JPS61277215A - 表面波フイルタチツプ - Google Patents
表面波フイルタチツプInfo
- Publication number
- JPS61277215A JPS61277215A JP11890385A JP11890385A JPS61277215A JP S61277215 A JPS61277215 A JP S61277215A JP 11890385 A JP11890385 A JP 11890385A JP 11890385 A JP11890385 A JP 11890385A JP S61277215 A JPS61277215 A JP S61277215A
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- Japan
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- electrode
- film
- zinc oxide
- pad
- comb
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- Pending
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、テレビ、ビデオ等映像機器のVIP回路に使
用される表面波フィルタチップに関するものである。
用される表面波フィルタチップに関するものである。
(従来の技術)
従来、ガラス基板の上に、くし形電極、酸化亜鉛、対向
電極を順次形成したサンドイッチ構造の表面波フィルタ
は、その構造上、IC,LSIなどと同様に異常高電圧
に対して敏感であり、インピーダンスの大幅な変化によ
シ、使用される回路とのマツチングに支障を生じること
もあった。そのため静電気等異常高電圧に強い表面波フ
ィルタチップの開発が大きな課題であった。
電極を順次形成したサンドイッチ構造の表面波フィルタ
は、その構造上、IC,LSIなどと同様に異常高電圧
に対して敏感であり、インピーダンスの大幅な変化によ
シ、使用される回路とのマツチングに支障を生じること
もあった。そのため静電気等異常高電圧に強い表面波フ
ィルタチップの開発が大きな課題であった。
従来のこのタイプの表面波フィルタチップは第8図に示
したように構成されている。第8図において、1は出力
側くし形電極、2は入力側くし形電極、3は出力側ノ母
ツド電極、4は入力側パッド電極、5はガラス基板、6
は酸化亜鉛、8は対向電極、10はワイヤー、11はア
ルミナ基板、12は印刷電極である。
したように構成されている。第8図において、1は出力
側くし形電極、2は入力側くし形電極、3は出力側ノ母
ツド電極、4は入力側パッド電極、5はガラス基板、6
は酸化亜鉛、8は対向電極、10はワイヤー、11はア
ルミナ基板、12は印刷電極である。
このように構成された従来例は、まず、ガラス基板5の
一主面上にアルミニウムを蒸着し、フォトリソグラフィ
ーの手法で出力側くし形電極1、入力側くし形電極2、
出力側パッド電極3、入力側ノ4ツド電極4をそれぞれ
形成する。次に、それらの上に酸化亜鉛をス・ぐツタリ
ングして酸化亜鉛6の多結晶膜を形成し、さらに、その
上にアルミニウムを蒸着する。次いでフォトリソグラフ
ィーの手法で対向電極8を形成し、最後に、酸化亜鉛6
の膜のうちパッド電極3,4の上の部分のみをフォトリ
ソグラフィーの手法で除去する。
一主面上にアルミニウムを蒸着し、フォトリソグラフィ
ーの手法で出力側くし形電極1、入力側くし形電極2、
出力側パッド電極3、入力側ノ4ツド電極4をそれぞれ
形成する。次に、それらの上に酸化亜鉛をス・ぐツタリ
ングして酸化亜鉛6の多結晶膜を形成し、さらに、その
上にアルミニウムを蒸着する。次いでフォトリソグラフ
ィーの手法で対向電極8を形成し、最後に、酸化亜鉛6
の膜のうちパッド電極3,4の上の部分のみをフォトリ
ソグラフィーの手法で除去する。
このようにして形成された表面波フィルタチップを、ア
ルミナ基板ll上に接着剤13で貼シつけ、印刷電極1
2とパッド電極3,4とをアルミニウム又は金のワイヤ
ー10でボンディング接続した後、表面波フィルタチッ
プを覆うようにキャップをかぶせてディバイスとして完
成する。
ルミナ基板ll上に接着剤13で貼シつけ、印刷電極1
2とパッド電極3,4とをアルミニウム又は金のワイヤ
ー10でボンディング接続した後、表面波フィルタチッ
プを覆うようにキャップをかぶせてディバイスとして完
成する。
第9図は、フィルタディバイスの等価回路を示しておシ
、破線で囲まれた部分が表面波フィルタチップ、■、O
が入力側端子、■、■が出力側端子に相当する。
