JPS61278023A - 磁気デイスク用アルミニウム基板の熱ひずみ除去用セラミツクススペ−サ - Google Patents

磁気デイスク用アルミニウム基板の熱ひずみ除去用セラミツクススペ−サ

Info

Publication number
JPS61278023A
JPS61278023A JP12015685A JP12015685A JPS61278023A JP S61278023 A JPS61278023 A JP S61278023A JP 12015685 A JP12015685 A JP 12015685A JP 12015685 A JP12015685 A JP 12015685A JP S61278023 A JPS61278023 A JP S61278023A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
aluminum substrate
ceramic
spacer
thickness
thermal strain
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP12015685A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0544735B2 (ja
Inventor
Akio Nishiyama
昭雄 西山
Jiro Kotani
小谷 二郎
Toshio Yoshida
敏雄 吉田
Hitoshi Kunugi
斉 功刀
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Metal Corp
Original Assignee
Mitsubishi Metal Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Metal Corp filed Critical Mitsubishi Metal Corp
Priority to JP12015685A priority Critical patent/JPS61278023A/ja
Publication of JPS61278023A publication Critical patent/JPS61278023A/ja
Publication of JPH0544735B2 publication Critical patent/JPH0544735B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、磁気ディスク用アルミニウム基板の熱ひず
みを除去する場合に使用されるセラミツクススは−サに
関する。
〔従来の技術〕
一般に1磁気デイスク用のアルミニウム基板には熱処理
によって生じたひずみが残存しており。
このひずみは、ダイヤモンド単結晶による旋削と。
それにつづくダイヤモンド砥石による研摩とからなる超
仕上加工後に1アルミニウム基板の平行度と平坦度に極
く僅かな乱れを発生させる原因となるので1これを避け
るために、上記仕上加工の前にアルミニウム基板のひず
みを十分に除去しておく必要があり1それには、従来1
製品となるべき。
例えば厚さ:約2uのアルミニウム基板を、厚さ10〜
20mmを有する2枚の鉄鋼材料スは−サの間に挾んで
、これを両側からクランプで圧力をかけながら300〜
450℃の温度に加熱することによって前記ひずみを除
去していた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来の鉄鋼材料スば一すは、300〜450℃において
アルミニウム基板のひずみ収りに繰り返し使用するとス
ズーザ自体も変形するので、それを防ぐためにスは−ザ
の厚さを増すか、あるいはスは−ザの平行度を維持する
ため、変形が著しくなった時点でその表面を研摩しなけ
ればな5なかつた。また鉄鋼材料は繰り返し使用するう
ちに錆を発生し、その錆のついたスズーザをひずみ取す
に使用すると錆がアルミニウム基板に転写され。
この錆は後工程の超仕上工程においても除去できなくな
って1アルミニウム基板の不良品を生じさせる原因とな
るため、スは−サを錆させないように、錆落しを定期的
に行っているのが現状であった。
〔研究に基づく知見事項〕
そこで1本発明者等は、このような問題を解決するため
に種々研究を重ねた結果。
(1)  スズーサの材質を、鉄鋼材料に代えてセラミ
ックスとすれば、セラミックス本来の性質によって1前
述のスは−サ自体の変形の問題と錆の発生の問題が一挙
に解決されること。
(2)  スぼ−サの材質としてセラミックスを使用す
ると、その線膨張率は3〜8X10  c]、eg  
と極めて小さいために、それが約25X10cleg 
 と大きいアルミニウム基板が、ひずみ取り処理時にセ
ラミックススば一すと圧接されながら、室温から例えば
約400℃に至る激しい温度変化に曝されると、両者の
間の大きい熱伸縮の差によってアルミニウム基板は硬い
セラミックススば一すと強く擦り合って、アルミニウム
基板のひずみが効果的に除去される反面1その擦り合い
によって接触面に疵がつくという問題が新たに生ずる。
そこでそのセラミックススは−サの表面粗度を向上させ
かつスは−サの空孔含有量を減らすとともに1表面に形
成される空孔の寸法を小さくすれば、この疵の発生が避
けられ、そのためには表面粗度。
0.8S以下1空孔含有率:5容量係以下および表面空
孔の最大径:20μm以下であれば十分であること、お
よび (3)鉄鋼材料に比べて概して靭性の低いセラミックス
をスは−サの素材とすると1そのスに一すは使用中にや
はり破損1−やすい傾向を有するが。
