JPS61274404A - 発振逓倍器 - Google Patents
発振逓倍器Info
- Publication number
- JPS61274404A JPS61274404A JP11561185A JP11561185A JPS61274404A JP S61274404 A JPS61274404 A JP S61274404A JP 11561185 A JP11561185 A JP 11561185A JP 11561185 A JP11561185 A JP 11561185A JP S61274404 A JPS61274404 A JP S61274404A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oscillation
- frequency
- waveguide
- output
- fundamental
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は基本発振周波数の２逓倍波を出力する発振逓倍
器に関し、特に当該発振逓倍器の周波数および出力の安
定度またその再現性の改良に関する。
器に関し、特に当該発振逓倍器の周波数および出力の安
定度またその再現性の改良に関する。
（従来の技術）
従来、この種の発振逓倍器にあっては、例えば第３図に
示すように、発振用トランジスタ１を用い、この発振用
トランジスタ１の非線形性を利用して基本発振周波数の
２逓倍波を出力するため、出力回路には、基本発振周波
数とその２逓倍周波数との間に遮断周波数を有する出力
導波管４を設けると共に、この出力導波管４の中に、発
振用トランジスタ１と接続されるマイクロストリップ線
路２を発振器部ケース６から延出し、この延出されたマ
イクロストリップ線路２の誘電体基板２ａ上に、アンテ
ナ状プローブ３を起立させ、出力導波管４とマイクロス
トリップ線路２とをアンテナ状プローブ３によって電磁
的に結合させていた。
示すように、発振用トランジスタ１を用い、この発振用
トランジスタ１の非線形性を利用して基本発振周波数の
２逓倍波を出力するため、出力回路には、基本発振周波
数とその２逓倍周波数との間に遮断周波数を有する出力
導波管４を設けると共に、この出力導波管４の中に、発
振用トランジスタ１と接続されるマイクロストリップ線
路２を発振器部ケース６から延出し、この延出されたマ
イクロストリップ線路２の誘電体基板２ａ上に、アンテ
ナ状プローブ３を起立させ、出力導波管４とマイクロス
トリップ線路２とをアンテナ状プローブ３によって電磁
的に結合させていた。
なお、出力導波管４にはインピーダンス整合用に金属ネ
ジ５を設けている。
ジ５を設けている。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、上述した従来の発振逓倍器の場合にあっ
ては、出力導波管４とマイクロストリップ線路２とを電
磁的に結合させるアンテナ状プローブ３が、出力導波管
４内の空中に突出しており、それが箔板状のものである
ため、振動および衝撃等の機械的応力を受けると出力導
波管４内に於いてアンテナ状プローブ３の位置安定性が
悪くなる。このため、出力導波管４とマイクロストリッ
プ線路２との出力整合や結合が不安定なものとなる０発
振器倍器が上記の機械的応力を受けてもアンテナ状プロ
ーブ３の位置安定性が良好になるようにアンテナ状プロ
ーブ３の立ち上り手前の部分とマイクロストリップ線路
２との間を接着剤などにより補強することも考えられる
が、誘電率の異なる物質の存在により電界が乱れたり誘
電体損が増加したりするという問題がある。更にアンテ
ナ状プローブ３は発振用トランジスタ１の電極の接続さ
れたマイクロストリップ線路２に半田付け、或いは熱圧
着により接続されるが、組立上一様に固定できず、従っ
て、電気的特性の再現性も悪いという欠点がある。
ては、出力導波管４とマイクロストリップ線路２とを電
磁的に結合させるアンテナ状プローブ３が、出力導波管
４内の空中に突出しており、それが箔板状のものである
ため、振動および衝撃等の機械的応力を受けると出力導
波管４内に於いてアンテナ状プローブ３の位置安定性が
悪くなる。このため、出力導波管４とマイクロストリッ
プ線路２との出力整合や結合が不安定なものとなる０発
振器倍器が上記の機械的応力を受けてもアンテナ状プロ
ーブ３の位置安定性が良好になるようにアンテナ状プロ
ーブ３の立ち上り手前の部分とマイクロストリップ線路
２との間を接着剤などにより補強することも考えられる