、破線で囲まれた部分が表面波フィルタチップ、■、O
が入力側端子、■、■が出力側端子に相当する。
次忙、上記表面波フィルタチップの動作を説明する。ま
ず第9図の入力端子■、■に電気信号が印加されると第
8因の印刷電極12、ワイヤー10を通シ、入力側パッ
ド電極4から入力側くし形電極2に達する。そこで圧電
体である酸化亜鉛6に機械振動が発生し、その振動が酸
化亜鉛6の表面を伝播して出力側くし形電極1に至る。
ず第9図の入力端子■、■に電気信号が印加されると第
8因の印刷電極12、ワイヤー10を通シ、入力側パッ
ド電極4から入力側くし形電極2に達する。そこで圧電
体である酸化亜鉛6に機械振動が発生し、その振動が酸
化亜鉛6の表面を伝播して出力側くし形電極1に至る。
出力側くし形電極1では5機械振動が電気信号に変換さ
九出力側・セット電極3を経て印刷電極12を通シ、第
9図の出力端子■、■から出力信号として取出される。
九出力側・セット電極3を経て印刷電極12を通シ、第
9図の出力端子■、■から出力信号として取出される。
(発明が解決しようとする問題点)
しかしながら、このような従来の構成では、くし形電極
と対向電極との間にある酸化亜鉛の膜厚が2〜4μmと
薄いため、静電気等の異常高電圧が印加された場合、く
し形電極と対向電極との間に電子の移動が生じ、酸化亜
鉛の抵抗値が変化して入出力のインピーダンスが変化す
るという問題を有していた。
と対向電極との間にある酸化亜鉛の膜厚が2〜4μmと
薄いため、静電気等の異常高電圧が印加された場合、く
し形電極と対向電極との間に電子の移動が生じ、酸化亜
鉛の抵抗値が変化して入出力のインピーダンスが変化す
るという問題を有していた。
本発明は、このような問題点を解決しようとするもので
、静電気等の異常高電圧に対して強い表面波フィルタチ
ップを提供することを目的としている。
、静電気等の異常高電圧に対して強い表面波フィルタチ
ップを提供することを目的としている。
(問題点を解決するための手段)
本発明は、上記問題点を解決するために、ガラス基板の
一主面上にアルミニウム等の金属でくし形電極及びパッ
ド電極を設け、前記くし形電極の上に酸化亜鉛の膜を形
成し、さらに、酸化亜鉛とA’ラッド極の上にSiO2
膜を形成して、その上にそれぞれ対向電極及びパッド対
向電極を形成するようにしたものである。
一主面上にアルミニウム等の金属でくし形電極及びパッ
ド電極を設け、前記くし形電極の上に酸化亜鉛の膜を形
成し、さらに、酸化亜鉛とA’ラッド極の上にSiO2
膜を形成して、その上にそれぞれ対向電極及びパッド対
向電極を形成するようにしたものである。
(作用)
上記構成によれば、くし形電極と対向電極の間K、圧電
体である酸化亜鉛膜と絶縁体であるS i O2膜が形
成されているので電子の移動は無くなシ、さらにノぐツ
ド電極とノ母ツド対向電極の間にも5IO2膜を形成す
ることでi4ッド電極には直接直流電圧が印加されなく
なシ、静電気等の異常高電圧に強い表面波フィルタチッ
プとなる。
体である酸化亜鉛膜と絶縁体であるS i O2膜が形
成されているので電子の移動は無くなシ、さらにノぐツ
ド電極とノ母ツド対向電極の間にも5IO2膜を形成す
ることでi4ッド電極には直接直流電圧が印加されなく
なシ、静電気等の異常高電圧に強い表面波フィルタチッ
プとなる。
(実施例)
以下、口面に基づいて実施例を詳細に説明する。
第1図ないし第6図は、本発明の一実施例を製造プロセ
スに従って示したものである。まず第1図において、ガ
ラス基板5の一主面上にアルミニウムを蒸着し、フォト
リソグラフィーによシ出力側くし形電極1、入力側くし
形電極2、出力側iJ?ツド電極3、入力側パッド電極
4をそれぞれ形成する。次に第2図に示したように、ガ
ラス基板5の各電極を形成した面にス/4’ツタリング
によシ酸化亜鉛6の膜を形成する。この酸化亜鉛6の膜
は、第3図に示したように、出力側パッド電極3及び入
力側パッド電極4の部分が露出するようにフォトリソグ
ラフィーの手法により部分的に除去される。次いで、第
4図に示したように、ガラス基板5の酸化亜鉛6を形成
した面の全面に、スパッタリングにより5i027の膜
を形成する。従ってくし形電極1.2の上には酸化亜鉛
6の膜とS>027の膜が積層され、パッド電極3,4
の上にはSiO□7の膜が積層されることになる。さら
に、第5図に示したように、SiO□7の膜上に、くし
形電極1゜2及びパッド電極3,4にそれぞれ対向する
ように、対向電極8と・母ツド対向電極9を、アルミニ
ウムの蒸着、フォトリソグラフィーによシ形成する。
スに従って示したものである。まず第1図において、ガ