それを、抗折カニ65kg/1Rf1以上および厚み:
2朋以上を有するスば一すとすれば1強度上実用に耐え
るスズーサが得られること1 を見出しだ。
〔問題点を解決するだめの手段〕
この発明は、上記知見に基づいて発明されたもので。
厚み:2〜15朋、 抗折カニ65に97朋以上。
表面粗度:o、ss以下、 を有し1かつ空孔含有率が5容量多以下であるとともに
1表面に形成された空孔の最大径が20μm以下である
1磁気デイスク用アルミニウム基板の熱ひずみ除去用セ
ラミックススば一す、を提供するものである。
ついで、この発明において、セラミックススば一すの厚
み、抗折力1表面粗度、空孔含有率および表面空孔の大
きさをそれぞれ上記のとおりに限定した理由を述べる。
(a)  厚み 一般に、ひずみを取るべきアルミニウム基板の厚みは僅
か2+u+程度であるのに対し、従来の鉄鋼材料を素材
とするスズーサの厚みは通常lO〜20韮程度であった
が、この発明では、スは−ザの素材をセラミックスとし
たことにより、その厚みを小さくしても前述のスは−ザ
自体の変形の問題は起こらないばかりでなく、ひずみ取
り炉における熱処理についてみると、スズーサが薄けれ
ば薄いほど多量のアルミニウム基板を充填できるので。
スズーサは薄いほど有利であるが、その厚みが2U未満
になると強度が不足して破損の虞があり。
一方それが15+amを越えても強度上利益がない上に
、ひずみ取り炉における処理量、すなわち生産量が低下
するところから、その厚みを2〜15朋と定めた。
(b)  抗折力 前述のように、一般にセラミックスは鉄鋼材料よりも靭
性が低いため、特に薄い板状のものとすると破損し易く
なるので1アルミニウム基板のひずみを取り除くだめに
これを強く押圧しなければならない本スは−サにおいて
は、その抗折力は犬きいほど好ましいが1一方接折力が
極端に大きいセラミックスを製造することは技術的にも
壕だ経済的にも困難と々る上に、セラミックススは−サ
の抗折力が65kg/TA112以上あれば1上述の厚
みとの兼合から磁気ディスク用アルミニウム基板の熱ひ
ずみを除去するスは−ザとして支障なく使用することが
できるところから、その抗折力の下限値を65kg/+
a+πと定めた。
(C)  表面粗(W ひずみ矯正時にアルミニウム基板がセラミックススズー
サに引っ掻かれて疵がつく現象はスは−サの表面粗度を
向上することによって改善され。
その表面粗度が0.88よりも粗いと、軟いアルミニウ
ム基板は硬いセラミックススズーサによって削られるが
、スば一すの表面を0.8S以下の表面粗度の鏡面に仕
上げると、下記の表面空孔の大きさとの兼合から、アル
ミニウムとセラミックスとの大きな熱膨張差にも拘らず
、アルミニウム基板には無視できる程度の疵しかつかな
いので、その表面粗度を0.8 S以下と定めた。
(d)  空孔含有率および表面空孔の大きさスペーサ
表面の空孔の大きさが大きいほどアルミニウム基板はそ
の空孔に噛み込まれやすくなって1表面に大きな疵を生
じ易くなり1表面空子りの最大径が20μmを越えると
、前記表面粗度をいくら小さく仕上げても、上記の噛み
込みを生ずるので、セラミックスの表面に存在する空孔
の最大径を20μm以下と定めるとともに、一般にスは
一す全体の空孔含有率が高くなるほど空孔の寸法が大き
くなる傾向があり、それが5%を越えると、20μmを
越す最大径を有する空孔が形成されるようになるところ
から、この空孔含有率を5%以下と定めた。
上記のような特性を備えたセラミックスは、従来知られ
ている。アルミナ、窒化珪素、ラーイアロン、炭化珪素
、ジルコニアおよびこれらに第1a族、第1[1a族1
第■a族の酸化物1炭化物、窒化物、ホウ化物のうちの
いずれか1種または2種以上を40容量チ以下加えたも
ののようなセラミックスから選ばれ、これらのうち。
(1)  窒化珪素(以下、  5j3N、で示す)基
セラミックスは1例えば、 MgO、Y2O3,希土類
金鵬酸化物等が添加されたSi3+’J4をホットプレ
ス法で焼結して製造され。
(2)  サイアロン系セラミックスは1例えば、AC
203やAQNおよびポリタイプサイアロンの21Rや
15RにMgOやY2O3等を添加したものを常圧焼結
法または熱間静水圧プレス(HIP)で焼結して製造さ
れ、また (3)酸化ジルコニウム(以下、 ZrO2で示す)基
セラミックスは2例えば、 ZrO2に”203 + 
Y2O3+MgO等を添加したものを、やはり常圧焼結
法またはHIPで焼結して製造される。
以」二のような方法で製造されて、この発明において必
要とする抗折力、空孔含有率、空孔寸法および厚みを備
えた板状のセラミックスは、ダイヤモンド測定端子によ
る触針式測定法(JIS B0601〜1976)によ
って測定される1表面粗度:088以下の平滑な表面を
有するセラミックススズーサに仕上げられる。
〔実施例〕
ついで、この発明を実施例により比較例と対比1−なが
ら説明するが1これらの実施例は勿論この発明を具体化
した例を単に示すだめのものであって、この発明の技術
的範囲を制限することを意図□するものではない。
平均粒径:O,’7/jmを有する813N4微粉末8
3.7チ、同:360μmを有するAQN微粉末25係
、同:O,Bpmを有するAl2O3微粉末5.8%(
以下。
特に断わらないかぎり%はすべで重量係を意味する)お
よび同:2.5μmを有するYb2O3微粉末=8係か
らなる配合組成を有する混合粉末を原料とし、これを常
法に従い、常圧焼結法で焼結することによって、前記混
合粉末と実質的に同一の組成および外径:170mx内
径:45朋×厚み:10朋の寸法を有するサイアロン系
セラミックスの環状板を製造し、ついでこれの表面をダ
