JPS61271844A - 化合物半導体表面の不活性化方法 - Google Patents
化合物半導体表面の不活性化方法Info
- Publication number
- JPS61271844A JPS61271844A JP60114494A JP11449485A JPS61271844A JP S61271844 A JPS61271844 A JP S61271844A JP 60114494 A JP60114494 A JP 60114494A JP 11449485 A JP11449485 A JP 11449485A JP S61271844 A JPS61271844 A JP S61271844A
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- JP
- Japan
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- compound semiconductor
- insulating film
- inactive
- antimony
- film
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
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- Power Engineering (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、光デバイスやマイクロ波デバイス等で用いら
れる化合物半導体の表面の不活性化方法に関する。
れる化合物半導体の表面の不活性化方法に関する。
（従来技術とその問題点）
■−ｖ族化合物半導体は光デバイス、マイクロ波デバイ
スとして大いに活用されているが、Ｓｌ半導体における
熱酸化によるＳｉｎ、の様な良好な界面特性を示す表面
不活性化膜が得られていない。
スとして大いに活用されているが、Ｓｌ半導体における
熱酸化によるＳｉｎ、の様な良好な界面特性を示す表面
不活性化膜が得られていない。
■−ｖ族化合物半導体表面の不活性化方法は酸化法と絶
縁物堆積法の２橋類に大別きれる０話をｓｂを含む化合
物半導体、例えばＧａｒｂに限れば、前者の方法の場合
、ｓｂが選択的に蒸発するから形成される酸化膜は主と
してＧａの酸化物から成っている。更に、次式で示きれ
る酸化膜とＧａｒｂとの反応により界面には容易に金属
アンチモンが析出する事がジャーナル・才プ・エレクト
ロケミカル・ソサイアティー（Ｊ、Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈ
ｅｍ、Ｓｏｃ、 ）第１２７巻２４８８ページに報告さ
れている。
縁物堆積法の２橋類に大別きれる０話をｓｂを含む化合
物半導体、例えばＧａｒｂに限れば、前者の方法の場合
、ｓｂが選択的に蒸発するから形成される酸化膜は主と
してＧａの酸化物から成っている。更に、次式で示きれ
る酸化膜とＧａｒｂとの反応により界面には容易に金属
アンチモンが析出する事がジャーナル・才プ・エレクト
ロケミカル・ソサイアティー（Ｊ、Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈ
ｅｍ、Ｓｏｃ、 ）第１２７巻２４８８ページに報告さ
れている。
５ｂｔＯｓ＋２ＧａＳｂ→ＧａｘＯｓ＋４Ｓｂまた堆積
法による表面不活性化方法においてもＧａｒｂ表面には
数１０人程度の厚さの自然酸化膜が存在するから上式と
全く同じ反応が生じる。この様に従来方法によれば不活
性化膜と化合物半導体との界面の組成制御が困難である
から、界面単位密度は１０” 〜１０”ｃｍ−’ｅＶ−
’であり、Ｓｌと５１０ ＊との界面における準位密度
１０’ 〜１０”ｃｍ−”ｅＶ−’に比べて非常に高い
という問題点を有している。
法による表面不活性化方法においてもＧａｒｂ表面には
数１０人程度の厚さの自然酸化膜が存在するから上式と
全く同じ反応が生じる。この様に従来方法によれば不活
性化膜と化合物半導体との界面の組成制御が困難である
から、界面単位密度は１０” 〜１０”ｃｍ−’ｅＶ−
’であり、Ｓｌと５１０ ＊との界面における準位密度
１０’ 〜１０”ｃｍ−”ｅＶ−’に比べて非常に高い
という問題点を有している。