ラス基板5の一主面上にアルミニウムを蒸着し、フォト
リソグラフィーによシ出力側くし形電極1、入力側くし
形電極2、出力側iJ?ツド電極3、入力側パッド電極
4をそれぞれ形成する。次に第2図に示したように、ガ
ラス基板5の各電極を形成した面にス/4’ツタリング
によシ酸化亜鉛6の膜を形成する。この酸化亜鉛6の膜
は、第3図に示したように、出力側パッド電極3及び入
力側パッド電極4の部分が露出するようにフォトリソグ
ラフィーの手法により部分的に除去される。次いで、第
4図に示したように、ガラス基板5の酸化亜鉛6を形成
した面の全面に、スパッタリングにより5i027の膜
を形成する。従ってくし形電極1.2の上には酸化亜鉛
6の膜とS>027の膜が積層され、パッド電極3,4
の上にはSiO□7の膜が積層されることになる。さら
に、第5図に示したように、SiO□7の膜上に、くし
形電極1゜2及びパッド電極3,4にそれぞれ対向する
ように、対向電極8と・母ツド対向電極9を、アルミニ
ウムの蒸着、フォトリソグラフィーによシ形成する。
このようにして形成された表面波フィルタチツプを、第
6図に示したようにアルミナ基板11上に接着剤13で
貼りつけ、入出カッJ?ツド対向電極9とアルミナ基板
11の印刷電極12とを、アールミニラム又は金のワイ
ヤー10(約30μm径〕でボンディング接続する。最
後に、表面波フィルタチップとワイヤーを保護するよう
に図示しないキャッジをかぶせて表面波フィルタとして
完成させるO 表面波フィルタの等価回路は、第7図のようになシ、C
I + 02は、・ぐラド対向電極9と入力側パッド
電極4の間の容量、03aC4は、・やラド対向電極9
と出力側パッド電極3の間の容量であるO 次に本実施例の動作を説明する。まず、第7図の入力端
子0,0間に、入力信号が加わると第6図の印刷電極1
2、ワイヤー10を通じてパッド対向電極9に達するが
、ここで仮に直流の異常高電圧が加わってもSiO□7
の膜があるため、ノ<?ラド電極4には印加されず、容
量CI+02を介して交流の入力信号のみがノ4ツド電
極4に加わる。ノJ?ッド電極4を経てくし形電極2に
達した電気信号は、圧電体である酸化亜鉛6によって機
械振動に変換され、その振動は圧電体の表面、つまフ酸
化亜鉛6の表面をくし形電極1の方に向って伝播し、く
し形電極1に達した振動はそこで電気信号に変換される
。電気信号は・ぐラド電極3を経た後、容量C3r 0
4 を介し、・ヤツド対向電極9から印刷電極12を経
て第7図の出力端子■、■へ導かれる。
6図に示したようにアルミナ基板11上に接着剤13で
貼りつけ、入出カッJ?ツド対向電極9とアルミナ基板
11の印刷電極12とを、アールミニラム又は金のワイ
ヤー10(約30μm径〕でボンディング接続する。最
後に、表面波フィルタチップとワイヤーを保護するよう
に図示しないキャッジをかぶせて表面波フィルタとして
完成させるO 表面波フィルタの等価回路は、第7図のようになシ、C
I + 02は、・ぐラド対向電極9と入力側パッド
電極4の間の容量、03aC4は、・やラド対向電極9
と出力側パッド電極3の間の容量であるO 次に本実施例の動作を説明する。まず、第7図の入力端
子0,0間に、入力信号が加わると第6図の印刷電極1
2、ワイヤー10を通じてパッド対向電極9に達するが
、ここで仮に直流の異常高電圧が加わってもSiO□7
の膜があるため、ノ<?ラド電極4には印加されず、容
量CI+02を介して交流の入力信号のみがノ4ツド電
極4に加わる。ノJ?ッド電極4を経てくし形電極2に
達した電気信号は、圧電体である酸化亜鉛6によって機
械振動に変換され、その振動は圧電体の表面、つまフ酸
化亜鉛6の表面をくし形電極1の方に向って伝播し、く
し形電極1に達した振動はそこで電気信号に変換される
。電気信号は・ぐラド電極3を経た後、容量C3r 0
4 を介し、・ヤツド対向電極9から印刷電極12を経
て第7図の出力端子■、■へ導かれる。
このとき、対向電極8は、機械振動と電気信号とのそれ
ぞれの変換効率をあげるために是非とも必要なもので、
酸化亜鉛の膜厚が一定であれば、対向電極の有無で40
dB以上のレベル差がある。
ぞれの変換効率をあげるために是非とも必要なもので、
酸化亜鉛の膜厚が一定であれば、対向電極の有無で40
dB以上のレベル差がある。
(発明の効果)
以上説明したように、本発明によれば、くし形電極と対
向電極との間に、酸化亜鉛とは別にSiO□膜が存在す
るため、仮に高電圧の直流・交流の信号が加わっても、
SiO□膜によって電子の移動が阻止され、くし形電
極と対向電極間のインピーダンス変化はおこらない。ま
た、パッド電極と・ぐラド対向電極の間に容量を形成す