が、誘電率の異なる物質の存在により電界が乱れたり誘
電体損が増加したりするという問題がある。更にアンテ
ナ状プローブ３は発振用トランジスタ１の電極の接続さ
れたマイクロストリップ線路２に半田付け、或いは熱圧
着により接続されるが、組立上一様に固定できず、従っ
て、電気的特性の再現性も悪いという欠点がある。
本発明の目的は、導波管とマイクロストリップ線路とを
安定に出力整合することができると共に、電気的再現性
が良好な発振逓倍器を提供することにある。
安定に出力整合することができると共に、電気的再現性
が良好な発振逓倍器を提供することにある。
（問題点を解決するための手段）
上記の目的を達成するため、本発明の発振逓倍器は次の
ように構成されている。すなわち、トランジスタ素子を
用い、該トランジスタ素子の有する非線形性を利用して
基本発振周波数の２逓倍波−を出力する発振逓倍器にお
いて、出力回路が、基本発振周波数とその２逓倍周波数
との間に遮断周波数を有する導波管と、前記トランジス
タ素子の出力電極から前記導波管の中に延出して該導波
管と電磁結合させたサスベンゾイドマイクロストリップ
線路とからなる発振逓倍器である。
ように構成されている。すなわち、トランジスタ素子を
用い、該トランジスタ素子の有する非線形性を利用して
基本発振周波数の２逓倍波−を出力する発振逓倍器にお
いて、出力回路が、基本発振周波数とその２逓倍周波数
との間に遮断周波数を有する導波管と、前記トランジス
タ素子の出力電極から前記導波管の中に延出して該導波
管と電磁結合させたサスベンゾイドマイクロストリップ
線路とからなる発振逓倍器である。
（作用）
以下、本発明の発振逓倍器の作用について述べる０本発
明の発振逓倍器にあっては、トランジスタ素子の有する
非線形性を利用して基本発振周波数の２逓倍波の信号を
生成する。そして、その２逓倍波から、基本発振周波数
を除去するため、導波管としては、基本発振周波数とそ
の２逓倍周波数との間に遮断周波数を設定したものを用
いる。
明の発振逓倍器にあっては、トランジスタ素子の有する
非線形性を利用して基本発振周波数の２逓倍波の信号を
生成する。そして、その２逓倍波から、基本発振周波数
を除去するため、導波管としては、基本発振周波数とそ
の２逓倍周波数との間に遮断周波数を設定したものを用
いる。
本発明の発振逓倍器は、従来技術のように箔板状の金属
を起立させるのではなく、金属導体が誘電体基板に接着
したマイクロストリップ線路そのものも確実に固定して
導波管内に突出させて（これをサスベンゾイドマイクロ
ストリップ線路と呼ぶ）出力導波管とマイクロストリッ
プ線路を電磁結合させ２逓倍周波数の信号を出力導波管
から取り出しているので、外部から機械的衝撃や振動が
加えられても結合プローブの役割を果しているマイクロ
ストリップ線路が導波管との間で相対的に振動したり動
揺したりすることがなくなり、導波管との電磁的結合や
整合性が安定したものとなる（実施例） 第１図は本発明の実施例の発振逓倍器の要部構成を示す
縦断面図であり、第２図はその横断面図である。この実
施例にあっては、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を発
振用トランジスタ１として用いており、この発振用トラ
ンジスタ１のソース電極は金属導体２ｂが誘電体基板２
ａに接着したサスペンディドマイクロストリップ線路７
に接続されている。サスベンゾイドマイクロストリップ
線路７は、基本発振周波数とその２逓倍周波数との間に
遮断周波数を有する出力導波管４の中に延出されて、そ
の出力導波管４と電磁的に結合されている。その為、発
振用トランジスタ１の非線形性を利用して生成された基
本発振周波数の２逓倍波は、サスペンディドマイクロス
トリップ線路７の準ＴＥＭモードから出力導波管４のＴ
Ｅ、Ｍモードに変換されて出力される。その際、基本発
振周波数成分は、ある位相で出力導波管４により完全反
射されて除去される。なお、発振用トランジスタ１のゲ
ート電極は基本波発振用の共振器（図示せず）と結合し
ている。そして、その共振器は発振器部ケース６に収容
されている。また、出力導波管４には出力側のインピー
ダンス整合用に従来同様に金属ネジ５が取付けられてい
る。また、第２図中点線で示すように出力導波管４には
誘電体基板２ａを載！接着固定し得るように基板受は鍔
部８が形成されている。上述したように構成された９
Ｇ Ｈｚ帯原発振および１８ Ｇ Ｈｚ帯出力の誘電体
共振器制御式ＦＥＴ発振逓倍器において、出力＋１７ｄ