そこで、本発明の目的は、従来の上に記した問題点を解
決し、アンチモンを構成元素として含む化合物半導体の
表面の組成を変化させず金属アンチモンの析出も抑制し
てその表面を不活性化する方法を提供することにある。
決し、アンチモンを構成元素として含む化合物半導体の
表面の組成を変化させず金属アンチモンの析出も抑制し
てその表面を不活性化する方法を提供することにある。
（問題点を解決するための手段）
前述の問題点を解決するために本発明が提供する手段は
、アンチモンを構成元素として含む化合物半導体の表面
に絶縁膜を形成してその表面を不活性化する方法であっ
て、前記絶縁膜を形成する工程の直前に塩酸ガスを導入
する工程を有することを特徴とする。
、アンチモンを構成元素として含む化合物半導体の表面
に絶縁膜を形成してその表面を不活性化する方法であっ
て、前記絶縁膜を形成する工程の直前に塩酸ガスを導入
する工程を有することを特徴とする。
（作用）
本発明は上述の手段により従来の問題点を解決した。
第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明方法の工程を示す図であ
る。まず、本図（ａ）の化合物半導体１の表面を化学エ
ツチングにより処理をする０次に絶縁膜形成装置に導入
し、本図（ｂ）に示す如くにＨＣＱガス２を導入して、
表面の薄い酸化膜を完全に除去し、その後引き続き本図
（ｃ）に示すように絶縁膜３の形成を行なう。
る。まず、本図（ａ）の化合物半導体１の表面を化学エ
ツチングにより処理をする０次に絶縁膜形成装置に導入
し、本図（ｂ）に示す如くにＨＣＱガス２を導入して、
表面の薄い酸化膜を完全に除去し、その後引き続き本図
（ｃ）に示すように絶縁膜３の形成を行なう。
この方法を用いれば、従来から問題となっていたｓｂを
構成元素として含む化合物半導体１の薄い表面酸化膜が
完全に障去諮れた状態で絶縁膜３の形成が可能となり、
界面準位の少ない良好な不活性化膜が形成できる。
構成元素として含む化合物半導体１の薄い表面酸化膜が
完全に障去諮れた状態で絶縁膜３の形成が可能となり、
界面準位の少ない良好な不活性化膜が形成できる。
（実施例）
以下ｓｂを構成元素として含む化合物半導体がＧａｒｂ
であり、絶縁膜がプラズマＣＶＤ法による５ｉＮｘ膜で
ある場合について本発明の実施例を述べるが、他の化合
物半導体、例えばＧ ａ ＡＱ Ｓ ｂ 。
であり、絶縁膜がプラズマＣＶＤ法による５ｉＮｘ膜で
ある場合について本発明の実施例を述べるが、他の化合
物半導体、例えばＧ ａ ＡＱ Ｓ ｂ 。
ＧａＡｓＳｂ、 ＩｎＳｂ、 ＩｎＧａＳｂ等について
も本発明は適用でき、効果は同じであることは容易に理
解される。
も本発明は適用でき、効果は同じであることは容易に理
解される。
化学エツチングを施したＧａ３ｂをプラズマＣＶＤ装置
に導入する。絶Ｒ膜であるＳｉＮｘ膜を形成する直前に
、Ｈ，ガスで約５％に希釈芒れた１ｉｃＱガスを約１分
間導入してＧａｒｂ表面の薄い酸化膜を完全に除去する
。そして引き続きＳｉＮｘ膜を約１５００人形成する。
に導入する。絶Ｒ膜であるＳｉＮｘ膜を形成する直前に
、Ｈ，ガスで約５％に希釈芒れた１ｉｃＱガスを約１分
間導入してＧａｒｂ表面の薄い酸化膜を完全に除去する
。そして引き続きＳｉＮｘ膜を約１５００人形成する。
この様にＧａｒｂ表面に形成される薄い酸化膜を除去し
て絶縁膜を形成したときの深さ方向の濃度プロファイル
をオージェ電子分光法によって調べたところ、深さ方向
の組成分布は第２図の様であった。界面に金属ｓｂの析
出は見られなかった。それに対して従来の表面不活性化
法によれば第３図の様になり、図中Ａで示す様に界面に
ｓｂの析出が見られた。
て絶縁膜を形成したときの深さ方向の濃度プロファイル
をオージェ電子分光法によって調べたところ、深さ方向
の組成分布は第２図の様であった。界面に金属ｓｂの析
出は見られなかった。それに対して従来の表面不活性化
法によれば第３図の様になり、図中Ａで示す様に界面に
ｓｂの析出が見られた。
更に本実施例によって形成した表面不活性化膜とＧａｒ
ｂとの界面の順位密度は１０” 〜１０”ａｎ−”ｅＶ
−’であり、従来の１０” 〜１０”ｃｍ−”ｅＶ−’
に比べ約１桁の低減効果があることが判った。
ｂとの界面の順位密度は１０” 〜１０”ａｎ−”ｅＶ