イヤモンド砥粒により研摩することによって1本発明ス
ば一す1を製造し、また、平均粒径:15μmを有する
ZrO2微粉末:80%、同:O,Bpmを有するAA
203微粉末:18q6および同:25μmを有するY
2O3微粉末:2%からなる配合組成を有する混合粉末
を原料とし、これを普通焼結およびそれにつづ(HIP
で焼結することによって、前記混合粉末と実質的に同一
の組成および前記寸法と同じ寸法を有するZrO2基セ
ラミックスの環状板を製造し1ついでこれの表面を上記
と同様に仕−Lげて1本発明スは−ザ2を製造した。
このようにして得られた本発明スば一すlおよび2につ
いて、それらの表面粗度をダイヤモンドコーン触針法に
よって測定するとともに1抗折力を測定し、さらに理論
比重との比較によって空孔含有率を1−i:た光学顕微
鏡によって表面空孔の最大径を測定し、その結果を第1
表に示しだ。
つぎに、これらのスズーサをアルミニウム基板のひずみ
取りに使用したときに発生するアルミニウム基板上の疵
の状態を調査するために11気圧の水素雰囲気が形成さ
れている炉の中で、外径。
163uX内径:50mmX厚さ:2uの寸法を有する
アルミニウム基板の両側を100 kg/cmの圧力の
下に前記同種スば一す各2枚でそれぞれ挟圧しながら、
これらの部材を毎時100℃の昇温速度で400’C’
l:で加熱し、この温度に1時間保持した後1毎時20
℃の降温速度で冷却する。アルミニウム基板のひずみ矯
正処理を実施した。
ついで、この処理によって生じたアルミニウム基板上の
疵の深さを表面粗さ測定器によって測定し、その結果を
第1表に示した。
さらに比較のため、平均粒径;0.B、amを有するA
輸03微粉末:91チ、同:1.5μmを有する510
2微粉末:6%、同:1.5μ7nを有するM g O
微粉末:3チからなる配合組成を有する混合粉末および
平均粒径:07μmを有するSi3N、微粉末:93チ
、同:2,45μmを有するY2O3微粉末ニア%から
なる配合組成を有する混合粉末をそれぞれ原料とし、こ
れらを常法に従い、常圧焼結法で焼結することによって
1前記混合粉末と実質的に同一の組成および前記本発明
スは−サ1および2と同じ寸法を有するアルミナ基セラ
ミックスおよび窒化珪素基セラミックスの環状板を製造
し、ついで第1表 上記と同様にしてこれらの環状板からそれぞれ比較ス啄
−サ1および2を製造し、そしてこれらの比較スは−サ
1および2と、別途用意]−だ、 5KDll製の従来
スば一すについて、前記と同様に、その特性を調べると
ともに1これらのスば一すを使用する゛ひずみ取りの処
理を実施して、アルミニウム基板のひずみの状態と、そ
の上に生じた疵の状態を調査した。これらの調査結果も
第1表に示した。
〔発明の効果〕
本発明スば一すlおよび2は、その材質がセラミックス
であるところから、繰返し使用しても。
当然変形も錆も生じなかつだのに対し、従来スは一すで
は、第1表に示されるように、矯正後のアルミニウム基
板の平坦度は大きくて仕上りが劣り1また比較スペーサ
lおよび2では2表面粗度および空孔の最大径のうちの
一方または両方がこの発明の範囲から外れているために
著しい疵を発生したのに対し2本発明スペーサ1および
2においては、その表面粗度と空孔の最大径について十
分配慮されているため極ぐ小さな疵しか発生しない上に
1本発明スに一す1および2は十分な強度を有するとこ
ろから破損を生ずることなく繰返し使用することができ
た。
以」二述べた説明から明らかなように、この発明による
と、加熱や圧力によって極めて変形し難いセラミックス
でアルミニウム基板の熱ひずみ除去用スは−ザを構成1
〜たために、平坦度、すなわち仕上りに優れたアルミニ
ウム基板を提供できるとともに、そのアルミニウム基板
−ヒに錆が転写されるというトラブルの発生を回避する
こともでき。
しかも強度上も、まだアルミニウム基板上の引っ掻き疵
の発生についても何ら問題のない実用1優れた磁気ディ
スク用アルミニウム基板の熱ひずみ除去用セラミックス
スば一すを提供することができる。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 厚み:2〜15mm、 抗折力:65kg/mm^2以上、 表面粗度:0.8S以下、 を有し、かつ空孔含有率が5容量%以下であるとともに
    、表面に形成された空孔の最大径が20μm以下である
    、磁気ディスク用アルミニウム基板の熱ひずみ除去用セ
    ラミックススペーサ。
JP12015685A 1985-06-03 1985-06-03 磁気デイスク用アルミニウム基板の熱ひずみ除去用セラミツクススペ−サ Granted JPS61278023A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12015685A JPS61278023A (ja) 1985-06-03 1985-06-03 磁気デイスク用アルミニウム基板の熱ひずみ除去用セラミツクススペ−サ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12015685A JPS61278023A (ja) 1985-06-03 1985-06-03 磁気デイスク用アルミニウム基板の熱ひずみ除去用セラミツクススペ−サ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS61278023A true JPS61278023A (ja) 1986-12-08
JPH0544735B2 JPH0544735B2 (ja) 1993-07-07