Ｂｍ、逓倍波発振効率１０％が得られている。但し、Ｆ
Ｆｉ、Ｔとしては、ＮＥ９００２７５Ｍ（日本電気製品
）を用い、ドレイン−ソース電圧Ｖｏｓ＝４ｖ、ドレイ
ン−ソース電流Ｉｏｓ＝１２５ｍＡとした。
を起立させるのではなく、金属導体が誘電体基板に接着
したマイクロストリップ線路そのものも確実に固定して
導波管内に突出させて（これをサスベンゾイドマイクロ
ストリップ線路と呼ぶ）出力導波管とマイクロストリッ
プ線路を電磁結合させ２逓倍周波数の信号を出力導波管
から取り出しているので、外部から機械的衝撃や振動が
加えられても結合プローブの役割を果しているマイクロ
ストリップ線路が導波管との間で相対的に振動したり動
揺したりすることがなくなり、導波管との電磁的結合や
整合性が安定したものとなる（実施例） 第１図は本発明の実施例の発振逓倍器の要部構成を示す
縦断面図であり、第２図はその横断面図である。この実
施例にあっては、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を発
振用トランジスタ１として用いており、この発振用トラ
ンジスタ１のソース電極は金属導体２ｂが誘電体基板２
ａに接着したサスペンディドマイクロストリップ線路７
に接続されている。サスベンゾイドマイクロストリップ
線路７は、基本発振周波数とその２逓倍周波数との間に
遮断周波数を有する出力導波管４の中に延出されて、そ
の出力導波管４と電磁的に結合されている。その為、発
振用トランジスタ１の非線形性を利用して生成された基
本発振周波数の２逓倍波は、サスペンディドマイクロス
トリップ線路７の準ＴＥＭモードから出力導波管４のＴ
Ｅ、Ｍモードに変換されて出力される。その際、基本発
振周波数成分は、ある位相で出力導波管４により完全反
射されて除去される。なお、発振用トランジスタ１のゲ
ート電極は基本波発振用の共振器（図示せず）と結合し
ている。そして、その共振器は発振器部ケース６に収容
されている。また、出力導波管４には出力側のインピー
ダンス整合用に従来同様に金属ネジ５が取付けられてい
る。また、第２図中点線で示すように出力導波管４には
誘電体基板２ａを載！接着固定し得るように基板受は鍔
部８が形成されている。上述したように構成された９
Ｇ Ｈｚ帯原発振および１８ Ｇ Ｈｚ帯出力の誘電体
共振器制御式ＦＥＴ発振逓倍器において、出力＋１７ｄ
Ｂｍ、逓倍波発振効率１０％が得られている。但し、Ｆ
Ｆｉ、Ｔとしては、ＮＥ９００２７５Ｍ（日本電気製品
）を用い、ドレイン−ソース電圧Ｖｏｓ＝４ｖ、ドレイ
ン−ソース電流Ｉｏｓ＝１２５ｍＡとした。
（発明の効果）
以上説明したように本発明は、出力回路が基本周波数が
遮断領域となるような出力導波管中にマイクロストリッ
プ線路を延出させその基板を固定させた構造となってい
るので電磁的結合部分が機械的に安定確実に固定される
ので、導波管とマイクロストリップ線路との電磁的結合
部分は、従来の箔板状のアンテナ状プローブと比較して
、機械的安定性が良好となり、従って、本牽明によれば
導波管とマイクロストリップ線路とを安定に出力整合す
ることができる。また、サスベンゾイドストリップ線路
は周知のパターンエツチングにより製造されるものであ
り、しかも組立上一様に固定されるものであるから、電
気的再現性においても、従来と比較して優れているもの
である。
遮断領域となるような出力導波管中にマイクロストリッ
プ線路を延出させその基板を固定させた構造となってい
るので電磁的結合部分が機械的に安定確実に固定される
ので、導波管とマイクロストリップ線路との電磁的結合
部分は、従来の箔板状のアンテナ状プローブと比較して
、機械的安定性が良好となり、従って、本牽明によれば
導波管とマイクロストリップ線路とを安定に出力整合す
ることができる。また、サスベンゾイドストリップ線路
は周知のパターンエツチングにより製造されるものであ
り、しかも組立上一様に固定されるものであるから、電
気的再現性においても、従来と比較して優れているもの
である。
第１図は本発明の一実施例の発振逓倍器の構成を示す縦
断面図、第２図は、横断面図である。第３図は従来の発
振逓倍器の構成を示す縦断面図である。 １・・・・・・発振用トランジスタ、２・・・・・・マ
イクロストリップ線路、３・・・・・・アンテナ状プロ
ーブ。 ４・・・・・・出力導波管、５・・・・・・整合用金属
ネジ。 ６・・・・・・発振器部ケース、７・・・・・・サスペ
ンディドマイクロストリップ線路 代理人 弁理士 八 幡 義 博 ５籠＋Ｍ４！：Ｓネゾ ｉ−分明の４ｅ拗Ｕ車付１ｔの欠施例の消屹ｌ斥面第１
