドに適切に対応させて連携接合
するステップとからなる各ステップにより構成される半
導体ダイ/ダイレクトリードフレームアセンブリ。 - (2)前記リードチップの幅と厚みは一般に、ボンディ
ングパッドの方向に徐々に低減されてなる特許請求の範
囲第1項に記載の半導体ダイ/ダイレクトリードフレー
ムアセンブリ。 - (3)半導体ダイをダイレクトリードフレームに接続す
る方法であつて、該方法は、 半導体ダイを熱拡散機械的ダイ支持体に装着し、前記半
導体ダイはその露出面に複数のボンディングパッドを有
してなるステップと、 前記複数のボンディングパッドが前記リードフレーム上
の複数のテーパ状可撓性内部電気リードチップに対応し
、且つそれ等の下方で位置合わせされるように熱拡散機
械的ダイ支持体を操作することにより前記半導体ダイを
ダイレクトリードフレームの下方に位置付けるステップ
と。 前記複数のテーパ状可撓性内部電気リードチップを前記
複数のボンディングパッドに適切に対応させて連携接合
するステップとからなる半導体ダイをダイレクトリード
フレームに接続する方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US74066485A | 1985-06-03 | 1985-06-03 | |
US740664 | 1985-06-03 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61279141A true JPS61279141A (ja) | 1986-12-09 |
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US3978578A (en) * | 1974-08-29 | 1976-09-07 | Fairchild Camera And Instrument Corporation | Method for packaging semiconductor devices |
US4210926A (en) * | 1977-12-07 | 1980-07-01 | Siemens Aktiengesellschaft | Intermediate member for mounting and contacting a semiconductor body |
FR2456390A1 (fr) * | 1979-05-11 | 1980-12-05 | Thomson Csf | Grille d'encapsulation, microboitier de circuit electronique utilisant cette grille et procede d'encapsulation de circuit electronique en microboitier |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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