Family

ID=14779338

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP12015685A Granted JPS61278023A (ja) 1985-06-03 1985-06-03 磁気デイスク用アルミニウム基板の熱ひずみ除去用セラミツクススペ−サ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS61278023A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63197029A (ja) * 1987-02-10 1988-08-15 Mitsubishi Metal Corp 磁気デイスク用Al基板の熱ひずみ除去用セラミツクススペ−サ
US5969902A (en) * 1995-03-15 1999-10-19 Kyocera Corporation Support magnetic disk substrate and magnetic disk unit using the support member composed of Forsterite and an iron based component

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63197029A (ja) * 1987-02-10 1988-08-15 Mitsubishi Metal Corp 磁気デイスク用Al基板の熱ひずみ除去用セラミツクススペ−サ
US5969902A (en) * 1995-03-15 1999-10-19 Kyocera Corporation Support magnetic disk substrate and magnetic disk unit using the support member composed of Forsterite and an iron based component
US6215617B1 (en) 1995-03-15 2001-04-10 Kyocera Corporation Support member for magnetic disk substrate

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0544735B2 (ja) 1993-07-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8974726B2 (en) Polycrystalline aluminum nitride material and method of production thereof
TW200948743A (en) Polycrystalline mgo sintered compact, process for producing the polycrystalline mgo sintered compact, and mgo target for sputtering
JP4006535B2 (ja) 半導体または液晶製造装置部材およびその製造方法
Xie et al. Surface characteristics of polished YAG laser crystal
JP2002530263A (ja) 複合材料
Kao et al. Surface machining of fine-grain Y-TZP
JP2015225902A (ja) サファイア基板、サファイア基板の製造方法
JPS61278023A (ja) 磁気デイスク用アルミニウム基板の熱ひずみ除去用セラミツクススペ−サ
JPH08316283A (ja) ダミーウエハー
US6705935B2 (en) Abrasive molding and abrasive disc provided with same
EP2923351B1 (en) Method for bonding zircon or zirconia substrates
JP4995103B2 (ja) 研磨用定盤
JPS63197029A (ja) 磁気デイスク用Al基板の熱ひずみ除去用セラミツクススペ−サ
JPS61131229A (ja) 磁気デイスク用基板とその製造方法
TW574172B (en) SiC clamp manufacturing method
JP4382919B2 (ja) シリコン含浸炭化珪素セラミックス部材の製造方法
CN104885155A (zh) 磁记录介质用铝基板
JP3857742B2 (ja) ガラス製光学素子成形用型
JP7228007B2 (ja) アニール処理用板材、アニール処理用板材の製造方法、及び基板の製造方法
JP2004152900A (ja) 半導体製造装置用ウェハ保持リング及びその製造方法、並びに半導体ウェハの熱処理方法及び加熱処理装置
JP2002283244A (ja) 仕上げ用砥石及びその製造方法
Liu et al. Investigation of strength degradation and strength recovery via short time heating for ground alumina ceramics with different grain size
JP6261399B2 (ja) 磁気記録媒体用アルミニウム基板
JP2019055897A (ja) 炭化珪素部材の製造方法
JP5314895B2 (ja) ガラス熱処理用治具