図 本ｆ、ｅ月のｔｉ達イＩＪシの突流イ列のオ捷詣面第２
図 薯３図
断面図、第２図は、横断面図である。第３図は従来の発
振逓倍器の構成を示す縦断面図である。 １・・・・・・発振用トランジスタ、２・・・・・・マ
イクロストリップ線路、３・・・・・・アンテナ状プロ
ーブ。 ４・・・・・・出力導波管、５・・・・・・整合用金属
ネジ。 ６・・・・・・発振器部ケース、７・・・・・・サスペ
ンディドマイクロストリップ線路 代理人 弁理士 八 幡 義 博 ５籠＋Ｍ４！：Ｓネゾ ｉ−分明の４ｅ拗Ｕ車付１ｔの欠施例の消屹ｌ斥面第１
図 本ｆ、ｅ月のｔｉ達イＩＪシの突流イ列のオ捷詣面第２
図 薯３図
Claims (1)
- トランジスタ素子を用い、該トランジスタ素子の有する
非線形性を利用して基本発振周波数の２逓倍波を出力す
る発振逓倍器において、出力回路が基本発振周波数とそ
の２逓倍周波数との間に遮断周波数を有する導波管と、
前記トランジスタ素子の出力電極から前記導波管の中に
延出して該導波管と電磁結合させたサスペンディドマイ
クロストリップ線路とからなることを特徴とする発振逓
倍器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11561185A JPS61274404A (ja) | 1985-05-29 | 1985-05-29 | 発振逓倍器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11561185A JPS61274404A (ja) | 1985-05-29 | 1985-05-29 | 発振逓倍器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61274404A true JPS61274404A (ja) | 1986-12-04 |
Family
ID=14666931
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11561185A Pending JPS61274404A (ja) | 1985-05-29 | 1985-05-29 | 発振逓倍器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61274404A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010011029A (ja) * | 2008-06-26 | 2010-01-14 | Kyocera Corp | 高周波回路と導波管部との接続構造 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5319726U (ja) * | 1976-07-29 | 1978-02-20 | ||
| JPS5627521A (en) * | 1979-08-15 | 1981-03-17 | Mitsubishi Electric Corp | Parallel-connected transistor amplifier |
| JPS58168306A (ja) * | 1982-03-29 | 1983-10-04 | Nec Corp | マイクロ波発振装置 |
-
1985
- 1985-05-29 JP JP11561185A patent/JPS61274404A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5319726U (ja) * | 1976-07-29 | 1978-02-20 | ||
| JPS5627521A (en) * | 1979-08-15 | 1981-03-17 | Mitsubishi Electric Corp | Parallel-connected transistor amplifier |
| JPS58168306A (ja) * | 1982-03-29 | 1983-10-04 | Nec Corp | マイクロ波発振装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010011029A (ja) * | 2008-06-26 | 2010-01-14 | Kyocera Corp | 高周波回路と導波管部との接続構造 |
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