ることによシ直流がカントされることになり、直流の高
電圧に対してさらに強くなるなど高い耐圧効果が得られ
るものである。
向電極との間に、酸化亜鉛とは別にSiO□膜が存在す
るため、仮に高電圧の直流・交流の信号が加わっても、
SiO□膜によって電子の移動が阻止され、くし形電
極と対向電極間のインピーダンス変化はおこらない。ま
た、パッド電極と・ぐラド対向電極の間に容量を形成す
ることによシ直流がカントされることになり、直流の高
電圧に対してさらに強くなるなど高い耐圧効果が得られ
るものである。
第1図ないし第5図は、本発明の一実施例の表面波フィ
ルタチップの構成を製造プロ七スに従って示した図、第
6図は同表面波フィルタチップをアルミナ基板に装着し
た状態を示す図、第7因は、第6図の表面波フィルタの
等価回路口、第8図は。 従来の表面波フィルタの構成を示す図、第9図は、同表
面波フィルタの等価回路図である。 l・・・出力側くし形電極、2・・・入力側くし形電極
、3・・・出力側・母ツド電極、4・・・入力側・ぐラ
ドItfJ、5・・・ガラス基板、6・・・酸化亜鉛、
7・・・S i02.8・・・対向電極、9・・・パッ
ド対向電極、lO・・・ワイヤー。 11・・、アルミナ基板、12・・・印刷電極。 第1図 (a) 第2図 C 第3図 第4図 (a) G−Gwr面 第6図 (a) (b) H−HWrff] 第7図 第9図
ルタチップの構成を製造プロ七スに従って示した図、第
6図は同表面波フィルタチップをアルミナ基板に装着し
た状態を示す図、第7因は、第6図の表面波フィルタの
等価回路口、第8図は。 従来の表面波フィルタの構成を示す図、第9図は、同表
面波フィルタの等価回路図である。 l・・・出力側くし形電極、2・・・入力側くし形電極
、3・・・出力側・母ツド電極、4・・・入力側・ぐラ
ドItfJ、5・・・ガラス基板、6・・・酸化亜鉛、
7・・・S i02.8・・・対向電極、9・・・パッ
ド対向電極、lO・・・ワイヤー。 11・・、アルミナ基板、12・・・印刷電極。 第1図 (a) 第2図 C 第3図 第4図 (a) G−Gwr面 第6図 (a) (b) H−HWrff] 第7図 第9図
Claims (1)
- 絶縁基板の一主面上に形成された金属膜からなるくし
形電極及びパッド電極と、前記くし形電極上に形成され
た酸化亜鉛膜と、該酸化亜鉛膜上及び前記パッド電極上
に形成されたSiO_2膜と、該SiO_2膜上に、前
記くし形電極及びパッド電極にそれぞれ対向して形成さ
れた金属膜からなる対向電極及びパッド対向電極とから
構成されたことを特徴とする表面波フィルタチップ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11890385A JPS61277215A (ja) | 1985-06-03 | 1985-06-03 | 表面波フイルタチツプ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11890385A JPS61277215A (ja) | 1985-06-03 | 1985-06-03 | 表面波フイルタチツプ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61277215A true JPS61277215A (ja) | 1986-12-08 |
Family
ID=14748019
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11890385A Pending JPS61277215A (ja) | 1985-06-03 | 1985-06-03 | 表面波フイルタチツプ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61277215A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09153758A (ja) * | 1995-09-29 | 1997-06-10 | Toshiba Corp | 弾性表面波デバイス |
-
1985
- 1985-06-03 JP JP11890385A patent/JPS61277215A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09153758A (ja) * | 1995-09-29 | 1997-06-10 | Toshiba Corp | 弾性表面波デバイス |
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