−’であり、従来の１０” 〜１０”ｃｍ−”ｅＶ−’
に比べ約１桁の低減効果があることが判った。
（発明の効果）
以上の様に、本発明によれば、ｓｂを構成元素として含
む化合物半導体の表面の組成を変化させる事なく、かつ
金属ｓｂの析出も抑制してその表面を不活性化する方法
を提供できる。更に、本発明によれば、不活性化膜と化
合物半導体との界面の単位密度も従来より低減できる。
む化合物半導体の表面の組成を変化させる事なく、かつ
金属ｓｂの析出も抑制してその表面を不活性化する方法
を提供できる。更に、本発明によれば、不活性化膜と化
合物半導体との界面の単位密度も従来より低減できる。
第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明の表面不活性化方法の工
程を示す模式図であり、１はアンチモンを含む化合物半
導体、２は表面エツチング用の）ＩＣＱガス、３は絶縁
膜である。第２図及び第３１！１は本発明方法及び従来
の表面不活性化方法を適用したときの深き方向の組成分
布をそれぞれ示す図である。 代理人弁理士 本 庄 伸 介 第１図 第２図 ３朶さ□ 第３図 深で□
程を示す模式図であり、１はアンチモンを含む化合物半
導体、２は表面エツチング用の）ＩＣＱガス、３は絶縁
膜である。第２図及び第３１！１は本発明方法及び従来
の表面不活性化方法を適用したときの深き方向の組成分
布をそれぞれ示す図である。 代理人弁理士 本 庄 伸 介 第１図 第２図 ３朶さ□ 第３図 深で□
Claims (1)
- アンチモンを構成元素として含む化合物半導体の表面に
絶縁膜を形成してその表面を不活性化する方法において
、前記絶縁膜を形成する工程の直前に塩酸ガスを導入す
る工程を有することを特徴とする化合物半導体表面の不
活性化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60114494A JPS61271844A (ja) | 1985-05-27 | 1985-05-27 | 化合物半導体表面の不活性化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60114494A JPS61271844A (ja) | 1985-05-27 | 1985-05-27 | 化合物半導体表面の不活性化方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61271844A true JPS61271844A (ja) | 1986-12-02 |
Family
ID=14639162
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60114494A Pending JPS61271844A (ja) | 1985-05-27 | 1985-05-27 | 化合物半導体表面の不活性化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61271844A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05206499A (ja) * | 1991-08-08 | 1993-08-13 | Santa Barbara Res Center | インジウム・アンチモン光検出器 |
| JPH10503853A (ja) * | 1994-05-27 | 1998-04-07 | ローリン，リチァド、エイチ | 光信号スイッチング装置及び動作方法 |
-
1985
- 1985-05-27 JP JP60114494A patent/JPS61271844A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05206499A (ja) * | 1991-08-08 | 1993-08-13 | Santa Barbara Res Center | インジウム・アンチモン光検出器 |
| JPH10503853A (ja) * | 1994-05-27 | 1998-04-07 | ローリン，リチァド、エイチ | 光信号スイッチング装置及び動作方法 |
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